JPS5843431A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS5843431A JPS5843431A JP56142967A JP14296781A JPS5843431A JP S5843431 A JPS5843431 A JP S5843431A JP 56142967 A JP56142967 A JP 56142967A JP 14296781 A JP14296781 A JP 14296781A JP S5843431 A JPS5843431 A JP S5843431A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜タイプのエレクトロクロミック表示素子
（以下ＥＣＤと略称する）の改良に関し。
（以下ＥＣＤと略称する）の改良に関し。
特にプロトン供給体層を適切な物質及び層ｉ成としてメ
モリーおよび見ばえや発色特性を改善し。
モリーおよび見ばえや発色特性を改善し。
さらに消費電流を低減せしめたＥＣＤに関する。
ＥＣＤは、その基本要素である電気化学的発色物質（以
下ＥＣ層と略称する）が無機物質であるものと有機物質
であるものに大別でき、さらにＥＣ層を無機物質とする
ものはもう１つの基本要素であるプロトンないしカチオ
ン供給体層（以下２８層と略称する）が固体であるもの
と液体であるものとに２分できる。ＥＣ層がバイオロゲ
ン等の有機物質であるもの、またはＰ８層が液体である
ものは、その表示素子の構成が複雑になるためとその製
造プロセスの煩雑さのため表示素子の製作コストがきわ
めて高くなり、ＬＥＤや液晶等の他の表示素子に比較し
劣っていた。ＥＣ層とＰＳ層がともに固体であるものは
蒸着という１つのプロセスで、あるいは印刷というプロ
セスでも製作できるため、ゴス２ト面において大きなメ
リットがある。 ・ ・ 従来こうした全固体型のＥＣＤが実用化できなかったの
ば寿命の短かさと、発色濃度や応答性を含めた発色特性
が悪かったためである。本発明は以下に詳述するように
これらの欠点を大幅に改良したものである。
下ＥＣ層と略称する）が無機物質であるものと有機物質
であるものに大別でき、さらにＥＣ層を無機物質とする
ものはもう１つの基本要素であるプロトンないしカチオ
ン供給体層（以下２８層と略称する）が固体であるもの
と液体であるものとに２分できる。ＥＣ層がバイオロゲ
ン等の有機物質であるもの、またはＰ８層が液体である
ものは、その表示素子の構成が複雑になるためとその製
造プロセスの煩雑さのため表示素子の製作コストがきわ
めて高くなり、ＬＥＤや液晶等の他の表示素子に比較し
劣っていた。ＥＣ層とＰＳ層がともに固体であるものは
蒸着という１つのプロセスで、あるいは印刷というプロ
セスでも製作できるため、ゴス２ト面において大きなメ
リットがある。 ・ ・ 従来こうした全固体型のＥＣＤが実用化できなかったの
ば寿命の短かさと、発色濃度や応答性を含めた発色特性
が悪かったためである。本発明は以下に詳述するように
これらの欠点を大幅に改良したものである。
本発明は、複数め電極と、電気化学的発色層と、・プロ
トン供給体層を有するエレクトロクロミ、ツク １デ
イスプレイにおいて、該プロトン供給体層の該電気化学
的発色物質層に接する側が酸化り゛ロム富化層であり、
該酸化クロム富化層上に二酸化珪素、酸化ニッケルのい
ずｊか、もしくはこれらの混合層をすくなくとも一層積
層した表示素子−関するものである。なお、本発明の記
述においてプロトン供給体層とは、電゛圧印加によりプ
ロトンを放出し、ＥＣ層を還元褪色させる役、目をもつ
〒を゛・う・またＥＣ層とはプロトンによって還元見消
・色する層であり、例えば酸化タングステン（ＷＯ５）
、酸化モリブデン（Ｍ ｏ Ｏｓ ） 、酸化バナジウ
ム（Ｖ ｈ Ｏｓ ） 、酸化チタン東？金属酸化物が
ある。
トン供給体層を有するエレクトロクロミ、ツク １デ
イスプレイにおいて、該プロトン供給体層の該電気化学
的発色物質層に接する側が酸化り゛ロム富化層であり、
該酸化クロム富化層上に二酸化珪素、酸化ニッケルのい
ずｊか、もしくはこれらの混合層をすくなくとも一層積
層した表示素子−関するものである。なお、本発明の記
述においてプロトン供給体層とは、電゛圧印加によりプ
ロトンを放出し、ＥＣ層を還元褪色させる役、目をもつ
〒を゛・う・またＥＣ層とはプロトンによって還元見消
・色する層であり、例えば酸化タングステン（ＷＯ５）
、酸化モリブデン（Ｍ ｏ Ｏｓ ） 、酸化バナジウ
ム（Ｖ ｈ Ｏｓ ） 、酸化チタン東？金属酸化物が
ある。
ただし、本発明においてＥＣ層の物質なこ１らに限定す
るものでない。
るものでない。
従来公知の技術として以下に示すものがあった。
プロトーン供給体層として一酸化珪素（Ｓｉｎ）をＥＣ
Ｕに用いる方法は米国特許５５２１９４１号等によって
既昶である。（ただ、プロトンの還゛元作珀によ−て発
色する事実は当時知られていなかった。）８ｉ０は二酸
化珪素＜５ｉＯ２）と異なり、絶縁性に優れ、また、誘
電□率も１０２〔Ｃ／Ｓ〕の周波数では前者が約８．後
者が約４と電気的性質において差がある。光学的性質に
おいても光吸収は５ｉＯＯ方がはるかに大きく特にＣＤ
Ｋおい？ＳｉＯ２が軽視され、その利用がほとんど試み
られなかったのは、主に前記の電気的性質の差異のため
午も思わｊる。Ｓ ｉ ０２を混合・物（ふ、石水）の
形でＥＣ・Ｄに応用した技術（特開昭５０− ｊ Ｏ，
，６，６５４号公報）があるが、本発明のように酸化ク
ロム（Ｃ４’ｚ Ｏｓ ）との積−タイプでなく構成、
φ異なること、さらに本発明で掲、、ｆｆ、ＨＣ−ｒ
、＞。３ケ′’ＰＳ７［ｃエヵ。ヶい、。１１、は開示
されていない。
Ｕに用いる方法は米国特許５５２１９４１号等によって
既昶である。（ただ、プロトンの還゛元作珀によ−て発
色する事実は当時知られていなかった。）８ｉ０は二酸
化珪素＜５ｉＯ２）と異なり、絶縁性に優れ、また、誘
電□率も１０２〔Ｃ／Ｓ〕の周波数では前者が約８．後
者が約４と電気的性質において差がある。光学的性質に
おいても光吸収は５ｉＯＯ方がはるかに大きく特にＣＤ
Ｋおい？ＳｉＯ２が軽視され、その利用がほとんど試み
られなかったのは、主に前記の電気的性質の差異のため
午も思わｊる。Ｓ ｉ ０２を混合・物（ふ、石水）の
形でＥＣ・Ｄに応用した技術（特開昭５０− ｊ Ｏ，
，６，６５４号公報）があるが、本発明のように酸化ク
ロム（Ｃ４’ｚ Ｏｓ ）との積−タイプでなく構成、
φ異なること、さらに本発明で掲、、ｆｆ、ＨＣ−ｒ
、＞。３ケ′’ＰＳ７［ｃエヵ。ヶい、。１１、は開示
されていない。
また、本発明に類似の物質を用いた技術に特開昭５５・
−３６８６０号公報があるがこの技術では酸化クロムと
珪素の酸化物を混合した層を用いており、本発明の如く
酸化クロムと二酸化珪素との２層ないし多層といった構
成でなく根本的に本発明とは異なる。また該公報の明細
書５頁に「珪素の酸化物とは酸化珪素（Ｓｉｎ）である
。」と明記されており、本発明で用いる二酸化珪素（Ｓ
、１０２）とは異なる。５５−５．６８６０号公報の
明細書では、その発−明に、よる表示装置の寿命が明記
さ４ていなく、その効果が不明であるが、本発明者、ら
の実験によ、ると・ＥＣ／ｍｌに接する側を（： ｒ
２０ ｓに、外側をＳｉ Ｏ２としないと寿命が極端に
短かくなり、この意味で本発明の価値大なることを証す
るものである。
−３６８６０号公報があるがこの技術では酸化クロムと
珪素の酸化物を混合した層を用いており、本発明の如く
酸化クロムと二酸化珪素との２層ないし多層といった構
成でなく根本的に本発明とは異なる。また該公報の明細
書５頁に「珪素の酸化物とは酸化珪素（Ｓｉｎ）である
。」と明記されており、本発明で用いる二酸化珪素（Ｓ
、１０２）とは異なる。５５−５．６８６０号公報の
明細書では、その発−明に、よる表示装置の寿命が明記
さ４ていなく、その効果が不明であるが、本発明者、ら
の実験によ、ると・ＥＣ／ｍｌに接する側を（： ｒ
２０ ｓに、外側をＳｉ Ｏ２としないと寿命が極端に
短かくなり、この意味で本発明の価値大なることを証す
るものである。
また、特開昭５５−１０．９７４８号公報には、８ｉ０
、Ｓ ｉＯｚ等の些載があるが、このＳｉ’０．ｚ等は
表示部以外の部分をカバーし、本来の絶縁層として採用
しているため、本発明の２８層としての５ｉＱ２とは本
質的にも構成の上でも異なる。
、Ｓ ｉＯｚ等の些載があるが、このＳｉ’０．ｚ等は
表示部以外の部分をカバーし、本来の絶縁層として採用
しているため、本発明の２８層としての５ｉＱ２とは本
質的にも構成の上でも異なる。
さらに、本発明で示しであるように、Ｓｉ Ｕ ２を中
心構成物質とする２８層はその充填率を９．８２以下も
しくは５＊１０ ” ｔｏｒｒ以下の低真空状態で成
膜しないと十分な発色特性が得られない。
心構成物質とする２８層はその充填率を９．８２以下も
しくは５＊１０ ” ｔｏｒｒ以下の低真空状態で成
膜しないと十分な発色特性が得られない。
また電圧印加による発消色の繰返しサイクルを１０２〜
１０３回行いウオーミングアツプを行わないと高い発色
濃度が得られない。この現象□は、プロトン供給体とし
て既仰の単層の（： ｒ ２０ ｓ、また’ｒａ２０ｓ
（酸化タンタル）、ＺｒＱ２（酸化ジルコニウム）、Ｔ
ｉ０ｚ（酸化チタン）では観察さｉｌず、８ＩＯｉ特有
のものである。このウオーミングアツプの後は比較的萎
定し、初期の発色濃度０５が１０６回後でも０．４と大
きな劣化がなく実用価値が・高い。ただ゛し、本″発明
で示したようにＥＣ層に接する側をＣｒ ２０５とし、
外側をＳ ’ｉ （） ２とすることによってここに示
したような長命化が可能で、５１０２単層では発消色の
□繰返しを経るに従いガスが発生し、素子の層構成□を
破壊してしまう゛。 −・ □また。
１０３回行いウオーミングアツプを行わないと高い発色
濃度が得られない。この現象□は、プロトン供給体とし
て既仰の単層の（： ｒ ２０ ｓ、また’ｒａ２０ｓ
（酸化タンタル）、ＺｒＱ２（酸化ジルコニウム）、Ｔ
ｉ０ｚ（酸化チタン）では観察さｉｌず、８ＩＯｉ特有
のものである。このウオーミングアツプの後は比較的萎
定し、初期の発色濃度０５が１０６回後でも０．４と大
きな劣化がなく実用価値が・高い。ただ゛し、本″発明
で示したようにＥＣ層に接する側をＣｒ ２０５とし、
外側をＳ ’ｉ （） ２とすることによってここに示
したような長命化が可能で、５１０２単層では発消色の
□繰返しを経るに従いガスが発生し、素子の層構成□を
破壊してしまう゛。 −・ □また。
ｐｓ層の構成をＣｒ２Ｏ３／５ｉＵｚ／（：ｒ＊（）ｓ
と、あるいは８ ｔ ０２ ／ Ｃｒ’ ＞ ０３と寸
れば電圧を印加し発色させた後、回路をオーブンのまま
保持させておくと発色が３〜６０日も維持し、全固体薄
膜型ＥＣＤでは画期的なメモリー性また本発明ではＳ
ｉ ０２の他に酸化ニッケル（Ｎｉｐ）を提示している
。ＮｉＯもＳ ｉ０２と同様、低真空で蒸着し、充填率
を下げて′成膜することにより表示素子？発色特性をあ
げえる。
と、あるいは８ ｔ ０２ ／ Ｃｒ’ ＞ ０３と寸
れば電圧を印加し発色させた後、回路をオーブンのまま
保持させておくと発色が３〜６０日も維持し、全固体薄
膜型ＥＣＤでは画期的なメモリー性また本発明ではＳ
ｉ ０２の他に酸化ニッケル（Ｎｉｐ）を提示している
。ＮｉＯもＳ ｉ０２と同様、低真空で蒸着し、充填率
を下げて′成膜することにより表示素子？発色特性をあ
げえる。
なお、ＰＳ層がＣｒ ２．、Ｏｓ単層の表示素子は寿命
が短かく１０４〜１０５回程度の発消色の繰返しサイク
ルで発色濃度が半減し、かつ１〜２Ｖという直流電圧の
印加によって５−５０ ｍＡ／ｃｔ／ｌというきわめて
大きなリーク電流が生じ実用価値が低い。また、リーク
電堆が生、じることはＣｒ ２’Ｏｓが有効な電子阻止
層となり得１ないことを示している。
が短かく１０４〜１０５回程度の発消色の繰返しサイク
ルで発色濃度が半減し、かつ１〜２Ｖという直流電圧の
印加によって５−５０ ｍＡ／ｃｔ／ｌというきわめて
大きなリーク電流が生じ実用価値が低い。また、リーク
電堆が生、じることはＣｒ ２’Ｏｓが有効な電子阻止
層となり得１ないことを示している。
この点に対し、Ｔ−ａｓＱｓや、、、ｚｒ０２単層をＰ
Ｓ層とした表示素子の１Ｊｊ−り電赫は１． ｍ Ａ
／ａｌ１前後とやや少なく、多少とも、電子阻、、５岡
層としての性質を有するといえる。しか゛ｒシＩ Ｃｒ
２０５単層のものでは１．３ｖの印加電圧で一′ｂ；
４程度の発色濃度を得ることができるのに対し、”ｌ’
ａ２０ｓ単層のものやＺ１０２単層のものは、同程度の
発色濃度を得るには２ＶＪ−、Ｉ上の印加電圧が必要で
ある。即ち、Ｃｒ２Ｏ５層内のプロトン移動の活性化エ
ネルギーはＴａ２ｅｓやＺ「０２より低くプロトンのモ
ビリイティが高いことを示している。本発明はプロトン
のモビリティ（移動活性エネルギー）の高いＣｒ２Ｏ５
の特性を活かすととも、に、その外側に８．ｉ０２ない
しＮｉＯを充填率を低くして積層することによりリーク
電４流を軽減し発色効率を高め応答性を改善したもの１
．である。特開昭５５−’８８０２８号公報ではＮｉＯ
を用いた固体エレクトロクロミック素子を開示し、該発
明の素子の構成は固体エレクトロクロミック物質層（電
気化学的発色物質層と同義）と誘電１体層（本発明にお
いてはプロトン供給体層と、ＩＩ、’Ｃ’ｔ、゛、る層
４）との間外電子阻止層を配設したものとなっ□ている
が、本発明において前述したように、（” 、Ｌ、、
、０．５は電子阻止層でなくプロトンのモビリティの高
いプロトン供給体層として中間層に利用するものである
。特開昭、５５−８８０２８号公報では、−その詳細な
説明の中でＣｒ２Ｏ５を誘電体層として外側に用い、（
’ ｒ ＞ ０３の特性を十分に利用していない。また
Ｃｒ２Ｏ５は外側の層として用いると、雰囲気の影響を
受は経時変化しそのＥＣ素子の特性を劣化させる。また
本発明では、プロトン供給体層の充填率をその構成物質
のバルク密度に対し、０．８２以下と粗化して成膜する
ことを提示しているが、それはプロトン供給体層が０．
８２以下の充填率でないと十分なプロトン、のモビリテ
ィが得られないためである。充填率を下げて成膜させる
具体的手法としては、プロトン供給体層の形成を５Ｘ１
０ ’ ｔｏｒｒＪＪ下の低真空で蒸着を実施、する
ことが簡便である。また蒸着以外の方法としてスパッタ
リング、イオンブレーティング、ＣＶＤ、陽極酸化のよ
うな各成膜技術や表面処理の技術の応用が可能である。
Ｓ層とした表示素子の１Ｊｊ−り電赫は１． ｍ Ａ
／ａｌ１前後とやや少なく、多少とも、電子阻、、５岡
層としての性質を有するといえる。しか゛ｒシＩ Ｃｒ
２０５単層のものでは１．３ｖの印加電圧で一′ｂ；
４程度の発色濃度を得ることができるのに対し、”ｌ’
ａ２０ｓ単層のものやＺ１０２単層のものは、同程度の
発色濃度を得るには２ＶＪ−、Ｉ上の印加電圧が必要で
ある。即ち、Ｃｒ２Ｏ５層内のプロトン移動の活性化エ
ネルギーはＴａ２ｅｓやＺ「０２より低くプロトンのモ
ビリイティが高いことを示している。本発明はプロトン
のモビリティ（移動活性エネルギー）の高いＣｒ２Ｏ５
の特性を活かすととも、に、その外側に８．ｉ０２ない
しＮｉＯを充填率を低くして積層することによりリーク
電４流を軽減し発色効率を高め応答性を改善したもの１
．である。特開昭５５−’８８０２８号公報ではＮｉＯ
を用いた固体エレクトロクロミック素子を開示し、該発
明の素子の構成は固体エレクトロクロミック物質層（電
気化学的発色物質層と同義）と誘電１体層（本発明にお
いてはプロトン供給体層と、ＩＩ、’Ｃ’ｔ、゛、る層
４）との間外電子阻止層を配設したものとなっ□ている
が、本発明において前述したように、（” 、Ｌ、、
、０．５は電子阻止層でなくプロトンのモビリティの高
いプロトン供給体層として中間層に利用するものである
。特開昭、５５−８８０２８号公報では、−その詳細な
説明の中でＣｒ２Ｏ５を誘電体層として外側に用い、（
’ ｒ ＞ ０３の特性を十分に利用していない。また
Ｃｒ２Ｏ５は外側の層として用いると、雰囲気の影響を
受は経時変化しそのＥＣ素子の特性を劣化させる。また
本発明では、プロトン供給体層の充填率をその構成物質
のバルク密度に対し、０．８２以下と粗化して成膜する
ことを提示しているが、それはプロトン供給体層が０．
８２以下の充填率でないと十分なプロトン、のモビリテ
ィが得られないためである。充填率を下げて成膜させる
具体的手法としては、プロトン供給体層の形成を５Ｘ１
０ ’ ｔｏｒｒＪＪ下の低真空で蒸着を実施、する
ことが簡便である。また蒸着以外の方法としてスパッタ
リング、イオンブレーティング、ＣＶＤ、陽極酸化のよ
うな各成膜技術や表面処理の技術の応用が可能である。
本発明は以上のようにＣｒ、２０３を中間的な層とし、
低真空あるいは水富化雰囲気中の低真空でＳｉ Ｏ２ま
たはＮｉＯを充填率の０．８２以下として成膜積層し、
適材適所とすることによって発色特性の高いＥＣ素子を
提供するものである。
低真空あるいは水富化雰囲気中の低真空でＳｉ Ｏ２ま
たはＮｉＯを充填率の０．８２以下として成膜積層し、
適材適所とすることによって発色特性の高いＥＣ素子を
提供するものである。
次に本発明を実施例により詳細に説明する。
〈実施例１〉
第１図に示した実施例は、ガラス基板（１）上に酸化ス
ズ５％含有の酸化インジウムの透明電極（２）を形成し
、この上に７Ｘ１０−５ｔｏｒｒの真空状態でＷＯｓを
４０００λの厚みに設けＥＣ層（３）とした。
ズ５％含有の酸化インジウムの透明電極（２）を形成し
、この上に７Ｘ１０−５ｔｏｒｒの真空状態でＷＯｓを
４０００λの厚みに設けＥＣ層（３）とした。
さらにこのＥＣ層（３）上Ｋ ３Ｘ１０−’ ｔｏｒｒ
Ｉ）真空度にてＣｒ２Ｏ，ｓ層（４）を２００ＯＡの
厚みで蒸着し、次［５ｉＯｚ層（５）を３Ｘ１０−’
ｔｏｒｒの真空度１ｃテ共蒸着させ１ｏｏｏＸの厚みで
形成した。この上にＡＵを１５ＯＡの厚みで積層し対向
電極（６）とした。この表示素子に１．３ｖの電圧を対
向電極（６）を正極として印加したところ３秒後で濃度
０．４の発色一度を得た。発消色を１０２回繰返すと
１秒後で濃度０．６の発色濃度が得られ１０６回後もほ
とんど劣化しなかった。リーク電流はｏ、４ｍＡ／ｍと
きわめて低いものであった。
Ｉ）真空度にてＣｒ２Ｏ，ｓ層（４）を２００ＯＡの
厚みで蒸着し、次［５ｉＯｚ層（５）を３Ｘ１０−’
ｔｏｒｒの真空度１ｃテ共蒸着させ１ｏｏｏＸの厚みで
形成した。この上にＡＵを１５ＯＡの厚みで積層し対向
電極（６）とした。この表示素子に１．３ｖの電圧を対
向電極（６）を正極として印加したところ３秒後で濃度
０．４の発色一度を得た。発消色を１０２回繰返すと
１秒後で濃度０．６の発色濃度が得られ１０６回後もほ
とんど劣化しなかった。リーク電流はｏ、４ｍＡ／ｍと
きわめて低いものであった。
〈実施例２）
第２図に示す実施例は透明電極（２）が膜付けされたガ
ラス基板（１１上に、実施例１と同様ＫＥＣ層（３）及
びＣｒ２Ｏ５層（４）を設け、次に水分を飽和させた酸
素ガスを真空度２Ｘ１０−６ｔｏｒｒの蒸着機内に導入
し３ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒと調圧してＮｉ０層（７
）を５ｏ＝ｏＸの膜厚゛で積層した。このあと、基板温
度を上昇させないよつ低温スパッタリング装置にて対向
電極（６）を酸化スズ５チ含有め酸化インジウムにて形
成した。さらに可視光の透過率をあげるためフッ化マグ
ネシウムを反射防止膜（８）として積層した。この表示
素子に対し、対向電極（６）を正極と′して１．６ｖの
電圧を印加したところ、０．１秒にて発色濃度０６が得
られ、１０６回後も濃度の減少はほと記ど観察さ４なか
−た。
ラス基板（１１上に、実施例１と同様ＫＥＣ層（３）及
びＣｒ２Ｏ５層（４）を設け、次に水分を飽和させた酸
素ガスを真空度２Ｘ１０−６ｔｏｒｒの蒸着機内に導入
し３ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒと調圧してＮｉ０層（７
）を５ｏ＝ｏＸの膜厚゛で積層した。このあと、基板温
度を上昇させないよつ低温スパッタリング装置にて対向
電極（６）を酸化スズ５チ含有め酸化インジウムにて形
成した。さらに可視光の透過率をあげるためフッ化マグ
ネシウムを反射防止膜（８）として積層した。この表示
素子に対し、対向電極（６）を正極と′して１．６ｖの
電圧を印加したところ、０．１秒にて発色濃度０６が得
られ、１０６回後も濃度の減少はほと記ど観察さ４なか
−た。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本発明の全固体型のエレクトロクロミ
ック表示素子の実施−を示す部分断面図である。
°□ （１）・・・ガラス基板 （２）・・・透明省″′ｉ・
・極 （３）・・・ＥＣ層（４） −Ｃｒ ２０ ｓ層
（５）−Ｓ ｉ Ｏｈ Ｎ （６１・対向電極（力
・・・Ｎ ｉ ０層 （８）・・・反射防止膜０１ ＋ Ｌ コ ’？’７＆７ 手続補正書（、。 昭和５６年１０月−７日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第 １４２９６７ 号２ 発明
の名称 エレク３０ミック表示素子 ３、補正をする者 ４、補正の対象 明＠害の発明の詳細な説明の欄
ック表示素子の実施−を示す部分断面図である。
°□ （１）・・・ガラス基板 （２）・・・透明省″′ｉ・
・極 （３）・・・ＥＣ層（４） −Ｃｒ ２０ ｓ層
（５）−Ｓ ｉ Ｏｈ Ｎ （６１・対向電極（力
・・・Ｎ ｉ ０層 （８）・・・反射防止膜０１ ＋ Ｌ コ ’？’７＆７ 手続補正書（、。 昭和５６年１０月−７日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第 １４２９６７ 号２ 発明
の名称 エレク３０ミック表示素子 ３、補正をする者 ４、補正の対象 明＠害の発明の詳細な説明の欄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｉ）電気化学的発色層と、プロトン供給体層を有する
エルクトロクロミック表示素子においてプロトン供給体
層の電気化学的発色物質層に接する、面を酸化クロム層
とし、該酸化クロム層上に二酸化穂素、酸化ニッケルの
いずれか、またはこれらの混合物をすくなくとも一層積
層したことを特徴とするエルクトロクロミック表示素子
。 （２］プロトン供給体層の充填率を該し°ロトン供給。 体層の構成物質のバルク密度に対して０８２以下として
□成膜したことを特徴とする特許請求の、範囲第１項記
載のエレクトロクロミック表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142967A JPS5843431A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142967A JPS5843431A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843431A true JPS5843431A (ja) | 1983-03-14 |
| JPH0241726B2 JPH0241726B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=15327817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142967A Granted JPS5843431A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998014824A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Aktiengesellschaft | Elektrochromer spiegel und verfahren zum herstellen eines elektrochromen spiegels |
| WO2006101224A1 (ja) * | 2005-03-19 | 2006-09-28 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 可逆着脱色固体素子、可逆導電性変化固体素子、可逆屈折率変化固体素子、非発光型表示素子、通電路素子および光導波路素子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5433745A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-12 | Nippon Chemical Ind | Reflectionnpreventive light control element |
| JPS5433754A (ja) * | 1977-05-13 | 1979-03-12 | Steigerwald Strahltech | |
| JPS5536860A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrolytic coloring display device |
| JPS5588028A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Solid electrochromic element |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP56142967A patent/JPS5843431A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5433754A (ja) * | 1977-05-13 | 1979-03-12 | Steigerwald Strahltech | |
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| JPS5536860A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrolytic coloring display device |
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| WO2006101224A1 (ja) * | 2005-03-19 | 2006-09-28 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 可逆着脱色固体素子、可逆導電性変化固体素子、可逆屈折率変化固体素子、非発光型表示素子、通電路素子および光導波路素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241726B2 (ja) | 1990-09-19 |
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