JPS6025281A - 発光受光素子 - Google Patents
発光受光素子Info
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- JPS6025281A JPS6025281A JP58134105A JP13410583A JPS6025281A JP S6025281 A JPS6025281 A JP S6025281A JP 58134105 A JP58134105 A JP 58134105A JP 13410583 A JP13410583 A JP 13410583A JP S6025281 A JPS6025281 A JP S6025281A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同一チップ上に発光及び受光素子を有する半導
体集子に関するものである。
体集子に関するものである。
一般に、光ファイバを用いた光通信は、発光素子から発
した光を光フアイバ中を伝達させ受光素子上に集光し、
受光させるものである。この光通信において双方向通信
を実現するためにはこのような系が２組必要となるため
、システムの価格が非常に高価となシ、また使用する素
子数が増すため管理調製も多くなる欠点がある。
した光を光フアイバ中を伝達させ受光素子上に集光し、
受光させるものである。この光通信において双方向通信
を実現するためにはこのような系が２組必要となるため
、システムの価格が非常に高価となシ、また使用する素
子数が増すため管理調製も多くなる欠点がある。
本発明の目的は、使用や管理が従来と比べはるかに容易
で安価な双方向通信システムを構成できる発光受光素子
を提供することにある。
で安価な双方向通信システムを構成できる発光受光素子
を提供することにある。
本発明の発光受光素子は、ヘテロ構造を有する面発光素
子部と、この発光素子部の外囲部で発光に寄与しない領
域にその発光素子部とは独立したｐ −ｎ接合を形成し
た受光素子部を有する受光素子部とを備え、前記発光素
子部の活性層と前記受光素子の光吸収層との間に段差を
設けることを特徴とする。
子部と、この発光素子部の外囲部で発光に寄与しない領
域にその発光素子部とは独立したｐ −ｎ接合を形成し
た受光素子部を有する受光素子部とを備え、前記発光素
子部の活性層と前記受光素子の光吸収層との間に段差を
設けることを特徴とする。
本発明の構成によれば、同一チップ上に発光素子及び受
光素子を備えるために、−組の光フアイバ通信系によシ
双方向通信が可能となシ、使用。
光素子を備えるために、−組の光フアイバ通信系によシ
双方向通信が可能となシ、使用。
管理が容易であシ安価な双方向通信システムが実現でき
る。なお、発光部の活性層と受光部の光吸収層の間の段
差は、発光部からの光が受光部にもれて雑音を発生しな
いように設けたものである。
る。なお、発光部の活性層と受光部の光吸収層の間の段
差は、発光部からの光が受光部にもれて雑音を発生しな
いように設けたものである。
両者が同一平面上にあるときには発光部の活性層からの
横方向への光のもれをなくすため遮光部を必要としだが
、本発明においては素子製造の途中に、段差を設けるだ
けで、受光時の雑音を防止することができる。
横方向への光のもれをなくすため遮光部を必要としだが
、本発明においては素子製造の途中に、段差を設けるだ
けで、受光時の雑音を防止することができる。
次に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
断面図である。この実施例は、まず（１００）面を有す
るｎ”ＩｎＰ基板１をフォトリソグラフィによって直径
５０μｍ高さ３μｍの凸部２をエツチングによ多形成す
る（第２図（ａ））。その後連続液相成長法によシ、ｎ
”ＩｎＰ層（不純物浸度ｌＸｌ０”ｃＩＩＬ−”）３を
約４μｍ、ｎＩｎＧａＡｓＰ層（不純物濃度Ｉ Ｘ ｌ
０１７Ｃｎｌ−３、７オドルミビーク波長１．３．
ｆｉ ｍ ）４を約１．５ Ａ ｒｎ 、 ｐ＋ＩｎＧ
ａＡｓＰ層（不純物濃度ｌ ＸＩ Ｑ”Ｃ１１ｎ−３７
＃トルミビーク波長１．３μｍ ） ５を約１μｍ、そ
の上Ｋ ｐ” Ｉ ｎＰｆｆｔ＋ （不純物濃度Ｉ Ｘ
１０ ”ｃｒｒＬ−”） ６を約１μｔｎ成長する（
第２図（ｂ））。その後フォトリングラフィにより、前
記凸部を中心に位置合わせをし、直径３０μｍと６０μ
ｍとの間にリング状にｎ十ＩｎＰ層３に達するまでエツ
チングを行うことにより発光素子部２０と受光素子部３
０とに分離する。その後無反射コート膜７としてＣＶＤ
法による８ｉ０２膜を２２００大形成し、ｐｌｔ［極８
をＴ ｔ／Ｐｔ／Ｃｒ／Ａｕの真空蒸着によ多形成し、
ｎ側電極９をＡｕＧ ｅ／Ａｕの真空蒸着により形成し
、発光受光素子を完成する（第１図）。
るｎ”ＩｎＰ基板１をフォトリソグラフィによって直径
５０μｍ高さ３μｍの凸部２をエツチングによ多形成す
る（第２図（ａ））。その後連続液相成長法によシ、ｎ
”ＩｎＰ層（不純物浸度ｌＸｌ０”ｃＩＩＬ−”）３を
約４μｍ、ｎＩｎＧａＡｓＰ層（不純物濃度Ｉ Ｘ ｌ
０１７Ｃｎｌ−３、７オドルミビーク波長１．３．
ｆｉ ｍ ）４を約１．５ Ａ ｒｎ 、 ｐ＋ＩｎＧ
ａＡｓＰ層（不純物濃度ｌ ＸＩ Ｑ”Ｃ１１ｎ−３７
＃トルミビーク波長１．３μｍ ） ５を約１μｍ、そ
の上Ｋ ｐ” Ｉ ｎＰｆｆｔ＋ （不純物濃度Ｉ Ｘ
１０ ”ｃｒｒＬ−”） ６を約１μｔｎ成長する（
第２図（ｂ））。その後フォトリングラフィにより、前
記凸部を中心に位置合わせをし、直径３０μｍと６０μ
ｍとの間にリング状にｎ十ＩｎＰ層３に達するまでエツ
チングを行うことにより発光素子部２０と受光素子部３
０とに分離する。その後無反射コート膜７としてＣＶＤ
法による８ｉ０２膜を２２００大形成し、ｐｌｔ［極８
をＴ ｔ／Ｐｔ／Ｃｒ／Ａｕの真空蒸着によ多形成し、
ｎ側電極９をＡｕＧ ｅ／Ａｕの真空蒸着により形成し
、発光受光素子を完成する（第１図）。
第３図は第１図の実施例を使用時の状態を模式的に示し
たものである。この素子の発光素子部２０の前面にレン
ズ１０を取りつけ、このレンズ１０とレンズ１１とを調
整して、発光素子部２０からの出力光を平行ビームとし
て光ファイノ（１２に結合させる。また、受光の時は光
ファイバ１２からのビームがレンズ１１によシ受光素子
部３０に集光されるが、この受光素子部にはレンズ１０
が用いられないため完全には集光されずに発光素子部２
０の外周にあるリング状の受光素子部３０に入射され、
これによって双方向通信が実現される。
たものである。この素子の発光素子部２０の前面にレン
ズ１０を取りつけ、このレンズ１０とレンズ１１とを調
整して、発光素子部２０からの出力光を平行ビームとし
て光ファイノ（１２に結合させる。また、受光の時は光
ファイバ１２からのビームがレンズ１１によシ受光素子
部３０に集光されるが、この受光素子部にはレンズ１０
が用いられないため完全には集光されずに発光素子部２
０の外周にあるリング状の受光素子部３０に入射され、
これによって双方向通信が実現される。
ここで発光素子部２０の活性層と受光素子部３０の光吸
収層との間には、ｎ＋ＩｎＰ基板１に設けた凸部の高さ
３μｍによシ段差を形成したが、両者が同一平面上に存
在しなけれはよいものであシ、この段差の形状、大きさ
に制限はない。なお、この実施例ではＩｎＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ系の素子について説明しだが、ＩｎＧａＡｓ＋Ａ
ｌＧａＡｓなどの他の３元、４元の材料を用いてもよい
ことは明白である。
収層との間には、ｎ＋ＩｎＰ基板１に設けた凸部の高さ
３μｍによシ段差を形成したが、両者が同一平面上に存
在しなけれはよいものであシ、この段差の形状、大きさ
に制限はない。なお、この実施例ではＩｎＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ系の素子について説明しだが、ＩｎＧａＡｓ＋Ａ
ｌＧａＡｓなどの他の３元、４元の材料を用いてもよい
ことは明白である。
また、この実施例における素子形状および電極形状もこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図（ａ）。
（ｂ）はこの実施例を製造工程順に示した断面図、第３
図はこの実施例の発光受光素子を用いて双方向通信を行
なうときの一例を示す模式図である。図において、 １・・・・・・ｎ”ＩｎＰ基板、２・・・・・・凸部、
３・・・・・・ｎ”Ｉ ｎ Ｐ層、４− ・・−ｎＩｎ
ＧａＡｓＰ層、５ ”” ｐ”ＩｎＧａＡｓＰ層、６・
・・・・・ｐ”ＩｎＰ層、７・・・・・・無反射コート
膜、８・・・・・・ｐ ｆｉｌ１％、極、９・・・・・
・ｎ側電極、１０，１１・・・・・・レンズ、１２・・
・・・・光ファイバ、２０・・・・・・発光素子部、３
０・・・・・・受光素子部である。 ８３図
図はこの実施例の発光受光素子を用いて双方向通信を行
なうときの一例を示す模式図である。図において、 １・・・・・・ｎ”ＩｎＰ基板、２・・・・・・凸部、
３・・・・・・ｎ”Ｉ ｎ Ｐ層、４− ・・−ｎＩｎ
ＧａＡｓＰ層、５ ”” ｐ”ＩｎＧａＡｓＰ層、６・
・・・・・ｐ”ＩｎＰ層、７・・・・・・無反射コート
膜、８・・・・・・ｐ ｆｉｌ１％、極、９・・・・・
・ｎ側電極、１０，１１・・・・・・レンズ、１２・・
・・・・光ファイバ、２０・・・・・・発光素子部、３
０・・・・・・受光素子部である。 ８３図
Claims (1)
- ヘテロ構造を有する面発光素子部と、この発光素子部の
外囲部で発光に寄与しない領域にその発光素子部とは独
立した’Ｐ−ｎ接合を有する受光素子部とを備え、前記
発光素子部の活性層と前記受光素子部の光吸収層との間
に段差を設けることを特徴とする発光受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134105A JPS6025281A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 発光受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134105A JPS6025281A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 発光受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025281A true JPS6025281A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15120565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134105A Pending JPS6025281A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 発光受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025281A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62199707U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-19 | ||
| EP0551737A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-21 | AT&T Corp. | Vapor deposition process for coating articles of manufacture |
| US8680540B2 (en) | 2003-01-28 | 2014-03-25 | Sony Corporation | Optical semiconductor apparatus having a bidirectional communication system employing a single-core optical fiber |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58134105A patent/JPS6025281A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62199707U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-19 | ||
| JPH0532804Y2 (ja) * | 1986-06-06 | 1993-08-23 | ||
| EP0551737A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-21 | AT&T Corp. | Vapor deposition process for coating articles of manufacture |
| US8680540B2 (en) | 2003-01-28 | 2014-03-25 | Sony Corporation | Optical semiconductor apparatus having a bidirectional communication system employing a single-core optical fiber |
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