JPS61156827A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS61156827A JPS61156827A JP27746484A JP27746484A JPS61156827A JP S61156827 A JPS61156827 A JP S61156827A JP 27746484 A JP27746484 A JP 27746484A JP 27746484 A JP27746484 A JP 27746484A JP S61156827 A JPS61156827 A JP S61156827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- connecting conductor
- electrode
- vessel
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高周波信号の増幅などに用いる半導体素子に
関し、特に熱雑音を低減する等のために極低温に冷却し
て用いるのに適する半導体素子に関する。
関し、特に熱雑音を低減する等のために極低温に冷却し
て用いるのに適する半導体素子に関する。
（従来の技術）
通信用機器として使用きれる半導体素子は熱雑音を低減
するためにしばしば冷却して用いられる。そこで、冷却
により特性が劣化しない半導体素子が要求きれる。
するためにしばしば冷却して用いられる。そこで、冷却
により特性が劣化しない半導体素子が要求きれる。
第２図は、台座１と、この台座１の上面に載置きれた半
導体ペレット２と、上面及び下面にメタライズ面４ａ及
び４ｂがそれぞれ設けてありペレット２を内包するよう
に台座１に固定きれた円筒状の絶縁中継台４と、この中
継台４の上面のメタライズ面４ａと半導体ペレット２の
電極３との間に弛みが最小になるように接＃！キれた接
続導体５と、絶縁中継台４の上面に取付けた気密封止用
キャップ６とを備える従来型半導体素子の断面図である
。
導体ペレット２と、上面及び下面にメタライズ面４ａ及
び４ｂがそれぞれ設けてありペレット２を内包するよう
に台座１に固定きれた円筒状の絶縁中継台４と、この中
継台４の上面のメタライズ面４ａと半導体ペレット２の
電極３との間に弛みが最小になるように接＃！キれた接
続導体５と、絶縁中継台４の上面に取付けた気密封止用
キャップ６とを備える従来型半導体素子の断面図である
。
このような構造の半導体素子においては、接続導体５と
その周辺の物質、例えば半導体ペレット部間との浮遊容
量をできるだけ低減させることが望ましいから、従来型
の半導体素子は接続導体５の弛みが最小になるように製
造してある。
その周辺の物質、例えば半導体ペレット部間との浮遊容
量をできるだけ低減させることが望ましいから、従来型
の半導体素子は接続導体５の弛みが最小になるように製
造してある。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが従来型半導体素子においては、その素 。
子が置かれる雰囲気の温度変化による影響があまり考慮
されていない、従って素子の置かれる雰囲気の温度が変
化した場合には半導体素子を構成する各部物質の熱膨張
率の差によって、各部の伸びあるいは縮みは一定ではな
く、例えば雰囲気の温度が下がった場合、特に極低温に
おけるような場合には、接続導体５の縮みが、半導体ペ
レット２や絶縁中継台４の縮みより大きく、半導体ペレ
ット２の電極部３に大きな引張力が加わり、電極部３が
湾曲して素子の特性劣化を招いたり、接続導体５が切断
したりするという欠点があった。第３図は、常温から極
低温に温度を下げたために接続導体５が破断し故障した
第２図半導体素子を示す断面図である。
されていない、従って素子の置かれる雰囲気の温度が変
化した場合には半導体素子を構成する各部物質の熱膨張
率の差によって、各部の伸びあるいは縮みは一定ではな
く、例えば雰囲気の温度が下がった場合、特に極低温に
おけるような場合には、接続導体５の縮みが、半導体ペ
レット２や絶縁中継台４の縮みより大きく、半導体ペレ
ット２の電極部３に大きな引張力が加わり、電極部３が
湾曲して素子の特性劣化を招いたり、接続導体５が切断
したりするという欠点があった。第３図は、常温から極
低温に温度を下げたために接続導体５が破断し故障した
第２図半導体素子を示す断面図である。
本発明は、従来型半導体素子の問題点を解決するたりに
なきれたものであり、従って本発明の目的は、雰囲気の
温度が下がった場合でも部材間の熱膨張率の相違に基づ
く特性の劣化や故障を生じることがない半導体素子の提
供にある。
なきれたものであり、従って本発明の目的は、雰囲気の
温度が下がった場合でも部材間の熱膨張率の相違に基づ
く特性の劣化や故障を生じることがない半導体素子の提
供にある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、容器の内部に半導体ペレットが固定してあり、前記半
導体ペレットの電極と前記容器の端子とが細い導線で接
続してある半導体素子であって、前記導線は前記容器よ
り温度膨張係数が大きく、前記導線は常温で弛みが生じ
所定の低温でその弛みが消える長聾であることを特徴と
する。
、容器の内部に半導体ペレットが固定してあり、前記半
導体ペレットの電極と前記容器の端子とが細い導線で接
続してある半導体素子であって、前記導線は前記容器よ
り温度膨張係数が大きく、前記導線は常温で弛みが生じ
所定の低温でその弛みが消える長聾であることを特徴と
する。
（実施例）
次に本発明の実施例について図面を参照しながら具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。この実
施例は、台座１と、台座１上に載置された半導体ペレッ
ト２と、上面及び下面にメタライズ面４ａ及び４ｂがそ
れぞれ設けてありペレット２を包んで台座１に固定され
た円筒状の絶縁中継台４と、この中継台４の上面のメタ
ライズ面４ａ及び半導体ペレット２の電極部３の間に接
続きれた接続導体７と、絶縁中継台４の上面に密着して
ある気密封止用キャップ６とを備えている。この実施例
では、この実施例が冷却された場合に第３図に示す従来
型半導体素子ぐおけるように接続導体の縮みによる引張
力のために、接続導体が切断したり、半導体ペレット２
の電極部３が損傷して特性劣化を生じないように所定温
度の冷却状態で接続導体の弛みが最小となるよう常温に
おいて予め適当な弛みが接続導体７にもたせである。
施例は、台座１と、台座１上に載置された半導体ペレッ
ト２と、上面及び下面にメタライズ面４ａ及び４ｂがそ
れぞれ設けてありペレット２を包んで台座１に固定され
た円筒状の絶縁中継台４と、この中継台４の上面のメタ
ライズ面４ａ及び半導体ペレット２の電極部３の間に接
続きれた接続導体７と、絶縁中継台４の上面に密着して
ある気密封止用キャップ６とを備えている。この実施例
では、この実施例が冷却された場合に第３図に示す従来
型半導体素子ぐおけるように接続導体の縮みによる引張
力のために、接続導体が切断したり、半導体ペレット２
の電極部３が損傷して特性劣化を生じないように所定温
度の冷却状態で接続導体の弛みが最小となるよう常温に
おいて予め適当な弛みが接続導体７にもたせである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明では、半導体素子を構成し
ている接続導体に適当な弛みを持たせることにより、半
導体素子が冷却きれた場合に接続導体の縮みによって生
じる引張力に起因して接続導体が切断して故障したり半
導体ペレットの電極部が損傷して特性劣化をまねいたり
するのを防ぐとともに、冷却状態での接続導体の弛みが
最小となるから接続導体と半導体ペレットとの間などの
浮遊容量を冷却状態で最低になる。このように、本発明
によれば、雰囲気の温度が下がった場合に部材間の熱膨
張率の相違に基づく故障や特性の劣化が生ぜず、所定の
低温度において浮遊容量が小さく性能が高い半導体素子
が提供できる。
ている接続導体に適当な弛みを持たせることにより、半
導体素子が冷却きれた場合に接続導体の縮みによって生
じる引張力に起因して接続導体が切断して故障したり半
導体ペレットの電極部が損傷して特性劣化をまねいたり
するのを防ぐとともに、冷却状態での接続導体の弛みが
最小となるから接続導体と半導体ペレットとの間などの
浮遊容量を冷却状態で最低になる。このように、本発明
によれば、雰囲気の温度が下がった場合に部材間の熱膨
張率の相違に基づく故障や特性の劣化が生ぜず、所定の
低温度において浮遊容量が小さく性能が高い半導体素子
が提供できる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来型半
導体素子の断面図、第３図は雰囲気の温度が下がって接
続導体が縮んで切断した状態における第２図従来型半導
体素子の断面図である。 １・・・台座、２・・・半導体ペレット、３・・・半導
体素子ペレットの電極部、４・・・絶縁中継台、４ａ、
４ｂ・・・絶縁中継台のメタライズ面、５．７・・・接
続導体、６・・・気密封土用キャップ。
導体素子の断面図、第３図は雰囲気の温度が下がって接
続導体が縮んで切断した状態における第２図従来型半導
体素子の断面図である。 １・・・台座、２・・・半導体ペレット、３・・・半導
体素子ペレットの電極部、４・・・絶縁中継台、４ａ、
４ｂ・・・絶縁中継台のメタライズ面、５．７・・・接
続導体、６・・・気密封土用キャップ。
Claims (1)
- 容器の内部に半導体ペレットが固定してあり、前記半
導体ペレットの電極と前記容器の端子とが細い導線で接
続してある半導体素子において、前記導線は前記容器よ
り温度膨張係数が大きく、前記導線は常温で弛みが生じ
所定の低温でその弛みが消える長さであることを特徴と
する半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27746484A JPS61156827A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27746484A JPS61156827A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156827A true JPS61156827A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17583955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27746484A Pending JPS61156827A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156827A (ja) |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27746484A patent/JPS61156827A/ja active Pending
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