JPS60260154A - 電荷結合素子の駆動法 - Google Patents
電荷結合素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS60260154A JPS60260154A JP59116073A JP11607384A JPS60260154A JP S60260154 A JPS60260154 A JP S60260154A JP 59116073 A JP59116073 A JP 59116073A JP 11607384 A JP11607384 A JP 11607384A JP S60260154 A JPS60260154 A JP S60260154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- coupled device
- transfer
- pulses
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76833—Buried channel CCD
- H01L29/76858—Four-Phase CCD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電荷結合素子の駆動法に関し、特に、ブルーミ
ング抑制を可能ならしめる駆動法に関する。
ング抑制を可能ならしめる駆動法に関する。
（従来技術とその問題点）
電荷結合素子（以後００Ｄと記す）は、従来からの半導
体集積回路技術を基盤として、近年その進歩が著しい。
体集積回路技術を基盤として、近年その進歩が著しい。
特に、ＣＯＤのなかでも埋込みチャネル電荷結合素子（
以後ＢＯＯＤと記す）は、信号電荷が表面ではなく、基
板内部を転送されること、隣接電極からのフリンジ電界
が効果的に働くこと等の理由により、転送効率のよい高
性能の００Ｄとして、固体撮像素子、アナログ遅延線な
どに幅広く用いら、れている。しかしながら、ＢＯＯＤ
は、従来の表面チャネルＣＯＤに比べると取り扱い得る
最大信号電荷量が数分の−と少ない欠点がある。Ｃのた
め、例えば固体撮像素子のように、高輝度被写体を撮像
したときに発生する多量の電荷はＢＯＯＤ内部の所定の
電位井戸には蓄積され得す、いわゆるブルーミング現峠
となって電荷の拡散現象を生起する。このような現峠を
抑制する手段として、従来、いわゆるオーバフロードレ
インと称される手段を光電変換領域に隣接して設け、高
輝度被写体を撮像したときに発生する過剰電荷をオーバ
フロードレインに吸収することによって前記ブルーミン
グ現象を抑制しようとする試みがなされている。第１図
は、従来のＢＯＯＤをそのまま光電変換領域として利用
した固体撮像素子の主要部の断面図を示す。本図は、電
荷転送方向と垂直方向の断面図について示している。ま
た、以下の説明では便宜上Ｎチャネルの素子を例として
説明する。図において、１はＰ型基板、２．１２゜１３
はＢＯＯＤを形成するＮ型半導体領域で、電荷転送チャ
ネルを形成する。３，５は絶縁膜、４は転送電極、６．
７はＮ型拡散層でオーパフロードし・インを構成する。
以後ＢＯＯＤと記す）は、信号電荷が表面ではなく、基
板内部を転送されること、隣接電極からのフリンジ電界
が効果的に働くこと等の理由により、転送効率のよい高
性能の００Ｄとして、固体撮像素子、アナログ遅延線な
どに幅広く用いら、れている。しかしながら、ＢＯＯＤ
は、従来の表面チャネルＣＯＤに比べると取り扱い得る
最大信号電荷量が数分の−と少ない欠点がある。Ｃのた
め、例えば固体撮像素子のように、高輝度被写体を撮像
したときに発生する多量の電荷はＢＯＯＤ内部の所定の
電位井戸には蓄積され得す、いわゆるブルーミング現峠
となって電荷の拡散現象を生起する。このような現峠を
抑制する手段として、従来、いわゆるオーバフロードレ
インと称される手段を光電変換領域に隣接して設け、高
輝度被写体を撮像したときに発生する過剰電荷をオーバ
フロードレインに吸収することによって前記ブルーミン
グ現象を抑制しようとする試みがなされている。第１図
は、従来のＢＯＯＤをそのまま光電変換領域として利用
した固体撮像素子の主要部の断面図を示す。本図は、電
荷転送方向と垂直方向の断面図について示している。ま
た、以下の説明では便宜上Ｎチャネルの素子を例として
説明する。図において、１はＰ型基板、２．１２゜１３
はＢＯＯＤを形成するＮ型半導体領域で、電荷転送チャ
ネルを形成する。３，５は絶縁膜、４は転送電極、６．
７はＮ型拡散層でオーパフロードし・インを構成する。
８〜１１はＰ型半導体領域で転送電極とともにオーバフ
ローコントロールゲート領域を形成する。本素子におい
ては、通常Ｎ型拡散層で形成されるオーバフロードレイ
ン６．７にはＰ型基板に対し逆バイアス電圧Ｖ。Ｄが印
加されている。本素子の動作は、例えば、光電変換によ
って過剰に発生した信号電荷（を子）は、ＢＯＯＤのＮ
型領域２ 、１２ 、１３からＰ型領域８〜１１を経由
してオーバフロードレイン６．７へと吸収される。
ローコントロールゲート領域を形成する。本素子におい
ては、通常Ｎ型拡散層で形成されるオーバフロードレイ
ン６．７にはＰ型基板に対し逆バイアス電圧Ｖ。Ｄが印
加されている。本素子の動作は、例えば、光電変換によ
って過剰に発生した信号電荷（を子）は、ＢＯＯＤのＮ
型領域２ 、１２ 、１３からＰ型領域８〜１１を経由
してオーバフロードレイン６．７へと吸収される。
これによって、過剰な信号電荷が隣接チャネルに漏れ込
むことなく、また、隣接電極下へとオーバフローするこ
ともなく、したがってブルーミングが抑制される。しか
しながら、このような従来のオーバフロードレインを有
する素子は、平面的に過剰電荷を吸収する手段を設けな
ければならないため、高密度化には不適当である。
むことなく、また、隣接電極下へとオーバフローするこ
ともなく、したがってブルーミングが抑制される。しか
しながら、このような従来のオーバフロードレインを有
する素子は、平面的に過剰電荷を吸収する手段を設けな
ければならないため、高密度化には不適当である。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記したような従来の電荷結合素子の
欠点を除去せしめ、高密度化した際にもブルーミング抑
制が可能な電荷結合素子の駆動法を提供することにある
。
欠点を除去せしめ、高密度化した際にもブルーミング抑
制が可能な電荷結合素子の駆動法を提供することにある
。
（発明の構成）
本発明によれば、−導電型を有する半導体基板上に形成
され、該半導体基板と反対導電型を有する半導体領域内
に形成される埋込みチャネル型の電荷結合素子の駆動法
において、前記埋込みチャネル型の電荷結合素子を駆動
する転送電極にはｖＬ。
され、該半導体基板と反対導電型を有する半導体領域内
に形成される埋込みチャネル型の電荷結合素子の駆動法
において、前記埋込みチャネル型の電荷結合素子を駆動
する転送電極にはｖＬ。
Ｖ、、Ｖ□ の３値レベルを有するパルスが印加され、
電荷転送あるいは電荷蓄積の少なくとも一部期間におい
てはＶｌ、Ｖ、の２値レベルを有するパルスが印加され
、埋込みチャネル内部の信号電荷の一部が前記半導体領
域を経由して前記半導体基板へと掃き出されるべく駆動
され、電荷転送期間においては■や、ＶＨの２値レベル
を有するパルスが印加されることを特徴とする電荷結合
素子の駆動法が得られる。
電荷転送あるいは電荷蓄積の少なくとも一部期間におい
てはＶｌ、Ｖ、の２値レベルを有するパルスが印加され
、埋込みチャネル内部の信号電荷の一部が前記半導体領
域を経由して前記半導体基板へと掃き出されるべく駆動
され、電荷転送期間においては■や、ＶＨの２値レベル
を有するパルスが印加されることを特徴とする電荷結合
素子の駆動法が得られる。
し構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。例えば、Ｎチャネル素子の場合、ます、
Ｎ型基板上にＰ型のウェルを形成する。さらにこのＰ型
つェル内部にＢＣＯＤを形成する。さらに、このＢＯＯ
Ｄを駆動する転送電極に印加するパルス電圧としてＶＬ
、Ｖ、、Ｖ□（■１〈ｖＭ〈■）ｌ）を用いる。すなわ
ち光電変換の電荷蓄積期間は、ＶＬ、Ｖ、のパルスを用
いる。
点を解決した。例えば、Ｎチャネル素子の場合、ます、
Ｎ型基板上にＰ型のウェルを形成する。さらにこのＰ型
つェル内部にＢＣＯＤを形成する。さらに、このＢＯＯ
Ｄを駆動する転送電極に印加するパルス電圧としてＶＬ
、Ｖ、、Ｖ□（■１〈ｖＭ〈■）ｌ）を用いる。すなわ
ち光電変換の電荷蓄積期間は、ＶＬ、Ｖ、のパルスを用
いる。
このとき、電荷はＶＭの電圧が印加された電極下に蓄積
されるとともに、過剰電荷は前記Ｐ型のウェルを経由し
て基板へとオーバフローし、隣接電極あるいは隣接チャ
ネルへとはオーバフローさせないようにする。つぎに、
電荷転送期間ｌこＶ、 、 ＶＨのパルスが前記転送電
極に印加され、所定の信号電荷のみが転送される。この
ような動作によってブルーミングが抑制された固体撮像
素子が得られる。
されるとともに、過剰電荷は前記Ｐ型のウェルを経由し
て基板へとオーバフローし、隣接電極あるいは隣接チャ
ネルへとはオーバフローさせないようにする。つぎに、
電荷転送期間ｌこＶ、 、 ＶＨのパルスが前記転送電
極に印加され、所定の信号電荷のみが転送される。この
ような動作によってブルーミングが抑制された固体撮像
素子が得られる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。第２図〜第５図は本発明による第一の実施例を説
明するための図で、第２図、第３図はＮ型基板上にＰウ
ェルを形成し、Ｐウェル内部にＢＯＯＤを形成した断面
図を示し、第２図は、電荷転送と直角方向、第３図は、
電荷転送方向の断面図をそれぞれ示す。本実施例では、
便宜上、４相駆動の素子について説明する。第４図は、
本素子を駆動する４相パルスの駆動波形の一実施例を示
す。第５図は、各タイミングでの素子内部のポテンシャ
ル分布を示す。図において、２１はＮ型基板、側はＰウ
ェル、２２ 、２３ 、２４はＢＯＯＤを形成するＮ型
半導体、２５ 、２６はチャネルストッパ、２７ 、２
９ 、３６は絶縁膜、あ、３１〜３５は転送電極、φ１
〜φ４は駆動波形を示す。通常、ＰウェルとＮ型基板と
の間には逆バイアス電圧■８１３Ｂが印加される。第４
図において、Ｔ、は光電変換期間、Ｔ。
する。第２図〜第５図は本発明による第一の実施例を説
明するための図で、第２図、第３図はＮ型基板上にＰウ
ェルを形成し、Ｐウェル内部にＢＯＯＤを形成した断面
図を示し、第２図は、電荷転送と直角方向、第３図は、
電荷転送方向の断面図をそれぞれ示す。本実施例では、
便宜上、４相駆動の素子について説明する。第４図は、
本素子を駆動する４相パルスの駆動波形の一実施例を示
す。第５図は、各タイミングでの素子内部のポテンシャ
ル分布を示す。図において、２１はＮ型基板、側はＰウ
ェル、２２ 、２３ 、２４はＢＯＯＤを形成するＮ型
半導体、２５ 、２６はチャネルストッパ、２７ 、２
９ 、３６は絶縁膜、あ、３１〜３５は転送電極、φ１
〜φ４は駆動波形を示す。通常、ＰウェルとＮ型基板と
の間には逆バイアス電圧■８１３Ｂが印加される。第４
図において、Ｔ、は光電変換期間、Ｔ。
は電荷転送期間を示す。いま例えば、転送電極のうちの
一電極φ２に相当する電極下で光電変換された電荷が蓄
積されるとする。このとき第４図に示す光電変換期間Ｔ
ｔ 中において、φ２は駆動パルス電圧の中間レベル■
、に保持され、他の電極に印加されるパルスφ１．φ３
．φ４は低レベル■１に保持される。いま電荷が蓄積さ
れてないとすると、電圧■、の蓄積電極（φｔ）下の電
位分布は第５図の４３で示されるようになり、電圧■１
のバリヤ電極（φ１．φ８．φ４）下の電位分布は４１
のようになっている。充電変換により発生した電荷が蓄
積されるとともに、蓄積電極（φ、）下の電位分布は４
２のように変化してゆく。同時に、一部の過剰電荷は基
板へと流出する。やがて光電変換により発生する電荷と
基板へ流れ出す電荷とがバランスするようになると電位
変化は停止する。このときのＰウェルの最小電位ψ３が
隣接するバリヤ電極下のＢＣＯＤの最大電位ψ。よりも
大きければ、過剰に発生する電荷は全て基板へと掃き出
され隣接する電極下へとは流れてゆかない。したがって
ブルーミングが抑制される。
一電極φ２に相当する電極下で光電変換された電荷が蓄
積されるとする。このとき第４図に示す光電変換期間Ｔ
ｔ 中において、φ２は駆動パルス電圧の中間レベル■
、に保持され、他の電極に印加されるパルスφ１．φ３
．φ４は低レベル■１に保持される。いま電荷が蓄積さ
れてないとすると、電圧■、の蓄積電極（φｔ）下の電
位分布は第５図の４３で示されるようになり、電圧■１
のバリヤ電極（φ１．φ８．φ４）下の電位分布は４１
のようになっている。充電変換により発生した電荷が蓄
積されるとともに、蓄積電極（φ、）下の電位分布は４
２のように変化してゆく。同時に、一部の過剰電荷は基
板へと流出する。やがて光電変換により発生する電荷と
基板へ流れ出す電荷とがバランスするようになると電位
変化は停止する。このときのＰウェルの最小電位ψ３が
隣接するバリヤ電極下のＢＣＯＤの最大電位ψ。よりも
大きければ、過剰に発生する電荷は全て基板へと掃き出
され隣接する電極下へとは流れてゆかない。したがって
ブルーミングが抑制される。
つぎに、光電変換期間が終了し、電荷転送期間Ｔ、に入
る。この期間では全てのパルスφ、〜φ４は、第４図に
示すように高レベル■□と中間レベル■、との間を往復
する。すなわち、■□と■、の２値レベルを有するパル
スφ１〜φ４によって信号電荷の転送が行なわれる。こ
のとき素子内部の電位分布は第５図４２〜４４に示され
るように全体に深くなっており、ＢＯＯＤとＰウェルと
の間の電位差も大きく、信号電荷が転送中に基板ヘオー
バフローすることはない。
る。この期間では全てのパルスφ、〜φ４は、第４図に
示すように高レベル■□と中間レベル■、との間を往復
する。すなわち、■□と■、の２値レベルを有するパル
スφ１〜φ４によって信号電荷の転送が行なわれる。こ
のとき素子内部の電位分布は第５図４２〜４４に示され
るように全体に深くなっており、ＢＯＯＤとＰウェルと
の間の電位差も大きく、信号電荷が転送中に基板ヘオー
バフローすることはない。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明による駆動法によりＢＯＯＤ
をそのまま光電変換領域として利用した固体撮像素子に
おいて、従来のようなオーバフロードレインを設けるこ
となく、ブルーミング抑制が可能となる。
をそのまま光電変換領域として利用した固体撮像素子に
おいて、従来のようなオーバフロードレインを設けるこ
となく、ブルーミング抑制が可能となる。
また以上述べた説明では、パルスφ！が印加される電極
のみに光電変換期間中、信号電荷が蓄積される場合につ
いて述べたが、パルスφ２に隣接する電極、例えばパル
スφ３の電極をも光電変換期間中に中間レベル■ッに保
持することにより、φ６．φ３の両電極に電荷を蓄積さ
せるような駆動法も可能である。
のみに光電変換期間中、信号電荷が蓄積される場合につ
いて述べたが、パルスφ２に隣接する電極、例えばパル
スφ３の電極をも光電変換期間中に中間レベル■ッに保
持することにより、φ６．φ３の両電極に電荷を蓄積さ
せるような駆動法も可能である。
さらにまた、以上の説明では４相駆動の場合のみについ
て述べたが、２相あるいは３相駆動等他の駆動法を用い
た場合にも本発明の主旨は同様に適用し得る。また、以
上の説明ではＢＯＯＤについて説明したが本発明の主旨
は表面チャネルＣＯＤにも適用できる。
て述べたが、２相あるいは３相駆動等他の駆動法を用い
た場合にも本発明の主旨は同様に適用し得る。また、以
上の説明ではＢＯＯＤについて説明したが本発明の主旨
は表面チャネルＣＯＤにも適用できる。
第１図はＢＯＯＤを充電変換領域とした固体撮像素子の
主要部の断面図、第２図〜第５図は本発明による第一の
実施例を説明するための図で、第２図、第３図はＮ型基
板上に形成されたＰウェル内部にＢＯＯＤを構成した固
体撮像素子の電荷転送方向と直角方向および転送方向の
断面図をそれぞれ示し、第４図はこの素子を駆動するパ
ルス波形、第５図は各タイミングでの素子内部の電位分
布を示す。 図において、１はＰ型基板、２ 、１２ 、１３ 、２
２〜２４はＢＯＯＤを形成するＮ型半導体、３．５，２
７゜２９．３６は絶縁膜、４．２８．３１〜３５は転送
電極、２１はＮ型半導体基板、３０はＰウェルをそれぞ
れ示す。 、ｉ、゛ 一′ ＼ ｆｕｅ＋！、Ａ、 ｌ！−”１’ｉ ）ｓｓ’、−・兜
１図 第２図 第３図 苧。 第４図
主要部の断面図、第２図〜第５図は本発明による第一の
実施例を説明するための図で、第２図、第３図はＮ型基
板上に形成されたＰウェル内部にＢＯＯＤを構成した固
体撮像素子の電荷転送方向と直角方向および転送方向の
断面図をそれぞれ示し、第４図はこの素子を駆動するパ
ルス波形、第５図は各タイミングでの素子内部の電位分
布を示す。 図において、１はＰ型基板、２ 、１２ 、１３ 、２
２〜２４はＢＯＯＤを形成するＮ型半導体、３．５，２
７゜２９．３６は絶縁膜、４．２８．３１〜３５は転送
電極、２１はＮ型半導体基板、３０はＰウェルをそれぞ
れ示す。 、ｉ、゛ 一′ ＼ ｆｕｅ＋！、Ａ、 ｌ！−”１’ｉ ）ｓｓ’、−・兜
１図 第２図 第３図 苧。 第４図
Claims (1)
- 一導電型を有する半導体基板上に形成され、該半導体基
板と反対導電型を有する半導体領域内に形成される埋込
みチャネル型の電荷結合素子の駆動法において、前記埋
込みチャネル型の電荷結合素子を駆動する転送電極には
Ｖｌ、Ｖや、■□の３値レベルを有するパルスが印加さ
れ、電荷転送あるいは電荷蓄積の少なくとも一部期間に
おいては■□、■や、の２値レベルを有するパルスが印
加され、埋込みチャネル内部の信号電荷の一部が前゛
記半導体領域を経由して前記半導体基板へと掃き出され
るべく駆動され、電荷転送期間においてはＶ、、Ｖ□の
２値レベルを有するパルスが印加されることを特徴とす
る電荷結合素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116073A JPH0681280B2 (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 電荷結合素子の駆動法 |
| US06/910,343 US4694476A (en) | 1984-06-06 | 1986-09-19 | Buried channel charge coupled device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116073A JPH0681280B2 (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 電荷結合素子の駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260154A true JPS60260154A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0681280B2 JPH0681280B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14678038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59116073A Expired - Lifetime JPH0681280B2 (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 電荷結合素子の駆動法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4694476A (ja) |
| JP (1) | JPH0681280B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03187233A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-15 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 埋設形電荷結合素子 |
| JPH03280792A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の駆動方法 |
| JPH08288491A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114276B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1995-12-06 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5343059A (en) * | 1993-03-30 | 1994-08-30 | Leaf Systems, Inc. | Method and apparatus for reducing blooming in output of a CCD image sensor |
| JPH08264747A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-11 | Eastman Kodak Co | コンテナ側方オーバーフロードレインインプラントを有する固体画像化器及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3896485A (en) * | 1973-12-03 | 1975-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Charge-coupled device with overflow protection |
| DE2527657C3 (de) * | 1975-06-20 | 1979-08-23 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Optoelektronischer Sensor und Verfahren zu seinem Betrieb |
| US3996600A (en) * | 1975-07-10 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Charge coupled optical scanner with blooming control |
| JPS5917581B2 (ja) * | 1978-01-13 | 1984-04-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| GB2054961B (en) * | 1979-07-26 | 1983-07-20 | Gen Electric Co Ltd | Excess charge removal oin charge transfer devices |
| US4527182A (en) * | 1980-09-19 | 1985-07-02 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor photoelectric converter making excessive charges flow vertically |
| JPS58138187A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP59116073A patent/JPH0681280B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-09-19 US US06/910,343 patent/US4694476A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03187233A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-15 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 埋設形電荷結合素子 |
| JPH03280792A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の駆動方法 |
| JPH08288491A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4694476A (en) | 1987-09-15 |
| JPH0681280B2 (ja) | 1994-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0523505B2 (ja) | ||
| JPS6216599B2 (ja) | ||
| JPS60260154A (ja) | 電荷結合素子の駆動法 | |
| JP3317248B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0424870B2 (ja) | ||
| US5760430A (en) | Charge transfer device and solid-state imaging apparatus using the same device | |
| JPH0695536B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| US5323034A (en) | Charge transfer image pick-up device | |
| JPS60244068A (ja) | 埋込みチヤネル電荷結合素子 | |
| JPH031871B2 (ja) | ||
| US6891243B2 (en) | Solid-state image pick-up device | |
| KR100311493B1 (ko) | 고체촬상소자및그의제조방법 | |
| JPH0421351B2 (ja) | ||
| JPH0250480A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0637297A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JPH0322755B2 (ja) | ||
| JPS59115556A (ja) | 電荷転送形シフトレジスタ | |
| JPH02122668A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2508638B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3228238B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0231858B2 (ja) | Denkatensosochi | |
| JPS5917585B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02119266A (ja) | 縦形オーバフロードレイン構造の固体撮像装置 | |
| JP2917371B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5817789A (ja) | 固体撮像装置 |