JPS5917502A - ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 - Google Patents
ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜Info
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- JPS5917502A JPS5917502A JP57127403A JP12740382A JPS5917502A JP S5917502 A JPS5917502 A JP S5917502A JP 57127403 A JP57127403 A JP 57127403A JP 12740382 A JP12740382 A JP 12740382A JP S5917502 A JPS5917502 A JP S5917502A
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- film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、赤外線領域の光学部材として用いられるグル
マニュウム基板の赤外反射防止膜に関する。
マニュウム基板の赤外反射防止膜に関する。
従来の色消し反射防止膜の構成の例としては、基板側か
ら数えて第１層ないし第３層をｎｌ、ｒＬ２、ｒＬ６、
空気及び基板の屈折率をルいｒＬ５ とするとき、 ｒＬ１ｎ６−ル２２−７１．。ｎ５ を満たす屈折率の物質をλ／４の厚さで蒸着するものが
知られている。しかし、赤外反射防止膜としてこれを満
たす第３層の物質はいずれも耐久性が低いかあるいは赤
外線吸収率が高いかどちらかの欠点を有する。耐久性の
低い材料については反射防止膜最上層に用いることは好
捷しくなく、また吸収率の大きい材料についてはできる
だけ薄い膜厚にする必要がある。
ら数えて第１層ないし第３層をｎｌ、ｒＬ２、ｒＬ６、
空気及び基板の屈折率をルいｒＬ５ とするとき、 ｒＬ１ｎ６−ル２２−７１．。ｎ５ を満たす屈折率の物質をλ／４の厚さで蒸着するものが
知られている。しかし、赤外反射防止膜としてこれを満
たす第３層の物質はいずれも耐久性が低いかあるいは赤
外線吸収率が高いかどちらかの欠点を有する。耐久性の
低い材料については反射防止膜最上層に用いることは好
捷しくなく、また吸収率の大きい材料についてはできる
だけ薄い膜厚にする必要がある。
従来の赤外線反射防止膜の例としては、米国特許第ａ弘
Ａし１７号に記載された三層反射防止膜が知られており
、これは基板側から数えて第１層がＳ（膜、第Ω層がＺ
ｎＳ、第３層がＢａＦ２ の各膜からなるものである
。ところで、この第１層のＳｉは活性があるため、蒸着
の際の蒸発源に電子銃を使用する必要があり、一方一定
の生産能率を士けるだめに蒸着速度をある程度高くする
必要がある。
Ａし１７号に記載された三層反射防止膜が知られており
、これは基板側から数えて第１層がＳ（膜、第Ω層がＺ
ｎＳ、第３層がＢａＦ２ の各膜からなるものである
。ところで、この第１層のＳｉは活性があるため、蒸着
の際の蒸発源に電子銃を使用する必要があり、一方一定
の生産能率を士けるだめに蒸着速度をある程度高くする
必要がある。
しか］〜、蒸着速度を上げるために電子銃の出力を大き
くするとＳｉが不均一に加熱され、気体でないＳ（が飛
散して基板に付着するだめ、蒸着膜の品質の低下あるい
は生産能率を向上させることができない等の問題を有す
る。
くするとＳｉが不均一に加熱され、気体でないＳ（が飛
散して基板に付着するだめ、蒸着膜の品質の低下あるい
は生産能率を向上させることができない等の問題を有す
る。
さらに、上記第３務のＢａＦ２は、水に対する耐久性が
低くしかも第７表に示すようにヌープ硬さも低いだめ、
本従来技術は耐久性に乏しい問題も有する。
低くしかも第７表に示すようにヌープ硬さも低いだめ、
本従来技術は耐久性に乏しい問題も有する。
第 ／ 表
ＺｎＳ ２３０ 乙ワ×
１０−４ Ｃ／ｇＣ）ＣａＦ２
／、２０ ０．００／７（２乙Ｃ）Ｓ、Ｆ２
／３０ θθ／、２（、！７Ｃ）本発明は、上
記従来の問題を鑑みなされたものであって、赤外反射防
ＩＬの効果が優れでおり、高速の蒸着が可能で、かつ容
易に高品質の蒸着膜を得ることができる赤外反射防止膜
を提供することを目的とする。
１０−４ Ｃ／ｇＣ）ＣａＦ２
／、２０ ０．００／７（２乙Ｃ）Ｓ、Ｆ２
／３０ θθ／、２（、！７Ｃ）本発明は、上
記従来の問題を鑑みなされたものであって、赤外反射防
ＩＬの効果が優れでおり、高速の蒸着が可能で、かつ容
易に高品質の蒸着膜を得ることができる赤外反射防止膜
を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、赤外線の吸収が少なく寸だ耐久性
の高い赤外反射防止膜を提供することである。
の高い赤外反射防止膜を提供することである。
本発明は、上記目的を達成するだめに次の構成上の特徴
を有する。すなわち、ケ゛ルマニ１ウム基板の反射防止
膜において、基板側から数えて第１層に中間屈折率のＺ
ｎＳ膜、第、２層に高屈折率のＧｅ、第３層に上記中間
屈折率のＺｎＳ膜、第７層に低屈折率のＬａＦ３、−
ＢａＦ２あるいはＭｇＦ２、第５ 層Ｋ ｌ 記中間屈
折率のＺＴＬＳ膜を配したことである。捷だ、本発明の
望捷しい実施例としては、上記第１層ないし第左層の各
厚さをｄｌ、 ｄ２．ｄ３ 、ｄ４ 、ｄ５ 各屈折
率をル１．ル２．貼、ル４．ル５とするとき、ｎ１ｄ１
ニアＬ２ｄ２：ｎ３ｄ３：ｎ４ｄ４ 二ｎ５ｄ５ キ
／ ： 、２ ： ’１．．２ ： 、
＝ＩＪ：０７ とすることである。
を有する。すなわち、ケ゛ルマニ１ウム基板の反射防止
膜において、基板側から数えて第１層に中間屈折率のＺ
ｎＳ膜、第、２層に高屈折率のＧｅ、第３層に上記中間
屈折率のＺｎＳ膜、第７層に低屈折率のＬａＦ３、−
ＢａＦ２あるいはＭｇＦ２、第５ 層Ｋ ｌ 記中間屈
折率のＺＴＬＳ膜を配したことである。捷だ、本発明の
望捷しい実施例としては、上記第１層ないし第左層の各
厚さをｄｌ、 ｄ２．ｄ３ 、ｄ４ 、ｄ５ 各屈折
率をル１．ル２．貼、ル４．ル５とするとき、ｎ１ｄ１
ニアＬ２ｄ２：ｎ３ｄ３：ｎ４ｄ４ 二ｎ５ｄ５ キ
／ ： 、２ ： ’１．．２ ： 、
＝ＩＪ：０７ とすることである。
以下本発明の詳細な説明する。第１実施例は、基 板
Ｇｅ 第１層 ＺｒＬＳ 光学膜厚（ｎｄ） ０．’
１μｍ第λ層 Ｇｅ 光学膜厚 ０６ｇμｍ
第３層 ＺＴＬＳ 光学膜厚 ／、７μｍ第
グ層 Ｌ８Ｆ３ 光学膜厚 ／、θμｍ第Ｓ層
ＺｒＬＳ 光学膜厚 ０．３μｍである
。この分光特性は、計算値が第１図に示され、実験値が
第２図に示されるように、赤外域における大気の窓ｇμ
ｍから／、！μｍについて高透過率を得ることができる
。なお、第１図ないし第９図は、縦軸が波長（単位＝μ
ｍ） 、横軸が透過率（単位：％）である。
Ｇｅ 第１層 ＺｒＬＳ 光学膜厚（ｎｄ） ０．’
１μｍ第λ層 Ｇｅ 光学膜厚 ０６ｇμｍ
第３層 ＺＴＬＳ 光学膜厚 ／、７μｍ第
グ層 Ｌ８Ｆ３ 光学膜厚 ／、θμｍ第Ｓ層
ＺｒＬＳ 光学膜厚 ０．３μｍである
。この分光特性は、計算値が第１図に示され、実験値が
第２図に示されるように、赤外域における大気の窓ｇμ
ｍから／、！μｍについて高透過率を得ることができる
。なお、第１図ないし第９図は、縦軸が波長（単位＝μ
ｍ） 、横軸が透過率（単位：％）である。
第コ実施例は、
基 板 Ｇｅ
第１層 ＺｒＬＳ 光学膜厚Ｃｎｄ） ０−’
ｌ ｔｔｍ第コ層 Ｇｅ 光学膜厚 ００ｇ
μｍ第３層 ＺｎＳ 光学膜厚 ／、７μｍ
第グ層 ＢａＦ２ 光学膜厚 ／、θμｍ第Ｓ
層 ＺｎＳ 光学膜厚 ０．３ ｔｔｍであ
る。この分光特性は、第３図に示されるように、ｇμｍ
から７．２μｍについて高透過率を得ることができる。
ｌ ｔｔｍ第コ層 Ｇｅ 光学膜厚 ００ｇ
μｍ第３層 ＺｎＳ 光学膜厚 ／、７μｍ
第グ層 ＢａＦ２ 光学膜厚 ／、θμｍ第Ｓ
層 ＺｎＳ 光学膜厚 ０．３ ｔｔｍであ
る。この分光特性は、第３図に示されるように、ｇμｍ
から７．２μｍについて高透過率を得ることができる。
第３実施例は、
基 板 Ｇｅ
第１層 Ｚ＋ｚＳ 光学膜厚 ０グμｍ第一層
Ｇｅ 光学膜厚 Ｏｇμｍ第３層 ＺｎＳ光
学膜厚 ／７μｍ 第グ層 Ｍ、Ｆ ２ 光学膜厚 １０μｍ ゛
第Ｓ層 ＺｒＬＳ 光学膜厚 ０３μｍである
。この分光特性は、第９図に示されるように、りμｍか
ら／左μｍについて高透過率を得ることができる。
Ｇｅ 光学膜厚 Ｏｇμｍ第３層 ＺｎＳ光
学膜厚 ／７μｍ 第グ層 Ｍ、Ｆ ２ 光学膜厚 １０μｍ ゛
第Ｓ層 ＺｒＬＳ 光学膜厚 ０３μｍである
。この分光特性は、第９図に示されるように、りμｍか
ら／左μｍについて高透過率を得ることができる。
上記実施例と上記従来例の最上層をＢａＦ２ とした
ものとの耐湿テストの結果は、以下の通りであり、本発
明の耐久性の向上の一端を知ることができる。なお、こ
のテストはＳＯＣ，相対湿度９左％の中で行われた。
ものとの耐湿テストの結果は、以下の通りであり、本発
明の耐久性の向上の一端を知ることができる。なお、こ
のテストはＳＯＣ，相対湿度９左％の中で行われた。
第１図は第１実施例の計算による分光特性を示すグラフ
、第Ω図は第１実施例の実験値の分光特性を示すグラフ
、第３図は第２実施例の計算による分光特性を示すグラ
フ、第７図は第３実施例の計算による分光特性を示すグ
ラフである。 特許出願人東京光学機械株式会社 第１図 第２Ｗ１ １゛ ７−
、第Ω図は第１実施例の実験値の分光特性を示すグラフ
、第３図は第２実施例の計算による分光特性を示すグラ
フ、第７図は第３実施例の計算による分光特性を示すグ
ラフである。 特許出願人東京光学機械株式会社 第１図 第２Ｗ１ １゛ ７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）ケ゛ルマニュウム基板の反射防止膜において、基板
側から数えて第１層に中間屈折率のＺｎＳ膜、第２層に
高屈折率のＧａ、第３層に上記中間屈折率のＺｎＳ膜、
第７層に低屈折率のＬａ Ｆ ３ 、Ｂ ａ Ｆ ２あ
るいはＭｇＦ２、第Ｓ層に上記中間屈折率のＺｎＳ膜を
配したことを特徴とする基板ケ゛ルマニウムの赤外反射
防止膜。 ２）上記第１層ないし第５層の各厚さをｄｌ、ｄ２、ｄ
６、ｄ４、ｄ５各屈折率ヲｎ１、ｒＬ２％ ｒＬ３％
ｎ４％ ｎ５とするとき、 ｒＬｌｄｌ ： ｒＬ２ｄ２ ： ｒＬ３ｄ３
： ｒＬ４ｄ４ ： ｒＬ５ｄ５キ ／ ： コニ’
１．２：２．！；：θ７ である特許請求の範囲第１項記載の基板ケ゛ルマニュウ
ムの赤外線反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127403A JPS5917502A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127403A JPS5917502A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917502A true JPS5917502A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0211121B2 JPH0211121B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=14959122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127403A Granted JPS5917502A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ゲルマニユウム基板の赤外反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917502A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138501A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-05-31 | Minolta Camera Co Ltd | 反射防止膜 |
| JP2009086533A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp | 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー |
| WO2011086511A1 (en) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | Aselsan Elektronik Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | An infrared lens |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012160979A1 (ja) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 赤外線透過膜、赤外線透過膜の製造方法、赤外線用光学部品および赤外線装置 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57127403A patent/JPS5917502A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138501A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-05-31 | Minolta Camera Co Ltd | 反射防止膜 |
| JP2009086533A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp | 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー |
| WO2011086511A1 (en) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | Aselsan Elektronik Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | An infrared lens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0211121B2 (ja) | 1990-03-13 |
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