JP3531444B2 - プリズム式ビームスプリッタ - Google Patents
プリズム式ビームスプリッタInfo
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- JP3531444B2 JP3531444B2 JP31030697A JP31030697A JP3531444B2 JP 3531444 B2 JP3531444 B2 JP 3531444B2 JP 31030697 A JP31030697 A JP 31030697A JP 31030697 A JP31030697 A JP 31030697A JP 3531444 B2 JP3531444 B2 JP 3531444B2
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- JP
- Japan
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- prism
- dielectric layer
- beam splitter
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカメラ、複写機、プ
リンター、顕微鏡、望遠鏡等の各種光学製品、光ディス
ク、光導波路結合・分岐用の主要光学部品に用いられる
プリズム式ビームスプリッタに関する。
リンター、顕微鏡、望遠鏡等の各種光学製品、光ディス
ク、光導波路結合・分岐用の主要光学部品に用いられる
プリズム式ビームスプリッタに関する。
【０００２】
【従来の技術】プリズム式ビームスプリッタ(ハーフミ
ラーと呼ばれることもある)としては２個のプリズムを
使用し、該接合面に光半透過用の薄膜部（光半透膜）を
設ける構成が採られている。このようなビームスプリッ
タは一般に、１）透過率および反射率に対して波長依存
性が小さいこと、２）吸収率が小さいこと等の光学的特
性が要求される。
ラーと呼ばれることもある)としては２個のプリズムを
使用し、該接合面に光半透過用の薄膜部（光半透膜）を
設ける構成が採られている。このようなビームスプリッ
タは一般に、１）透過率および反射率に対して波長依存
性が小さいこと、２）吸収率が小さいこと等の光学的特
性が要求される。
【０００３】これらの要求を満たすために、光半透膜
は、金属層のみを用いたもの、単元素半導体を用いたも
の、金属膜と誘電体膜を用いたもの等の色々な構成のも
のが知られている。金属膜としては銀、アルミニウム、
金、クロムなどの各種の膜が提案されているが、広い波
長域に渡って、透過率と反射率の波長依存性を小さくし
ようとする観点から、一般には銀もしくはアルミニウム
が使用されている。耐環境性を考慮して、銀よりもアル
ミニウムが用いられることが多い。しかしながら、アル
ミニウムを用いた構成は、銀を用いた構成よりも金属薄
膜の膜厚が薄くなり、製造工程における膜厚制御が難し
いという問題がある。そのため、制度の高い光学特性を
要求される場合には銀が用いられることが多い。
は、金属層のみを用いたもの、単元素半導体を用いたも
の、金属膜と誘電体膜を用いたもの等の色々な構成のも
のが知られている。金属膜としては銀、アルミニウム、
金、クロムなどの各種の膜が提案されているが、広い波
長域に渡って、透過率と反射率の波長依存性を小さくし
ようとする観点から、一般には銀もしくはアルミニウム
が使用されている。耐環境性を考慮して、銀よりもアル
ミニウムが用いられることが多い。しかしながら、アル
ミニウムを用いた構成は、銀を用いた構成よりも金属薄
膜の膜厚が薄くなり、製造工程における膜厚制御が難し
いという問題がある。そのため、制度の高い光学特性を
要求される場合には銀が用いられることが多い。
【０００４】特公昭６２−３９４０１号公報には；
プリズム／Ｌ＋Ａｇ＋Ｈ／プリズム
（Ｌ：低屈折率誘電体薄膜、Ｈ：高屈折率誘電体薄膜、
特に断らない限り、以下同じ） なる構成の半透過鏡が開示されている。また特公平５−
２８３６１号公報は； プリズム／Ｌ＋Ｈ＋Ｌ＋Ｈ＋Ａｕ＋Ｈ＋Ｌ＋Ｈ＋Ｌ／プ
リズム なる金薄膜を用いた構成の赤外域ハーフミラーが開示さ
れている。特開昭５５−４１４１５号公報は； プリズム／Ａｇ＋Ｈ／プリズム プリズム／Ｈ＋Ｌ＋Ａｇ／プリズム プリズム／Ｈ＋Ｌ＋Ａｇ＋Ｈ／プリズム プリズム／Ｈ＋Ｌ＋Ａｇ＋Ｈ＋Ｌ／プリズム のような金属材料にアルミニウムを用いた構成の半透過
鏡が開示されている。さらに特開昭６０−２８６０３号
公報には： プリズム／Ｍ＋Ａｇ＋Ｈ／プリズム （Ｍは中屈折率誘電体薄膜、以下、特に断らない限り、
以下同じ）なる構成のプリズム式ビームスプリッタを開
示している。
特に断らない限り、以下同じ） なる構成の半透過鏡が開示されている。また特公平５−
２８３６１号公報は； プリズム／Ｌ＋Ｈ＋Ｌ＋Ｈ＋Ａｕ＋Ｈ＋Ｌ＋Ｈ＋Ｌ／プ
リズム なる金薄膜を用いた構成の赤外域ハーフミラーが開示さ
れている。特開昭５５−４１４１５号公報は； プリズム／Ａｇ＋Ｈ／プリズム プリズム／Ｈ＋Ｌ＋Ａｇ／プリズム プリズム／Ｈ＋Ｌ＋Ａｇ＋Ｈ／プリズム プリズム／Ｈ＋Ｌ＋Ａｇ＋Ｈ＋Ｌ／プリズム のような金属材料にアルミニウムを用いた構成の半透過
鏡が開示されている。さらに特開昭６０−２８６０３号
公報には： プリズム／Ｍ＋Ａｇ＋Ｈ／プリズム （Ｍは中屈折率誘電体薄膜、以下、特に断らない限り、
以下同じ）なる構成のプリズム式ビームスプリッタを開
示している。
【０００５】加えて、近年、デジタルカメラ等の普及に
伴い、光吸収が少なく、透過率と反射率が必要とされる
波長領域でほぼ等しく、その率の変化がその波長領域で
小さい（フラットな）特性を有するプリズム式ビームス
プリッタが望まれている。
伴い、光吸収が少なく、透過率と反射率が必要とされる
波長領域でほぼ等しく、その率の変化がその波長領域で
小さい（フラットな）特性を有するプリズム式ビームス
プリッタが望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたもので、透過率と反射率が広い波長域に渡
り、ほぼ等しく、またフラットな特性を有するプリズム
式ビームスプリッタを提供することを目的とする。
みなされたもので、透過率と反射率が広い波長域に渡
り、ほぼ等しく、またフラットな特性を有するプリズム
式ビームスプリッタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、屈
折率のほぼ等しいガラスからなる第１および第２プリズ
ムの間に光半透膜が形成されているプリズム式ビームス
プリッタであって、該光半透膜が、第１プリズム側から
第２プリズム側へ順に、屈折率が１ . ８０から２ . ４０で
あり厚さが３０から１２０ｎｍである第１誘電体層、屈
折率が１ . ３８から１ . ８０である第２誘電体層、Ａｇか
らなり厚さが５から１７ｎｍである金属層、屈折率が
１ . ３８から１ . ８０である第３誘電体層、および屈折率
が１ . ８０から２ . ４０であり厚さが４５から１２０ｎｍ
である第４誘電体層の５層積層構成されているプリズム
式ビームスプリッタに関する。図１に本発明のプリズム
式ビームスプリッタの概略断面図を示している。１は第
１プリズム、２は第２プリズムを示し、第１プリズムお
よび第２プリズムは屈折率がほぼ等しい、好ましくは等
しいガラスからなる直角プリズムであり、該直角プリズ
ム１および２の接合面３に光半透膜が形成されている。
この半透膜は、第１プリズム側から第２プリズム側へ順
に、第１誘電体層、第２誘電体層、Ａｇからなる金属
層、第３誘電体層、および第４誘電体層の５層が積層構
成されている。
折率のほぼ等しいガラスからなる第１および第２プリズ
ムの間に光半透膜が形成されているプリズム式ビームス
プリッタであって、該光半透膜が、第１プリズム側から
第２プリズム側へ順に、屈折率が１ . ８０から２ . ４０で
あり厚さが３０から１２０ｎｍである第１誘電体層、屈
折率が１ . ３８から１ . ８０である第２誘電体層、Ａｇか
らなり厚さが５から１７ｎｍである金属層、屈折率が
１ . ３８から１ . ８０である第３誘電体層、および屈折率
が１ . ８０から２ . ４０であり厚さが４５から１２０ｎｍ
である第４誘電体層の５層積層構成されているプリズム
式ビームスプリッタに関する。図１に本発明のプリズム
式ビームスプリッタの概略断面図を示している。１は第
１プリズム、２は第２プリズムを示し、第１プリズムお
よび第２プリズムは屈折率がほぼ等しい、好ましくは等
しいガラスからなる直角プリズムであり、該直角プリズ
ム１および２の接合面３に光半透膜が形成されている。
この半透膜は、第１プリズム側から第２プリズム側へ順
に、第１誘電体層、第２誘電体層、Ａｇからなる金属
層、第３誘電体層、および第４誘電体層の５層が積層構
成されている。
【０００８】本発明においては金属層をはさんで積層さ
れる第２誘電体層および第３誘電体層はプリズムより低
い屈折率を発現しうる低屈折率材料で構成され、屈折率
が１.３８から１.８０、好ましくは１.４５〜１.７０を
有するように形成される。低屈折率材料としてはＡｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、を使用することが可能で、こ
れらの中でも充填密度の高いＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を
使用することが好ましい。
れる第２誘電体層および第３誘電体層はプリズムより低
い屈折率を発現しうる低屈折率材料で構成され、屈折率
が１.３８から１.８０、好ましくは１.４５〜１.７０を
有するように形成される。低屈折率材料としてはＡｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、を使用することが可能で、こ
れらの中でも充填密度の高いＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を
使用することが好ましい。
【０００９】第１誘電体層および第４誘電体層はプリズ
ムより高い屈折率を発現しうる高屈折率材料で構成さ
れ、屈折率が１.８０〜２.４０、好ましくは１.９０〜
２.３０を有するように形成される。高屈折率材料とし
ては酸化ジルコニウム(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)
との混合物、酸化タンタル(Ｔａ2Ｏ5)、ＴｉＯ2を使用
することが可能で、これらの中でも酸化ジルコニウム
(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)との混合物または酸化
タンタル(Ｔａ2Ｏ5)が好ましい。さらに好ましくは第２
誘電体層または第３誘電体層にＡｌ2Ｏ3層を用いた場
合、第１誘電体層および第４誘電体層は酸化ジルコニウ
ム(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)との混合物で形成
し、第２誘電体層または第３誘電体層にＳｉＯ2層を用
いた場合、第１誘電体層および第４誘電体層はＴａ2Ｏ5
で構成することが好ましい。
ムより高い屈折率を発現しうる高屈折率材料で構成さ
れ、屈折率が１.８０〜２.４０、好ましくは１.９０〜
２.３０を有するように形成される。高屈折率材料とし
ては酸化ジルコニウム(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)
との混合物、酸化タンタル(Ｔａ2Ｏ5)、ＴｉＯ2を使用
することが可能で、これらの中でも酸化ジルコニウム
(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)との混合物または酸化
タンタル(Ｔａ2Ｏ5)が好ましい。さらに好ましくは第２
誘電体層または第３誘電体層にＡｌ2Ｏ3層を用いた場
合、第１誘電体層および第４誘電体層は酸化ジルコニウ
ム(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)との混合物で形成
し、第２誘電体層または第３誘電体層にＳｉＯ2層を用
いた場合、第１誘電体層および第４誘電体層はＴａ2Ｏ5
で構成することが好ましい。
【００１０】各層を形成するには真空蒸着法で形成する
ことができ、第１誘電体層は厚さ１０〜１２０ｎｍ、好
ましくは３０〜９０ｎｍ、第２誘電体層は厚さ１０〜１
８０ｎｍ、好ましくは３０〜１５０ｎｍ、金属層は厚さ
５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜１７ｎｍ、第３誘電体
層は厚さ１０〜１８０ｎｍ、好ましくは２０〜１７０ｎ
ｍ、第４誘電体層は厚さ１０〜１２０ｎｍ、好ましくは
４５〜１００ｎｍに形成する。積層順序は第１プリズム
表面上に第１誘電体層から第４誘電体層に順に積層して
もよいし、また、第２プリズム表面上に第４誘電体層か
ら第１誘電体層に順に積層してもよい。
ことができ、第１誘電体層は厚さ１０〜１２０ｎｍ、好
ましくは３０〜９０ｎｍ、第２誘電体層は厚さ１０〜１
８０ｎｍ、好ましくは３０〜１５０ｎｍ、金属層は厚さ
５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜１７ｎｍ、第３誘電体
層は厚さ１０〜１８０ｎｍ、好ましくは２０〜１７０ｎ
ｍ、第４誘電体層は厚さ１０〜１２０ｎｍ、好ましくは
４５〜１００ｎｍに形成する。積層順序は第１プリズム
表面上に第１誘電体層から第４誘電体層に順に積層して
もよいし、また、第２プリズム表面上に第４誘電体層か
ら第１誘電体層に順に積層してもよい。
【００１１】入射光線Ｉは接合面で反射光線Ｉｒと透過
光線Ｉｔに分けられる。入射光線は第１あるいは第２プ
リズムいずれのプリズム側から入射させてもよいが、光
半透膜が積層されているプリズム側から入射することが
好ましい。
光線Ｉｔに分けられる。入射光線は第１あるいは第２プ
リズムいずれのプリズム側から入射させてもよいが、光
半透膜が積層されているプリズム側から入射することが
好ましい。
【００１２】
【実施例】実施例１
下記表１に示した構成のビームスプリッタを作製した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
【００１３】
【表１】
【００１４】本実施例の分光特性を図２に示す。図中、
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図２からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図２からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
【００１５】実施例２
下記表２に示した構成のビームスプリッタを作製した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
【００１６】
【表２】
【００１７】本実施例の分光特性を図３に示す。図中、
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図３からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図３からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
【００１８】実施例３
下記表３に示した構成のビームスプリッタを作製した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
【００１９】
【表３】
【００２０】本実施例の分光特性を図４に示す。図中、
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図４からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図４からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
【００２１】実施例４
下記表４に示した構成のビームスプリッタを作製した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
なお、５層の光半透膜は第１プリズム上に第１誘電体層
から順次、真空蒸着法により形成し、第２プリズムを接
着剤を用いて接合し、本発明のプリズム式ビームスプリ
ッタを形成した。
【００２２】
【表４】
【００２３】本実施例の分光特性を図５に示す。図中、
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図５からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
Ｒ％はプリズム１側からの入射光の接合面での反射率
（％）、Ｔ％は入射光の接合面での透過率（％）であ
る。図５からわかるように、本発明のビームスプリッタ
は反射率と透過率の両者は可視波長域全域に渡って比較
的フラットであり、それぞれ約５０％でその差も小さ
く、光損失も少ない。
【００２４】
【発明の効果】本発明のプリズム式ビームスプリッタ
は、プリズム＋Ｈ＋＜ＬまたはＭ＞＋Ａｇ＋＜Ｌまたは
Ｍ＞＋Ｈ＋プリズム（Ｈ：高屈折率物質、Ｍ：中屈折率
物質、Ｌ：低屈折率物質）の５層構成を有しており、光
吸収が少なく、反射率と透過率がほぼ同じ特性を有して
いる。
は、プリズム＋Ｈ＋＜ＬまたはＭ＞＋Ａｇ＋＜Ｌまたは
Ｍ＞＋Ｈ＋プリズム（Ｈ：高屈折率物質、Ｍ：中屈折率
物質、Ｌ：低屈折率物質）の５層構成を有しており、光
吸収が少なく、反射率と透過率がほぼ同じ特性を有して
いる。
【図１】 本発明のプリズム式ビームスプリッタの概略
断面図
断面図
【図２】 本発明プリズム式ビームスプリッタ（実施例
１）の分光特性
１）の分光特性
【図３】 本発明プリズム式ビームスプリッタ（実施例
２）の分光特性
２）の分光特性
【図４】 本発明プリズム式ビームスプリッタ（実施例
３）の分光特性
３）の分光特性
【図５】 本発明プリズム式ビームスプリッタ（実施例
４）の分光特性
４）の分光特性
１：第１プリズム、２：第２プリズム、３：接合面、
Ｉ：入射光線、Ｉｒ：反射光線、Ｉｔ：透過光線
Ｉ：入射光線、Ｉｒ：反射光線、Ｉｔ：透過光線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭56−27106（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−168855（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−11701（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 5/04
G02B 1/10
Claims (3)
- 【請求項１】 屈折率のほぼ等しいガラスからなる第１
および第２プリズムの間に光半透膜が形成されているプ
リズム式ビームスプリッタであって、該半透膜は、第１
プリズム側から第２プリズム側へ順に、屈折率が１.８
０から２.４０であり厚さが３０から１２０ｎｍである
第１誘電体層、屈折率が１.３８から１.８０である第２
誘電体層、Ａｇからなり厚さが５から１７ｎｍである金
属層、屈折率が１.３８から１.８０である第３誘電体
層、および屈折率が１.８０から２.４０であり厚さが４
５から１２０ｎｍである第４誘電体層の５層積層構成さ
れているプリズム式ビームスプリッタ。 - 【請求項２】 第２誘電体層および第３誘電体層がＡｌ
2Ｏ3またはＳｉＯ2で構成されている、請求項１に記載
のビームスプリッタ。 - 【請求項３】 屈折率のほぼ等しいガラスからなる第１
および第２プリズムの間に光半透膜が形成されているプ
リズム式ビームスプリッタであって、該半透膜は、第１
プリズム側から第２プリズム側へ順に、酸化ジルコニウ
ム(ＺｒＯ2)と酸化チタン(ＴｉＯ2)との混合物または酸
化タンタル(Ｔａ2Ｏ5)からなり厚さが３０から１２０ｎ
ｍである第１誘電体層、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2からな
る第２誘電体層、Ａｇからなり厚さが５から１７ｎｍで
ある金属層、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2からなる第３誘電
体層、および酸化ジルコニウム(ＺｒＯ2)と酸化チタン
(ＴｉＯ2)との混合物または酸化タンタル(Ｔａ2Ｏ5)か
らなり厚さが４５から１２０ｎｍである第４誘電体層の
５層積層構成されているプリズム式ビームスプリッタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31030697A JP3531444B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | プリズム式ビームスプリッタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31030697A JP3531444B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | プリズム式ビームスプリッタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142623A JPH11142623A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3531444B2 true JP3531444B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=18003644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31030697A Expired - Fee Related JP3531444B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | プリズム式ビームスプリッタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3531444B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010060558B3 (de) * | 2010-11-15 | 2012-03-29 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Optisches Element zum Verteilen von Licht |
| JP5853638B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2016-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | ハーフミラー及び画像表示装置 |
| JP6376728B2 (ja) | 2013-05-16 | 2018-08-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子および表示装置 |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP31030697A patent/JP3531444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11142623A (ja) | 1999-05-28 |
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