JPH0528361B2 - - Google Patents
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- JPH0528361B2 JPH0528361B2 JP59132719A JP13271984A JPH0528361B2 JP H0528361 B2 JPH0528361 B2 JP H0528361B2 JP 59132719 A JP59132719 A JP 59132719A JP 13271984 A JP13271984 A JP 13271984A JP H0528361 B2 JPH0528361 B2 JP H0528361B2
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- Optical Filters (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、赤外域の光において、Ｐ成分とＳ成
分のそれぞれの透過率と反射率との比の値が、ほ
ぼ１となり、さらに、吸収による光の損失が少な
い非偏光ビームスプリツタに関するものである。 〔従来技術とその問題点〕 従来、非偏光ビームスプリツタとしては、第１
図に示すものがある。すなわち、透明な第１の直
角二等辺三角プリズム（以下、「第１プリズム」
という。）１の斜面に多層膜３を形成し、透明な
第２の直角二等辺三角プリズム（以下、「第２プ
リズム」という。）２の斜面とを互に接合するこ
とにより形成される非偏光ビームスプリツタがあ
る。そして、従来の非偏光ビームスプリツタの多
層膜３は、第２図に示すような構造であつた。す
なわち、 (1) 高屈折率誘電体薄膜（以下、「Ｈ層」とい
う。）３２を銀薄膜層（以下、「Ag層」とい
う。）３１の両主表面に密着させた多層膜３
（同図ａ）、 (2) Ｈ層３２−低屈折率誘電体薄膜（以下、「Ｌ
層」という。）３３−Ag層３１−Ｌ層３３−Ｈ
層３２と形成された多層膜３（同図ｂ）があつ
た。 しかしながら、前記(1)項及び前記(2)項の非偏光
ビームスプリツタのＰ成分の透過率（以下、
「Tp」という。）と反射率（以下、「Rp」とい
う。）及びＳ成分の透過率（以下、「Ts」とい
う。）と反射率（以下、「Rs」という。）は、
1000nm，1150nm及び1300nmの赤外域の光に対
して、下表のとおりであつた。
分のそれぞれの透過率と反射率との比の値が、ほ
ぼ１となり、さらに、吸収による光の損失が少な
い非偏光ビームスプリツタに関するものである。 〔従来技術とその問題点〕 従来、非偏光ビームスプリツタとしては、第１
図に示すものがある。すなわち、透明な第１の直
角二等辺三角プリズム（以下、「第１プリズム」
という。）１の斜面に多層膜３を形成し、透明な
第２の直角二等辺三角プリズム（以下、「第２プ
リズム」という。）２の斜面とを互に接合するこ
とにより形成される非偏光ビームスプリツタがあ
る。そして、従来の非偏光ビームスプリツタの多
層膜３は、第２図に示すような構造であつた。す
なわち、 (1) 高屈折率誘電体薄膜（以下、「Ｈ層」とい
う。）３２を銀薄膜層（以下、「Ag層」とい
う。）３１の両主表面に密着させた多層膜３
（同図ａ）、 (2) Ｈ層３２−低屈折率誘電体薄膜（以下、「Ｌ
層」という。）３３−Ag層３１−Ｌ層３３−Ｈ
層３２と形成された多層膜３（同図ｂ）があつ
た。 しかしながら、前記(1)項及び前記(2)項の非偏光
ビームスプリツタのＰ成分の透過率（以下、
「Tp」という。）と反射率（以下、「Rp」とい
う。）及びＳ成分の透過率（以下、「Ts」とい
う。）と反射率（以下、「Rs」という。）は、
1000nm，1150nm及び1300nmの赤外域の光に対
して、下表のとおりであつた。
本発明は、前記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、赤外域の光において、Ｐ成分と
Ｓ成分のそれぞれの透過率と反射率との比の値
を、共にほぼ１とし、さらに、吸収による光の損
失の少ない非偏光ビームスプリツタを提供するこ
とである。そして、この目的を達成するために、
本発明は、透明な第１の直角二等辺三角プリズム
の斜面に、第１誘電体多層膜、金属薄膜層、第２
誘電体多層膜を順次積層して多層膜を形成し、し
かる後に屈折率が前記第１の直角二等辺三角プリ
ズムに実質的に等しく且つ透明な第２の直角二等
辺三角プリズムを接着剤で前記第１の直角二等辺
三角プリズムの斜面に形成された前記多層膜に接
合してなり、赤外域の光を入射するビームスプリ
ツタにおいて、前記金属薄膜層が金薄膜層であ
り、前記第１誘電体多層膜及び前記第２誘電体多
層膜は、相対的に高屈折率誘電体薄膜と低屈折率
誘電体薄膜を交互に積層して３層以上にしたもの
であり、且つ積層される前記高屈折率誘電体薄膜
又は前記低屈折率誘電体薄膜のそれぞれの材質は
同一であり、さらに前記第１誘電体多層膜と前記
第２誘電体多層膜の前記高屈折率誘電体薄膜及び
前記低屈折率誘電体薄膜の構成が、前記金薄膜層
を介して対称であり、入射される前記赤外域の光
のＰ成分とＳ成分のそれぞれの透過率と反射率と
の比を共に実質的に１となるようにしたことを特
徴とする非偏光ビームスプリツタである。以下、
本発明の一実施例を図に基づき詳細に説明する。 〔実施例〕 第３図に基づき説明する。同図ａは本実施例の
断面図、同図ｂは本実施例の多層膜部分の断面図
である。 先ず、BSC7（株式会社保谷硝子 商品名）よ
りなる清浄な第１プリスム１を真空蒸着装置内に
配置し、チヤンバー内が１×10-5Torrになるま
で排気する。次に、第１プリスム１の斜面に、ク
リオライト（Na3AlF6）をモリブデンあるいは
タンタルからなる抵抗加熱ボートで加熱して、
730Å蒸着し、Na3AlF6からなるＬ層（ｎ＝1.32）
４１２を形成する。次に、硫化亜鉛（ZnS）を抵
抗加熱あるいは電子銃で、710Å蒸着し、ZnSよ
りなるＨ層（ｎ＝2.3）４１１を前記Ｌ層４１２
上に形成する。次に、Na3AlF6よりなる730Åの
Ｌ層４１２とZnSよりなる710ÅのＨ層４１１を
前記と同様に形成し、Ｌ層４１２−Ｈ層４１１−
Ｌ層４１２−Ｈ層４１１の第１誘電体多層膜４１
を形成する。この第１誘電体多層膜４１のＨ層４
１１上に、予め金（Au）を入れたモリブデンあ
るいはタンタルからなる抵抗加熱ボートを加熱し
90Åの金薄膜層（以下、「Au層」という。）４２
を形成する。更に、このAu層４２上に前記第１
誘電体多層膜４１と同材質、実質的に同一膜厚で
Ｈ層４３１−Ｌ層４３２−Ｈ層４３１−Ｌ層４３
２の順で蒸着し、第２誘電体多層膜４３を形成
し、第１誘電体多層膜４１、Au層４２及び第２
誘電体多層膜４３からなる多層膜４を第１プリズ
ム１上に形成する。そして、この第２誘電体多層
膜４３上に前記第１プリズム１と同質の第２プリ
ズム２の斜面を光学用接着剤で接合し、非偏光ビ
ームスプリツタを形成する。 次に、本実施例による非偏光ビームスプリツタ
の分光特性を第３図ｃに示す。A1とA2は、それ
ぞれＳ成分の透過率Tsと反射率Rsを示し、B1と
B2は、それぞれＰ成分の透過率Tpと反射率Rpを
示す曲線である。そして、本実施例による赤外域
の光、例えば、1000nm，1150nm，及び1300nm
の光に対するTs，Rs，Tp，Rp，Rp／Tp及び
Rs／Tsを下表に示す。
で、その目的は、赤外域の光において、Ｐ成分と
Ｓ成分のそれぞれの透過率と反射率との比の値
を、共にほぼ１とし、さらに、吸収による光の損
失の少ない非偏光ビームスプリツタを提供するこ
とである。そして、この目的を達成するために、
本発明は、透明な第１の直角二等辺三角プリズム
の斜面に、第１誘電体多層膜、金属薄膜層、第２
誘電体多層膜を順次積層して多層膜を形成し、し
かる後に屈折率が前記第１の直角二等辺三角プリ
ズムに実質的に等しく且つ透明な第２の直角二等
辺三角プリズムを接着剤で前記第１の直角二等辺
三角プリズムの斜面に形成された前記多層膜に接
合してなり、赤外域の光を入射するビームスプリ
ツタにおいて、前記金属薄膜層が金薄膜層であ
り、前記第１誘電体多層膜及び前記第２誘電体多
層膜は、相対的に高屈折率誘電体薄膜と低屈折率
誘電体薄膜を交互に積層して３層以上にしたもの
であり、且つ積層される前記高屈折率誘電体薄膜
又は前記低屈折率誘電体薄膜のそれぞれの材質は
同一であり、さらに前記第１誘電体多層膜と前記
第２誘電体多層膜の前記高屈折率誘電体薄膜及び
前記低屈折率誘電体薄膜の構成が、前記金薄膜層
を介して対称であり、入射される前記赤外域の光
のＰ成分とＳ成分のそれぞれの透過率と反射率と
の比を共に実質的に１となるようにしたことを特
徴とする非偏光ビームスプリツタである。以下、
本発明の一実施例を図に基づき詳細に説明する。 〔実施例〕 第３図に基づき説明する。同図ａは本実施例の
断面図、同図ｂは本実施例の多層膜部分の断面図
である。 先ず、BSC7（株式会社保谷硝子 商品名）よ
りなる清浄な第１プリスム１を真空蒸着装置内に
配置し、チヤンバー内が１×10-5Torrになるま
で排気する。次に、第１プリスム１の斜面に、ク
リオライト（Na3AlF6）をモリブデンあるいは
タンタルからなる抵抗加熱ボートで加熱して、
730Å蒸着し、Na3AlF6からなるＬ層（ｎ＝1.32）
４１２を形成する。次に、硫化亜鉛（ZnS）を抵
抗加熱あるいは電子銃で、710Å蒸着し、ZnSよ
りなるＨ層（ｎ＝2.3）４１１を前記Ｌ層４１２
上に形成する。次に、Na3AlF6よりなる730Åの
Ｌ層４１２とZnSよりなる710ÅのＨ層４１１を
前記と同様に形成し、Ｌ層４１２−Ｈ層４１１−
Ｌ層４１２−Ｈ層４１１の第１誘電体多層膜４１
を形成する。この第１誘電体多層膜４１のＨ層４
１１上に、予め金（Au）を入れたモリブデンあ
るいはタンタルからなる抵抗加熱ボートを加熱し
90Åの金薄膜層（以下、「Au層」という。）４２
を形成する。更に、このAu層４２上に前記第１
誘電体多層膜４１と同材質、実質的に同一膜厚で
Ｈ層４３１−Ｌ層４３２−Ｈ層４３１−Ｌ層４３
２の順で蒸着し、第２誘電体多層膜４３を形成
し、第１誘電体多層膜４１、Au層４２及び第２
誘電体多層膜４３からなる多層膜４を第１プリズ
ム１上に形成する。そして、この第２誘電体多層
膜４３上に前記第１プリズム１と同質の第２プリ
ズム２の斜面を光学用接着剤で接合し、非偏光ビ
ームスプリツタを形成する。 次に、本実施例による非偏光ビームスプリツタ
の分光特性を第３図ｃに示す。A1とA2は、それ
ぞれＳ成分の透過率Tsと反射率Rsを示し、B1と
B2は、それぞれＰ成分の透過率Tpと反射率Rpを
示す曲線である。そして、本実施例による赤外域
の光、例えば、1000nm，1150nm，及び1300nm
の光に対するTs，Rs，Tp，Rp，Rp／Tp及び
Rs／Tsを下表に示す。
【表】
上表に示すとおり、本実施例によれば、赤外域
の波長の光において、Rp／Tp及びRs／Tsは、
共に実質的に１に等しい。これは、Au層４２の
膜厚を90Åにし、かつ、Au層３２を介して、第
１誘電体多層膜４１と第２誘電体多層膜４２とが
対称に積層され、さらに、各誘電体多層膜が３層
の誘電体薄膜からなつているためである。さら
に、本実施例では、光の吸収量は、Ｐ成分では、
1000nm，1150nm及び1300nmのとき、それぞれ
13.9％，14.2％及び13.25％であり、Ｓ成分では、
1000nm，1150nm及び1300nmのとき、それぞれ
16.25％，16.8％及び15.25％であり、従来の非偏
光ビームスプリツタよりも数段良好な非偏光ビー
ムスプリツタである。 前記実施例において、Au膜の膜厚は、90Åで
あるが、この膜厚は、赤外域の所望する波長又は
波長範囲において、第１及び第２の誘電体多層膜
の材質、膜厚等を考慮して、Ｐ成分とＳ成分のそ
れぞれの透過率と反射率との比を実質的に１にす
る膜厚を適宜選択すればよい。次に、前記実施例
において、第１誘電体多層膜及び第２誘電体多層
膜のＨ層とＬ層の合計層数は、それぞれ３層であ
るが、これに限らず、３層以上の層数であれば、
前記実施例と同様の効果を有する。次に、前記実
施例において、Ｈ層としてはZnS、Ｌ層としては
Na3AlF6を使用したが、これに限らず、相対的
に高屈折率を有する材質によるＨ層と低屈折率を
有する材質によるＬ層を適宜決定すればよいが、
望ましくは、Ｈ層の材質は屈折率1.9〜2.4（ZnS以
外に、例えばTiO2，Ta2O5，CeO2，ZrO2）、Ｌ
層の材質は屈折率1.3〜1.5（Na3AlF6以外に、例
えばMgF2，SiO2）である材質を選択した方が、
後記するように膜厚を適宜決定すれば、第１及び
第２誘電体多層膜を構成するＨ層とＬ層の合計層
数に影響されずＰ成分とＳ成分のそれぞれの透過
率と反射率との比の値をほぼ１にすることができ
る。次に、Ｈ層とＬ層の膜厚は、Ｈ層及びＬ層を
形成する材質により適宜決定すればよい。さら
に、Au層に密着する第１誘電体多層膜の誘電体
薄膜は、前記実施例ではＨ層であるが、Ｌ層でも
よく、すなわちＬ層−Ｈ層−Ｌ層……として第１
及び第２誘電体多層膜を形成してもよい。望まし
くは、入射光の偏光状態によらず、より良好な透
過・反射特性を得るために、前記実施例のように
Au層に密着する誘電体薄膜はＨ層がよい。 以上、本発明によれば、多層膜としてAu層を
介して第１誘電体多層膜と第２誘電体多層膜が対
称となつており、かつ第１及び第２誘電体多層膜
がＨ層とＬ層とを交互に積層し、Ｈ層とＬ層の合
計層数が３層以上であるために、赤外域の光に対
して、Ｐ成分とＳ成分のそれぞれの透過率と反射
率との比の値を、共にほぼ１に等しくすることが
でき、また、光吸収は、Ｐ成分、Ｓ成分いずれに
おいても小さく、従来のAg層と比べて光吸収の
減少を図ることが出来、光効率に優れるという効
果がある。そして、本発明は、金属薄膜層がAu
層であるので、耐久性を非常に良くする効果があ
る。さらに、第１プリズムと第２プリズムを実質
的に屈折率が等しいものを使用しており、かつ第
１と第２誘電体多層膜の構成が対称であることか
ら、光の入射面として対向する２面のうちいずれ
かを任意に選択することも可能となる。またさら
に、Ｐ成分の透過率とＳ成分の透過率の和と、Ｐ
成分の反射率とＳ成分の反射率の和との比の値も
実質的に１にすることもできる効果がある。
の波長の光において、Rp／Tp及びRs／Tsは、
共に実質的に１に等しい。これは、Au層４２の
膜厚を90Åにし、かつ、Au層３２を介して、第
１誘電体多層膜４１と第２誘電体多層膜４２とが
対称に積層され、さらに、各誘電体多層膜が３層
の誘電体薄膜からなつているためである。さら
に、本実施例では、光の吸収量は、Ｐ成分では、
1000nm，1150nm及び1300nmのとき、それぞれ
13.9％，14.2％及び13.25％であり、Ｓ成分では、
1000nm，1150nm及び1300nmのとき、それぞれ
16.25％，16.8％及び15.25％であり、従来の非偏
光ビームスプリツタよりも数段良好な非偏光ビー
ムスプリツタである。 前記実施例において、Au膜の膜厚は、90Åで
あるが、この膜厚は、赤外域の所望する波長又は
波長範囲において、第１及び第２の誘電体多層膜
の材質、膜厚等を考慮して、Ｐ成分とＳ成分のそ
れぞれの透過率と反射率との比を実質的に１にす
る膜厚を適宜選択すればよい。次に、前記実施例
において、第１誘電体多層膜及び第２誘電体多層
膜のＨ層とＬ層の合計層数は、それぞれ３層であ
るが、これに限らず、３層以上の層数であれば、
前記実施例と同様の効果を有する。次に、前記実
施例において、Ｈ層としてはZnS、Ｌ層としては
Na3AlF6を使用したが、これに限らず、相対的
に高屈折率を有する材質によるＨ層と低屈折率を
有する材質によるＬ層を適宜決定すればよいが、
望ましくは、Ｈ層の材質は屈折率1.9〜2.4（ZnS以
外に、例えばTiO2，Ta2O5，CeO2，ZrO2）、Ｌ
層の材質は屈折率1.3〜1.5（Na3AlF6以外に、例
えばMgF2，SiO2）である材質を選択した方が、
後記するように膜厚を適宜決定すれば、第１及び
第２誘電体多層膜を構成するＨ層とＬ層の合計層
数に影響されずＰ成分とＳ成分のそれぞれの透過
率と反射率との比の値をほぼ１にすることができ
る。次に、Ｈ層とＬ層の膜厚は、Ｈ層及びＬ層を
形成する材質により適宜決定すればよい。さら
に、Au層に密着する第１誘電体多層膜の誘電体
薄膜は、前記実施例ではＨ層であるが、Ｌ層でも
よく、すなわちＬ層−Ｈ層−Ｌ層……として第１
及び第２誘電体多層膜を形成してもよい。望まし
くは、入射光の偏光状態によらず、より良好な透
過・反射特性を得るために、前記実施例のように
Au層に密着する誘電体薄膜はＨ層がよい。 以上、本発明によれば、多層膜としてAu層を
介して第１誘電体多層膜と第２誘電体多層膜が対
称となつており、かつ第１及び第２誘電体多層膜
がＨ層とＬ層とを交互に積層し、Ｈ層とＬ層の合
計層数が３層以上であるために、赤外域の光に対
して、Ｐ成分とＳ成分のそれぞれの透過率と反射
率との比の値を、共にほぼ１に等しくすることが
でき、また、光吸収は、Ｐ成分、Ｓ成分いずれに
おいても小さく、従来のAg層と比べて光吸収の
減少を図ることが出来、光効率に優れるという効
果がある。そして、本発明は、金属薄膜層がAu
層であるので、耐久性を非常に良くする効果があ
る。さらに、第１プリズムと第２プリズムを実質
的に屈折率が等しいものを使用しており、かつ第
１と第２誘電体多層膜の構成が対称であることか
ら、光の入射面として対向する２面のうちいずれ
かを任意に選択することも可能となる。またさら
に、Ｐ成分の透過率とＳ成分の透過率の和と、Ｐ
成分の反射率とＳ成分の反射率の和との比の値も
実質的に１にすることもできる効果がある。
第１図は従来の非偏光ビームスプリツタを示す
断面図、第２図は従来の非偏光ビームスプリツタ
に使用された多層膜の断面図、第３図は本発明の
一実施例を示す図で、同図ａはこの実施例の断面
図、同図ｂはこの実施例の多層膜部分の断面図、
同図ｃはこの実施例の分光特性を示す図である。 １……第１プリズム、２……第２プリズム、４
……多層膜、４１……第１誘電体多層膜、４２…
…Au層、４３……第２誘電体多層膜、４１１，
４３１……Ｈ層、４１２，４３２……Ｌ層。
断面図、第２図は従来の非偏光ビームスプリツタ
に使用された多層膜の断面図、第３図は本発明の
一実施例を示す図で、同図ａはこの実施例の断面
図、同図ｂはこの実施例の多層膜部分の断面図、
同図ｃはこの実施例の分光特性を示す図である。 １……第１プリズム、２……第２プリズム、４
……多層膜、４１……第１誘電体多層膜、４２…
…Au層、４３……第２誘電体多層膜、４１１，
４３１……Ｈ層、４１２，４３２……Ｌ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明な第１の直角二等辺三角プリズムの斜面
に、第１誘電体多層膜、金属薄膜層、第２誘電体
多層膜を順次積層して多層膜を形成し、しかる後
に屈折率が前記第１の直角二等辺三角プリズムに
実質的に等しく且つ透明な第２の直角二等辺三角
プリズムを接着剤で前記第１の直角二等辺三角プ
リズムの斜面に形成された前記多層膜に接合して
なり、赤外域の光を入射するビームスプリツタに
おいて、前記金属薄膜層が金薄膜層であり、前記
第１誘電体多層膜及び前記第２誘電体多層膜は、
相対的に高屈折率誘電体薄膜と低屈折率誘電体薄
膜を交互に積層して３層以上にしたものであり、
且つ積層される前記高屈折率誘電体薄膜又は前記
低屈折率誘電体薄膜のそれぞれの材質は同一であ
り、さらに前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電
体多層膜の前記高屈折率誘電体薄膜及び前記低屈
折率誘電体薄膜の構成が、前記金薄膜層を介して
対称であり、入射される前記赤外域の光のＰ成分
とＳ成分のそれぞれの透過率と反射率との比を共
に実質的に１となるようにしたことを特徴とする
非偏光ビームスプリツタ。 ２ 特許請求の範囲第１項において、第１誘電体
多層膜及び第２誘電体多層膜の金薄膜層に密着し
ている誘電体薄膜は、高屈折率誘電体薄膜である
ことを特徴とする非偏光ビームスプリツタ。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項において、
高屈折率誘電体薄膜は、屈折率が1.9〜2.4の材質
からなり、低屈折率誘電体薄膜は、屈折率が1.3
〜1.5の材質からなることを特徴とする非偏光ビ
ームスプリツタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13271984A JPS6111701A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 非偏光ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13271984A JPS6111701A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 非偏光ビ−ムスプリツタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6111701A JPS6111701A (ja) | 1986-01-20 |
| JPH0528361B2 true JPH0528361B2 (ja) | 1993-04-26 |
Family
ID=15087976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13271984A Granted JPS6111701A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 非偏光ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6111701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020149294A1 (ja) | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 東レ株式会社 | ポリオレフィン多層微多孔膜およびその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652823B2 (en) | 2005-10-11 | 2010-01-26 | Konica Minolta Opto, Inc. | Non-polarizing beam splitter |
| JP2007133375A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Konica Minolta Opto Inc | 無偏光ビームスプリッタ |
| WO2010020347A1 (de) | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Linos Photonics Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung eines objektivs |
| DE102008061664A1 (de) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Linos Photonics Gmbh & Co. Kg | Miniaturisiertes Vario-Objektiv |
| EP2492739B1 (de) | 2011-02-23 | 2019-04-24 | Qioptiq Photonics GmbH & Co. KG | Nichtpolarisierender Strahlteiler mit Metallschicht |
| DE102012018483B4 (de) | 2012-09-19 | 2018-02-01 | Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg | Nichtpolarisierender Strahlteiler |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3559090A (en) * | 1968-10-08 | 1971-01-26 | Bausch & Lomb | Polarization free beam divider |
| JPS5627106A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Beam splitter |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP13271984A patent/JPS6111701A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3559090A (en) * | 1968-10-08 | 1971-01-26 | Bausch & Lomb | Polarization free beam divider |
| JPS5627106A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Beam splitter |
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|---|---|---|---|---|
| WO2020149294A1 (ja) | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 東レ株式会社 | ポリオレフィン多層微多孔膜およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6111701A (ja) | 1986-01-20 |
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