JPS6057802A - 一眼レフレツクスカメラ用ハ−フミラ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はハーフミラ−に関し、史に詳しくは、撮影レン
ズを透過した光を測光及び測距に用いる一眼レフレック
スカメラに用いられるハーフミラ−に関する。

従来技術 本願出願人が先に特許１１０幀した生！１羅１昭５８−
２６８４４号において、第１図のように撮影レンズ（′
比）をＪｈ過した光をハーフミラ−からなる主ミラー（
Ｌｌｌで二分割し、反射光を焦点板（Ｆｌ”）、ペンタ
プリズム（円り及びアイピース（Ｅｌつを有するファイ
ンダ光学か指向性を有する拡散反射面である副ミラーｆ
［１１）で反射させて、測距用受光器（ＦＤ）及び測光
用受光器（ＬＤ）に導く構成の一眼レフレックスカメラ
が提案されている。（ＦＳ）は測距用受光器（ＦＤ）に
光を導く測距用光学系であり、副ミラーｅｎ＋の中央部
（叫）及び主ミラー鯛の中央部を介して、撮影レンズ（
ＴＬ）のＦＳ、６程度の開口径をにらむように構成され
ている。一方、（ＬＳ　）は測光用受光器（ＬＤ）に光
を導＜　＃Ｉ！１光用レンズで、副ミラー＋ｌ１ｌ）の
全域を介して主ミラー凹及び撮影レンズをにらむように
構成されている。（１勺はフィルム面である。

目　的 本発明は上述の如き一眼レフレックスカメラの主ミラー
に適したハーフミラ−を提供することを１ヨ的とするも
のである。

すなわち、」二連の如き一眼レフレックスカメラの主ミ
ラーにおいては、主ミラーの中央部はぼ１０炉程度の領
域か測距用光学系（ＦＳ）かにらむ領域となり、測距用
受光器（ＦＤ）に測距に充分な光量を供給する為にはこ
の主ミラー中央部の透過率は約５゜％か必要である。更
に、主ミラーの周辺ｇ１≦（まｆｌｌ！ｌ　３乙用受光
器（ＬＤ）に測光に充分な光量を供給するとともに、フ
ァインダ像を明るく見やすくする為に、透過率２０〜３
０％及び反射率７０〜８０％力）必要となる。更に、撮
影レンズを透過した光を効率よくファインダ観察や測距
及び測光に用０る為にハーフミラ−自体による光吸収か
できるたけ少なく、かつ色つきかないように分光反射率
特性力）フラットであることが望ましい。本発明は、こ
のよ　゛うに吸収かほとんどなく、中央部におＧ）で透
過率及び反射率が共に約５０％で周辺部におｕｌて透過
率２０〜３０％・反射率７０〜８０％を１１：ｉ、Ｊｉ
ｎすＺ）とともに分光反射率特性かフラ・ノドて製造力
）容易であり、従って、上述の如き一眼しフレ・ノクス
ノノメラの主ミラーに適したノ＼−フミラーを提供する
ことを目的とするものである。

発明の要旨 」二記目的を達成する為に、ます、本発明におけるハー
フミラ−は、ノ＼−フミラー自体１こおける光吸収をほ
とんどなくす為に基板」二に該基板よりも高い屈折率を
有する誘電体と基板よりも低い屈折率を有する誘電体と
を交互に積層した構成からなり、中央部及び周辺部にわ
たって少なくとも４層積層した後に、更に周辺部にのみ
積層して、中央部において反射率約５０％及び透過率約
５０％を得るとともに、周辺部において反射率７０〜８
０％及び透過率２０〜３０％を得ることを特徴とするも
のである。

更に好ましくは、基板に接する層の光学的膜厚を３８０
〜７６０ｎｍの可視波長域内で選択される設計波長をλ
Ｏとするとき、０５０λ０とすることによって、分光特
性のフラットな帯域を広げることができ、ファインダ像
の色つきをより抑えることができる。

実施例 以下、図面に基づいて、本発明の種々実施例を訂−細に
説明する。

第３図（ａ）ｔｌ）］は本発明の第１実施例のハーフミ
ラ−を示すものであり、第３図ｆａｔはその正面図、第
３図［ｂ）はそのＢ　−１３断面図である。第３図にお
いて、（Ｍｌ）は測距用受光器（ＦＤ）に光を導く中央
部であり、ハーフミラ−からなる主ミラーＮ）は観察状
態では撮影レンズの光軸に対して４５°傾けて配置され
ているので、撮影レンズ上への射影が円となるように、
撮影レンズの光軸に対して」二下方向に長い楕円状にな
っている。（Ｍ２）は測光用受光器（Ｌｌ））に光を尊
く為の周辺部である。

そして、ハーフミラ−は、第３図（Ｉ））に図示されて
いるように、基板ρ）」二に該基板Ｃ）よりも高い屈折
率を有する誘電体からなる高屈折率誘ηイ体層σ１）と
基板ｐ）よりも低い屈折率を有する誘電体からなる低屈
折率誘電体層（Ｌ）との交互積層構成からなり、周辺部
（Ｍ２）は１１層構成、中央部（Ｍｌ）は５層構成であ
る。中央部（Ｍｌ）において約５０％の反射率を得る為
には高・低屈折率半導体層σ−Ｉｔ　ｔｌ−１を４層り
、」二積層する必要があるか、７層以上積層しても層数
が増すわりには分光特性かよりフラットにはならない。

従って中央部（Ｍｌ）は４〜６層か好ましい。

空気側から基板０）側へＩＩＭに第１層（１）、第２層
（ＩＩ）、・・。

第１１層［Ｘｌｌとしたとき、各層の屈折率と光学的＋
＋ｔ・厚とを第１表に示す。

第１表 表中、λＯは設計波長を示し、本実施例においては、２
ｏ＝５１５ｎｍであ°る。第３図＋１）ｌから明らかな
ように、周辺部（Ｍｌ）は第１ノｉ’４１１）〜第１Ｊ
Ｊｉ’！ｊｌＸｌｌの１１層構成であるのに対し、中央
部（Ｍｌ）は第７層（１’ｉ）〜第１１層（ＸＩ＋の５
層構成である。本実施例において、高屈折率誘電体層［
１１１、すなわち、第１．３，５，７，９．１１層は全
てＺｒＯ２からなり、低屈折率誘電体層（ｌ、）、すな
わち、第２．４．（ｆｉ、８，１０層はＭｇＦｚからな
る。基板ρ）に接する第１１層ｔＸｌ＋の光学的膜厚は
０．５０λ０てあり、このように構成すると分光特性か
フラットな領域を広くすることかできる。

本実施例の製造方法を第４図を用いて説明する。

第４図は、その製造方法を示す工程図であり、ます、■
のように、基板９）の全面にＺｒＯ２とＭｇｌ’２とを
それぞれ所定膜厚となるように交互に真空蒸着して積層
し、第１１層（Ｘｌｌ〜第７層０１）を形成する。次に
■のように、中央部（Ｍｌ）にマスク（Ｓｌをする。マ
スク（Ｓ）は浮いたりしないように固定しておく必要が
あり、マスク［５１の代わりに銅やアルミニウムなどの
金属を中央部（Ｍｌ）に蒸着しても良い。次に、■のよ
うに再びＭｇＦ２とＺｒ０ｚとを交互に所定１１分厚と
なるまで真空蒸着して積層し、第６１曽（１１）〜第】
層＋１＋を形成する。このときに中央）出においてはマ
スク（Ｓ）」二にＭｇＦｚとＺｒ０ｚとか積層される。

最後にマスク［５１を取り除いて＠のように本実施例が
完成される。

一般に、本発明の目的とする光学特性を７４７る為には
、各部分ｊこ各所望の反射率ｌこ応じた誘電体層を積層
すれば良く、第５図のように中央部（Ｍｌ）と周辺部（
Ｍｌ）とをそれぞれ別々に真空蒸着による積層で構成す
るものか考えられるが、この構成では、製造工程か複雑
になる上に中央部（Ｍｌ）の積層構成と周辺部（Ｍｌ）
の積層構成との間にすき間かできたり重なったりするの
で、ファインダ像に黒い線かできたり分光特性がフラッ
トでなくなって色ついて見えたりすることが考えられ好
ましくない。第５図の構成の製造工程を第６図を用いて
説明すると、まず、■のように周辺部（Ｍｌ）をおおう
マスク（Ｓ２）を基板ｆｃ；ＩＪ：に固定し、■のよう
に、高低屈折率物質ｉＨ）　ｔＬ＋を順に真空蒸着する
。次に、■のようにマスク（Ｓ２）を取り除いて、＠の
ように中央部（Ｎ４＋）に形成された積層構成の上にマ
スク（Ｓｌ）を固定し、その上に高・低屈折率物質（［
１１（１−１を交互に順に１１層真空蒸名゛する。■の
ようにこの真空蒸着か完了したら、マスク（Ｓｌ）を取
り除いてΦのよう１こハーフミラ−か完成されるのであ
る。しかしなから、このような構成においては、マスク
（Ｓｌ）とマスク（Ｓ２）との形状を精度良く製造し精
度良く位置設定を行なわないと、中央部（Ｍｌ）と周辺
部（Ｍｌ）との間にすき間かできたり重なったりする」
二に、第４図の本実施例の製造方法に比へて著しく蝮賄
となる。

これｌと対し、本実施例の構成では第４図の如き簡単な
製造方法か適用でき、かつ」二連の如きすき間や重なり
か生じることもない。

本実施例のハーフミラ−における入射角４５°の光に対
する中央部（Ｍｌ）の分光反射率特性を曲線穴で、周辺
部のそれを曲線（１３）でそれぞれ第７１Ｚ目こ示す。

第７図から明らかなように、本実施例によれば、中央部
（Ｍｌ）において可視波長全域（約４００〜７ｏｏｎｍ
　）にわたって約５０％の反射率を得ることかでき、誘
電体層の積層構成である為に吸収はほとんど生じないの
で約５０％の透過率を得ることかでき、かつ、分光特性
もフラ・ノドである。一方、周辺部（Ｐｖ■ｚ）におい
ては可視波長域において平均して７０〜８０％の反射率
と２０〜３０％の透過率を得ることができ、分光特性も
比較的フラットてある。更に、周辺部（Ｍｌ）の反射率
と中央部（Ｍｌ）の反射率との差も比較的小さいので、
ファインダ像のの中央か特に暗く目立つこともなく、見
やすいファインダ像が得られ、上述の如き一眼レフレッ
クスカメラの主ミラーに適している。

尚、第８図に示すように、まず基板Ｏ）上の周辺部（Ｍ
ｌ）のみに高・低屈折率誘電体層１１１１ｉ１−１を交
互に積層して第１１〜６誘電体層（則〜（１１）をまず
形成し、その上に中央部（Ｍｌ）及び周辺部（Ｍｌ）の
全面にわたって更に高・低屈折率誘電体層ｔ■ｌｌ　ｔ
Ｌ）を交互に積層して第５〜１誘電体層＋Ｖ＋〜ｉ１＋
を形成すると、中央部（Ｍｌ）に比べて周辺部（Ｍりの
反射率が高くなるか、第９図の分光反射率特性を示すグ
ラフから明らがなように、周辺部（Ｍｌ）における分光
反射率特性（１３）かフラットでないので、ファインダ
像か色づいて見え、好ましくない。第８図の膜構成を第
２表に示しておく。

第　２　表 次に、本発明の第２実施例を第１０図に示し、その膜構
成を第３表に示す。本実施例は、中央Ｈ’４（Ｓ（Ｍｌ
）か４層構成であり、周辺部（Ｍｌ）かその」二に史に
６層を積層した１０層構成である。

第　３　表 本実施例において、高屈折率誘電体層帥すなわち第１．
３，５，７．９層はＺｒ０ｚからなり、低屈折率誘電体
層＋Ｌ＋すなわち′ｆＪ２，４，６，８．１０層はＭｇ
Ｆ２からなる。

尚、本実施例においては、λＯ＝　５５０１聞である。

本実施例は、基板ρ）上の全面にＭｇ　Ｆ　２とＺ１°
０２とを交互にそれぞれ所定膜厚となるまで真空蒸着し
て第１０層［Ｘｌ〜第７層（■）を順次形成し、中央部
（Ｍ＋）にマスクを固定して更にＭｇＦ２とＺ　ｒｏ２
とを交互にそれぞれ所定膜厚となるまで真空蒸着して６
層を形成した後に、マスクを取り除いて第６層（）１）
〜第１層（１）を形成することによって製造される。

第１１図は、本実施例における入射角４５°の光に対す
る中央部（Ｍｌ）の分光反射率特性（Ａｌと周辺部（Ｍ
ｌ）の分光反射率特性ｆＢ＋とを示すグラフである。

同グラフから明らかなように、本実施例によれば、第１
実施例に比べて層数が１つ少ないにもかかわらず第１実
施例とほぼ同等の光学性能を得ることができ、製造がよ
り容易である。

第１２図は本発明の第３実施例の断面図であり、その膜
構成を第４表に示す。本実−施例は中央部（Ｍｌ）が５
層構成であり、周辺部（Ｍｌ）を更にその」二に８層を
積層して計１３層構成としたものである。

本実施例においても、高屈折率誘電体層σ−１）すなわ
ち第１’、３，５，７，９，１１．１３層はＺｒ０ｚか
らなり、低屈折率誘電体層ｔＬｌすなわち第２．４，６
．８，１０，１．２層は、ＭｇＦｚからなる。λ０＝　
５３５ｎｍである。

本実施例は、基板ｔＧｌ上の全面にＺｒ０ｚとＭｇＦ２
とを交互にそれぞれ所定膜厚となるまで真空蒸着して第
１３層（Ｘｌ１１）〜第９層（ＩＸＩを順次形成し、中
央部（Ｍｌ）にマスクを固定して更にＭｇＦｚとＺｒＯ
２とを交互にそれぞれ所定膜厚となるまで、真空蒸着し
て８層を形成した後に、マスクを取り除いて第８層０１
１〜第１層ｆｉ＋を形成することによって製造される。

第１３図は、本実施例における入射角４５°の光に対す
る中央部（Ｍｌ）の分光反射率特性（勺と周辺部（Ｍ２
）の分光反射率特性ｔＢｌとを示すグラフである。

第１３図と第７図とを比べると明らかなように、本実施
例によれば、第１実施例に比べて中央部においても周辺
部においても長波長側の反射率の低下を改善し、よりフ
ラットな分光特性を得ることができる。

第１４図は本発明の第４実施例の断面図であり、その膜
構成を第５表に示す。本実施例は中央部（Ｍｌ）か５層
構成であり、周辺部（Ｍ２）を史にその上に１０層積層
して計１５層構成としたものである。

第　５　表 本実施例においても、高屈折率誘電体層σ−１）すなわ
ち第１．３，５，７，９，１１，１３．１５層はＺｒ０
ｚからなり、低屈折率誘電体層ｔＬ）す赴わち第２．４
．６，８，１０，１２．１４層はＭｇＦ２からなる。λ
０は６１６０ｍである。

本実施例は、基板ρ）上の全面にＭｇＦｚとＺ　ｒｏｚ
とを交互にそれぞれ所定膜厚となるまで真空蒸着して第
１５層（ｘｖ）〜第１１（組を順次形成し、中央部（Ｍ
ｌ）にマスクを固定して更にＭｇＦｚとＺｒＯ２とを交
互にそれぞれ所定膜厚となるまで一真空茅着して１０層
を形成した後に、マスクを取り除いて第１０層ｔｅｌ〜
第１層（Ｉｌを形成することによって製造される。

第１５図は、本実施例における入射角４５°の光に対す
る中央部（Ｍｌ）の分光反射率特性＋Ａ＋と周辺部（Ｍ
２）の分光反射率特性＋Ｂ）とを示すグラフである。

第７図と比べると明らかなように、本実施例においては
、第１実施例に比べて、中央部（Ｍｌ）の分光特性を史
にフラットにするとともに、周辺部（Ｍ２）の反射率を
全体に」二けることができる。

第１６図は本発明の第５実施例の断面図であり、その膜
４１＆成を第６表に示す。本実施例は中央部（Ｍｌ）が
６層構成であり、周辺部（Ｍ２）は史にその上に７層を
積層した計１３層構成である。

第　６　表 本実施例においても、高屈折率誘電体層Ｉ’ｌｌすなわ
ち第１．３，５，７，９，１１．１３層はＺｒ０ｚから
なり、低屈折率誘電体層（Ｉ、）すなわち第２．４，６
，８，１０．１２層は、ＭｇＦ２からなる。λ０は１５
５０ｎｍである。

本実施例は、基板ＩＧｊ上の全面にＺｒＯ２とＭｇＦｚ
とを交互にそれぞれ所定膜厚となるまで真空蒸着してｆ
ｆｆ１３７箇（ｘｌｌｌ）　〜第８１ｍ　（Ｉｌｌを１
１０次形成し、中央部（至））にマスクを固定して更に
Ｚｒ０ｚとＭｇＦ２とを交互にそれぞれ所定膜厚となる
まで真空蒸着して７層を形成した後に、マスクを取り除
いて第７１ω（１１）〜第１層ｔｅｌを形成することに
よって製造される。

第１７図は、本実施例における入射率４５°の光に対す
る中央部（Ｍｌ）の分光反射率特性＋Ａ＋と周辺部（Ｍ
ｚ）の分光反射率特性（１３）とを示すグラフである。

第１７図を、同じ１３層構成の第３実施例の分光反射率
特性を示す第１３図と比べると、本実施例の方か周辺部
（Ｍｚ）における長波長側の反射率の低下をより改善し
て分光特性をよりフラットにすることかできる。

尚、」二記実施例においては、中央部（Ｍｌ）の反射率
は約５０％であるのに対し周辺部（λ４２）の反射率は
７０〜８０％であり、反則イＡに若干の差かある。

これをファインダ像でなるへく目立たな、くする為には
、第１８図の主ミラー閂の正面図に示すように中央部（
Ｍｚ）と周辺部（Ｍｚ）との境界を目立たなくする為に
、中央部（Ｍｌ）を半径方向に長く延ひるように構、成
ずれは良い。このようζこイ１η成することによって中
央部（Ｍｚ　、）の反射率か周辺部（Ｍｚ）よりも低い
ことによるファインダ像の劣化をより一層抑えるこさが
できる。

尚、高屈折率誘電体層ｔ’−１）としてはＺｒＯ２の６
」がにＴｉＯ２，ＺｎＳ　、　ＣｅＯ２，Ｔｉ０ｚとＺ
ｒ０ｚとの混合物などが適用可能であり、低屈折率誘電
体層＋１−ＪとしてはＭｇＦｚのほかにＡｌ　２０３か
適用可能である。

効　果 以上のように本発明は、撮影レンズを透３６りした光を
分割し、反射光をファインダ光学系に、Ｊメ）過充を測
光用受光器及び測距用受光器にそれぞれ導＜為の一眼レ
フレックスカメラのハーフミラ−において、該ハーフミ
ラ−は、基板」二に該基板よりも潤い屈折率を有する誘
電体からなる旨屈折率誘電体層と該基板よりも低い屈折
率を有する誘電体からなる低屈折率銹？１）、体Ｊ＋＞
１とか交ｌｌ’に４６層された一→〒−＝＝＝＝−−−
−−−−−＝＝−測光用受光器に光を導く為の周辺部と
の両方にわたって上記高・低屈折率誘電体層を４〜６層
積層し、その上に周辺部１このみ更に高・低屈折率誘電
体層か交互に積層されていることを特徴とするものであ
り、このように構成することによって、中央部で反射率
及び透過率を共に約５０％とし、周辺部で反射率７０〜
８０％及び透過率２０〜３０％とすることができ、吸収
が少なく分光特性がフラットである」二に１回のみのマ
スキングで製造できるので著しく製造か容易であり、」
一連の一眼レフレックスカメラに適したハーフミラ−を
得ることかできる。

史に、実施態扛のように、基板に接する層の光学的膜厚
を０．５０λ０とすることにより、分光特性かフラット
な２；１域を広けることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明が適用される一眼しフレ・ノクスカメラ
の断面図、第２図はその副ミラー画の正面図、第３図（
ａ）［ｂｌは本発明の＠１１実施のハーフミラ−の正面
図及び断面１ヌ１、第４図はその製造工程を示す工程図
、第５図１は比較例の断面１り（、第６陳１はその製造
工程を示す工程図、第７図は第１実施例の入射角４５°
の光に対する分光反射率特性を示す図、第８図は比較例
の断面１ンＩ、第９図はその分光反射率特性を示すグラ
フ、第１０．１２，１４．１６図はそれぞれ第２．３，
４．５実施例の断面図、第１１．］：う、１５ラーの中
央部の別の形状を示す正１ｆ１１図である。 （ＴＬ）；４最影レンズ、（Ｆｌ））　（１’Ｐ）　（
Ｅｌ’）　；ファインダ光学系、（Ｌｌ））；測光用受
光器、（Ｉ・１〕）；測距用受光器、Ｐ）；ハーフミラ
−１（Ｇ）；基板、［”ｌ　；　ｌ’：：Ｊ　Ｊｌｉ　
折＞’ｆ′誘牝体層、（Ｌ）；低屈折率誘電体１１′・
Ｊ、（Ｍｚ　）　；中央）′Ａζ、（Ｍｚ）；周辺部。 以　１ 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，’　識別記号　庁内整理番号手続補正
書 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１６７３１８号 ２、発明の名称 バ ー眼レフレックスカメラ用号−フミラー３、補正をする
者 事件との関係　出　願　人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ピル
名称　（６０７）　ミノルタカメラ株式会社６、　補正
の内容 明細書第１８頁最下行「λ０は１５５０１ｍ　で９ っ」を「λ０は５５０ｎｍである。」と補正する。 （２）　明細書第２０頁第１０行目ｒＡ４２０３か適用
可能である。」を「ＳｉＯ２か適用可能である。」と補
正する。 しｌ　１ニ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、撮影レンズを透過した光を二分割し、反射光をファ
   インダ光学系に導くとともに、中央部を透過した光を測
   距用受光器に周辺部を透過した光を測光用受光器にそれ
   ぞれ導く一眼レフレックスカメラ用ハーフミラ−におい
   て、基板上に中央部及び周辺部の全面にわたって、基板
   よりも高い屈折率を有する誘電体からなる高屈折率誘電
   体層と、基板よりも低い屈折率を有する誘電体からなる
   低屈折イ６誘電体ｊｌ′？ｉとを交互に積層し、川にそ
   の上に周辺部のみに高・低屈折率誘電体層を交互に積層
   またことを特徴とする一眼レフレックスカメラ用ハーフ
   ミラ−０ ２、高・低屈折率誘電体層が、基板上の全面にわたって
   交互に４〜６層積層されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の一眼レフレックスカメラ用ハーフ
   ミラ−０ ６、基板に接する層の光学的膜厚は、３８Ｑｎｎｌ〜７
   ００ｎｍの可視波長域内で選択された設計波長をλ０と
   するとき０．５λ０であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の一眼レフレックスカメ、う用ハーフミ
   ラ−０