JPS6031253A - 半導体装置用放熱板の製造方法 - Google Patents

半導体装置用放熱板の製造方法

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JPS6031253A
JPS6031253A JP14083183A JP14083183A JPS6031253A JP S6031253 A JPS6031253 A JP S6031253A JP 14083183 A JP14083183 A JP 14083183A JP 14083183 A JP14083183 A JP 14083183A JP S6031253 A JPS6031253 A JP S6031253A
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JP
Japan
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hole
resin
heat sink
plate
semiconductor device
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JP14083183A
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JPH0126539B2 (ja
Inventor
Ryoichi Yokoyama
良一 横山
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電力用半導体装置の放熱板の構造に関するもの
である。
放熱板のペレットが接着される主面と相対する面を蕗出
する様に、ペレットを含む主要部分を樹脂により封止し
てなる半導体装置がある。この半導体装置では放熱板に
段差を有する貫通孔をあけ、その中に封止用樹脂の一部
を充てんすることによって、放熱板と樹脂の固着強度を
高めるようになされている。これを図により説明する。
第１図ａは電力用半導体装置の平面図の一例で、そのＡ
−Ａ′断面図を第１図すに示す。第１図すで放熱板２に
、内壁に段差を有する貫通孔３を設け、貫通孔３内に封
止用樹脂の一部を充てんすることにより放熱板２と樹脂
ｌの固着強度を高めている。第２図ａ、ｂは従来の貫通
孔の加工方法を示し、まず第２図ａに示すストレート状
の貫通孔５を放熱板にあけた後、第２図すに示すように
直径が貫通孔５よりも大きく、かつ先端が平らなポンチ
６によって、つぶし加工を加え、貫通孔の内へきに段差
をあたえる。
このとき、ポンチ６の先端が平らであるためつぶされる
素材が貫通孔の中心方向に移動しバリアとなって現われ
、これが後に樹脂と放熱板との固着強度を低下させてし
まう原因になる。すなわち、いま半導体装置に放熱板と
樹脂を引きはがそうとする外力が作用したとき、放熱板
の貫通孔内に充てんされた樹脂には引張応力が加わる。
貫通孔内の樹脂は第２図すに示すバリアによってくびれ
た形状になっているため、直径の最少になる面の引張応
力が最大となり、又この面においては直径の急変により
円周部に応力が集中する、いわゆる応力集中を起こし、
その最大の応力が樹脂の破断限界応力を超え、貫通孔内
の樹脂が破断してしまい、放熱板と樹脂が剥離し、ペレ
ットクラックを発生させてしまうこともあった。
本発明は、半導体装置に作用する外力、特に放熱板と樹
脂をはがそうとする力に対して充分な強度をもった半導
体装置を提供するものであり、その主旨は前記貫通孔の
断面形状を改善し、貫通孔内樹脂の破断強度を従来より
も高めることにある。
第３図ａ、ｂは本発明における放熱板の貫通孔の加工方
法を示す一実施例の工程断面図である。
第３図ａにおいて、従来と同様に放熱板にストレート状
の貫通孔５をあけた後、第３図すにおいて、直径が貫通
孔５よりも大きく、かつ先端に円すい状のテーパーをつ
けたポンチ８によってつぶし加工を行い、貫通孔内へき
に段差を与える。このときポンチ８の先端に円すい状の
テーパーがついているため、放熱板素材のつぶされる部
分は貫通孔の外側に移動する。即ち、一部がテーパー状
に加工された貫通孔が得られる。このため従来の様な第
２図すに示すバリア０発生は極めて微少で、貫通孔内に
充てんされる樹脂にはくびれる部分がなく、応力集中の
度合は従来よりもはるかに低減される。
この結果、貫通孔内樹脂の破断強度は従来よりもはるか
に高められ、外力に対して極めて強い半導体装置が得ら
れる。
本発明によれば、貫通孔の直径を大きくすることなく、
放熱板と樹脂との固着強度を高めることが出来るため、
特に小型の半導体装置で大きな効果を得ることが出来る
。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは電力用半導体装置の平面図、第１図すはその
Ａ−Ａ’断面図、第２図ａ及びｂは従来の放熱板の貫通
孔加工工程断面図、第３図ａ及びｂは本発明の放熱板の
貫通孔の加工工程断面図である。 １・・・・・・樹脂、２・・・・・・放熱板、３・・・
・・・貫通孔、４・・・・・・ベレット、５・・・・・
・貫通孔、６・・・用ボ／チ、７・・・・・・パリ、８
・・・・・・ポンチ。 イー・１゛、＼ 代理人　弁理士　内　原　晋（）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも一部に貫通孔を有する放熱板を具備した半導
    体装置において、前記貫通孔の少なくとも一部がテーバ
    状に加工されていることを特徴とする放熱板付半導体装
    置。
JP14083183A 1983-08-01 1983-08-01 半導体装置用放熱板の製造方法 Granted JPS6031253A (ja)

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JPS6031253A true JPS6031253A (ja) 1985-02-18
JPH0126539B2 JPH0126539B2 (ja) 1989-05-24

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5037782A (en) * 1989-03-29 1991-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making a semiconductor device including via holes
US7012326B1 (en) 2003-08-25 2006-03-14 Xilinx, Inc. Lid and method of employing a lid on an integrated circuit
US7388284B1 (en) 2005-10-14 2008-06-17 Xilinx, Inc. Integrated circuit package and method of attaching a lid to a substrate of an integrated circuit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51140061U (ja) * 1975-05-02 1976-11-11
JPS5272468U (ja) * 1975-11-26 1977-05-30
JPS57191056U (ja) * 1981-05-29 1982-12-03

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51140061U (ja) * 1975-05-02 1976-11-11
JPS5272468U (ja) * 1975-11-26 1977-05-30
JPS57191056U (ja) * 1981-05-29 1982-12-03

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5037782A (en) * 1989-03-29 1991-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making a semiconductor device including via holes
US7012326B1 (en) 2003-08-25 2006-03-14 Xilinx, Inc. Lid and method of employing a lid on an integrated circuit
US7429501B1 (en) 2003-08-25 2008-09-30 Xilinx, Inc. Lid and method of employing a lid on an integrated circuit
US7388284B1 (en) 2005-10-14 2008-06-17 Xilinx, Inc. Integrated circuit package and method of attaching a lid to a substrate of an integrated circuit

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Publication number Publication date
JPH0126539B2 (ja) 1989-05-24

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