JPS60257548A - 封止用成形材料の製造法 - Google Patents

封止用成形材料の製造法

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JPS60257548A
JPS60257548A JP11413984A JP11413984A JPS60257548A JP S60257548 A JPS60257548 A JP S60257548A JP 11413984 A JP11413984 A JP 11413984A JP 11413984 A JP11413984 A JP 11413984A JP S60257548 A JPS60257548 A JP S60257548A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
molding material
thermosetting resin
degree
kneaded
Prior art date
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Pending
Application number
JP11413984A
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English (en)
Inventor
Kozo Hirokawa
広川 孝三
Etsuji Kubo
久保 悦司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPS60257548A publication Critical patent/JPS60257548A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はrc、トランジスターなど牛4体の封止用成形
材料の製造法に関する。
(従来技術〕 ic、トランジスターlど半導体の樹脂封止方法には量
産、コスト信頼性などケ考慮して、干ヤスティング、ポ
ツティング、トランスファーモールド、ディビイングと
いっ左様Z75法が行わnている。中でも、ノ・イブリ
ットIC,名種モジュールなどには、実装の簡便さから
ボッティング、斤ヤスティングが用いらnている。
この方法に使用される材料の外観は竹状であるが、粉体
を製錠化してこの方法に用いることも可能と考えらnる
。しかし、通常の製造方法による成形材料ではボイドが
多発し耐湿性が低下するという問題がある。
〔発明の目的〕
不発明は封止俊のボイドが低減さnた耐湿性に優nた封
止J+J成形材料全提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
本発明は熱硬化性樹脂成形材料の組成物ケ100〜15
0’Cで力り熱混練し、冷却、粉砕後。
真2 [:l 5 mm l−1g以下の状態で100
0kg/cm”以上に加圧してタブレット化すること七
特徴とする封止用成形材料の製造法に廣する。
熱硬化性樹脂、硬化剤、峻化促進沖」、層色剤、光填剤
などの熱硬化性樹脂成形材料の組成物を 。
予備混合しておき、こ扛葡100〜150℃で刀り熱混
称する。混裡機としては尚読下での7昆練にエリ混融物
かたn落ちるため、その心自己のなイ拙潰器、三本ロー
ル押出機などケ用いるのが好ましい。混練時間は、樹脂
と硬化剤の反応の進行度合(流動性の低下)が最少限で
且つ十分な混練という目的を達するためには3〜60分
行うのが好ましい。この混線物を速やかに冷却後、好ま
しくはQ、 5 mm以下に粉砕する。この粉体葡−足
賃秤量し、そnを真空度15mmHg以下の中で、10
00kg/C[111以上に加圧しタブレット化する。
こうして出来たものは、ボッティングなどの加熱、溶融
、硬化の過程において、従来材で問題であったボイド発
生という欠陥がみらnず表1に示すようにすぐt”L 
7(耐湿性を有する封止用成形材料である。こn2可能
にしたのは、混線温度とタブレット時の真空度及び圧力
′に規定したことによるものである。
尚、ここで使用さnる熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂フェ
ノール倒瓶が用いらnる0また硬化剤としては、無水へ
キサヒドロフタル取、無水ピロメリット酸、無水テトラ
ヒドロフタル(社)、フェ’ −ルWE 脂、ジアミノ
ジフェニルスルホンなどが代表的である。硬化促進剤に
はイミダゾール類が一般的に良好である。着色4Jは必
要に応じて添加する。光横炸ノには結晶性シリカ、溶融
シリカ、アルミナなどが良好な物性を付与するため多く
使用さnる。
以下本発明を実施例、比較例に基いて説明する。
実施例1 タレゾールノボラックエポキシ樹脂(日本化系社製、商
品名EOCN−102) 10 ONN郡部着色剤(ギ
ヤボット社製、部品名カーボンモナーク#800 ) 
0.5重量部を予じめ430〜140℃に加熱しである
捕潰器に姫加浴融した俊に、同程度の温間になっている
充填剤(詑森社製、商品名ヒユーズレックスRD−8)
 20ON量部ケ添加し10〜15分混合する。次に7
エノール樹脂(軟化点9G℃)46M重都2加え10〜
15分間混合した俊に峻化促進網(四国化成社製、商品
名1ミダゾール2MZ )011重部を曜加し、2分間
混合する。この混合物を速やかにステンレスバット等に
J$、!ll出シ冷却する。その俊朋米式粉砕僚などを
用い0.5mm以下に粉砕する。こn’z60G■秤量
し、錠剤器に投入してから真空度8mmHgにて100
0kg/−で刀口圧し、直径7φのタブレットを作る0
こni#ヤビティ8mm角のテンプヤヤリアに/)mm
角のテストチップを実装し、前述のタブレットをのせて
、160℃で刀n熱浴融し、2時間咲化させる。この耐
湿性を衣+に示す。
実施例2 クレゾールノボラソクエボヤシ樹脂(日本化系社製、商
品名EOCN−102)100重量部、着色剤(ギヤボ
ット社製、部品名カーボンモナーク:#800)0.5
重量部葡予じめ160〜140℃にガロ熱しである描潰
器に角≦刀0浴融した佐に、同程興の温度になっている
充填剤(龍蛛社製、商品名ヒユーズレックスRD−8)
 20ON量部ケ硝加し10〜15分混合する。次に無
水テトラヒドロ7タル醒(新日本理工社製、商品名リカ
ジッドTH)55重量部七加え10〜15分間混合した
俊に硬化促進剤(四国化成社製、商品名、イミダゾール
2MZ)0.2重量部を添加し2分間混合する。この混
合’1llle−速やかにステンレスバット等に取り出
し冷却する。その佐朋米式粉砕像などを用い0.5m以
下に粉砕する0こf′I−を500ff1g秤量し、錠
剤器に投入してから、真空度5mJ(gにて1000k
g/an’でガロ圧し、直径7φのタブレットを作る。
Onを実施例1と同様のテソグキャリアにのせ2時間刀
p熱硬化させる。この耐湿性を表1に示す。
坑較例1 クレソ゛−ルノボラノクエボキシ粥月旨(日本化系社製
、商品名EOCN−102)100重重部フェノール樹
脂(軟化点90℃)46M量部硬化促進剤(四国化成社
製、商品名1ミダゾール2MZ)0.1i量部、着色剤
(ヤヤボソト社製商品名カーボンモナーク#800 )
 0.5重重部葡予じめ混合し、こn’x10分間ロー
ル混線(前ロール温度70℃、俊ロール席度90℃)し
、冷却俊、Q、5mm以下に朝来式粉砕機等で粉砕する
0こnf実施例1と同様の方法で耐湿性葡測冗する。結
果を表1に示す。
表1耐湿性 (テスト条件) キャビティ8Inmのチップ干ヤリア[6mm角のシリ
コンチップ(索子機能なし:全lアルミ配線、配線幅1
0μ、配線保護膜なし)を嫁ペーストにてダイボンドし
た俊ワイヤーボ□ ンディングし、こnに前述のタブレット化し1ζ材料ケ
のせ、160℃で加熱電融2時間硬化するこn全ブレラ
シャークツカ−試験(2気圧、121℃の水蒸気中での
劣化試験7行い、アルミ電億の堝食による断lfMk不
良とした0 〔発明の効果〕 本発明にLりすぐnた耐湿性會有する刺止用成形材料が
得らf′した。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 熱硬化性樹脂成形材料の組成物’<100〜15
    0℃で加熱混練し、冷却、粉砕後、真空度15mmHg
    以下の状態で10 Q Qkg/Crrf以上に加圧し
    てタブレット化することに%徴とする封止用成形材料の
    製造法。
JP11413984A 1984-06-04 1984-06-04 封止用成形材料の製造法 Pending JPS60257548A (ja)

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JPS60257548A true JPS60257548A (ja) 1985-12-19

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03211A (ja) * 1989-05-26 1991-01-07 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
EP1498244A1 (en) * 2003-07-17 2005-01-19 Nitto Denko Corporation Method for producing a semiconductor-molding tablet, a semiconductor-molding tablet obtained thereby and a semiconductor device using the same
JP2005048173A (ja) * 2003-07-17 2005-02-24 Nitto Denko Corp 半導体封止用タブレットの製法およびそれにより得られた半導体封止用タブレットならびにそれを用いた半導体装置
JP2005145049A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Samsung Electro Mech Co Ltd 波長変換用モールディング化合物樹脂タブレットの製造方法とこれを利用した白色発光ダイオードの製造方法

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