JPS60260139A - 半導体素子用気密容器 - Google Patents

半導体素子用気密容器

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JPS60260139A
JPS60260139A JP59116829A JP11682984A JPS60260139A JP S60260139 A JPS60260139 A JP S60260139A JP 59116829 A JP59116829 A JP 59116829A JP 11682984 A JP11682984 A JP 11682984A JP S60260139 A JPS60260139 A JP S60260139A
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JP
Japan
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metal plate
semiconductor element
metal
insulator
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Prior art date
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Pending
Application number
JP59116829A
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English (en)
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Shigenobu Aihara
相原　重信
Masaru Takahashi
勝 高橋
Akira Isono
磯野　彰
Yukio Saito
斉藤　幸夫
Kazuo Hataki
畑木　和男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超高周波帯で使用される半導体素子を気密封
止するための構造に関する。
〔従来の技術〕
半導体素子は外気の湿度や活性気体により信軌性が大き
く変化する。これを防ぐために、半導体素子は気密容器
に封入されて使用される。この気密容器が金属製の場合
には、半導体素子を外部に接続するための電極端子を、
気密容器と絶縁させながら引き出す必要がある。。
ところが、一般に気密封止用の絶縁材料と金属材料とは
熱膨張係数が異なるため、両者の接触面に熱応力が生じ
、電極端子に応力歪が生しる。この応力歪を除去するた
めには、緩衝構造を設けることが望ましい。しかし、マ
イクロ波周波数帯以上の周波数帯では、緩衝構造を使用
周波数の波長に比べて無視できる程度の大きさに作成す
ることは困難であり、周波数特性に影響を与える欠点が
ある。
また、緩衝構造を設けずに、熱膨張係数が同程度の絶縁
材料と金属材料とを用いることも可能である。しかし、
この場合には、熱伝導率の高い金属材料を選択すること
は困難であり、半導体素子からの熱放散が不充分になる
欠点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は以上の問題点を解決し、小型であって周波数特
性に悪影響を与えることがなく、しかも熱放散の良好な
半導体素子用気密容器を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明半導体素子用気密容器は、半導体素子が載置され
る金属板を二重構造とし、熱膨張率が気密封止用絶縁体
にほぼ等しい材質の第一の金属板をこの絶縁体で封止し
、熱伝導率の高い材質の第二の金属板を半導体素子に接
触させた構造を特徴とする。
すなわち本発明半導体素子用気密容器は、半導体素子が
載置されこの半導体素子の電極端子を外部に貫通させる
ための孔が設りられた金属板と、この金属板と上記端子
との間に設けられ上記孔を気密封止する絶縁体と、上記
金属板の上記半導体素子が載置された側に気密にかぶせ
られたキャンプとを備えた半導体素子用気密容器におい
て、上記金属板は、上記絶縁体に接触し熱膨張係数がそ
の絶縁体の熱膨張係数に近似する材質の第一の金属板と
、上記半導体素子に接触し熱伝導率が高い材質の第二の
金属板とが重ね合わされた構造であることを特徴とする
。
〔作用〕
本発明半導体素子用気密容器では、第一の金属板と気密
封止用絶縁体が接続端子の応力歪を除去し、第二の金属
板が高効率で熱放散を行う。
〔実施例〕
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は本発明実施例半導体素子用気密容器の断面図である
。
第一の金属板１と第二の金属板２とはロー付けにより貼
り合わせである。この第一の金属板１と第二の金属板２
とには孔が開けられており、この孔を通って電極端子７
が容器の外に導かれている。
第一の金属板１の孔は封止用絶縁体３で封止されている
。第二の金属板２には膜回路基板４および半導体素子５
が＠置されている。第一の金属板１には金属製キャップ
６が固着され、第二の金属板２、膜回路基板４および半
導体素子５を気密封止している。
第一の金属板１には、封止用絶縁体３と熱膨張係数がほ
ぼ等しい材質の金属（例えばコバール材）が用いられて
いる。また、第二の金属板２には、熱伝導率の高い材質
の金属（例えば銅板）が用いられている。
第二の金属板２の厚さを半導体素子５の直径以上にすれ
ば、半導体素子５からの熱はこの第二の金属板２にほぼ
一様に拡散する。したがって、第一の金属板１と第二の
金属板２との接触面積を充分に大きくとることにより、
第二の金属板２から第一の金属板１への熱抵抗を征＜す
ることができる。また、第一の金属板Ｉと封止用絶縁体
３との熱膨張係数がほぼ等しいために、両者の接触面で
の熱応力の発生を緩和することができる。
また、第一の金属板１の厚みを増すことにより、容器の
強度を増すことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明半導体素子用気密容器は、
半導体素子から容器本体までの熱抵抗を低（することが
できる。また、封【ヒ用絶縁体と金属板との接触面の熱
応力の発生を緩和することができ、準ミリ波周波数帯で
良好な周波数特性を得ることができる効果がある。
さらに、緩衝構造に比べて製造が容易であり、半導体素
子用気密容器を安価に製造できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明実施例半導体素子用気密容器の断面図。 １・・・第一の金属板、２・・・第二の金属板、３・・
−封１１−用絶縁体、４・・・膜回路基板、５・・・半
導体素子、６・・・金属製キャップ、７・・・電極端子
。 特許出願人Ｉ」本電気株式会社 代理人　弁理士　井　出　直　孝 １６５

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　半導体素子が載置され、この半導体素子の電極
    端子を外部に貫通させるための孔が設けられた金属板と
    、 この金属板と上記端子との間に設けられ上記孔を気密封
    止する絶縁体と、 上記金属板の上記半導体素子が載置された側に気密にか
    ぶせられたキャンプと を備えた半導体素子用気密容器において、上記金属板は
    、 上記絶縁体に接触し熱膨張係数がその絶縁体の熱膨張係
    数に近偵する材質の第一の金属板と、−上記半導体素子
    に接触し熱伝導率が高い材質の第二の金属板と が重ね合わされた構造である ことを特徴とする半導体素子用気密容器。
JP59116829A 1984-06-06 1984-06-06 半導体素子用気密容器 Pending JPS60260139A (ja)

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ID=14696652

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51102563A (ja) * 1975-03-07 1976-09-10 Hitachi Ltd

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51102563A (ja) * 1975-03-07 1976-09-10 Hitachi Ltd

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