JPS6028601A - プリズム式ビ−ムスプリツタ - Google Patents
プリズム式ビ−ムスプリツタInfo
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- JPS6028601A JPS6028601A JP13736683A JP13736683A JPS6028601A JP S6028601 A JPS6028601 A JP S6028601A JP 13736683 A JP13736683 A JP 13736683A JP 13736683 A JP13736683 A JP 13736683A JP S6028601 A JPS6028601 A JP S6028601A
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- Japan
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- dielectric layer
- prism
- refractive index
- dielectric
- layer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/144—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using partially transparent surfaces without spectral selectivity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/142—Coating structures, e.g. thin films multilayers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/04—Prisms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/286—Interference filters comprising deposited thin solid films having four or fewer layers, e.g. for achieving a colour effect
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ＴＴＬ測光により露出制御や合焦検出か行な
われる一眼レフレックスカメラやシネカメラなどに用い
られるプリズム式ビームスブリ・ツタに関する。
われる一眼レフレックスカメラやシネカメラなどに用い
られるプリズム式ビームスブリ・ツタに関する。
従来技術
従来、プリズム式ビームスブリ・ツタとして、特開昭５
６−２７１０６号公報のｍ１図実施ｌｌＡｌ ｌこ記載
されたように、屈折率１．５２のガラスからなる第１プ
リズムと屈折率１．５６のガラスからなる第２プリズム
との間に、第１プリズム側から＠２プリズム側へ順に制
屈折率誘電体層、中屈折率誘電体層、Ａｇ層、中屈折率
誘電体層及び高屈折率誘電体層の５層構成からなる光半
透過膜を設けた５層構成のプリズム式ビームスプリッタ
は知られている。
６−２７１０６号公報のｍ１図実施ｌｌＡｌ ｌこ記載
されたように、屈折率１．５２のガラスからなる第１プ
リズムと屈折率１．５６のガラスからなる第２プリズム
との間に、第１プリズム側から＠２プリズム側へ順に制
屈折率誘電体層、中屈折率誘電体層、Ａｇ層、中屈折率
誘電体層及び高屈折率誘電体層の５層構成からなる光半
透過膜を設けた５層構成のプリズム式ビームスプリッタ
は知られている。
この従来装置は、可視波長域において分光特性がフラッ
トであり偏光の影響も少ないという優れた光学性能を有
するものの、層数が多く、製造が容易てないきいう欠点
を有している。
トであり偏光の影響も少ないという優れた光学性能を有
するものの、層数が多く、製造が容易てないきいう欠点
を有している。
目 的
本発明は」二連の如き欠点を改善すべくなされたもので
あり、その］］的は、上記従来装置とほぼ同等の光学性
能を４層構成で得ることにある。
あり、その］］的は、上記従来装置とほぼ同等の光学性
能を４層構成で得ることにある。
発明の要旨
上記目的を達成する為に、本発明は、互いに屈４１１率
のほぼ等しいガラスからなる第１．第２プリズムの間に
光半透過膜か形成されるプリズム式ビームスプリッタに
おいて、該光半透過膜は第１プリズム側から第２プリズ
ム側へ順に誘電体からなる第１誘電体層、誘電体からな
る第２誘電体層。
のほぼ等しいガラスからなる第１．第２プリズムの間に
光半透過膜か形成されるプリズム式ビームスプリッタに
おいて、該光半透過膜は第１プリズム側から第２プリズ
ム側へ順に誘電体からなる第１誘電体層、誘電体からな
る第２誘電体層。
Ａｇからなる金属層２及び誘電体からなる第３誘電体層
の４層構成であり、かつ、第１プリズムの屈折率をｎｏ
、第１〜第３誘電体層の屈折率を順に旧、旧、旧、その
光学的膜厚を順に旧ｄ＋、 ｎｚｄ３ｎ３ｄ３とし、４
００〜７００皿の範囲内で選択される設計波長をλＯと
するとき、次の条件を満足することを特徴とする。
の４層構成であり、かつ、第１プリズムの屈折率をｎｏ
、第１〜第３誘電体層の屈折率を順に旧、旧、旧、その
光学的膜厚を順に旧ｄ＋、 ｎｚｄ３ｎ３ｄ３とし、４
００〜７００皿の範囲内で選択される設計波長をλＯと
するとき、次の条件を満足することを特徴とする。
ｎｏ＜ｎ＋≦０３
ｎｏ（ｎ２≦０３
０．３ ＜ Ｉｎｔ −ｎｚＩ＜ Ｑ、７０．０５λｏ
＜ ｎ＋ｄｔ ＝ ｎ２ｄ２＜ Ｑ、１０λ０ｎ３ｄ
３＝ Ｑ、２５λＯ 実施例 以、下、本発明の実施例を詳細に説明する。
＜ ｎ＋ｄｔ ＝ ｎ２ｄ２＜ Ｑ、１０λ０ｎ３ｄ
３＝ Ｑ、２５λＯ 実施例 以、下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明実施例のプリズム式ビームスプリッタを
示す図で、同図において、（２）（４１は互いに同一の
ガラスからなり同一形状を有する直角三角半透過膜（Ｈ
Ｍ）は、第１プリズム（２１側から第２プリズム（４１
側・＼順に、誘電体からなる第１誘電体層（Ｌｌ）、誘
電体からなる第２誘電体層（Ｌｌ）、Ａｇからなる金属
層（Ａｇ）及び高屈折率誘電体からなる第３誘電体層（
Ｌａ）の４層構成である。そして、第１〜第３誘電体層
（Ｌｌ） （Ｌｌ） （Ｌａ）は全て第１プリズム（２
）よりも屈折率が高く、かづ、第３誘電体層（Ｌａ）は
第１及び第２誘電体層（Ｌｌ） （Ｌｌ）と同屈折率か
もしくは屈折率が高い。第１誘電体層（Ｌｌ）と第２誘
電体層（Ｌｌ）との屈折率差は０．３〜０．７である。
示す図で、同図において、（２）（４１は互いに同一の
ガラスからなり同一形状を有する直角三角半透過膜（Ｈ
Ｍ）は、第１プリズム（２１側から第２プリズム（４１
側・＼順に、誘電体からなる第１誘電体層（Ｌｌ）、誘
電体からなる第２誘電体層（Ｌｌ）、Ａｇからなる金属
層（Ａｇ）及び高屈折率誘電体からなる第３誘電体層（
Ｌａ）の４層構成である。そして、第１〜第３誘電体層
（Ｌｌ） （Ｌｌ） （Ｌａ）は全て第１プリズム（２
）よりも屈折率が高く、かづ、第３誘電体層（Ｌａ）は
第１及び第２誘電体層（Ｌｌ） （Ｌｌ）と同屈折率か
もしくは屈折率が高い。第１誘電体層（Ｌｌ）と第２誘
電体層（Ｌｌ）との屈折率差は０．３〜０．７である。
Ｉ８１誘電体層（Ｌｌ）の光学的膜厚は第２誘電体層（
Ｌｌ）と等しく、０．０５λ０〜０．ｌＯλ０と非常に
薄い。第３誘電体層（Ｌａ）の光学的膜厚は０．２５λ
〇−Ｃ１金属層（Ａｇ）は幾何学的膜厚て１０〜５０ｎ
ｍの範囲内で所望の反射率：透過率の比に応じて定めら
れる。（Ｃ１は接着剤層である。尚、接着剤層＋ＣＩを
Ｃ４１プリズム（２）と第１誘電体層（Ｌｌ）との間に
設りても良い。
Ｌｌ）と等しく、０．０５λ０〜０．ｌＯλ０と非常に
薄い。第３誘電体層（Ｌａ）の光学的膜厚は０．２５λ
〇−Ｃ１金属層（Ａｇ）は幾何学的膜厚て１０〜５０ｎ
ｍの範囲内で所望の反射率：透過率の比に応じて定めら
れる。（Ｃ１は接着剤層である。尚、接着剤層＋ＣＩを
Ｃ４１プリズム（２）と第１誘電体層（Ｌｌ）との間に
設りても良い。
−に二連の如き第１図図示のビームスブリ・７タは、第
１プリズム（２）の接合面」二に第１誘電体層、第２誘
電体層、金属層、及び第３誘電体層を順に真空蒸着によ
って形成した後に、第２プリズム（４）と接着剤で接合
することによって製造される。
１プリズム（２）の接合面」二に第１誘電体層、第２誘
電体層、金属層、及び第３誘電体層を順に真空蒸着によ
って形成した後に、第２プリズム（４）と接着剤で接合
することによって製造される。
上記の如きビームスプリッタにおいて、第１プリズム（
２）側から入射した光（月は、光半透過膜（ＨＭ）によ
って反射光［Ｒ１と透過光＋Ｔ＋とに二分割される。
２）側から入射した光（月は、光半透過膜（ＨＭ）によ
って反射光［Ｒ１と透過光＋Ｔ＋とに二分割される。
尚、第２プリズム（４）側から光を入射させてもほとん
ど変わらない光学特性を得ることかできる。
ど変わらない光学特性を得ることかできる。
以下、本発明の種々実施例の具体的構成について表に示
す。
す。
実施例１゜
λｏ ＝ ５５Ｑｎｍ
本実施例の第１プリズム（２）側から入射角４５°の光
を入射させた場合の分光特性を第２図に示す。
を入射させた場合の分光特性を第２図に示す。
第２図において、Ｒ３はＳ波成分の反射率、ＲｐはＰ波
成分の反射率、 ＴＳはＳ波成分の透過率ｒ Ｔ９はＰ
波成分の透過率をそれぞれ示す。第２図から明らかなよ
うに、本実施例によれば、反射率も透過率も可視波長全
域において１０％以内のなだらかな変化でありフラット
な分光特性であると七もに、Ｒ８とＲｐ及びＴＳとＴｐ
との差がきわめて少ないので偏光の影響も少なく、吸収
による光損失も少なく、従来装置とほぼ同等の光学性能
が得られ、スｏ −＝ ５９０ｎｍ 本実施例における、第１プリズム（２）側から入射角４
５°て光を入射させた場合の分光特性を、可３２図と同
様にして第３図に示す。弗３図から明ら力）なように、
本実施例において、可視波長全域における反射率の変化
も透過率の変化も１０％以内のなだらかなものでありフ
ラ・ノドな分光特性力５得られ、ＲｓとＲｐ及びＴｓと
Ｔｐの差もそれぞれこ゛く４つすかであるのて偏光の影
響も少なく、また吸収による光損失も少なく、従来装置
とほぼ同等の先学性能を一層少なくて得ることかできる
。特に、本実施例においては、第２図の性能を有する実
施ｆ１１に比べ全体に反射率を上げて透過率を下けて、
かつ、長波長側で偏光成分の差が小さＧ′１特性を得る
ことができる。
成分の反射率、 ＴＳはＳ波成分の透過率ｒ Ｔ９はＰ
波成分の透過率をそれぞれ示す。第２図から明らかなよ
うに、本実施例によれば、反射率も透過率も可視波長全
域において１０％以内のなだらかな変化でありフラット
な分光特性であると七もに、Ｒ８とＲｐ及びＴＳとＴｐ
との差がきわめて少ないので偏光の影響も少なく、吸収
による光損失も少なく、従来装置とほぼ同等の光学性能
が得られ、スｏ −＝ ５９０ｎｍ 本実施例における、第１プリズム（２）側から入射角４
５°て光を入射させた場合の分光特性を、可３２図と同
様にして第３図に示す。弗３図から明ら力）なように、
本実施例において、可視波長全域における反射率の変化
も透過率の変化も１０％以内のなだらかなものでありフ
ラ・ノドな分光特性力５得られ、ＲｓとＲｐ及びＴｓと
Ｔｐの差もそれぞれこ゛く４つすかであるのて偏光の影
響も少なく、また吸収による光損失も少なく、従来装置
とほぼ同等の先学性能を一層少なくて得ることかできる
。特に、本実施例においては、第２図の性能を有する実
施ｆ１１に比べ全体に反射率を上げて透過率を下けて、
かつ、長波長側で偏光成分の差が小さＧ′１特性を得る
ことができる。
（以 下 余 白 ）
実施例３゜
本実施例は、実施例２のＡｌｚＯ３とＺ ｒｏ２とが交
換されたものであり、接着剤層ＦＣ＋は＄１プリズム＋
２１＆第１誘電体層（Ｌｌ）との間に設けられている。
換されたものであり、接着剤層ＦＣ＋は＄１プリズム＋
２１＆第１誘電体層（Ｌｌ）との間に設けられている。
本実施例の第１プリズム（２）側から入射角４５°の光
を入射した場合の分光特性を＄４図に示す。第４図から
明らかなように、本実施例において、可視波長全域にお
ける反射率の変化も透過率の変化も１０％程度の７人た
らかなものでありフラットな分光特性が得られ、Ｒ３と
Ｒｐ及びＴｓとＴｐの差もそれぞれ５％程度であるので
偏光の影響も少なく、また吸収による光損失も少なＬ）
。従って、前述の従来装置とほぼ同等の光学性能を得る
こと力≦できる。特に、本実施例においては、反射率及
び透過率を共に５０％近傍に設定すること力３てきる。
を入射した場合の分光特性を＄４図に示す。第４図から
明らかなように、本実施例において、可視波長全域にお
ける反射率の変化も透過率の変化も１０％程度の７人た
らかなものでありフラットな分光特性が得られ、Ｒ３と
Ｒｐ及びＴｓとＴｐの差もそれぞれ５％程度であるので
偏光の影響も少なく、また吸収による光損失も少なＬ）
。従って、前述の従来装置とほぼ同等の光学性能を得る
こと力≦できる。特に、本実施例においては、反射率及
び透過率を共に５０％近傍に設定すること力３てきる。
尚、上記実施例１〜３のように、第１誘電体層（ＬＩ）
もしくは第２誘電体層（Ｌｌ）と第３誘電イ本層（Ｌ３
）とを同一物質で構成することにより１，４層構成であ
るにもかかわらず製造時の蒸着物質Ｃま３種類で良く、
製造を簡単にすることがてきる。
もしくは第２誘電体層（Ｌｌ）と第３誘電イ本層（Ｌ３
）とを同一物質で構成することにより１，４層構成であ
るにもかかわらず製造時の蒸着物質Ｃま３種類で良く、
製造を簡単にすることがてきる。
尚、ＺｒＯ２に代えてＴｉ０ｚ、 ＣｅＯ２，ＺｎＳな
どを用いても良い。
どを用いても良い。
第５図は、本発明に係るプリズム式ビームスフ。
リッタ（ＢＳ ）をシネカメラに用し）だ例を示してお
り、撮影レンズ（ＴＬ）を透過した光はビームスプリッ
タ（ＢＳ）で二分割され、透過光はフィルム面（Ｆｌに
導かれ反射光はファインダ系（ＦＳ）＋こ導力）れる。
り、撮影レンズ（ＴＬ）を透過した光はビームスプリッ
タ（ＢＳ）で二分割され、透過光はフィルム面（Ｆｌに
導かれ反射光はファインダ系（ＦＳ）＋こ導力）れる。
効 果
以上のように、本発明によれば、可視波長全域こわたっ
て反射率・透過率ともにフラ・ノドな分光特性であると
ともに、偏光の影響も少ない５層構成の従来装置とほぼ
同等の光学性能を４層構成で得ることかでき、製造をよ
り容易にすることができる。
て反射率・透過率ともにフラ・ノドな分光特性であると
ともに、偏光の影響も少ない５層構成の従来装置とほぼ
同等の光学性能を４層構成で得ることかでき、製造をよ
り容易にすることができる。
史に、実施態様のように、第１誘電体層もしくは第２誘
電体層と第３誘電体層とを同一物質にて構成すると、４
層構成であるにもかかわらず３種類の蒸着物質で良く、
製造が容易である。
電体層と第３誘電体層とを同一物質にて構成すると、４
層構成であるにもかかわらず３種類の蒸着物質で良く、
製造が容易である。
第１図は本発明実施例に係るプリズム式ビームスプリッ
タの構成を示す図、第２図〜第４図はそれぞれ実施例１
〜３の入射角４５°の光に対する分光特性を示す図、第
５図は本発明に係るプリズム式ビームスプリッタをシネ
カメラに用いた構成を示ず図である。 （２１，第１プリズム、 ＋４１ ｉ第２プリズム、（
ＨＭ）；光半透過膜、 （Ｌｌ） ；第１誘電体層、
（Ｌ２） ；第２誘電体層、（Ａｇ）；金属層、 （Ｌ
３） ；第３誘電体層。 以 上 山願人 ミノルタカメラ株式会社
タの構成を示す図、第２図〜第４図はそれぞれ実施例１
〜３の入射角４５°の光に対する分光特性を示す図、第
５図は本発明に係るプリズム式ビームスプリッタをシネ
カメラに用いた構成を示ず図である。 （２１，第１プリズム、 ＋４１ ｉ第２プリズム、（
ＨＭ）；光半透過膜、 （Ｌｌ） ；第１誘電体層、
（Ｌ２） ；第２誘電体層、（Ａｇ）；金属層、 （Ｌ
３） ；第３誘電体層。 以 上 山願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに屈折率のほぼ等しいガラスからなる第１゜第２プ
リズムの間に光半透過膜が形成されるプリズム式ビーム
スブリツタにおいて、該光半透過膜は第１プリズム側か
ら第２プリズム側・＼順に誘電体からなる９５１誘電体
層、誘電体からなる第２誘電体層、Ａｇからなる金属層
、及び誘電体からなる第３誘電体層の４層構成であり、
かつ、次の条件を７１．１１１１足することを特徴とす
るプリズム式ビームスプリッタ： □□□□□□□□□ ＋１ｏ（ｎ＋≦０３ ＋１０（ｎ２≦１１３ ０．３ ＜ ｌｎ＋ −１１２１＜ ０．７０．０５λ
ｏ （ｎ＋ｄ＋ ＝ ｎ２ｄ２＜ ０．１０λＯｒ＋ａ
ｄ３＝ ０．２５λ０ 但し、ここで、 ｎｏ Ｈ第１プリズムの屈折率。 旧；第１誘電体層の屈折率。 ｎ２；第２誘電体層の屈折率。 ｎ３；＠３誘電体層の屈折率。 ｎ＋ｄｔ ；第１誘電体層の光学的膜厚。 ｎｚｄ２；第２誘電体層の光学的膜厚。 ｎ３ｄａ ；第３誘電体層の光学的膜厚。 λＯ； ４ＱＱｎｍ〜７００ ｎｍの範囲内で選択され
る設計波長。 である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13736683A JPS6028601A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13736683A JPS6028601A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028601A true JPS6028601A (ja) | 1985-02-13 |
Family
ID=15196997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13736683A Pending JPS6028601A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028601A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223702A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学部品 |
| JPH01188203A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-07-27 | Mapal Fab Praezisionswerkzeu Dr Kress Kg | 精密加工工具 |
| US10061133B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-08-28 | Seiko Epson Corporation | Optical element and display apparatus |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP13736683A patent/JPS6028601A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223702A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学部品 |
| JPH01188203A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-07-27 | Mapal Fab Praezisionswerkzeu Dr Kress Kg | 精密加工工具 |
| JPH0698525B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1994-12-07 | マパール ファブリーク フュア プレチジオーンスヴェルクツォイゲ ドクター クレス コマンディートゲゼルシャフト | 精密加工工具 |
| US10061133B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-08-28 | Seiko Epson Corporation | Optical element and display apparatus |
| US10324302B2 (en) | 2013-05-16 | 2019-06-18 | Seiko Epson Corporation | Optical element and display apparatus |
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