JPS62143282A - 磁気バブルメモリの製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリの製造方法Info
- Publication number
- JPS62143282A JPS62143282A JP21957686A JP21957686A JPS62143282A JP S62143282 A JPS62143282 A JP S62143282A JP 21957686 A JP21957686 A JP 21957686A JP 21957686 A JP21957686 A JP 21957686A JP S62143282 A JPS62143282 A JP S62143282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble memory
- lead frame
- coil
- bias
- bias coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバブルメモリデバイス、特にマージン８１！Ｉ
定のためにバイアス磁界を可変させるバイアスコイルを
備えたバブルメモリデバイスに関するものである。
定のためにバイアス磁界を可変させるバイアスコイルを
備えたバブルメモリデバイスに関するものである。
一般にバブルメモリデバイスは第１図に示すような構造
よりなる。すなわち、ガーネットなどの非磁性基板上に
液晶エピタキシャル成長法などによって形成された磁性
薄膜とこの磁性薄膜上に形成された軟磁性材および導電
材のバタンとからなるバブルメモリチップ１は、第２図
に示すように絶縁基板２の中央凹部に固定され、チップ
１からの配線は絶縁基板２のピン穴２ａに接続されてい
る。またチップ１が固定された絶縁基板２の外側面には
、チップ１に水平な回転磁界を供給するために、第３図
に示すようにＹ軸方向にＹ方向駆動コイル３を巻回し、
更にこれに直交してＸ軸方向にＸ方向駆動コイル４を巻
回してなる。このようにコイルブロック３．４が巻回さ
れた絶縁基板２は、第４図に示すようなリードフレーム
５に固定されている。このリードフレーム５はチップ１
と外部回路との間を電気的に接続する信号伝搬用で。
よりなる。すなわち、ガーネットなどの非磁性基板上に
液晶エピタキシャル成長法などによって形成された磁性
薄膜とこの磁性薄膜上に形成された軟磁性材および導電
材のバタンとからなるバブルメモリチップ１は、第２図
に示すように絶縁基板２の中央凹部に固定され、チップ
１からの配線は絶縁基板２のピン穴２ａに接続されてい
る。またチップ１が固定された絶縁基板２の外側面には
、チップ１に水平な回転磁界を供給するために、第３図
に示すようにＹ軸方向にＹ方向駆動コイル３を巻回し、
更にこれに直交してＸ軸方向にＸ方向駆動コイル４を巻
回してなる。このようにコイルブロック３．４が巻回さ
れた絶縁基板２は、第４図に示すようなリードフレーム
５に固定されている。このリードフレーム５はチップ１
と外部回路との間を電気的に接続する信号伝搬用で。
リードフレーム５のリード５ａの立上り接続部５ｂを絶
縁基板２のピン穴２ａに挿入して半田などで固定される
。このようにリードフレーム５が取付けられた絶縁Ｌｔ
板２は第１図に示すようにモールト６が施されてモール
ドデバイス７が形成される。またモールドデバイス７の
上下面には前記チップ１に均一なバイアス磁界を与える
平板状の永久磁石８ａ、８ｂが整磁板９ａ、９ｂを介し
て配置され、更に永久磁石８ａ、８ｂの外面側がパーマ
ロイなどの高透磁率磁性材料よりなるシールドケース１
０内に嵌入されてバブルメモリデバイスが構成されてい
る。そして、前記整磁板９ａ、９ｂの対向面間には、永
久磁石８ａ、８ｂによってバフルを安定に動作させるた
めに必要なバイアス静磁界が発生する。
縁基板２のピン穴２ａに挿入して半田などで固定される
。このようにリードフレーム５が取付けられた絶縁Ｌｔ
板２は第１図に示すようにモールト６が施されてモール
ドデバイス７が形成される。またモールドデバイス７の
上下面には前記チップ１に均一なバイアス磁界を与える
平板状の永久磁石８ａ、８ｂが整磁板９ａ、９ｂを介し
て配置され、更に永久磁石８ａ、８ｂの外面側がパーマ
ロイなどの高透磁率磁性材料よりなるシールドケース１
０内に嵌入されてバブルメモリデバイスが構成されてい
る。そして、前記整磁板９ａ、９ｂの対向面間には、永
久磁石８ａ、８ｂによってバフルを安定に動作させるた
めに必要なバイアス静磁界が発生する。
かかるバブルメモリデバイスのマージンは、一般に前記
バイアス磁界を縦軸にとり、他のパラメータを横軸にと
って表わされる。従って、マージン測定のためには前記
バイアス磁界を可変にして調査する必要がある。このバ
イアス磁界を可変にするためにバイアスコイルが用いら
れる。
バイアス磁界を縦軸にとり、他のパラメータを横軸にと
って表わされる。従って、マージン測定のためには前記
バイアス磁界を可変にして調査する必要がある。このバ
イアス磁界を可変にするためにバイアスコイルが用いら
れる。
なお、リードフレームを用いた磁気バブルメモリのパッ
ケージは特開昭５３−７８１３０号公報で知られている
が、その公報にバイアスコイルの取付けについては記載
がない。
ケージは特開昭５３−７８１３０号公報で知られている
が、その公報にバイアスコイルの取付けについては記載
がない。
従来、前記マージン測定は、第１図に示すようにシール
ドケース１０の側面にコイル１１を巻設し、このコイル
１１に直流電流を流しバイアス磁界を変化させて行って
いる（例えば特開昭５４−５．３３４号公報）。しかし
ながら、この方法は一々コイル１１を取付け、取外しな
ければならなく、またその取扱いが困難であり、準備作
業に多大な時間を要する欠点があった。
ドケース１０の側面にコイル１１を巻設し、このコイル
１１に直流電流を流しバイアス磁界を変化させて行って
いる（例えば特開昭５４−５．３３４号公報）。しかし
ながら、この方法は一々コイル１１を取付け、取外しな
ければならなく、またその取扱いが困難であり、準備作
業に多大な時間を要する欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたもので、バ
ブルメモリデバイスのマージン測定上および製作工程に
おける取扱いが容易なバブルメモリデバイスを提供する
ことを目的とする。
ブルメモリデバイスのマージン測定上および製作工程に
おける取扱いが容易なバブルメモリデバイスを提供する
ことを目的とする。
本発明の実施例によれば、外部接続リードとバイアスコ
イル支持用の部材とを一体に形成したリードフレームを
用いて樹脂封止する方法が提供される。
イル支持用の部材とを一体に形成したリードフレームを
用いて樹脂封止する方法が提供される。
バイアスコイルの位置決めが精度良く行なうことができ
る。
る。
［実施例〕
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第５図は本発明になるバブルメモリデバイスの一実施例
を示すモールド前の正面図および側面図、第６図は第５
図のリードフレームの斜視図、第７図はモールドデバイ
スの斜視図、第８図はバブルメモリデバイスの完成図、
第９図は第８図に示すバブルメモリデバイスの拡大断面
図である。なお、第１図乃至第４図と同じまたは相当部
材には同一符号を付しその説明を省略する。
を示すモールド前の正面図および側面図、第６図は第５
図のリードフレームの斜視図、第７図はモールドデバイ
スの斜視図、第８図はバブルメモリデバイスの完成図、
第９図は第８図に示すバブルメモリデバイスの拡大断面
図である。なお、第１図乃至第４図と同じまたは相当部
材には同一符号を付しその説明を省略する。
第６図に示すようにリードフレーム５には、リード５ａ
が形成されていない内側部に下方に折曲げられたバイア
スコイル取付は部５ｃが形成されている。このリードフ
レーム５のリード５ａの立上り接続部５ｂは、第３図に
示すようなコイルブロック３．４が巻回された絶縁基板
２のピン穴２ａに挿入され、第５図に示すように従来と
同様に半田などで固定されている。本発明は第５図に示
すようにリードフレーム５のバイアスコイル取付部５ｃ
にバイアスコイル１２を固定したことを一つの特徴とす
る。そして、バイアスコイル１１の端子はリードフレー
ム５のリード５ａに接続する。
が形成されていない内側部に下方に折曲げられたバイア
スコイル取付は部５ｃが形成されている。このリードフ
レーム５のリード５ａの立上り接続部５ｂは、第３図に
示すようなコイルブロック３．４が巻回された絶縁基板
２のピン穴２ａに挿入され、第５図に示すように従来と
同様に半田などで固定されている。本発明は第５図に示
すようにリードフレーム５のバイアスコイル取付部５ｃ
にバイアスコイル１２を固定したことを一つの特徴とす
る。そして、バイアスコイル１１の端子はリードフレー
ム５のリード５ａに接続する。
これにより、該リード５ａに電流を流すことによりバイ
アス磁界を可変できるようになる。また、バブルメモリ
の使用時にこのバイアスコイルに大きい電流を流すこと
により、一度にバブルメモリの記憶情報をクリア（消去
）することもできる。
アス磁界を可変できるようになる。また、バブルメモリ
の使用時にこのバイアスコイルに大きい電流を流すこと
により、一度にバブルメモリの記憶情報をクリア（消去
）することもできる。
次に第５図のように組立られた組立体のコイルブロック
３．４およびバイアスコイル１２を包むようにモールド
６を施して第７図、第９図に示すようにモールドデバイ
ス７を形成する。この時、モールドデバイス７の上下面
には整磁板９ａ、９ｂおよび永久磁石８ａ、８ｂを配置
するための凹部を形成する。そして、モールドデバイス
７の上下面の凹部に整磁板９ａ、９ｂおよび永久磁石８
ａ、８ｂを配置し、シールドケース１０内に嵌入して第
８図、第９図に示すようにバブルメモリデバイスを完成
する。これにより、バイアスコイル１２はネ：多磁板９
ｂの周囲に配設される。なお、樹脂モールド後、リード
フレームの不要部分は勿論除去される。
３．４およびバイアスコイル１２を包むようにモールド
６を施して第７図、第９図に示すようにモールドデバイ
ス７を形成する。この時、モールドデバイス７の上下面
には整磁板９ａ、９ｂおよび永久磁石８ａ、８ｂを配置
するための凹部を形成する。そして、モールドデバイス
７の上下面の凹部に整磁板９ａ、９ｂおよび永久磁石８
ａ、８ｂを配置し、シールドケース１０内に嵌入して第
８図、第９図に示すようにバブルメモリデバイスを完成
する。これにより、バイアスコイル１２はネ：多磁板９
ｂの周囲に配設される。なお、樹脂モールド後、リード
フレームの不要部分は勿論除去される。
以上の説明から明らかな如く、本発明になるバブルメモ
リデバイスによれば、バイアスコイルはリードフレーム
に取付けてなるので、寸法精度は±Ｏ，１ｍｍと非常に
向上し、取付は位置は安定する。
リデバイスによれば、バイアスコイルはリードフレーム
に取付けてなるので、寸法精度は±Ｏ，１ｍｍと非常に
向上し、取付は位置は安定する。
第１図は従来のバブルメモリデバイスの断面図、第２図
はバブルメモリチップが固定された絶Ｍ Ｊ、ｌｉ板の
正面図、第３図はコイルブロックを巻回した絶縁基板の
正面図、第４図は従来のリードフレームの斜視図、第５
図は本発明になるバブルメモリデバイスの一実施例を示
すモールド前の正面図および側面図、第６図は第５図の
リードフレームの斜視図、第７図はモールドデバイスの
斜視図、第８図はバブルメモリデバイスの完成図、第９
図は第８図に示すバブルメモリデバイスの拡大断面図で
ある。 １・・・バブルメモリデバイス、２・・・絶縁基板、３
・・・Ｘ方向駆動コイル、４・・・Ｙ方向駆動コイル、
５・・・リードフレーム、５ａ・・・リード、５ｂ・・
・立上り接続部、５ｃ・・・バイアスコイル取付は部、
６・・・モールド、７・・・モールドデバイス、８ａ、
８ｂ・・・永久磁石、９ａ、９ｂ・・・整磁板、１０・
・・シール笥 １ 図 第２ 図 ＠３ 図 ＠ ４ 図 ＠ ５ 図 ′１／− −〇 Ｃ ｔ Ｚ 図 第 ８ 図
はバブルメモリチップが固定された絶Ｍ Ｊ、ｌｉ板の
正面図、第３図はコイルブロックを巻回した絶縁基板の
正面図、第４図は従来のリードフレームの斜視図、第５
図は本発明になるバブルメモリデバイスの一実施例を示
すモールド前の正面図および側面図、第６図は第５図の
リードフレームの斜視図、第７図はモールドデバイスの
斜視図、第８図はバブルメモリデバイスの完成図、第９
図は第８図に示すバブルメモリデバイスの拡大断面図で
ある。 １・・・バブルメモリデバイス、２・・・絶縁基板、３
・・・Ｘ方向駆動コイル、４・・・Ｙ方向駆動コイル、
５・・・リードフレーム、５ａ・・・リード、５ｂ・・
・立上り接続部、５ｃ・・・バイアスコイル取付は部、
６・・・モールド、７・・・モールドデバイス、８ａ、
８ｂ・・・永久磁石、９ａ、９ｂ・・・整磁板、１０・
・・シール笥 １ 図 第２ 図 ＠３ 図 ＠ ４ 図 ＠ ５ 図 ′１／− −〇 Ｃ ｔ Ｚ 図 第 ８ 図
Claims (1)
- １、磁気バブルメモリチップと外部との電気的接続を行
なうための複数のリードと、上記チップにバイアス磁界
を供給することのできるバイアスコイルを取付けるため
の支持部とを一体に形成したリードフレームを準備し、
上記チップ、上記バイアスコイルおよび上記リードフレ
ームの一部を一緒に樹脂カプセルで封止することを特徴
とする磁気バブルメモリの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21957686A JPS62143282A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気バブルメモリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21957686A JPS62143282A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気バブルメモリの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15207879A Division JPS5677971A (en) | 1979-11-26 | 1979-11-26 | Bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143282A true JPS62143282A (ja) | 1987-06-26 |
| JPS6316839B2 JPS6316839B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16737686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21957686A Granted JPS62143282A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気バブルメモリの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143282A (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21957686A patent/JPS62143282A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316839B2 (ja) | 1988-04-11 |
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