JPS60263344A - 光メモリ装置 - Google Patents
光メモリ装置Info
- Publication number
- JPS60263344A JPS60263344A JP11970084A JP11970084A JPS60263344A JP S60263344 A JPS60263344 A JP S60263344A JP 11970084 A JP11970084 A JP 11970084A JP 11970084 A JP11970084 A JP 11970084A JP S60263344 A JPS60263344 A JP S60263344A
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- JP
- Japan
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- light receiving
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明社光メモリ装置に係り、特に４分割された受光素
子にトラッキング案内溝もしくは書込データからの回折
光を受けトラッキング制御を行なうサーボ特性の改良に
関する。
子にトラッキング案内溝もしくは書込データからの回折
光を受けトラッキング制御を行なうサーボ特性の改良に
関する。
〈従来技術〉
第１図はディスクにトラッキング案内溝を有する従来の
光メモリ装置の構成を示す。図において、１は光源、２
はコリメータレンズ、３はハーフミラ−１４は集光レン
ズ、５は光ディスク、６はハーフミラ−１７はレンズ、
８は受光素子、９はレンズ、１０はシリンドリカルレン
ズ、１１は４分割されたフォーカス制御用の受光素子で
ある。
光メモリ装置の構成を示す。図において、１は光源、２
はコリメータレンズ、３はハーフミラ−１４は集光レン
ズ、５は光ディスク、６はハーフミラ−１７はレンズ、
８は受光素子、９はレンズ、１０はシリンドリカルレン
ズ、１１は４分割されたフォーカス制御用の受光素子で
ある。
このよう表ものにおいては、光源１からのレーザ光はコ
リメータレンズ２を介して平行光線とされ、ハーフミラ
−３を透過し、集光レンズ４で集光され、光ディスク５
のトラッキング案内溝５ａに投射される。トラッキング
案内溝５ａにはデータも書き込まれている。光ディスク
５からの反射光は集光レンズ４を通った後、ハーフミラ
−３で反射され、更にハーフミラ−６で部分された光と
なる。
リメータレンズ２を介して平行光線とされ、ハーフミラ
−３を透過し、集光レンズ４で集光され、光ディスク５
のトラッキング案内溝５ａに投射される。トラッキング
案内溝５ａにはデータも書き込まれている。光ディスク
５からの反射光は集光レンズ４を通った後、ハーフミラ
−３で反射され、更にハーフミラ−６で部分された光と
なる。
部分された光の一方の光はレンズ７を通り受光素子８に
投射される。受光素子８でトラッキング信号とデータ信
号とを検出する。他方の光はレンズ９、シリンドリカル
レンズ１０を介して受光素子１１に投射される。シリン
ドリカルレンズ１０は入射レンズ面上の互いに直交する
軸上での屈折率が相違するので、レンズ９を通った光の
４分割された受光素子１１の各素子での受光量が集光レ
ンズ４の軸方向の位置によシ異彦ることを利用して焦点
が検出される。
投射される。受光素子８でトラッキング信号とデータ信
号とを検出する。他方の光はレンズ９、シリンドリカル
レンズ１０を介して受光素子１１に投射される。シリン
ドリカルレンズ１０は入射レンズ面上の互いに直交する
軸上での屈折率が相違するので、レンズ９を通った光の
４分割された受光素子１１の各素子での受光量が集光レ
ンズ４の軸方向の位置によシ異彦ることを利用して焦点
が検出される。
第２図は第１図における受光素子８での回折光を受光し
た場合の様子を示す説明図である。第２図においては説
明の便宜上ノ・−７ミラー５，６およびレンズ７を省略
して記載しである。光デスク５のトラッキング案内湾５
ａｌＣ光源１から集光レン？ “を介し１入射した光が
ト′・“′グ案内溝゛。
た場合の様子を示す説明図である。第２図においては説
明の便宜上ノ・−７ミラー５，６およびレンズ７を省略
して記載しである。光デスク５のトラッキング案内湾５
ａｌＣ光源１から集光レン？ “を介し１入射した光が
ト′・“′グ案内溝゛。
で反射して戻る場合に、そのまま戻る０次回折光Ｌｏの
ほかにトラ、キング案内溝５ａによる１次回新党Ｌ１と
マイナス１次回折光−Ｌｌとが集光レンズ４に入射され
る。１次回新党Ｌ１ａ）ラッキング案内溝５ａでの反射
により入射光とは位相が反転し、焦点レンズ４の上では
暗部となる。従って、トラッキング方向Ｆに対して部分
された受光素子８の各素子８ａ、８ｂでは焦光レンズ４
の上の暗部に対応した光量を受光する。受光素子８ａ、
８ｂはフォトダイオード々どが用いられる。受光素子８
ｍ、 ８ｂでの光電流は演算回路１２で差がとられトラ
ッキング誤差信号６Ｔとして出力される。このトラッキ
ング誤差信号ｅ、に基づき、トラッキングアクチュエー
タ（図示せず）が駆動されトラッキング案内溝５ａに対
して直角方向に移動されてトラック位置補正がなされる
。トラッキング案内溝５１に記録されたデータは受光素
子８ａ、８ｂの光電流の和として演算されデータ信号・
。とされる。
ほかにトラ、キング案内溝５ａによる１次回新党Ｌ１と
マイナス１次回折光−Ｌｌとが集光レンズ４に入射され
る。１次回新党Ｌ１ａ）ラッキング案内溝５ａでの反射
により入射光とは位相が反転し、焦点レンズ４の上では
暗部となる。従って、トラッキング方向Ｆに対して部分
された受光素子８の各素子８ａ、８ｂでは焦光レンズ４
の上の暗部に対応した光量を受光する。受光素子８ａ、
８ｂはフォトダイオード々どが用いられる。受光素子８
ｍ、 ８ｂでの光電流は演算回路１２で差がとられトラ
ッキング誤差信号６Ｔとして出力される。このトラッキ
ング誤差信号ｅ、に基づき、トラッキングアクチュエー
タ（図示せず）が駆動されトラッキング案内溝５ａに対
して直角方向に移動されてトラック位置補正がなされる
。トラッキング案内溝５１に記録されたデータは受光素
子８ａ、８ｂの光電流の和として演算されデータ信号・
。とされる。
第３図は受光素子８での暗部の移動状態を示した説明図
である。光スポットがトラッキング案内（３） し、受光素子８ａ、 ８ｂの光電流に差が生じてトラッ
キング誤差信号・アの変化として検出される。
である。光スポットがトラッキング案内（３） し、受光素子８ａ、 ８ｂの光電流に差が生じてトラッ
キング誤差信号・アの変化として検出される。
しかし、この従来の光メモリ装置における第３図に示し
た状態は光デイスク５０面の傾きや集光レンズ４だけを
トラック横断方向に移動させた場合にも生じる。更に光
デイスク板の平面度とターンテーブルの面ぶれ精度が悪
かったりしても生じる。このことは焦光レンズに入る光
スポツト径を小さくして光効率を向上させるようとする
場合には、更に顕著に現われてトラッキングサーボ動作
ができなくなるという欠点がある。
た状態は光デイスク５０面の傾きや集光レンズ４だけを
トラック横断方向に移動させた場合にも生じる。更に光
デイスク板の平面度とターンテーブルの面ぶれ精度が悪
かったりしても生じる。このことは焦光レンズに入る光
スポツト径を小さくして光効率を向上させるようとする
場合には、更に顕著に現われてトラッキングサーボ動作
ができなくなるという欠点がある。
〈発明の目的〉
本発明は、前記の従来技術に鑑み、光ディスクの藺の傾
きを大きく許容できかつ小形・軽量・高速応答のできる
光メモリ装置を提供することを目的とする。
きを大きく許容できかつ小形・軽量・高速応答のできる
光メモリ装置を提供することを目的とする。
〈発明の構成〉
この目的を達成する本発明の構成は、光デイスク装置に
係シ、トラッキング案内溝もしくは書込データからの＋
１次回折光を主として受ける第１（４） 受光素子と、このトラッキング案内溝もしくは書込デー
タからの一１次回折光を主として受ける第２受光素子と
、トラッキング方向に対して中央を２分された一方側に
配置されトラッキング案内溝もしくは書込データからの
Ω次光を主として受ける第３受光素子と、トラッキング
方向に対して中央を２分された他方側に配置されトラッ
キング案内溝もしくは書込データからの０次光を主とし
て受ける第４受光素子とを具備し、第１受光素子と第２
受光素子の出力の差出力と第３受光素子と第４受光素子
の差出力とを演算することにより得られるトラッキング
誤差信号にもとづいてトラッキング制御を行なうことを
特徴とするものである。
係シ、トラッキング案内溝もしくは書込データからの＋
１次回折光を主として受ける第１（４） 受光素子と、このトラッキング案内溝もしくは書込デー
タからの一１次回折光を主として受ける第２受光素子と
、トラッキング方向に対して中央を２分された一方側に
配置されトラッキング案内溝もしくは書込データからの
Ω次光を主として受ける第３受光素子と、トラッキング
方向に対して中央を２分された他方側に配置されトラッ
キング案内溝もしくは書込データからの０次光を主とし
て受ける第４受光素子とを具備し、第１受光素子と第２
受光素子の出力の差出力と第３受光素子と第４受光素子
の差出力とを演算することにより得られるトラッキング
誤差信号にもとづいてトラッキング制御を行なうことを
特徴とするものである。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面に基づき説明する。
なお、第１図〜第５図におけるものと同一機能を有する
部分には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
部分には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第４図は本発明の要部の実施例を示す構成図である。第
５図は第４図における受光素子の構成を示す構成図であ
る。
５図は第４図における受光素子の構成を示す構成図であ
る。
第１図は受光素子８に対応する本実施例の受光素子１５
は第５図に示す様に円形を４分割されて構成されている
。トラッキング方向Ｆに対して主として１次回新党Ｌ１
を受光する受光素子ＰＤ１が半円形状に左側に配置され
、マイナス１次回折光−Ｌｌを受光する受光素子ＰＤ２
が半円形状に右側に配置されている。更に０次回折光り
。を主として受けトラッキング方向Ｆに対して左側で受
光素子ＰＤ１の残部に受光素子ＰＤ、が配置され、同じ
く０次回折光り。を主として受けるが、トラッキング方
向ＦＩＣ対して右側で受光素子ＰＤ２の残部に受光素子
ＰＤ４が配置されている。これ等の受光素子ＰＤ１〜Ｐ
Ｄ４は１体に構成されている。
は第５図に示す様に円形を４分割されて構成されている
。トラッキング方向Ｆに対して主として１次回新党Ｌ１
を受光する受光素子ＰＤ１が半円形状に左側に配置され
、マイナス１次回折光−Ｌｌを受光する受光素子ＰＤ２
が半円形状に右側に配置されている。更に０次回折光り
。を主として受けトラッキング方向Ｆに対して左側で受
光素子ＰＤ１の残部に受光素子ＰＤ、が配置され、同じ
く０次回折光り。を主として受けるが、トラッキング方
向ＦＩＣ対して右側で受光素子ＰＤ２の残部に受光素子
ＰＤ４が配置されている。これ等の受光素子ＰＤ１〜Ｐ
Ｄ４は１体に構成されている。
第４図に示す様に各受光素子ＰＤ −ＰＤ４には逆バイ
アス電圧Ｅが印加され、受光素子ＰＤ、とＰＤ２の光電
流は演算回路１４でそれ等の差が演算され、受光素子Ｐ
Ｄ とＰＤ４の光電流は演算回路１５でそれ１ 等の差
が演算される。演算回路１４．１５の各出力は演算回路
１６で差演算がなされサーボ回路１７に供給される。サ
ーボ回路１７の出力でトラッキングアクチュエータ１８
が駆動され、トラックの位置が補正される。
アス電圧Ｅが印加され、受光素子ＰＤ、とＰＤ２の光電
流は演算回路１４でそれ等の差が演算され、受光素子Ｐ
Ｄ とＰＤ４の光電流は演算回路１５でそれ１ 等の差
が演算される。演算回路１４．１５の各出力は演算回路
１６で差演算がなされサーボ回路１７に供給される。サ
ーボ回路１７の出力でトラッキングアクチュエータ１８
が駆動され、トラックの位置が補正される。
以上の構成に基づく動作を第６図および第７図によシ説
明する。
明する。
第６図は光ディスクの傾きや集光レンズの軸ずれのない
場合のトラッキング位置ずれの様子を示す説明図でおる
。第６図（、）は受光素子１ｓ中での光スポットの位置
ずれの様子を示し、第６図（ｂ）はトラッキング位置ず
れΔＴ（横軸）に対する充電流差Δ１ （縦軸）の特性
を示している。第６図（、）に示す様に点線で示された
受光素子ＰＤ１． ＰＤ２の位置に対して、光スポット
とトラッキング案内溝との位置ずれにより斜線の如く暗
部が変化すると、１次回折光り１．−Ｌ１部分は主とし
て受光素子ＰＤ１、ＰＤ２で受光するので第６図（ｂ）
の如く各受光素子ＰＤ１ＸＰＤ２の光電流ＩＰＤ１ｄＰ
Ｄ２の差（’ＰＤ、−’ＰＤ２）が変化する。この場合
に光ディスク５の傾きや集光レンズ４の軸ずれが表けれ
ば０次回折光の中心Ｐは受光素子１５の中心にあり、主
として０次回折（７） 光のみを受ける受光素子ＰＤ３、ＰＤ４の光電流は等し
くいＦＤ５− ’ＰＤ４＞ζ０である。
場合のトラッキング位置ずれの様子を示す説明図でおる
。第６図（、）は受光素子１ｓ中での光スポットの位置
ずれの様子を示し、第６図（ｂ）はトラッキング位置ず
れΔＴ（横軸）に対する充電流差Δ１ （縦軸）の特性
を示している。第６図（、）に示す様に点線で示された
受光素子ＰＤ１． ＰＤ２の位置に対して、光スポット
とトラッキング案内溝との位置ずれにより斜線の如く暗
部が変化すると、１次回折光り１．−Ｌ１部分は主とし
て受光素子ＰＤ１、ＰＤ２で受光するので第６図（ｂ）
の如く各受光素子ＰＤ１ＸＰＤ２の光電流ＩＰＤ１ｄＰ
Ｄ２の差（’ＰＤ、−’ＰＤ２）が変化する。この場合
に光ディスク５の傾きや集光レンズ４の軸ずれが表けれ
ば０次回折光の中心Ｐは受光素子１５の中心にあり、主
として０次回折（７） 光のみを受ける受光素子ＰＤ３、ＰＤ４の光電流は等し
くいＦＤ５− ’ＰＤ４＞ζ０である。
第７図は光ディスクの傾きや集光レンズの軸ずれのある
場合のトラッキングの位置ずれの様子を示す説明図であ
る。第７図（、）は受光素子１３中での光スポットの位
置ずれの様子を示し、第７図（ｂ）はトラ、キングの位
置ずれΔＴ（横軸）に対する充電流差Δ１ （縦軸）の
特性を示している。第６図の場合に対して、光ディスク
５の傾きや集光レンズ４の軸ずれがあるので、−次回新
党Ｌ１、−Ｌｌの中央点であるＰがその受光素子の中心
よりずれると同時に０次回折光の中心点Ｐも受光素子の
中心よりずれた点Ｐの位置に来る。このため光スポット
がトラッキング案内溝上でも各受光素子ＰＤ、〜ＰＤ４
の光電流差口ＰＤ、−’ＰＤ２）、（ＩＰＤ、 −１ｐ
Ｄ４）も変化する。しかし、これ等の値はほぼ比例して
いるためトラ、キング誤差信号−１′は・Ｔ′２０ＰＤ
、 −’ＰＤ２）−ｋ（’ＰＤ、 −’ＰＤ４）の式を
演算し、ｋの備を光学系に合せて決定する（ ８ ） ことによＪ） 、６Ｔ’ −〇となるようにトラッキン
グアクチュエータ１８を動かせば良好なトラッキング制
御ができる。
場合のトラッキングの位置ずれの様子を示す説明図であ
る。第７図（、）は受光素子１３中での光スポットの位
置ずれの様子を示し、第７図（ｂ）はトラ、キングの位
置ずれΔＴ（横軸）に対する充電流差Δ１ （縦軸）の
特性を示している。第６図の場合に対して、光ディスク
５の傾きや集光レンズ４の軸ずれがあるので、−次回新
党Ｌ１、−Ｌｌの中央点であるＰがその受光素子の中心
よりずれると同時に０次回折光の中心点Ｐも受光素子の
中心よりずれた点Ｐの位置に来る。このため光スポット
がトラッキング案内溝上でも各受光素子ＰＤ、〜ＰＤ４
の光電流差口ＰＤ、−’ＰＤ２）、（ＩＰＤ、 −１ｐ
Ｄ４）も変化する。しかし、これ等の値はほぼ比例して
いるためトラ、キング誤差信号−１′は・Ｔ′２０ＰＤ
、 −’ＰＤ２）−ｋ（’ＰＤ、 −’ＰＤ４）の式を
演算し、ｋの備を光学系に合せて決定する（ ８ ） ことによＪ） 、６Ｔ’ −〇となるようにトラッキン
グアクチュエータ１８を動かせば良好なトラッキング制
御ができる。
第８図は第５図における受光素子の他の実施例を示す構
成図である。第８図（＆）は受光素子１９を構成する受
光素子ＰＤ、とＰＤ４の領域をそれぞれ２つに分離した
ものである。また、第８図（ｂ）の如く受光素子２０を
構成する各受光素子ＰＤ、〜ＰＤ４の形状は円形でも良
い。更に、これらは角形でもよく、ｔｆＣそれぞれ間隔
をとって離しても良い。第８図（ｃ）に示すように受光
素子２１を半円形状にしても良い。この場合はナイフェ
ツジ方式のフォーカス誤差信号の取り出しと組合せて用
いた場合などに利用できる。
成図である。第８図（＆）は受光素子１９を構成する受
光素子ＰＤ、とＰＤ４の領域をそれぞれ２つに分離した
ものである。また、第８図（ｂ）の如く受光素子２０を
構成する各受光素子ＰＤ、〜ＰＤ４の形状は円形でも良
い。更に、これらは角形でもよく、ｔｆＣそれぞれ間隔
をとって離しても良い。第８図（ｃ）に示すように受光
素子２１を半円形状にしても良い。この場合はナイフェ
ツジ方式のフォーカス誤差信号の取り出しと組合せて用
いた場合などに利用できる。
以上の光メモリ装置の説明では第１図に示す様にフォー
カス制御用の受光素子１１とトラッキング制御およびデ
ータ信号用受光素子８とを分離した構成を前提としたも
のであるが、これに限られることなく、レンズ７と受光
素子８との間にシリ／トリカルレンズを挿入して、ノ）
−フミラー６、しンズ９、シリンドリカルレンズ１０．
受光素子１１の光学系を省略して受光素子１３等でフォ
ーカス制御用の信号を得る構成としても良い。この場合
には、例えば第５図の例では受光素子ＰＤ１とＰＤ２と
の和信号と、ＰＤ３とＰＤ４との和信号の各和信号との
差信号をフォーカス制御用の信号とする。
カス制御用の受光素子１１とトラッキング制御およびデ
ータ信号用受光素子８とを分離した構成を前提としたも
のであるが、これに限られることなく、レンズ７と受光
素子８との間にシリ／トリカルレンズを挿入して、ノ）
−フミラー６、しンズ９、シリンドリカルレンズ１０．
受光素子１１の光学系を省略して受光素子１３等でフォ
ーカス制御用の信号を得る構成としても良い。この場合
には、例えば第５図の例では受光素子ＰＤ１とＰＤ２と
の和信号と、ＰＤ３とＰＤ４との和信号の各和信号との
差信号をフォーカス制御用の信号とする。
更にデータ信号は各受光素子ＰＤ１〜ＰＤ４の全ての和
信号から得ることができる。
信号から得ることができる。
また、今までの説明ではトラッキング案内溝のある光デ
ィスクを前提としたが、トラッキング案内溝のない凸、
凹のピット信号の光ディスクでもこれ等のビット信号の
平均値をトラック信号として使用することにより本発明
の目的を達成することができる。なお、光磁気ディスク
の場合には、コリメータレンズ２とハーフミラ−３との
間に偏光子、レンズ７とハーフミラ−６との間に検光子
を挿入することにより、本発明の目的を達成するｆ こ
とができる。
ィスクを前提としたが、トラッキング案内溝のない凸、
凹のピット信号の光ディスクでもこれ等のビット信号の
平均値をトラック信号として使用することにより本発明
の目的を達成することができる。なお、光磁気ディスク
の場合には、コリメータレンズ２とハーフミラ−３との
間に偏光子、レンズ７とハーフミラ−６との間に検光子
を挿入することにより、本発明の目的を達成するｆ こ
とができる。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よれば、光ディスクからの０次回折光と１次回折光とを
分離して受光できるように受光素子を４分割し各受光素
子の光電流の差を演算するようにしたので、トラッキン
グ制御が不能となる光デイスク面の最大傾きが大きくと
れ、光デイスク板の平面度やターンテーブルの面ぶれ量
について従来の如く厳しい制限がなくなり、安価なプラ
スチック基板が利用でき、これに伴い装置も小形にでき
る。更に集光レンズのみをトラック横断方向に動かすア
クチュエータでも良好なトラッキング制御ができるため
、小形、軽量、高速応答の光メモリ装置が得られる。
よれば、光ディスクからの０次回折光と１次回折光とを
分離して受光できるように受光素子を４分割し各受光素
子の光電流の差を演算するようにしたので、トラッキン
グ制御が不能となる光デイスク面の最大傾きが大きくと
れ、光デイスク板の平面度やターンテーブルの面ぶれ量
について従来の如く厳しい制限がなくなり、安価なプラ
スチック基板が利用でき、これに伴い装置も小形にでき
る。更に集光レンズのみをトラック横断方向に動かすア
クチュエータでも良好なトラッキング制御ができるため
、小形、軽量、高速応答の光メモリ装置が得られる。
第１図は従来の光メモリ装置の構成を示す構成図、第２
図は第１図における受光素子での回折光を受光した場合
の様子を示す説明図、第３図は受光素子での暗部の移動
状態を示した説明図、第４図は本発明の要部の実施例を
示す構成図、第５図は第４図における受光素子の構成を
示す構成図、第６図は光ディスクの傾きや集光レンズの
軸ずれ（１１） のない場合のトラッキング位置ずれの様子を示す説明図
、第７図は光ディスクの傾きや集光レンズの軸ずれのあ
る場合のトラッキングの位置ずれの様子を示す説明図、
第８図は第５図における受光素子の他の実施例を示す構
成図である。 １・・・光源、２・・・コリメータレンズ、３，６・・
・ハーフミラ−１４・・・集光レンズ、５・・・光ディ
スク、７．９・・・レンズ、８・・・受光素子、９・・
・レンズ、１０・・・シリンドリカルレンズ、１１ 、
１３．１９．２０．２１・・・受光素子、１２．１４〜
１６・・・演算回路、１７・・・サーボ回路、１８・・
・トラッキングアクチュエータ、ＰＤ、〜ＰＤ４・・・
受光素子。 （１２） 第１図 第２図 １フ 第６ （（１’） （ｂ） ７図 第８図 （ｄ’ｌ （ｂ） （Ｃ）
図は第１図における受光素子での回折光を受光した場合
の様子を示す説明図、第３図は受光素子での暗部の移動
状態を示した説明図、第４図は本発明の要部の実施例を
示す構成図、第５図は第４図における受光素子の構成を
示す構成図、第６図は光ディスクの傾きや集光レンズの
軸ずれ（１１） のない場合のトラッキング位置ずれの様子を示す説明図
、第７図は光ディスクの傾きや集光レンズの軸ずれのあ
る場合のトラッキングの位置ずれの様子を示す説明図、
第８図は第５図における受光素子の他の実施例を示す構
成図である。 １・・・光源、２・・・コリメータレンズ、３，６・・
・ハーフミラ−１４・・・集光レンズ、５・・・光ディ
スク、７．９・・・レンズ、８・・・受光素子、９・・
・レンズ、１０・・・シリンドリカルレンズ、１１ 、
１３．１９．２０．２１・・・受光素子、１２．１４〜
１６・・・演算回路、１７・・・サーボ回路、１８・・
・トラッキングアクチュエータ、ＰＤ、〜ＰＤ４・・・
受光素子。 （１２） 第１図 第２図 １フ 第６ （（１’） （ｂ） ７図 第８図 （ｄ’ｌ （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- トラッキング案内溝もしくは書込データからの＋１次回
折光を主として受ける第１受光素子と、前記トラッキン
グ案内溝もしくは前記書込データからの一１次回折光を
主として受ける第２受光素子と、トラッキング方向に対
して中央を２分された一方側に配置され前記トラッキン
グ案内溝もしくは前記書込データからのΩ次光を主とし
て受ける第３受光素子と、前記トラッキング方向に対し
て中央を２分された他方側に配置され前記トラッキング
案内溝もしくは前記書込データからの０次光を主として
受ける第４受光素子とを具備し、前記第１受光素子と前
記第２受光素子の出力の差出力と前記第５受光素子と前
記第４受光素子の差出力とを演算することにより得られ
るトラッキング誤差信号にもとづいてトラッキング制御
を行なうことを特徴とした光メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11970084A JPS60263344A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11970084A JPS60263344A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 光メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263344A true JPS60263344A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14767908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11970084A Pending JPS60263344A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263344A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0416283A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head with tracking error detecting system |
| JPH0366032A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘッド |
| EP0440963A2 (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-14 | Hewlett-Packard Company | Enhanced focus sensing in optical information storage systems |
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| JPS59191143A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | 光学的トラツク追跡装置 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP11970084A patent/JPS60263344A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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