JPS6133167B2 - - Google Patents
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- JPS6133167B2 JPS6133167B2 JP52099480A JP9948077A JPS6133167B2 JP S6133167 B2 JPS6133167 B2 JP S6133167B2 JP 52099480 A JP52099480 A JP 52099480A JP 9948077 A JP9948077 A JP 9948077A JP S6133167 B2 JPS6133167 B2 JP S6133167B2
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Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
Description
本発明は反射防止されたエレクトロクロミツク
素子（以下「EC素子」という）に関する。 電気信号の印加により透明状態と着色状態とを
呈するEC素子を表示素子に又は、カメラの如き
光学装置のシヤツタや絞りに適用することが種々
提案されている。しかしながら、EC素子を表示
素子に適用した場合には、その表面やその素子を
構成する各層の境界面での反射が大きく、表示内
容が見ずらくなる恐れがある。またシヤツタや絞
りに用いた場合には、その反射光がフレアの原因
となる。 本発明は、透明状態でも着色状態でもまたその
表面およびこれを構成する各層の境界面でもとも
に反射防止されているEC素子を提供することを
目的とする。 そのために本発明においては、EC素子の着色
層およびその両側の層のすべてが同一またはほぼ
同一の屈折率を有するようにし、かつ上部最外層
および下部最外層の外側に単層または多層の反射
防止膜を形成して、着色層が透明状態にあるとき
にも着色状態にあるときにも、反射防止膜により
着色層の上下両面での反射が防止されるようにし
たのである。 以下に本発明を実施例に基づき説明する。 第１図に示す第１実施例は、EC素子に反射防
止処理を施こしたものである。同図においてガラ
スやプラスチツクの如き透明基板１上に順次、酸
化アルミニウム又は酸化マグネシウム等の薄膜
２、EC素子の電極層である酸化インジウム薄膜
３、EC素子のEC物質層の酸化タングステン又は
酸化モリブデン等の薄膜４、EC素子の電解質層
の酸化クロムと二酸化シリコンとの混合物又は酸
化クロムとフツ化マグネシウムとの混合物薄膜
５、EC素子の電極層である酸化インジウム薄膜
６、そして、フツ化マグネシウム薄膜７が夫々、
高周波イオンプレーテイング等の薄膜形成技術に
より形成されている。この各薄膜２〜７の光学的
膜厚と屈折率とを表１に示す。ただし、基板の屈
折率ｎ＝1.52である。
素子（以下「EC素子」という）に関する。 電気信号の印加により透明状態と着色状態とを
呈するEC素子を表示素子に又は、カメラの如き
光学装置のシヤツタや絞りに適用することが種々
提案されている。しかしながら、EC素子を表示
素子に適用した場合には、その表面やその素子を
構成する各層の境界面での反射が大きく、表示内
容が見ずらくなる恐れがある。またシヤツタや絞
りに用いた場合には、その反射光がフレアの原因
となる。 本発明は、透明状態でも着色状態でもまたその
表面およびこれを構成する各層の境界面でもとも
に反射防止されているEC素子を提供することを
目的とする。 そのために本発明においては、EC素子の着色
層およびその両側の層のすべてが同一またはほぼ
同一の屈折率を有するようにし、かつ上部最外層
および下部最外層の外側に単層または多層の反射
防止膜を形成して、着色層が透明状態にあるとき
にも着色状態にあるときにも、反射防止膜により
着色層の上下両面での反射が防止されるようにし
たのである。 以下に本発明を実施例に基づき説明する。 第１図に示す第１実施例は、EC素子に反射防
止処理を施こしたものである。同図においてガラ
スやプラスチツクの如き透明基板１上に順次、酸
化アルミニウム又は酸化マグネシウム等の薄膜
２、EC素子の電極層である酸化インジウム薄膜
３、EC素子のEC物質層の酸化タングステン又は
酸化モリブデン等の薄膜４、EC素子の電解質層
の酸化クロムと二酸化シリコンとの混合物又は酸
化クロムとフツ化マグネシウムとの混合物薄膜
５、EC素子の電極層である酸化インジウム薄膜
６、そして、フツ化マグネシウム薄膜７が夫々、
高周波イオンプレーテイング等の薄膜形成技術に
より形成されている。この各薄膜２〜７の光学的
膜厚と屈折率とを表１に示す。ただし、基板の屈
折率ｎ＝1.52である。
【表】
この様に、EC素子本体を構成する４つの薄膜
３〜６を同一屈折率の物質で構成し、電極層６の
上に屈折率1.39の反射防止膜７を形成しているの
で、電源８からの電気信号によつて、着色層４が
着色した時、矢印９からの光について、その薄膜
７によつて、薄膜４，５，６は反射防止される。
このときの反射率特性を第２図中ａで示す。ま
た、基板１と電極３との間に屈折率1.74の反射防
止膜２を形成しているのでこの着色時に基板１側
からの光について、薄膜３，４が反射防止され、
その反射率特性は第２図中ｂで示す如くなる。そ
して電源８からの電気信号により、着色層４が透
明になつたときは、この全薄膜２〜７は第２図ｃ
の反射率特性を有する。 この第２図から、層３，４，５および６の屈折
率を等しく（ｎ＝2.0）し、かつ着色層４の両面
に夫々反射防止膜２及び７を形成することによ
り、透明時にも、着色時にも反射防止されている
ことが分る。 次に、反射率特性を更に改良した第１実施例と
同様の第２実施例を説明する。第３図において、
基板１１と薄膜１２〜１６は夫々第１実施例の基
板１及び薄膜２〜６と同一の物質である。電極層
の薄膜１６の上には、順次、酸化アルミニウム又
は酸化マグネシウム薄膜１７、酸化タングステ
ン、又は酸化モリブデン薄膜１８、そしてフツ化
マグネシウム薄膜１９が夫々形成されている。こ
の各層１２〜１９の光学的膜厚と屈折率を表２に
示す。
３〜６を同一屈折率の物質で構成し、電極層６の
上に屈折率1.39の反射防止膜７を形成しているの
で、電源８からの電気信号によつて、着色層４が
着色した時、矢印９からの光について、その薄膜
７によつて、薄膜４，５，６は反射防止される。
このときの反射率特性を第２図中ａで示す。ま
た、基板１と電極３との間に屈折率1.74の反射防
止膜２を形成しているのでこの着色時に基板１側
からの光について、薄膜３，４が反射防止され、
その反射率特性は第２図中ｂで示す如くなる。そ
して電源８からの電気信号により、着色層４が透
明になつたときは、この全薄膜２〜７は第２図ｃ
の反射率特性を有する。 この第２図から、層３，４，５および６の屈折
率を等しく（ｎ＝2.0）し、かつ着色層４の両面
に夫々反射防止膜２及び７を形成することによ
り、透明時にも、着色時にも反射防止されている
ことが分る。 次に、反射率特性を更に改良した第１実施例と
同様の第２実施例を説明する。第３図において、
基板１１と薄膜１２〜１６は夫々第１実施例の基
板１及び薄膜２〜６と同一の物質である。電極層
の薄膜１６の上には、順次、酸化アルミニウム又
は酸化マグネシウム薄膜１７、酸化タングステ
ン、又は酸化モリブデン薄膜１８、そしてフツ化
マグネシウム薄膜１９が夫々形成されている。こ
の各層１２〜１９の光学的膜厚と屈折率を表２に
示す。
【表】
この薄膜１２は第１実施例の薄膜２と全く同一
の働きをし、また薄膜１７〜１９は第１実施例の
薄膜７に対応する働きをしている。この反射防止
膜１２〜１９は第４図中ａ，ｂおよびｃで示す反
射率特性を有す。ただし、第４図中ａ，ｂおよび
ｃは夫々、着色時における、着色層１４以上の薄
膜１４〜１９の特性、着色層４以下の薄膜１２〜
１４の特性、そして透明時の全薄膜１２〜１９の
特性である。この第２図と第４図から明らかな如
く、第２実施例の反射防止膜の方が波長に対する
反射率の変化が小さくなつている。 尚、上述の第１及び第２実施例では、EC素子
本体を構成する薄膜３〜６並びに１３〜１６を同
一屈折率の物質で構成し、着色層４の両面での
夫々の反射防止膜を２と７並びに１２と１７〜１
９で構成しているが、本発明は必ずしも上述の如
きEC素子本体を同一屈折率物質で構成する必要
はなく、例えば第１図において、EC素子構成層
３〜６をほぼ同一の屈折率の物質で構成してもよ
い。 次に、上述の２例の如く、透明時にはもちろん
のこと、着色時には、着色層のどちらの面への入
射光に対しても反射防止されたEC素子の有効性
を述べる為に、この種の反射防止を施こさなかつ
た光制御素子をカメラの絞りに用いた場合のその
素子での反射の具合を第５図により説明する。カ
メラの対物レンズL1〜L4に入射し、光制御素子
製の絞りの透明部３５ａに入射した光束３６の１
部はその絞り表面で反射し、レンズL2で反射
し、フイルムＦに入射する。また、透明部３５ａ
を透過した光も、レンズL3で反射され更に絞り
の裏面で反射されフイルムに入射する。更に絞り
の不透明部分３５ｂ即ち光制御素子の着色部に入
射した光束３７はそこで反射され、レンズL2を
経てフイルムＦに達する。この様に光制御素子３
５で反射され、フイルムに入射した光はフレアの
原因となる。 以上から明らかな如く、本発明に係るEC素子
はその着色層の透明時に反射防止されているとと
もに、その着色時にも、反射防止されているの
で、このEC素子を種々の分野に適用した場合、
多くの利点が生ずる。例えば、表示素子に用いた
場合、反射光が少ないので、表示内容が見やすく
なり、また、カメラの絞りやシヤツタに用いた場
合にはフレアの発生を防止できる。
の働きをし、また薄膜１７〜１９は第１実施例の
薄膜７に対応する働きをしている。この反射防止
膜１２〜１９は第４図中ａ，ｂおよびｃで示す反
射率特性を有す。ただし、第４図中ａ，ｂおよび
ｃは夫々、着色時における、着色層１４以上の薄
膜１４〜１９の特性、着色層４以下の薄膜１２〜
１４の特性、そして透明時の全薄膜１２〜１９の
特性である。この第２図と第４図から明らかな如
く、第２実施例の反射防止膜の方が波長に対する
反射率の変化が小さくなつている。 尚、上述の第１及び第２実施例では、EC素子
本体を構成する薄膜３〜６並びに１３〜１６を同
一屈折率の物質で構成し、着色層４の両面での
夫々の反射防止膜を２と７並びに１２と１７〜１
９で構成しているが、本発明は必ずしも上述の如
きEC素子本体を同一屈折率物質で構成する必要
はなく、例えば第１図において、EC素子構成層
３〜６をほぼ同一の屈折率の物質で構成してもよ
い。 次に、上述の２例の如く、透明時にはもちろん
のこと、着色時には、着色層のどちらの面への入
射光に対しても反射防止されたEC素子の有効性
を述べる為に、この種の反射防止を施こさなかつ
た光制御素子をカメラの絞りに用いた場合のその
素子での反射の具合を第５図により説明する。カ
メラの対物レンズL1〜L4に入射し、光制御素子
製の絞りの透明部３５ａに入射した光束３６の１
部はその絞り表面で反射し、レンズL2で反射
し、フイルムＦに入射する。また、透明部３５ａ
を透過した光も、レンズL3で反射され更に絞り
の裏面で反射されフイルムに入射する。更に絞り
の不透明部分３５ｂ即ち光制御素子の着色部に入
射した光束３７はそこで反射され、レンズL2を
経てフイルムＦに達する。この様に光制御素子３
５で反射され、フイルムに入射した光はフレアの
原因となる。 以上から明らかな如く、本発明に係るEC素子
はその着色層の透明時に反射防止されているとと
もに、その着色時にも、反射防止されているの
で、このEC素子を種々の分野に適用した場合、
多くの利点が生ずる。例えば、表示素子に用いた
場合、反射光が少ないので、表示内容が見やすく
なり、また、カメラの絞りやシヤツタに用いた場
合にはフレアの発生を防止できる。
第１図は、本発明の第１実施例の反射防止した
EC素子の断面図、第２図は第１実施例のEC素子
の反射率特性を示すグラフ、第３図は第２実施例
の反射防止したEC素子の断面図、第４図は第２
実施例の反射防止したEC素子の反射率特性のグ
ラフ、第５図は反射防止しない光制御素子をカメ
ラの絞りに用いた場合の反射光の様子を示す光路
図である。 〔主要部分の符号の説明〕、１……透明基板、
２……薄膜、３……EC素子の電極層、４……EC
素子のEC物質層、５……混合物薄膜、６……EC
素子の電解層、７……フツ化マグネシウム薄膜。
EC素子の断面図、第２図は第１実施例のEC素子
の反射率特性を示すグラフ、第３図は第２実施例
の反射防止したEC素子の断面図、第４図は第２
実施例の反射防止したEC素子の反射率特性のグ
ラフ、第５図は反射防止しない光制御素子をカメ
ラの絞りに用いた場合の反射光の様子を示す光路
図である。 〔主要部分の符号の説明〕、１……透明基板、
２……薄膜、３……EC素子の電極層、４……EC
素子のEC物質層、５……混合物薄膜、６……EC
素子の電解層、７……フツ化マグネシウム薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明状態と着色状態とを呈する着色層の両側
に所定の層が配置されてなるエレクトロクロミツ
ク素子において、 前記着色層およびその両側の層のすべてが同一
またはほぼ同一の屈折率を有するようにし、かつ
上部最外層および下部最外層の外側に単層または
多層の反射防止膜を形成して、前記着色層が透明
状態にあるときにも着色状態にあるときにも、前
記反射防止膜により前記着色層の上下両面での反
射が防止されていることを特徴とするエレクトロ
クロミツク素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9948077A JPS5433745A (en) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | Reflectionnpreventive light control element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9948077A JPS5433745A (en) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | Reflectionnpreventive light control element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5433745A JPS5433745A (en) | 1979-03-12 |
| JPS6133167B2 true JPS6133167B2 (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=14248464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9948077A Granted JPS5433745A (en) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | Reflectionnpreventive light control element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5433745A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843431A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-14 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
| JPH0685022B2 (ja) * | 1984-07-05 | 1994-10-26 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡用照明光学系 |
| JP2005077825A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Olympus Corp | 電子撮像装置結像光学系 |
| US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| JP5539162B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | エレクトロクロミック素子 |
| JP6021523B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | エレクトロクロミック材料を用いた透過率可変素子、光学系および光学機器 |
-
1977
- 1977-08-22 JP JP9948077A patent/JPS5433745A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5433745A (en) | 1979-03-12 |
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