JPS59134855A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS59134855A JPS59134855A JP58009000A JP900083A JPS59134855A JP S59134855 A JPS59134855 A JP S59134855A JP 58009000 A JP58009000 A JP 58009000A JP 900083 A JP900083 A JP 900083A JP S59134855 A JPS59134855 A JP S59134855A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- pellet
- relay stand
- pedestal
- semiconductor element
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子に関し、特に、温度変化の激しい
環境下にあっても特性の劣化を生じない半導体素子に関
する。
環境下にあっても特性の劣化を生じない半導体素子に関
する。
通信用機器として使用される半導体素子においては、半
導体素子が置かれる雰囲気の温度変化によって、半導体
素子の特性が劣化しないことが要求される。
導体素子が置かれる雰囲気の温度変化によって、半導体
素子の特性が劣化しないことが要求される。
第１図は、台座１と、この台座１の上面に載置された半
導体ペレット２と、このペレット２と並んで前記台座１
に設けられた絶縁中継台４と、この中継台上面４のメタ
ライズ面４ａと前記ペレット２の電極３との間に接続さ
れた接続導体５とを備え、かつ絶縁中継台４の上面に気
密封止用キャンプ６を備えた従来型半導体素子の横断面
図である。従来型の半導体素子においては、その素子が
置かれる雰囲気の温度変化による特性への影響があまシ
考慮されてはおらず、従って、素子の置かれる雰囲気の
温度が変化した場合には、半導体素子を構成する各部物
質の膨張率が異なるために、各部の伸びあるいは縮みは
一定ではなく、例えば、第２図に示すように、雰囲気の
温度が上昇した場合には、接続導体５の伸びが、半導体
ペレット部２あるいは絶縁中継台４の伸びよシも大きい
ために、接続導体５がたるんで半導体ペレット２の低抵
抗層と接触したり、あるいは第３図に示すように、雰囲
気の温度が下がった場合においては、接続導体５の縮み
が大きいために、半導体ペレット２の電極部３に大きな
張引力が加わり、電極部３が損傷したり、接続導体５が
切断されたシして、半導体素子の特性劣化を招くという
欠点があった。
導体ペレット２と、このペレット２と並んで前記台座１
に設けられた絶縁中継台４と、この中継台上面４のメタ
ライズ面４ａと前記ペレット２の電極３との間に接続さ
れた接続導体５とを備え、かつ絶縁中継台４の上面に気
密封止用キャンプ６を備えた従来型半導体素子の横断面
図である。従来型の半導体素子においては、その素子が
置かれる雰囲気の温度変化による特性への影響があまシ
考慮されてはおらず、従って、素子の置かれる雰囲気の
温度が変化した場合には、半導体素子を構成する各部物
質の膨張率が異なるために、各部の伸びあるいは縮みは
一定ではなく、例えば、第２図に示すように、雰囲気の
温度が上昇した場合には、接続導体５の伸びが、半導体
ペレット部２あるいは絶縁中継台４の伸びよシも大きい
ために、接続導体５がたるんで半導体ペレット２の低抵
抗層と接触したり、あるいは第３図に示すように、雰囲
気の温度が下がった場合においては、接続導体５の縮み
が大きいために、半導体ペレット２の電極部３に大きな
張引力が加わり、電極部３が損傷したり、接続導体５が
切断されたシして、半導体素子の特性劣化を招くという
欠点があった。
本発明は従来の上記欠点を解消する為になされたもので
あり、従って本発明の目的は、雰囲気の温度が変化して
も特性の劣化を生じることがない新規な半導体素子を提
供することにある。
あり、従って本発明の目的は、雰囲気の温度が変化して
も特性の劣化を生じることがない新規な半導体素子を提
供することにある。
本発明に係る半導体素子は、上記のように、その半導体
素子が置かれる雰囲気の温度変化に対応して適当な膨張
率を有する物質を組合せることにより構成されるので、
本発明によれば、半導体素子が置かれる雰囲気の温度変
化によってもたらされる半導体素子の特性劣化すなわち
接続導体の断線あるいは半導体ペレットの電極部が引張
られて損傷を受けたり、接続導体がたるんで半導体ペレ
ットの電極部以外と接触したシするのが防止される。
素子が置かれる雰囲気の温度変化に対応して適当な膨張
率を有する物質を組合せることにより構成されるので、
本発明によれば、半導体素子が置かれる雰囲気の温度変
化によってもたらされる半導体素子の特性劣化すなわち
接続導体の断線あるいは半導体ペレットの電極部が引張
られて損傷を受けたり、接続導体がたるんで半導体ペレ
ットの電極部以外と接触したシするのが防止される。
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
しながら具体的に説明する。
しながら具体的に説明する。
第４図は本発明に係る半導体素子の第１の実施例を示す
横断面図である。本発明による半導体素子の第１の実施
例は、台座１１上に載置された半導体ペレット１２と、
このペレット１２と並んで前記台座１１に設けられた絶
縁中継台１４と、この中継台１４の上面のメタライズ面
１４ａと前記ペレット１２の電極部１３との間に接続さ
れた接続導体１５とを備え、かつ絶縁中継台１４の上面
に気密封止用キャップ１６を備えて構成されている。こ
こで、この半導体素子の構成要素のうち、半導体ペレッ
ト１２、絶縁中継台１４及び接続導体１５は、この半導
体素子が置かれる雰囲気の温度が例えば上昇した場合に
、第２図に示す従来型半導体素子におけるように接続導
体５がたるんで、半導体ペレット２の低抵抗層に接触し
て特性劣化を生じないように、半導体ペレット１２の温
度上昇による高さ方向の伸びと接続導体１５の高さ方向
の伸びをだした伸び（部ち、こｎらの伸びの和）と、絶
縁中継台１４の高さ方向の伸びがほとんど等しくなるよ
うに適当な膨張率を有する物質を組合せることによシ構
成されている。
横断面図である。本発明による半導体素子の第１の実施
例は、台座１１上に載置された半導体ペレット１２と、
このペレット１２と並んで前記台座１１に設けられた絶
縁中継台１４と、この中継台１４の上面のメタライズ面
１４ａと前記ペレット１２の電極部１３との間に接続さ
れた接続導体１５とを備え、かつ絶縁中継台１４の上面
に気密封止用キャップ１６を備えて構成されている。こ
こで、この半導体素子の構成要素のうち、半導体ペレッ
ト１２、絶縁中継台１４及び接続導体１５は、この半導
体素子が置かれる雰囲気の温度が例えば上昇した場合に
、第２図に示す従来型半導体素子におけるように接続導
体５がたるんで、半導体ペレット２の低抵抗層に接触し
て特性劣化を生じないように、半導体ペレット１２の温
度上昇による高さ方向の伸びと接続導体１５の高さ方向
の伸びをだした伸び（部ち、こｎらの伸びの和）と、絶
縁中継台１４の高さ方向の伸びがほとんど等しくなるよ
うに適当な膨張率を有する物質を組合せることによシ構
成されている。
例えば、半導体ペレット１２にシリコン又はガリウムひ
素を、接続導体１５に金又はアルミニウムを用いた場合
には、絶縁中継台１４の材料として例えば、ホルステラ
イト又はマグネシャ等が使用される。
素を、接続導体１５に金又はアルミニウムを用いた場合
には、絶縁中継台１４の材料として例えば、ホルステラ
イト又はマグネシャ等が使用される。
このように、本発明においては、絶縁中継台１４の材料
として、半導体ペレット１２、接続導体１５とほぼ同様
の膨張率の物質が用いられているので、接続導体１５が
たるむことによって生じる特性劣化の恐れがない。
として、半導体ペレット１２、接続導体１５とほぼ同様
の膨張率の物質が用いられているので、接続導体１５が
たるむことによって生じる特性劣化の恐れがない。
又、本発明による半導体素子が置かれている雰囲気の温
度が下がった場合についても、半導体ペレット１２の高
さ方向の縮みと接続導体１５の高さ方向の縮みをたした
縮み（即ち、これらの縮みの和）と絶縁中継台１４の高
さ方向の縮みがほとんど等しくなるので、第３図の従来
型半導体素子のように接続導体の縮みが半導体素子を構
成している他の物質よりも大きいために半導体ペレット
の電極部に大きな張引力が〃口えられて電極部が損傷し
たり接続導体が断線したりして特性劣化を招くこともな
い。
度が下がった場合についても、半導体ペレット１２の高
さ方向の縮みと接続導体１５の高さ方向の縮みをたした
縮み（即ち、これらの縮みの和）と絶縁中継台１４の高
さ方向の縮みがほとんど等しくなるので、第３図の従来
型半導体素子のように接続導体の縮みが半導体素子を構
成している他の物質よりも大きいために半導体ペレット
の電極部に大きな張引力が〃口えられて電極部が損傷し
たり接続導体が断線したりして特性劣化を招くこともな
い。
第５図は本発明の第２の実施例を示す横断面図でめる。
この第２の実施例においては、半導体ペレット１２と台
座１１との間に導電性の板（例えば金属板あるいはメタ
ライズされた絶縁体など）１７が設けられている。この
場合、絶縁中継台１４′の材質としては、板１７に用い
られる材質によって例えばホルステライト、マグネシャ
、石英、セラミック等の中から適宜の材料が選定されて
使用される。
座１１との間に導電性の板（例えば金属板あるいはメタ
ライズされた絶縁体など）１７が設けられている。この
場合、絶縁中継台１４′の材質としては、板１７に用い
られる材質によって例えばホルステライト、マグネシャ
、石英、セラミック等の中から適宜の材料が選定されて
使用される。
板１７を敷くことにより、半導体素子を構成する物質を
膨張率をも考えあわせて組合せる場合の自由度がふえる
ために、より容易に半導体素子の構成が行なえる。
膨張率をも考えあわせて組合せる場合の自由度がふえる
ために、より容易に半導体素子の構成が行なえる。
第６図は本発明による半導体素子の第３の実施例を示す
横断面図である。この第３の実施例では、絶縁中継台１
４″に絶縁中継台１４゛とは別の膨張係数を有する絶縁
体あるいは４電体１８が、メタライズ面ｔＳａにより接
着されている。このように絶縁中継台を膨張係数の異な
る２種の材料によって構成することにより、膨張率を考
慮して半導体素子を構成する場合にその構成物質の選定
が容易に行なえ自由度がふえるという特徴がある。
横断面図である。この第３の実施例では、絶縁中継台１
４″に絶縁中継台１４゛とは別の膨張係数を有する絶縁
体あるいは４電体１８が、メタライズ面ｔＳａにより接
着されている。このように絶縁中継台を膨張係数の異な
る２種の材料によって構成することにより、膨張率を考
慮して半導体素子を構成する場合にその構成物質の選定
が容易に行なえ自由度がふえるという特徴がある。
以上説明した本実施例においては、絶縁中継台１４の構
成材質としてホルステライト又はマグネシャを用いる場
合について説明したが、同様の特性を有する材料であれ
ば、これら以外にも種々の材質を用い得ることは勿論で
ある。
成材質としてホルステライト又はマグネシャを用いる場
合について説明したが、同様の特性を有する材料であれ
ば、これら以外にも種々の材質を用い得ることは勿論で
ある。
本発明によれば、以上のように、適当な膨張率を有する
物質の組合せで半導体素子を構成することによって、半
導体素子が置かれる雰囲気の温度変化によ多接続導体が
たるんだシ、断線したシ、おるいは半導体ベレットの電
極部に接続導体の張引力が加わることによる半導体ベレ
ットの電極部の損傷等によって生じる半導体素子の特性
劣化が起こらないように、半導体素子の伸び、あるいは
縮みを補償できるという利点がある。
物質の組合せで半導体素子を構成することによって、半
導体素子が置かれる雰囲気の温度変化によ多接続導体が
たるんだシ、断線したシ、おるいは半導体ベレットの電
極部に接続導体の張引力が加わることによる半導体ベレ
ットの電極部の損傷等によって生じる半導体素子の特性
劣化が起こらないように、半導体素子の伸び、あるいは
縮みを補償できるという利点がある。
第１図は従来型半導体の横断面図、第２図は雰囲気の温
度上昇により接続導体が伸びて特性劣化を起こしたこと
を説明するだめの従来型半導体素子の横断面図、第３図
は雰囲気の温度が下がって接続導体が縮んで断線したシ
半導体ベレットの電極部が損傷したシして特性劣化を起
こしたことを説明するだめの従来型半導体素子の横断面
図、第４図は本発明に係る半導体素子の第１の実施例を
示す横断面図、第５図は本発明に係る半導体素子の第２
の実施例を示す横断面図、第６図は本発明に係る半導体
素子の第３の実施例を示す横断面図でおる。 １．１１φ拳・台座、２．１２Φ・・半導体ベレット、
３．１３・・会ベレットの電極部、４．１４．１４’、
１４″・・・絶縁中継台、４ａ ％ １４ａ ％ １８
ａ ・・・絶縁中継台のメタライズ面、５．１５１１
・・接続導体、６．１６・φ・気密封止用キャンプ、１
７・・・導電性の板、１８・−・絶縁体あるいは導電体
筒１ ｎ 策Ｚｒｉ荀。 第３１図１ 第４＠ 第５日 第６目 手続補正書 昭和５８年３月１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第９０００号 ２ 発明の名称 半導体素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区芝五丁目３３番１号名 称 （４２
３）日本電気株式会社 代表者 社長 関 本 忠 弘 ４代理人 住 所 神奈川県座間市栗原２２１５−２２熊谷特許事
務所 ｌ１本願明細書＠３頁第１３行と同第１４行の間に下記
の文章を加入する。 ゛上記目的を達成する為に、本発萌に係る半導体素子は
、台座と、この台座の上面に載置された半導体ベレット
と、このベレットと並んで前記台座に設けられた絶縁中
継台と、この中継台上面のメタライズ向と前記ベレット
の電極との間に接続された接続体と、前記絶縁中継台の
上面に気密封止用キャップとを備えた半導体素子におい
て、前記絶縁中継台と、Ｍｌ記半導体ペレットと、前記
接続導体とを、半導体素子の置かれる雰囲気の温度変化
による前記台座上に設けられた前記絶縁中継台の高さ方
向の伸びあるいは縮みと、前記半導体ベレット及び前記
接続導体の高さ方向の伸びの和あるいは縮みの和がほと
んど等しくなるような膨張率を有する物質を組合せて構
成される。′
度上昇により接続導体が伸びて特性劣化を起こしたこと
を説明するだめの従来型半導体素子の横断面図、第３図
は雰囲気の温度が下がって接続導体が縮んで断線したシ
半導体ベレットの電極部が損傷したシして特性劣化を起
こしたことを説明するだめの従来型半導体素子の横断面
図、第４図は本発明に係る半導体素子の第１の実施例を
示す横断面図、第５図は本発明に係る半導体素子の第２
の実施例を示す横断面図、第６図は本発明に係る半導体
素子の第３の実施例を示す横断面図でおる。 １．１１φ拳・台座、２．１２Φ・・半導体ベレット、
３．１３・・会ベレットの電極部、４．１４．１４’、
１４″・・・絶縁中継台、４ａ ％ １４ａ ％ １８
ａ ・・・絶縁中継台のメタライズ面、５．１５１１
・・接続導体、６．１６・φ・気密封止用キャンプ、１
７・・・導電性の板、１８・−・絶縁体あるいは導電体
筒１ ｎ 策Ｚｒｉ荀。 第３１図１ 第４＠ 第５日 第６目 手続補正書 昭和５８年３月１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第９０００号 ２ 発明の名称 半導体素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区芝五丁目３３番１号名 称 （４２
３）日本電気株式会社 代表者 社長 関 本 忠 弘 ４代理人 住 所 神奈川県座間市栗原２２１５−２２熊谷特許事
務所 ｌ１本願明細書＠３頁第１３行と同第１４行の間に下記
の文章を加入する。 ゛上記目的を達成する為に、本発萌に係る半導体素子は
、台座と、この台座の上面に載置された半導体ベレット
と、このベレットと並んで前記台座に設けられた絶縁中
継台と、この中継台上面のメタライズ向と前記ベレット
の電極との間に接続された接続体と、前記絶縁中継台の
上面に気密封止用キャップとを備えた半導体素子におい
て、前記絶縁中継台と、Ｍｌ記半導体ペレットと、前記
接続導体とを、半導体素子の置かれる雰囲気の温度変化
による前記台座上に設けられた前記絶縁中継台の高さ方
向の伸びあるいは縮みと、前記半導体ベレット及び前記
接続導体の高さ方向の伸びの和あるいは縮みの和がほと
んど等しくなるような膨張率を有する物質を組合せて構
成される。′
Claims (1)
- 台座と、この台座の上面に載置された半導体ベレットと
、このベレットと並んで前記台座に設けられた絶縁中継
台と、この中継台上面のメタライズ面と前記ベレットの
電極との間に接続さ扛た接続体と、前記絶縁中継台の上
面に気密封止用キャップとを備えた半導体素子において
、前記絶縁中継台と、前記半導体ペレットと、前記接続
導体とを、半導体素子の置かれる雰囲気の温度変化によ
る前記台座上に設けられた前記絶縁中継台の高さ方向の
伸びあるいは縮みと、前記半導体ペレット及び前記接続
導体の高さ方向の伸びの和あるいは縮みの和がほとんど
等しくなるような膨張率を有する物質を組合せて構成す
ることを特徴とした半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009000A JPS59134855A (ja) | 1983-01-22 | 1983-01-22 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009000A JPS59134855A (ja) | 1983-01-22 | 1983-01-22 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134855A true JPS59134855A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11708402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58009000A Pending JPS59134855A (ja) | 1983-01-22 | 1983-01-22 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134855A (ja) |
-
1983
- 1983-01-22 JP JP58009000A patent/JPS59134855A/ja active Pending
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