JPH0126539B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0126539B2 JPH0126539B2 JP58140831A JP14083183A JPH0126539B2 JP H0126539 B2 JPH0126539 B2 JP H0126539B2 JP 58140831 A JP58140831 A JP 58140831A JP 14083183 A JP14083183 A JP 14083183A JP H0126539 B2 JPH0126539 B2 JP H0126539B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- heat sink
- resin
- semiconductor device
- diameter
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電力用半導体装置用放熱の製造方法に
関するものである。
関するものである。
放熱板のペレツトが接着される主面と相対する
面を露出する様に、ペレツトを含む主要部分を樹
脂により封止してなる半導体装置がある。この半
導体装置では放熱板に段差を有する貫通孔をあ
け、その中に封止用樹脂の一部を充てんすること
によつて、放熱板と樹脂の固着強度を高めるよう
になされている。これを図により説明する。第１
ａ図は電力用半導体装置の平面図の一例で、その
Ａ―A′断面図を第１図ｂに示す。第１図ｂで放
熱板２に、内壁に段差を有する貫通孔３を設け、
貫通孔３内に封止用樹脂の一部を充てんすること
により放熱板２と樹脂１の固着強度を高めてい
る。第２図ａ，ｂは従来の貫通孔の加工方法を示
し、まず第２図ａに示すストレート状の貫通孔５
を放熱板にあけた後、第２図ｂに示すように直径
が貫通孔５よりも大きく、かつ先端が平らなポン
チ６によつて、つぶし加工を加え、貫通孔の内へ
きに段差をあたえる。
面を露出する様に、ペレツトを含む主要部分を樹
脂により封止してなる半導体装置がある。この半
導体装置では放熱板に段差を有する貫通孔をあ
け、その中に封止用樹脂の一部を充てんすること
によつて、放熱板と樹脂の固着強度を高めるよう
になされている。これを図により説明する。第１
ａ図は電力用半導体装置の平面図の一例で、その
Ａ―A′断面図を第１図ｂに示す。第１図ｂで放
熱板２に、内壁に段差を有する貫通孔３を設け、
貫通孔３内に封止用樹脂の一部を充てんすること
により放熱板２と樹脂１の固着強度を高めてい
る。第２図ａ，ｂは従来の貫通孔の加工方法を示
し、まず第２図ａに示すストレート状の貫通孔５
を放熱板にあけた後、第２図ｂに示すように直径
が貫通孔５よりも大きく、かつ先端が平らなポン
チ６によつて、つぶし加工を加え、貫通孔の内へ
きに段差をあたえる。
このとき、ポンチ６の先端が平らであるためつ
ぶされる素材が貫通孔の中心方向に移動しバリ７
となつて現われ、これが後に樹脂と放熱板との固
着強度を低下させてしまう原因になる。すなわ
ち、いま半導体装置に放熱板と樹脂を引きはがそ
うとする外力が作用したときに、放熱板の貫通孔
内に充てんされた樹脂には引張応力が加わる。貫
通孔内の樹脂は第２図ｂに示すバリ７によつてく
びれた形状になつているため、直径の最少になる
面の引張応力が最大となり、又この面においては
直径の急変により円周部に応力が集中する、いわ
ゆる応力集中を起こし、その最大の応力が樹脂の
破断限界応力を超え、貫通孔内の樹脂が破断して
しまい、放熱板と樹脂が剥離し、ペレツトクラツ
クを発生させてしまうこともあつた。
ぶされる素材が貫通孔の中心方向に移動しバリ７
となつて現われ、これが後に樹脂と放熱板との固
着強度を低下させてしまう原因になる。すなわ
ち、いま半導体装置に放熱板と樹脂を引きはがそ
うとする外力が作用したときに、放熱板の貫通孔
内に充てんされた樹脂には引張応力が加わる。貫
通孔内の樹脂は第２図ｂに示すバリ７によつてく
びれた形状になつているため、直径の最少になる
面の引張応力が最大となり、又この面においては
直径の急変により円周部に応力が集中する、いわ
ゆる応力集中を起こし、その最大の応力が樹脂の
破断限界応力を超え、貫通孔内の樹脂が破断して
しまい、放熱板と樹脂が剥離し、ペレツトクラツ
クを発生させてしまうこともあつた。
本発明の目的は、放熱板から樹脂をはがそうと
する外力に対して充分な強度を確保できるように
するための半導体装置用放熱板の製造方法を提供
することにある。
する外力に対して充分な強度を確保できるように
するための半導体装置用放熱板の製造方法を提供
することにある。
本発明の特徴は放熱板に所定直径の孔を形成
し、その直径よりも大きな径を有しかつ先端部が
円すい状に加工されたポンチを前記孔の片側から
その途中まで押圧して前記孔の内壁に段差を設
け、これによつて形成された孔を樹脂充填用の貫
通孔とすることにある。
し、その直径よりも大きな径を有しかつ先端部が
円すい状に加工されたポンチを前記孔の片側から
その途中まで押圧して前記孔の内壁に段差を設
け、これによつて形成された孔を樹脂充填用の貫
通孔とすることにある。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第３図ａ，ｂは本発明における放熱板の貫通孔
の加工方法を示す一実施例の工程断面図である。
第３図ａにおいて、従来と同様に放熱板にストレ
ート状の貫通孔５をあけた後、第３図ｂにおいて
直径が貫通孔５よりも大きく、かつ先端に円すい
状のテーパーをつけたポンチ８によつてつぶし加
工を行い、貫通孔内へきに段差を与える。このと
きポンチ８の先端に円すい状のテーパーがついて
いるため、放熱板素材のつぶされる部分は貫通孔
の外側に移動する。即ち、一部がテーパー状に加
工された貫通孔が得られる。このため従来の様な
第２図ｂに示すバリ７の発生は極めて微少で、貫
通孔内に充てんされる樹脂にはくびれる部分がな
く、応力集中の度合は従来よりもはるかに低減さ
れる。
の加工方法を示す一実施例の工程断面図である。
第３図ａにおいて、従来と同様に放熱板にストレ
ート状の貫通孔５をあけた後、第３図ｂにおいて
直径が貫通孔５よりも大きく、かつ先端に円すい
状のテーパーをつけたポンチ８によつてつぶし加
工を行い、貫通孔内へきに段差を与える。このと
きポンチ８の先端に円すい状のテーパーがついて
いるため、放熱板素材のつぶされる部分は貫通孔
の外側に移動する。即ち、一部がテーパー状に加
工された貫通孔が得られる。このため従来の様な
第２図ｂに示すバリ７の発生は極めて微少で、貫
通孔内に充てんされる樹脂にはくびれる部分がな
く、応力集中の度合は従来よりもはるかに低減さ
れる。
この結果、貫通孔内樹脂の破断強度は従来より
もはるかに高められ、外力に対して極めて強い半
導体装置が得られる。
もはるかに高められ、外力に対して極めて強い半
導体装置が得られる。
本発明によれば、貫通孔の直径を大きくするこ
となく、放熱板と樹脂との固着強度を高めること
が出来るため、特に小型の半導体装置で大きな効
果を得ることが出来る。
となく、放熱板と樹脂との固着強度を高めること
が出来るため、特に小型の半導体装置で大きな効
果を得ることが出来る。
第１図ａは電力用半導体装置の平面図、第１図
ｂはそのＡ―A′断面図、第２図ａ及びｂは従来
の放熱板の貫通孔加工工程断面図、第３図ａ及び
ｂは本発明の放熱板の貫通孔の加工工程断面図で
ある。 １……樹脂、２……放熱板、３……貫通孔、４
……ペレツト、５……貫通孔、６……ポンチ、７
……バリ、８……ポンチ。
ｂはそのＡ―A′断面図、第２図ａ及びｂは従来
の放熱板の貫通孔加工工程断面図、第３図ａ及び
ｂは本発明の放熱板の貫通孔の加工工程断面図で
ある。 １……樹脂、２……放熱板、３……貫通孔、４
……ペレツト、５……貫通孔、６……ポンチ、７
……バリ、８……ポンチ。
Claims (1)
- １ 貫通孔を有し該貫通孔が半導体素子を覆う樹
脂で充填される半導体装置用放熱板の製造方法に
おいて、前記放熱板に所定の直径の孔を形成し、
前記所定直径より大きな径を有しかつ先端部が円
すい状に加工されたポンチを前記孔の片側からそ
の途中まで押圧して前記孔の内壁に段差を設け、
これによつて前記貫通孔を形成することを特徴と
する半導体装置用放熱板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14083183A JPS6031253A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14083183A JPS6031253A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031253A JPS6031253A (ja) | 1985-02-18 |
| JPH0126539B2 true JPH0126539B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=15277729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14083183A Granted JPS6031253A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031253A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257643A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7012326B1 (en) | 2003-08-25 | 2006-03-14 | Xilinx, Inc. | Lid and method of employing a lid on an integrated circuit |
| US7388284B1 (en) | 2005-10-14 | 2008-06-17 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit package and method of attaching a lid to a substrate of an integrated circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140061U (ja) * | 1975-05-02 | 1976-11-11 | ||
| JPS5272468U (ja) * | 1975-11-26 | 1977-05-30 | ||
| JPS57191056U (ja) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP14083183A patent/JPS6031253A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6031253A (ja) | 1985-02-18 |
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