JPS603159A - 不揮発性記憶装置の製造方法 - Google Patents
不揮発性記憶装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＭＮＯＳ （金属−窒化膜一酸化膜一半導体
）型の電界トランジスタから々る不揮発性記憶装置の製
造方法に関するものである。
）型の電界トランジスタから々る不揮発性記憶装置の製
造方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
一般に、ＭＮＯＳ型の不揮発性記憶装置は、ゲート絶縁
膜として薄い二酸化シリコン膜と窒化／リコン膜との二
層を用いて、これらをノリコン基板上に順次積層し、さ
らに窒化シリコン膜上にアルミニウムからなるゲート電
極を形成したもので、これら二層の絶縁膜の界面または
窒化シリコン膜のバルク中に分布するトラツクに、ノリ
コン基板側から薄い二酸化シリコン膜を通してのトンネ
ル注入により電荷を捕獲し、その蓄積によりトランジス
タの閾値電圧を変化させて情報を記憶するものである。
膜として薄い二酸化シリコン膜と窒化／リコン膜との二
層を用いて、これらをノリコン基板上に順次積層し、さ
らに窒化シリコン膜上にアルミニウムからなるゲート電
極を形成したもので、これら二層の絶縁膜の界面または
窒化シリコン膜のバルク中に分布するトラツクに、ノリ
コン基板側から薄い二酸化シリコン膜を通してのトンネ
ル注入により電荷を捕獲し、その蓄積によりトランジス
タの閾値電圧を変化させて情報を記憶するものである。
ここで、近年では半導体装置の寸法微細化、高集積化お
よび高速化が推進されているが、ゲート電極をアルミニ
ウムで形成していると、現在要求されている高度な寸法
微細化および高集積化を達成することが困難になってい
る。そのだ、Ｚ、ＭＯ８型半導体装置などでは、ゲート
電極をポリシリコンまだは高融点金属で形成するととも
にセルファライン技術を用いて高集積化を実現している
。
よび高速化が推進されているが、ゲート電極をアルミニ
ウムで形成していると、現在要求されている高度な寸法
微細化および高集積化を達成することが困難になってい
る。そのだ、Ｚ、ＭＯ８型半導体装置などでは、ゲート
電極をポリシリコンまだは高融点金属で形成するととも
にセルファライン技術を用いて高集積化を実現している
。
そこで従来、ＭＮＱＳ型の不揮発性記憶装置においても
、高集積化を実現するためにゲート電極をポリシリコン
または高融点金属で形成し、且つセルファライン技術を
用いて構成したものが提案されていて、この場合、シリ
コン基板上に薄い二酸化シリコン膜を形成し、その土に
窒化シリコン膜を成長させた後、ポリシリコン１だは高
融点金属からなるゲート電極を形成し、さらに、ソース
およびドレインの形成、保護膜の形成々どの工程を経て
構成されている。
、高集積化を実現するためにゲート電極をポリシリコン
または高融点金属で形成し、且つセルファライン技術を
用いて構成したものが提案されていて、この場合、シリ
コン基板上に薄い二酸化シリコン膜を形成し、その土に
窒化シリコン膜を成長させた後、ポリシリコン１だは高
融点金属からなるゲート電極を形成し、さらに、ソース
およびドレインの形成、保護膜の形成々どの工程を経て
構成されている。
しかしながら、このような従来のＭＮＯＳ型の不揮発性
記憶装置では、上記の製造工程においてソースおよびド
レインの押し込み、保ｉ膜の緻密化などのために１００
０℃程度の高温処理を必要とするので、記憶保持特性が
悪化することが知られている。このだめ、元来他の不揮
発性記憶装置に比べて記憶保持特性がやや劣るＭＮＱＳ
型の不揮発性記憶装置では、上記の高集積化に伴う記憶
保持特性の悪化が実用上の最大の問題となっていた。
記憶装置では、上記の製造工程においてソースおよびド
レインの押し込み、保ｉ膜の緻密化などのために１００
０℃程度の高温処理を必要とするので、記憶保持特性が
悪化することが知られている。このだめ、元来他の不揮
発性記憶装置に比べて記憶保持特性がやや劣るＭＮＱＳ
型の不揮発性記憶装置では、上記の高集積化に伴う記憶
保持特性の悪化が実用上の最大の問題となっていた。
（発明の目的）
本発明は、上記従来例の欠点に鑑みてなされたもので、
ゲート電極にポリシリコンまたは高融点金属を用いて高
集積化を可能にし、且つ記憶保持特性を向上させること
ができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供するもので
ある。
ゲート電極にポリシリコンまたは高融点金属を用いて高
集積化を可能にし、且つ記憶保持特性を向上させること
ができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供するもので
ある。
（発明の構成）
上記目的を達成するだめに、本発明は、半導体基板上に
ゲート絶縁膜として薄いシリコン膜と窒化シリコン膜と
を積層して形成し、その上にゲート電極を形成し、呟ら
に半導体基板内にソースおよびドレインを形成した後に
、水素イオン注入を行うことによシ窒化シリコン膜の水
素の含有量を増加させるようにしたものである。
ゲート絶縁膜として薄いシリコン膜と窒化シリコン膜と
を積層して形成し、その上にゲート電極を形成し、呟ら
に半導体基板内にソースおよびドレインを形成した後に
、水素イオン注入を行うことによシ窒化シリコン膜の水
素の含有量を増加させるようにしたものである。
（実施例の説明）
実施例を説明する前に記憶保持特性の悪化について述べ
ると、この記憶保持特性の悪化は、ソースおよびドレイ
ンの押し込みなどのだめの熱処理に起因するものである
が、窒化シリコン膜の形成条件にも関係があシ、熱処理
の温度が窒化シリコン膜の成長温度よりも高い場合に記
憶保持特性の悪化が生じ、熱処理の温度が窒化シリコン
膜の成長温度よりも低い場合には記憶保持ｑ＋性の悪化
がほとんど生じない。これは、窒化シリコン膜の成長温
度よりも高い温度で熱処理したとき、窒化シリコン膜の
中に含１れる水素、すなわち５ｉ−Ｈ結合の数が少なく
なり、不安定々トラップが附加増大されるためである。
ると、この記憶保持特性の悪化は、ソースおよびドレイ
ンの押し込みなどのだめの熱処理に起因するものである
が、窒化シリコン膜の形成条件にも関係があシ、熱処理
の温度が窒化シリコン膜の成長温度よりも高い場合に記
憶保持特性の悪化が生じ、熱処理の温度が窒化シリコン
膜の成長温度よりも低い場合には記憶保持ｑ＋性の悪化
がほとんど生じない。これは、窒化シリコン膜の成長温
度よりも高い温度で熱処理したとき、窒化シリコン膜の
中に含１れる水素、すなわち５ｉ−Ｈ結合の数が少なく
なり、不安定々トラップが附加増大されるためである。
従って、本発明は、窒化シリコン膜の成長温度よりも高
い温度を必要とする熱処理を行った後に、水素イオンを
注入して窒化シリコン膜の水素の含有量を増加させ、さ
らに注入した水素イオンの活性化のために、窒化シリコ
ン膜の成長温度よりも低い温度で熱処理を行うことによ
り、ＭＮＱＳ型の不揮発性記憶装置の高集積化に伴う記
憶保持特性の悪化を防止するようにしだものであり、以
下、図面により本発明の実施例を具体的に説明する。
い温度を必要とする熱処理を行った後に、水素イオンを
注入して窒化シリコン膜の水素の含有量を増加させ、さ
らに注入した水素イオンの活性化のために、窒化シリコ
ン膜の成長温度よりも低い温度で熱処理を行うことによ
り、ＭＮＱＳ型の不揮発性記憶装置の高集積化に伴う記
憶保持特性の悪化を防止するようにしだものであり、以
下、図面により本発明の実施例を具体的に説明する。
第１図（Ａ）ないし□□□）は、本発明の一実施例の工
程を示す図である。まず、第１図（Ａ）に示すように、
Ｐ型のシリコン基板１の一生面に二酸化シリコン膜２を
ｓｏｏ Ｘ形成し、その」二に窒化シリコン膜３を１．
２００λ程度形成した後に、７第１・エツチング技術を
用いて、ノリコン基板１土の素子分離領域となる部分の
二酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３を除去する
。次に、第１図（＋３）に示すように、熱酸化法により
シリコン基板１の表面が露出しだ部分に素子分離用のフ
ィールド酸化膜４を１μｍ程度形成させる。その後、第
１図（Ｃ） Ｋ示すように、窒化シリコン膜３とその下
の二酸化シリコン膜２とを順次エツチングにより除去し
、新だに２０Ｘ程度の薄い二酸化シリコン膜５を、８０
０℃、酸素雰囲気中で酸化して形成する。次いで、第１
図（ＤＪに示すまうに、二酸化シリコン膜５上に、ジク
ロルシラン（５ｉＨ２Ｃ１２）とアンモニア（ＮＨ３）
の化学反応に基く減圧気相成長法により窒化シリコン膜
６を形成する。本実施例では、成長温度８００℃、ガス
流量比ＮＨ３／５ｉＨ２Ｃ１２＝ １００の条件下で、
窒化シリコン膜６を５００大形成した。そして窒化シリ
コン膜６上にボリンリコン膜を形成した後、ゲート電極
７となる部分だけを残してフォトエツチングにより除去
して、窒化シリコン膜６上にポリシリコンから々るゲー
ト電極７を形成する。その後、このゲート電極７とフィ
ールド酸ｆヒ膜４をマスクとし、リンを加速エネルギー
１００ＫｅＶで、注入量４ Ｘ １０１５Ｃｉ−２だけ
注入して、ノース８およびドレイン９を打ち込むととも
に、ポリシリコンからなるゲート電極７にもリンを注入
する。次に、第１図（Ｅ）に示すように、表面保護膜と
して二酸化シリコン膜１０を気相成長法により被着した
後、ソース８およびドレイン９の押し込みと、二酸化シ
リコン膜１０の緻密化と、ゲート電極７のアニールのた
めに、１０００℃で２０分、Ｎ２雰囲気中で熱処理を行
う。その後、水素イオン１］を注入する。本実施例では
、水素イオン１１としてＩ（２イオンを用いて、注入条
件は加速エネルギー１０ＫｅＶ、注入量５ Ｘ １０１
５ｒ、ｉ−２とした。さらに、注入イオンの活性化のた
めに、窒化シリコン膜６の成長温度よりも低い温度で熱
処理を行う。本実施例では、７００℃で２０分、Ｎ２雰
囲気中で熱処理を行った。最後に、第１図（Ｆ）に示す
ように、ソース８およびドレイン９にそれぞれ電極を設
けるために、シリコン基板１上に積層された二酸化／リ
コン膜５、窒化／リコン膜６および二酸化シリコン膜】
０を貫通し、シリコン基板１内のソース８およびドレイ
ン９にそれぞれ到達するコンタクト孔をエンチングによ
り開孔し、アルミニウム膜を主面（／ｌ：被着した後、
フォトエツチングによシソース８およびドレイン９表接
続したアルミ電極１２をそれぞれ形成する。
程を示す図である。まず、第１図（Ａ）に示すように、
Ｐ型のシリコン基板１の一生面に二酸化シリコン膜２を
ｓｏｏ Ｘ形成し、その」二に窒化シリコン膜３を１．
２００λ程度形成した後に、７第１・エツチング技術を
用いて、ノリコン基板１土の素子分離領域となる部分の
二酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３を除去する
。次に、第１図（＋３）に示すように、熱酸化法により
シリコン基板１の表面が露出しだ部分に素子分離用のフ
ィールド酸化膜４を１μｍ程度形成させる。その後、第
１図（Ｃ） Ｋ示すように、窒化シリコン膜３とその下
の二酸化シリコン膜２とを順次エツチングにより除去し
、新だに２０Ｘ程度の薄い二酸化シリコン膜５を、８０
０℃、酸素雰囲気中で酸化して形成する。次いで、第１
図（ＤＪに示すまうに、二酸化シリコン膜５上に、ジク
ロルシラン（５ｉＨ２Ｃ１２）とアンモニア（ＮＨ３）
の化学反応に基く減圧気相成長法により窒化シリコン膜
６を形成する。本実施例では、成長温度８００℃、ガス
流量比ＮＨ３／５ｉＨ２Ｃ１２＝ １００の条件下で、
窒化シリコン膜６を５００大形成した。そして窒化シリ
コン膜６上にボリンリコン膜を形成した後、ゲート電極
７となる部分だけを残してフォトエツチングにより除去
して、窒化シリコン膜６上にポリシリコンから々るゲー
ト電極７を形成する。その後、このゲート電極７とフィ
ールド酸ｆヒ膜４をマスクとし、リンを加速エネルギー
１００ＫｅＶで、注入量４ Ｘ １０１５Ｃｉ−２だけ
注入して、ノース８およびドレイン９を打ち込むととも
に、ポリシリコンからなるゲート電極７にもリンを注入
する。次に、第１図（Ｅ）に示すように、表面保護膜と
して二酸化シリコン膜１０を気相成長法により被着した
後、ソース８およびドレイン９の押し込みと、二酸化シ
リコン膜１０の緻密化と、ゲート電極７のアニールのた
めに、１０００℃で２０分、Ｎ２雰囲気中で熱処理を行
う。その後、水素イオン１］を注入する。本実施例では
、水素イオン１１としてＩ（２イオンを用いて、注入条
件は加速エネルギー１０ＫｅＶ、注入量５ Ｘ １０１
５ｒ、ｉ−２とした。さらに、注入イオンの活性化のた
めに、窒化シリコン膜６の成長温度よりも低い温度で熱
処理を行う。本実施例では、７００℃で２０分、Ｎ２雰
囲気中で熱処理を行った。最後に、第１図（Ｆ）に示す
ように、ソース８およびドレイン９にそれぞれ電極を設
けるために、シリコン基板１上に積層された二酸化／リ
コン膜５、窒化／リコン膜６および二酸化シリコン膜】
０を貫通し、シリコン基板１内のソース８およびドレイ
ン９にそれぞれ到達するコンタクト孔をエンチングによ
り開孔し、アルミニウム膜を主面（／ｌ：被着した後、
フォトエツチングによシソース８およびドレイン９表接
続したアルミ電極１２をそれぞれ形成する。
こうして、ＭＮＯＳ型のＮチャンネル型不揮発性記憶装
置が完成する。
置が完成する。
上記のように作製されたＭＮＯＳ型の不揮発性記憶装置
の記憶保持特性を第２図１で示す。第２図において、横
軸は書き込み消去直後の閾値電圧、縦軸はその時に蓄積
された電荷の減衰率（ａＶｔｋｙ’ａ ｌｏｇ ｔ ；
ｖｔｈは閾値電圧、ｔは時間）を示していて、直線の傾
きが小さいほど記憶保持特性が優れていることを示して
いる。壕だ、直線１３は本実施例により作製された不揮
発性記憶装置の記憶保持特性を示していて、水素イオン
注入を行わない従来の不揮発性記憶装置の記憶保持特性
を示す直線１４に比べて傾きが小さく、優れた記憶保持
特性を有していることがわかる。
の記憶保持特性を第２図１で示す。第２図において、横
軸は書き込み消去直後の閾値電圧、縦軸はその時に蓄積
された電荷の減衰率（ａＶｔｋｙ’ａ ｌｏｇ ｔ ；
ｖｔｈは閾値電圧、ｔは時間）を示していて、直線の傾
きが小さいほど記憶保持特性が優れていることを示して
いる。壕だ、直線１３は本実施例により作製された不揮
発性記憶装置の記憶保持特性を示していて、水素イオン
注入を行わない従来の不揮発性記憶装置の記憶保持特性
を示す直線１４に比べて傾きが小さく、優れた記憶保持
特性を有していることがわかる。
なお、本実施例では、Ｐ型のシリコン基板１を用いてＮ
チャンネル型の不揮発性記憶装置を作製する場合につい
て説明したが、Ｎ型のシリコン基板を用いてＰチャンネ
ル型のものを作製できることはもちろんであり、さらに
、ゲート電極７としては、ポリシリコンだけで々く高融
点金属でも同様に作製できることは自明である。寸だ、
本実施例では、水素イオン１１として■（２＋イオンを
用いだが、ＨイオンおよびＨ３イオンなどを用いても同
様な効果が得られる。
チャンネル型の不揮発性記憶装置を作製する場合につい
て説明したが、Ｎ型のシリコン基板を用いてＰチャンネ
ル型のものを作製できることはもちろんであり、さらに
、ゲート電極７としては、ポリシリコンだけで々く高融
点金属でも同様に作製できることは自明である。寸だ、
本実施例では、水素イオン１１として■（２＋イオンを
用いだが、ＨイオンおよびＨ３イオンなどを用いても同
様な効果が得られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は、不揮発性記憶装置を作
製する際に、窒化／リコン膜を形成した後にそれの成長
温度よシも高い温度の熱処理を施す場合、その熱処理後
に水素イオン注入を行うことにより、記憶保持特性の悪
化のない非常に優れた不揮発性記憶装置を作製すること
ができるので、ゲート電極にポリシリコン寸たは高融点
金属を用いて高集積化を図る際の記憶保持特性の悪化を
解消し、不揮発性記憶装置の高集積化および高性能化を
可能にするものである。
製する際に、窒化／リコン膜を形成した後にそれの成長
温度よシも高い温度の熱処理を施す場合、その熱処理後
に水素イオン注入を行うことにより、記憶保持特性の悪
化のない非常に優れた不揮発性記憶装置を作製すること
ができるので、ゲート電極にポリシリコン寸たは高融点
金属を用いて高集積化を図る際の記憶保持特性の悪化を
解消し、不揮発性記憶装置の高集積化および高性能化を
可能にするものである。
第１図は、本発明の一実施例の工程図、第２図は、本発
明の一実施例により作製された不揮発性記憶装置の記憶
保持特性を示す図である。 １ ・・・・・・・・シリコン基板、２，５．１０ ・
・・・・・・・・二酸化シリコン膜、３．６ ・ −・
・・窒化シリコン膜、４・・・・・−フィールド酸ｆヒ
膜、 ７・・・・・・・・・ゲート電極、 ８ ・・・
・・・・・ ソース、 ９ ・・・・・・・・ ドレイ
ン、１１・・・・・・水素イオン、１２・・・・・・・
・ アルミニウム電極。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 １ １０ ６ 第２図
明の一実施例により作製された不揮発性記憶装置の記憶
保持特性を示す図である。 １ ・・・・・・・・シリコン基板、２，５．１０ ・
・・・・・・・・二酸化シリコン膜、３．６ ・ −・
・・窒化シリコン膜、４・・・・・−フィールド酸ｆヒ
膜、 ７・・・・・・・・・ゲート電極、 ８ ・・・
・・・・・ ソース、 ９ ・・・・・・・・ ドレイ
ン、１１・・・・・・水素イオン、１２・・・・・・・
・ アルミニウム電極。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 １ １０ ６ 第２図
Claims (4)
- （１） 半導体基板の一生面に薄い二酸化シリコン膜を
選択的に形成する工程と、前記二酸化シリコン膜上に窒
化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜上
に電極用の導電膜を形成する工程と、水素イオン注入に
より前記窒化シリコン膜の水素の含有部を増加させる工
程とからなることを特徴とする不揮発性記憶装置の製造
方法。 - （２） 前記電極用の導電膜がポリシリコンまたは高融
点金属からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の不揮発性記憶装置の製造方法。 - （３） 前記窒化シリコン膜の水素の含有量を増加させ
る工程は、水素イオンを注入した後に前記窒化シリコン
膜の成長温度よりも低い温度で熱処理を行うことを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の不揮発性記憶装
置の製造方法。 - （４） 半導体基板の一生面に薄い二酸化シリコ４膜を
選択的に形成する工程と、前記二酸化ノリコン膜上に窒
化ノリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜上
に電極用の導電膜を形成する工程と、前記半導体基板に
不純物を選択的に注入した後に前記窒化シリコン膜の成
長温度よりも高い温度で熱処理を行う行程と、該熱処理
後に水素イオン注入により前記窒化シリコン膜の水素の
含有量を増加させる工程とからなることを特徴とする不
揮発性記憶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110121A JPH061839B2 (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110121A JPH061839B2 (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603159A true JPS603159A (ja) | 1985-01-09 |
| JPH061839B2 JPH061839B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14527560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110121A Expired - Lifetime JPH061839B2 (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061839B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136976A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Matsushita Electronics Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
| JPS62174923A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Hitachi Ltd | 枚葉式薄膜形成法および薄膜形成装置 |
| JPH0423363A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Matsushita Electron Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
| US5131802A (en) * | 1989-03-15 | 1992-07-21 | Toyo Umpanki Co., Ltd. | Vehicle equipped with balancing device |
| WO2003071606A1 (fr) * | 2002-02-21 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Memoire a semi-conducteurs et son procede de fabrication |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893289A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5969973A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58110121A patent/JPH061839B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5969973A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
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| JPH0693452B2 (ja) * | 1986-01-29 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | 枚葉式薄膜形成法および薄膜形成装置 |
| US5131802A (en) * | 1989-03-15 | 1992-07-21 | Toyo Umpanki Co., Ltd. | Vehicle equipped with balancing device |
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| WO2003071606A1 (fr) * | 2002-02-21 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Memoire a semi-conducteurs et son procede de fabrication |
| US6940152B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor storage device and its manufacturing method |
| CN100367517C (zh) * | 2002-02-21 | 2008-02-06 | 松下电器产业株式会社 | 半导体存储装置及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061839B2 (ja) | 1994-01-05 |
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