JPS6025092A - バブルメモリデバイスの製造方法 - Google Patents
バブルメモリデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS6025092A JPS6025092A JP58133750A JP13375083A JPS6025092A JP S6025092 A JPS6025092 A JP S6025092A JP 58133750 A JP58133750 A JP 58133750A JP 13375083 A JP13375083 A JP 13375083A JP S6025092 A JPS6025092 A JP S6025092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble memory
- coil
- demagnetizing
- magnet
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分ｍｆ
本発明はバブルメモリデバイスに収容されたバイアス磁
界印加用永久磁石の減磁方法に関する。
界印加用永久磁石の減磁方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
記憶密度が高く不（１１（発性であり、機械的可動部分
を含まない等の利点を有するバブルメモリデバイスは、
バブルメモリチップをセラミックス等にてなる基板に搭
載し、該基板は磁気バブルに水平（Ｘ−Ｙ平面）な回転
磁界を印加する１対の駆動コイル（ＸコイルとＹコイル
）と、チップの垂直方向にバイアス磁界を印加する永久
磁石等とともに、複数本のリード端子を導出させた絶縁
体及びシールドケースにてなるパッケージに収容されて
いる。
を含まない等の利点を有するバブルメモリデバイスは、
バブルメモリチップをセラミックス等にてなる基板に搭
載し、該基板は磁気バブルに水平（Ｘ−Ｙ平面）な回転
磁界を印加する１対の駆動コイル（ＸコイルとＹコイル
）と、チップの垂直方向にバイアス磁界を印加する永久
磁石等とともに、複数本のリード端子を導出させた絶縁
体及びシールドケースにてなるパッケージに収容されて
いる。
このように構成されたバブルメモリデバイスにおいて、
チップを挾むように配設された１対の前記永久磁石は、
飽和値に着磁したものを所望値上ＬＯｅ以下に減磁して
用いられる。
チップを挾むように配設された１対の前記永久磁石は、
飽和値に着磁したものを所望値上ＬＯｅ以下に減磁して
用いられる。
（ｃ） 従来技術と問題点
しかし、前記シールドケースの外側から行われる前記減
磁プロセス用のマグネットは、一般に２Ａの電流を流し
たとき約ｚｏｏｏｏｅの磁界が形成さ゛れる如きもので
あり、シールドケースに囲われたバブルメモリデバイス
内の減ｔａｈ界は２〜３０ｅ程度ばらつき、１０ｅ以下
の粘度で調整することが困難である。
磁プロセス用のマグネットは、一般に２Ａの電流を流し
たとき約ｚｏｏｏｏｅの磁界が形成さ゛れる如きもので
あり、シールドケースに囲われたバブルメモリデバイス
内の減ｔａｈ界は２〜３０ｅ程度ばらつき、１０ｅ以下
の粘度で調整することが困難である。
そこで、かかる減磁に適当な高鞘度減磁器を準備すると
、それは電源等のシステムに相当な精度が要求されて大
損りな構成となり不経済である。
、それは電源等のシステムに相当な精度が要求されて大
損りな構成となり不経済である。
そのため、従来の減磁方法は減磁器の減磁界を同一値に
繰返して設定したとき、前記永久磁石の磁気量が微小に
低下するこさを利用している０（ｄ） 発明の目的 本発明の目的は、従来の減磁器を使用し、かつ前記繰返
しの煩られしさを無くして作業能率を向上させることで
ある。
繰返して設定したとき、前記永久磁石の磁気量が微小に
低下するこさを利用している０（ｄ） 発明の目的 本発明の目的は、従来の減磁器を使用し、かつ前記繰返
しの煩られしさを無くして作業能率を向上させることで
ある。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は、バブルメモリチップに垂直な磁界を印加す
るイニシャルコイルと減磁用マグネットとを併用し、バ
ブルメモリデバイスに収容されたバイアス磁界印加用永
久磁石の磁気量を飽和値から所望値に減磁することを特
徴とするバブルメモリデバイスの製造方法により達成さ
れる。
るイニシャルコイルと減磁用マグネットとを併用し、バ
ブルメモリデバイスに収容されたバイアス磁界印加用永
久磁石の磁気量を飽和値から所望値に減磁することを特
徴とするバブルメモリデバイスの製造方法により達成さ
れる。
（ｆ） 発明の実桶例
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明するＯｇｔ図は
イニ／ヤルコイルを内蔵したバブルメモリデバイスの内
部構成を示す概略側断面図、第２図は１ｊ口記バイアス
のシールドケースと永久磁石を取除いた平山１図、第３
図は前記デバイスの製造界を説明するための図である。
イニ／ヤルコイルを内蔵したバブルメモリデバイスの内
部構成を示す概略側断面図、第２図は１ｊ口記バイアス
のシールドケースと永久磁石を取除いた平山１図、第３
図は前記デバイスの製造界を説明するための図である。
第１図において、デバイス１はバブルメモリチップ２を
セラミックス基板３の上面中央部に搭載し、チップ２を
囲ように駆動用Ｘコイル４２Ｙコイル５が基板３に嵌挿
されている。そして基板３を囲うように、磁気バブルの
イレーズ用イニソヤルコイル６を収容し、それら及びチ
ップ２の上下方向に対向する１対の永久磁石７はシール
ドケース８に囲われている。なお、イニシャルコイル６
に電流を流したとき形成される磁界、及び１対の永久磁
石７の磁界はチップ２に垂直であり、第２図に示す如く
平面視ヨ字形状の基板３に搭載されたチップ２は、コイ
ル４と５が交差する中ノし部に位置されている。
セラミックス基板３の上面中央部に搭載し、チップ２を
囲ように駆動用Ｘコイル４２Ｙコイル５が基板３に嵌挿
されている。そして基板３を囲うように、磁気バブルの
イレーズ用イニソヤルコイル６を収容し、それら及びチ
ップ２の上下方向に対向する１対の永久磁石７はシール
ドケース８に囲われている。なお、イニシャルコイル６
に電流を流したとき形成される磁界、及び１対の永久磁
石７の磁界はチップ２に垂直であり、第２図に示す如く
平面視ヨ字形状の基板３に搭載されたチップ２は、コイ
ル４と５が交差する中ノし部に位置されている。
第３図において、１１は減磁器の減磁用マグネットであ
り、デバイス１は１対のマグネット１［が対向する中央
に保持され、マグネッ）１１に電流を流して発生する磁
界Ｈａはデバイス１に収容されたチップ２の垂直方向で
ある０そこで、イニシャルコイル６に適当な電流を流し
その磁界ｆ（ｂを磁界Ｈａ と反対方向に印加させると
、永久磁石７には１−Ｌａ’−Ｈｂ ｌｉｌ＋Ｒｆａ磁
界Ｈｃが印加されることになる。
り、デバイス１は１対のマグネット１［が対向する中央
に保持され、マグネッ）１１に電流を流して発生する磁
界Ｈａはデバイス１に収容されたチップ２の垂直方向で
ある０そこで、イニシャルコイル６に適当な電流を流し
その磁界ｆ（ｂを磁界Ｈａ と反対方向に印加させると
、永久磁石７には１−Ｌａ’−Ｈｂ ｌｉｌ＋Ｒｆａ磁
界Ｈｃが印加されることになる。
このような磁界１（ａ 、Ｈｂ ＋ Ｈｃにおいて、マ
グネット１１にＩへ〇’）’電流を流して発生する磁界
）１ａがＬＯＯＯＯｅ程度であるのに対し、イニシャル
コイル６にＩＡ（１１′＞電流をＤ！ して発生する磁
界ｕｂは数ＬＯＯｅＷ度であり、マイコン等により制御
された磁界Ｈａの最小刻みが例えば１００ｅであっても
、磁界Ｈｂを利用することによって磁界ＨＣをＩＯｅ以
下の刻みに設定することができる０ なお、バブルメモリデバイスにはイニシャルコイＩしを
内蔵したものと、必要時にイニシャルコイルを挿入する
ものがあり、図示実施例ではイニシャルコイル内俄形に
ついて貌、明した。しかし１本発明は図示実施例に限定
されず、イニノヤルコイル挿入形デバイスについても全
く同様に適用することができる０また、図示実施例にお
いて磁界出が磁界Ｈａと反対方向であるが、磁界Ｈａと
Ｈｂを同方向とし、減磁磁界ＨｄをＨａ 十Ｈｂにして
も同様な効果が得られることを付記する◎ （ｇ） 発明の詳細 な説明した如く本発明によれば、バブルメモリデバイス
に収容されたバイアス磁界印加用永久磁石を所望の磁気
量に調整設定するのに際して。
グネット１１にＩへ〇’）’電流を流して発生する磁界
）１ａがＬＯＯＯＯｅ程度であるのに対し、イニシャル
コイル６にＩＡ（１１′＞電流をＤ！ して発生する磁
界ｕｂは数ＬＯＯｅＷ度であり、マイコン等により制御
された磁界Ｈａの最小刻みが例えば１００ｅであっても
、磁界Ｈｂを利用することによって磁界ＨＣをＩＯｅ以
下の刻みに設定することができる０ なお、バブルメモリデバイスにはイニシャルコイＩしを
内蔵したものと、必要時にイニシャルコイルを挿入する
ものがあり、図示実施例ではイニシャルコイル内俄形に
ついて貌、明した。しかし１本発明は図示実施例に限定
されず、イニノヤルコイル挿入形デバイスについても全
く同様に適用することができる０また、図示実施例にお
いて磁界出が磁界Ｈａと反対方向であるが、磁界Ｈａと
Ｈｂを同方向とし、減磁磁界ＨｄをＨａ 十Ｈｂにして
も同様な効果が得られることを付記する◎ （ｇ） 発明の詳細 な説明した如く本発明によれば、バブルメモリデバイス
に収容されたバイアス磁界印加用永久磁石を所望の磁気
量に調整設定するのに際して。
従来の一般的構成になる減磁器を使用し、さらにイニ／
ヤルコイルを利用することにより減磁磁界の微調整を実
現した０そのため、永久磁石の磁気量を所望値にするこ
とが、容易かつ高精度化し得た効果は極めて太きい０
ヤルコイルを利用することにより減磁磁界の微調整を実
現した０そのため、永久磁石の磁気量を所望値にするこ
とが、容易かつ高精度化し得た効果は極めて太きい０
第１図はイニシャルコイル内蔵形バブルメモリデバイス
の内部構成を示す概略側断面図、第２図は前記デバイス
のシールドケースと永久磁石を除いた平面図、第３図は
前記デバイスの製造に本発明方法を適用した一実施例に
係わる減磁磁界を説明するための図である。 図中において、１はバブルメモリデバイス、２はバブル
メモリチップ、６はイニシャルコイル。 ７は永久磁石、１１は減１必用マグネットを示す。
の内部構成を示す概略側断面図、第２図は前記デバイス
のシールドケースと永久磁石を除いた平面図、第３図は
前記デバイスの製造に本発明方法を適用した一実施例に
係わる減磁磁界を説明するための図である。 図中において、１はバブルメモリデバイス、２はバブル
メモリチップ、６はイニシャルコイル。 ７は永久磁石、１１は減１必用マグネットを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バブルメモリチップに垂直な磁界を印加するイニシャル
コイルと減磁用マグネットとを併用し。 バブルメモリデバイスに収容されたバイアス磁界印加用
永久磁石の磁気量を飽和値から所望ｊｉｆｉ、に減磁す
ることを特徴とするバブルメモリデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133750A JPS6025092A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | バブルメモリデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133750A JPS6025092A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | バブルメモリデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025092A true JPS6025092A (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15112057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58133750A Pending JPS6025092A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | バブルメモリデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025092A (ja) |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58133750A patent/JPS6025092A/ja active Pending
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