JPS60245798A - パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 - Google Patents
パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法Info
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- JPS60245798A JPS60245798A JP59101676A JP10167684A JPS60245798A JP S60245798 A JPS60245798 A JP S60245798A JP 59101676 A JP59101676 A JP 59101676A JP 10167684 A JP10167684 A JP 10167684A JP S60245798 A JPS60245798 A JP S60245798A
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、改良された導電性フィルム及びその製造方法
に関する。
に関する。
近年、液晶表示をはじめとしたテイジタル表示装置や、
タッチベン方式の手書き入力装置、ファクシミリ装置等
の急激な需要の増加がみられる。これらの宅内装置の入
出力部品のコネクター、例えば液晶表示装置やエレクト
ロクロミンク表示装置の電極取出部の接続、タン）ペン
の入力、ファクシミリにおけるイメージセンサの出力取
出し等に任意のバタン状に高導電性を有する安価なフィ
ルムが要求されている。
タッチベン方式の手書き入力装置、ファクシミリ装置等
の急激な需要の増加がみられる。これらの宅内装置の入
出力部品のコネクター、例えば液晶表示装置やエレクト
ロクロミンク表示装置の電極取出部の接続、タン）ペン
の入力、ファクシミリにおけるイメージセンサの出力取
出し等に任意のバタン状に高導電性を有する安価なフィ
ルムが要求されている。
また、膜厚方向にのみ導電性を有するフィルム、あるい
は１次元方向にのみ導電性を有するフィルム等の導電性
に異方性を有するフィルムを安価に製造できると、今後
各種の新しい用途が期待できる。
は１次元方向にのみ導電性を有するフィルム等の導電性
に異方性を有するフィルムを安価に製造できると、今後
各種の新しい用途が期待できる。
従来、導電性の高分子フィルムとしては、各種の熱可塑
性樹脂に導電性光てん剤を混入し、それを成形してフィ
ルム化したもの、及び高分子フィルムの表面に導電性の
材料を蒸着、スプレー塗布、又はメッキしたもの等が使
用されてきた。そして、これらいずれのフイ、ルムでも
、均一な導電性のフィルムを得ることは容易であるが、
所望のバタン状にのみ導電性を付与したフィルムを得る
には、フィルムに何らかのバタン形成工程を施す必要が
ある。
性樹脂に導電性光てん剤を混入し、それを成形してフィ
ルム化したもの、及び高分子フィルムの表面に導電性の
材料を蒸着、スプレー塗布、又はメッキしたもの等が使
用されてきた。そして、これらいずれのフイ、ルムでも
、均一な導電性のフィルムを得ることは容易であるが、
所望のバタン状にのみ導電性を付与したフィルムを得る
には、フィルムに何らかのバタン形成工程を施す必要が
ある。
他方、このような金属やカーボンとの複合系とは異なり
、高分子材自体が導電性を有する導電性高分子材が、そ
の高い導電性から注目を浴びている。しかし、これらの
材料でもバタン状に導電性を付与することは困難である
。
、高分子材自体が導電性を有する導電性高分子材が、そ
の高い導電性から注目を浴びている。しかし、これらの
材料でもバタン状に導電性を付与することは困難である
。
本発明の目的は、所望のバタン形状に導電性部分をもつ
フィルム及びその製造方法を提供することにある。
フィルム及びその製造方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はバタン状に
導電性を有するフィルムに関する発明であって、所望の
バタン形状に導電性部位を有する電極上に形成した高分
子フィルムと、該高分子フィルム付電極上での電解メッ
キにより形成した金属材とを包含することを特徴とする
。
導電性を有するフィルムに関する発明であって、所望の
バタン形状に導電性部位を有する電極上に形成した高分
子フィルムと、該高分子フィルム付電極上での電解メッ
キにより形成した金属材とを包含することを特徴とする
。
また、本発明の第２の発明は、上記フィルムの製造方法
に関する発明であって、所望のバタン形状に導電性部位
を有する電極上に高分子フイムを形成する工程、及び該
高分子フィルム付電極上で電解メッキにより金属材を形
成する工程の各工程を包含する、ことを特徴とする。
に関する発明であって、所望のバタン形状に導電性部位
を有する電極上に高分子フイムを形成する工程、及び該
高分子フィルム付電極上で電解メッキにより金属材を形
成する工程の各工程を包含する、ことを特徴とする。
更に、本発明の第３の発明は、他のバタン状に導電性を
有するフィルムに関する発明であって、所望′のバタン
形状に導電性部位を有する電極上に形成した高分子フィ
ルムと、該高分子フィルム付電極上での芳香族化合物の
電解重合によって形成した芳香族高分子材とを包含する
ことを特徴とする。
有するフィルムに関する発明であって、所望′のバタン
形状に導電性部位を有する電極上に形成した高分子フィ
ルムと、該高分子フィルム付電極上での芳香族化合物の
電解重合によって形成した芳香族高分子材とを包含する
ことを特徴とする。
更にまた、本発明の第４の発明は、上記第６の発明のフ
ィルムの製造方法に関する発明であって、所望のバタン
形状に導電性部位を有する電極上に高分子フィルムを形
成する工程、及び該高分子フィルム付電極上で芳香族化
合物の電解重合により芳香族高分子材を形成する工程の
各工程を包含することを特徴とする。
ィルムの製造方法に関する発明であって、所望のバタン
形状に導電性部位を有する電極上に高分子フィルムを形
成する工程、及び該高分子フィルム付電極上で芳香族化
合物の電解重合により芳香族高分子材を形成する工程の
各工程を包含することを特徴とする。
金属の電解メッキや、芳香族化合物の電解重合を用いる
ことにより、電極上に導電性の金属箔や、導電性高分子
フィルムを得ることができることは良く知られている。
ことにより、電極上に導電性の金属箔や、導電性高分子
フィルムを得ることができることは良く知られている。
その際、電極表面を、何らかの手段により、所望のバタ
ン状に導電部と絶縁部を設け、このような電極を用いて
金属材の電解メッキや、芳香族化合物の電解重合を行う
と、導電性のバタン部にのみ金属箔や導電性高分子フィ
ルムを形成できる。しかし、この方法では、得られた金
属箔や導電性高分子フィルムを電極より単離することが
困難で、特に、孤立した導電部や、細線部では全くフィ
ルムとして単離することが不可能である。
ン状に導電部と絶縁部を設け、このような電極を用いて
金属材の電解メッキや、芳香族化合物の電解重合を行う
と、導電性のバタン部にのみ金属箔や導電性高分子フィ
ルムを形成できる。しかし、この方法では、得られた金
属箔や導電性高分子フィルムを電極より単離することが
困難で、特に、孤立した導電部や、細線部では全くフィ
ルムとして単離することが不可能である。
しかしながら本発明者等は電解メッキや電解酸化重合を
行う際に電極上に熱可塑性の高分子フィルムをコートし
ておくと電極表面が絶縁化されているにもかかわらず、
適切な反応条件下では電解メッキや電解酸化重合が進行
することを見出した。このようにして得られたフィルム
は絶縁性の高分子フィルム中に電解メッキにより生成し
た金属材、あるいは電解重合により生成した導電性高分
子材が分散されており、フィルム全体あるいはフィルム
の片面のみを導電性にする。
行う際に電極上に熱可塑性の高分子フィルムをコートし
ておくと電極表面が絶縁化されているにもかかわらず、
適切な反応条件下では電解メッキや電解酸化重合が進行
することを見出した。このようにして得られたフィルム
は絶縁性の高分子フィルム中に電解メッキにより生成し
た金属材、あるいは電解重合により生成した導電性高分
子材が分散されており、フィルム全体あるいはフィルム
の片面のみを導電性にする。
この方法で導電性のフィルムを得る際に、電極に前記の
ようなバタン状の導電部と絶縁部を設けておくと、電極
の導電部に接した部分の絶縁性高分子フィルム部が導電
化され、電極の絶縁部に接した部分の絶縁性高分子フィ
ルム部は絶縁性のままに保たれる。
ようなバタン状の導電部と絶縁部を設けておくと、電極
の導電部に接した部分の絶縁性高分子フィルム部が導電
化され、電極の絶縁部に接した部分の絶縁性高分子フィ
ルム部は絶縁性のままに保たれる。
このようにすると、フィルムは全体として電極から単離
することが容易である。一旦電極表面にバタンを形成し
てしまえば、フィルムをはがして、繰返し使用すること
ができる。更には電極をドラム状にすることにより連続
的にバタン状の導電性フィルムを得ることができフィル
ム価格を安くできる。
することが容易である。一旦電極表面にバタンを形成し
てしまえば、フィルムをはがして、繰返し使用すること
ができる。更には電極をドラム状にすることにより連続
的にバタン状の導電性フィルムを得ることができフィル
ム価格を安くできる。
また、絶縁性フィルムを塗布した電極上での電解メッキ
や芳香族化合物の電解重合では、重合条件により、フィ
ルム全体を導電性に、する場合と、フィルムの片面のみ
、すなわち、電極表面に接していた側のみを導電性にす
る場合を選択できる。このような重合条件のパラメータ
ーの１つに電極の抵抗があり、抵抗の低い電極基板を用
いるとフィル、ム全体を導電性にしやす（、反対に抵抗
の高い基板を用いるとフィルム全体を導電性にするのが
困難で、片面のみが導電性になりやすい。この特徴を利
用して抵抗の相対的に低い部位と高い部位でバタンを形
成した電極基板を用いると、裏面の電極表面に接したフ
ィルム面は全体的に導電性になるが、表面の電解溶液に
接している面は抵抗の低いバタン部に相当する部分のみ
フィルムを導電性にできる。
や芳香族化合物の電解重合では、重合条件により、フィ
ルム全体を導電性に、する場合と、フィルムの片面のみ
、すなわち、電極表面に接していた側のみを導電性にす
る場合を選択できる。このような重合条件のパラメータ
ーの１つに電極の抵抗があり、抵抗の低い電極基板を用
いるとフィル、ム全体を導電性にしやす（、反対に抵抗
の高い基板を用いるとフィルム全体を導電性にするのが
困難で、片面のみが導電性になりやすい。この特徴を利
用して抵抗の相対的に低い部位と高い部位でバタンを形
成した電極基板を用いると、裏面の電極表面に接したフ
ィルム面は全体的に導電性になるが、表面の電解溶液に
接している面は抵抗の低いバタン部に相当する部分のみ
フィルムを導電性にできる。
このような電極は、適当な導体面上に通常のホトＩＪン
グラフィ技術を適用して作製できる。
グラフィ技術を適用して作製できる。
電極表面の材質としては、金、白金、パラジウム等の貴
金属あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導電性金属
酸化物が電解メンキ、電解重合のいずれにも使用できる
。また、電解メッキにはこの他の金属基板も使用できろ
。このような電極表面上にレジスト材をコートし、所望
のバタンを有するホトマスクを用いてレジスト層にバタ
ンを露光し、現像した後、基板を加工する。第１図に本
発明によるバタン状電極の１例の構成の概要図を示す。
金属あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導電性金属
酸化物が電解メンキ、電解重合のいずれにも使用できる
。また、電解メッキにはこの他の金属基板も使用できろ
。このような電極表面上にレジスト材をコートし、所望
のバタンを有するホトマスクを用いてレジスト層にバタ
ンを露光し、現像した後、基板を加工する。第１図に本
発明によるバタン状電極の１例の構成の概要図を示す。
第１図において符号１は絶縁性基板、２はバタン化した
導体層、６は全体の導体層そして４はバタン化した絶縁
体を意味する。基板加工の際、第１図（ａ）のように電
極導体層を直接エツチングして、電極をバタン状にする
ことができる。この方法も有効であるが、直接バタン化
すると、バタン端で電界集中が起きたり、孤立したバタ
ンに通電できないため不都合を生じる場合がある。した
がって、第１図（ｂ）のように、全面導体層の上に絶縁
体でバタン化した方が、電極面全体で均一に電解メツキ
あるいは電解重合が進行する。
導体層、６は全体の導体層そして４はバタン化した絶縁
体を意味する。基板加工の際、第１図（ａ）のように電
極導体層を直接エツチングして、電極をバタン状にする
ことができる。この方法も有効であるが、直接バタン化
すると、バタン端で電界集中が起きたり、孤立したバタ
ンに通電できないため不都合を生じる場合がある。した
がって、第１図（ｂ）のように、全面導体層の上に絶縁
体でバタン化した方が、電極面全体で均一に電解メツキ
あるいは電解重合が進行する。
このような絶縁体と七ては、レジスト材ソのものが使用
できるが、フィルムの作製、引きはがしを繰返すとレジ
ストバタンかはがれやすいため、繰返しの使用に耐えな
い。このため、密着力を高くしたＳｉＯや５ｉ０２ 等
の絶縁性酸化物、Ｓ ｉ３Ｎ４ 、ＢＮ等の窒化物を使
用した方が望ましい。
できるが、フィルムの作製、引きはがしを繰返すとレジ
ストバタンかはがれやすいため、繰返しの使用に耐えな
い。このため、密着力を高くしたＳｉＯや５ｉ０２ 等
の絶縁性酸化物、Ｓ ｉ３Ｎ４ 、ＢＮ等の窒化物を使
用した方が望ましい。
電解メッキを行える金属としては銅、ニッケル、白金、
金、ロジウム、銀、ルテニウム、パラジウム、インジウ
ム、アルミニウム等がある。
金、ロジウム、銀、ルテニウム、パラジウム、インジウ
ム、アルミニウム等がある。
他方、電解メンキにより導電化できる高分子フィルムと
してはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル
、カルボメトキシセルロース、メチルセルロース、ポリ
メチルメタクリレートを始めとして、これらの各種共重
合体等の各種の高分子フィルムが使用できる。
してはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル
、カルボメトキシセルロース、メチルセルロース、ポリ
メチルメタクリレートを始めとして、これらの各種共重
合体等の各種の高分子フィルムが使用できる。
また、これらの高分子フィルムに可厩剤、安定剤、溶剤
、紫外線吸収剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフィ
ルムも使用できる。
、紫外線吸収剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフィ
ルムも使用できる。
導電性の金属含有高分子フィルムを得るには高分子フィ
ルム種と電解メッキ液組成を選択する必要がある。すな
わち、高分子フィルム種に対して、フィルムを溶解させ
ることはないが、かなり親和性の良い電解メッキ液が良
好な結果を与えた。これは電解メソギ液中で高分子フィ
ルムがある程度膨潤し、金属イオンが高分子フィルム内
に拡散でき、電極界面で電解メッキ反応が進行するため
と推定される。
ルム種と電解メッキ液組成を選択する必要がある。すな
わち、高分子フィルム種に対して、フィルムを溶解させ
ることはないが、かなり親和性の良い電解メッキ液が良
好な結果を与えた。これは電解メソギ液中で高分子フィ
ルムがある程度膨潤し、金属イオンが高分子フィルム内
に拡散でき、電極界面で電解メッキ反応が進行するため
と推定される。
したがって、高分子フィルム種は用いる電解メッキ液に
膨潤するものであればいずれのものでも良く、種類には
限定されない。しかしながら、一般に電解メッキ液は水
系の溶剤を主成分とするため水に膨潤しやすい高分子フ
ィルムは容易に導電化できるが疎水性の高分子フィルム
でも水とジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコールのジエステル類等
の有機溶剤を混合させることにより広範囲な高分子フィ
ルム中に電解メッキ金属を混入させて、高導電性にする
ことができる。
膨潤するものであればいずれのものでも良く、種類には
限定されない。しかしながら、一般に電解メッキ液は水
系の溶剤を主成分とするため水に膨潤しやすい高分子フ
ィルムは容易に導電化できるが疎水性の高分子フィルム
でも水とジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコールのジエステル類等
の有機溶剤を混合させることにより広範囲な高分子フィ
ルム中に電解メッキ金属を混入させて、高導電性にする
ことができる。
また、電解酸化重合できる芳香族化合物としては、ピロ
ール、６−メチルピロール、Ｎ−／１チルピロール、チ
オフェン、フラン、フェノール、チオフェノール、セレ
ノフェン、テルロ７エン、ビフェニル、アズレン、ｐ−
ターフェニル、０−ターフェニル、ｐ−クォータフェニ
ル、２−ヒドロキシピフェニル、ジフェニルスルフ（）
”、２−（α−チェニル）チオフェン、２−（α−チェ
ニル）フラン、２−（２−ピロリル）ビロール、２−（
２−ピロリル）チオフェン、２−７−ｒ−＝ルテオフエ
ン、α−チェニルフェニルエーテル、β−フリル−α−
チェニルセレニド、２−（２−ピロリル）セレノフェン
、２−（２−セレニエニル）テルロフェン、Ｎ−ビニル
カルバゾール、Ｎ−エチニルカルバゾール、メチルアズ
レン、ピレン等の芳香族化合物が使用できる。また、芳
香族化合物ではないが各種置換ブタジェン化合物も使用
できる。
ール、６−メチルピロール、Ｎ−／１チルピロール、チ
オフェン、フラン、フェノール、チオフェノール、セレ
ノフェン、テルロ７エン、ビフェニル、アズレン、ｐ−
ターフェニル、０−ターフェニル、ｐ−クォータフェニ
ル、２−ヒドロキシピフェニル、ジフェニルスルフ（）
”、２−（α−チェニル）チオフェン、２−（α−チェ
ニル）フラン、２−（２−ピロリル）ビロール、２−（
２−ピロリル）チオフェン、２−７−ｒ−＝ルテオフエ
ン、α−チェニルフェニルエーテル、β−フリル−α−
チェニルセレニド、２−（２−ピロリル）セレノフェン
、２−（２−セレニエニル）テルロフェン、Ｎ−ビニル
カルバゾール、Ｎ−エチニルカルバゾール、メチルアズ
レン、ピレン等の芳香族化合物が使用できる。また、芳
香族化合物ではないが各種置換ブタジェン化合物も使用
できる。
また、電解重合時の電解質としては有機第４級アンモニ
ウム塩、無機塩、プロトン酸及びエステル静穏々の化合
物が使用できる。溶剤としてはアセトニトリル系のもの
を通常使用するが、芳香族化合物の電解重合が可能で、
適当な電解質を溶解させるものであれば選択できる。
ウム塩、無機塩、プロトン酸及びエステル静穏々の化合
物が使用できる。溶剤としてはアセトニトリル系のもの
を通常使用するが、芳香族化合物の電解重合が可能で、
適当な電解質を溶解させるものであれば選択できる。
他方、電解重合により導電性にできる高分子フィルムと
してはポリ塩化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビニ
ル及び塩化ビニルと各種ビニルエステル類、ビニルエー
テル類、７りＩＪル酸及びそのエステル類、メタクリル
酸及びそのエステル類、マレイン酸及びそのエステル類
、フマル酸及びそのエステル類、無水マレイン酸、スチ
レンを始めとする芳香族ビニル化合物、−・ロゲン化ビ
ニリデン化合物、アクリロニトリル、メタクリロニトリ
ル、プロピレン等のモノマーとの共重合体が使用できる
。また、塩化ビニリチンと各種ビニルエステル、ビニル
エーテル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩
化ビニル寺の共重合体、また、ポリエチレン及びエチレ
ンと上記各種モノマーとの共重合体も使用できる。また
用途により、ポリエチレンテレフタレート、各種ゴム類
も使用できる。
してはポリ塩化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビニ
ル及び塩化ビニルと各種ビニルエステル類、ビニルエー
テル類、７りＩＪル酸及びそのエステル類、メタクリル
酸及びそのエステル類、マレイン酸及びそのエステル類
、フマル酸及びそのエステル類、無水マレイン酸、スチ
レンを始めとする芳香族ビニル化合物、−・ロゲン化ビ
ニリデン化合物、アクリロニトリル、メタクリロニトリ
ル、プロピレン等のモノマーとの共重合体が使用できる
。また、塩化ビニリチンと各種ビニルエステル、ビニル
エーテル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩
化ビニル寺の共重合体、また、ポリエチレン及びエチレ
ンと上記各種モノマーとの共重合体も使用できる。また
用途により、ポリエチレンテレフタレート、各種ゴム類
も使用できる。
更に以上の樹脂に可塑剤、熱安定剤、滑剤、紫外線吸収
剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフィルムも使用で
きる。
剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフィルムも使用で
きる。
本発明方法の代表例を第２図に示す。すなわち第２図は
本発明方法の代表例の製造工程図である。第２図におい
て、符号１は絶縁性基板、３は全面導体層、４はバタン
状の絶縁体、５は高分子フィルム、６は導電化部、７は
絶縁部を意味する。
本発明方法の代表例の製造工程図である。第２図におい
て、符号１は絶縁性基板、３は全面導体層、４はバタン
状の絶縁体、５は高分子フィルム、６は導電化部、７は
絶縁部を意味する。
（ａ） 絶縁性基板１上に導体層３を設け、この上にリ
ングラフィ技術で所望のバタン状に絶縁体４を形成し、
電極基板とする。
ングラフィ技術で所望のバタン状に絶縁体４を形成し、
電極基板とする。
（１）） この上にキャスティング、カレンダー成形、
スピンコーティング、ドクタブレード法等の適当な方法
で高分子フィルム５をコートする。
スピンコーティング、ドクタブレード法等の適当な方法
で高分子フィルム５をコートする。
（Ｃ） 電解メッキ液又は電解重合溶液中で電流を流す
ことにより、電極の導電部にのみメッキ層あるいは電解
重合芳香族系高分子物質を形成する（６は導電化部、７
は絶縁部）。
ことにより、電極の導電部にのみメッキ層あるいは電解
重合芳香族系高分子物質を形成する（６は導電化部、７
は絶縁部）。
（ｄ） フィルムを電極基板より引きはがす。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はバタン形状、絶縁性フィルム材料、導電化した
フィルムの構造等を変えること罠より無限の組合せがあ
る。したがって本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はバタン形状、絶縁性フィルム材料、導電化した
フィルムの構造等を変えること罠より無限の組合せがあ
る。したがって本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
ガラス基板上に１０ＯＡ厚のクロム及び７００Ｘ厚の金
を蒸着した後、ｙｏａＲの酸化インジラムをスパッタリ
ング法で形成した。このようにして得た酸化インジウム
層を表面にした導電性基板上に、以下のように格子バタ
ンを形成した。まス、ホトレジストＡＺ−１３５０，ｌ
Ｔ （シプレー社製）を２μｍの厚さにスピンコードし
、ホトマスクを用いて、０．１ｍｍのライン、０．１ｆ
ｆｉｌｌ＋スペースの１次元格子バタンを露光し、現像
した。この上にＳｉＯを２００ＯＡ蒸着した後、メチル
エチルケトン中でリフトオンすることにより、酸化イン
ジウム表面上に０．１ ＋ｍｓ幅の絶縁層であるＳｉＯ
パタンを０．２μｍ ピッチで作製した。
を蒸着した後、ｙｏａＲの酸化インジラムをスパッタリ
ング法で形成した。このようにして得た酸化インジウム
層を表面にした導電性基板上に、以下のように格子バタ
ンを形成した。まス、ホトレジストＡＺ−１３５０，ｌ
Ｔ （シプレー社製）を２μｍの厚さにスピンコードし
、ホトマスクを用いて、０．１ｍｍのライン、０．１ｆ
ｆｉｌｌ＋スペースの１次元格子バタンを露光し、現像
した。この上にＳｉＯを２００ＯＡ蒸着した後、メチル
エチルケトン中でリフトオンすることにより、酸化イン
ジウム表面上に０．１ ＋ｍｓ幅の絶縁層であるＳｉＯ
パタンを０．２μｍ ピッチで作製した。
この基板上に、ポリビニルアルコール（分子量９０００
、アルコール化率８０％）の水溶液をキャストし、厚さ
１０μｍのポリビニルアルコールフィルムを作成した。
、アルコール化率８０％）の水溶液をキャストし、厚さ
１０μｍのポリビニルアルコールフィルムを作成した。
このフィルムをコートした基板を負極とし、正極に網目
状の白金電極を用いて亜硫酸金イオンを含む金メッキ液
ニュートロネクス３０９（日本エレクトロプレイテイン
グエンジニャーズ社製）中で金メッキを行った。ｔ５Ｖ
の定電圧で７分間金メンキした後、フィルムを水洗、乾
燥すると、金の析出が認められた。フィルムは電極基板
から容易にはく離できた。得られたフィルムの電気伝導
度を測定したところ、電極の格子に平行であった方向で
１０．５Ｓ／ｃｒｎの高い導電性を示したが、格子に垂
直であった方向は１０−’Ｓ／ｃＩｎ以下の絶縁性を示
した０実施例２ 実施例１と同様の基板上にポリ塩化ビニル（分子量７万
）のメチルエチルケトン溶液からキャスティング法によ
り厚さ２０μｍのフィルムを形成した。このフィルム付
基板を、アセトニトリル−メチルエチルケトン（１：１
）の混合溶媒に、０３モル／ｌのテトラエテルアンモニ
ウムパラトルエンスルホネート、１モル／ｌのピロール
を溶解した電解液に、白金メンキしたチタンメツシュを
対向電極として、浸漬し、５、 ＯＶの電圧で１０分間
ピロールの電解重合を行うと、黒色のポリピロールの析
出が認められた。得られたフィルムは電極より容易には
がすことができ、電気伝導度を測定したところ、電極の
格子に平行であった方向で４．５８ ／ ｃｍの高い導
電性を示した。他方、格子に垂直であった ゛方向は１
０−Ｉ３８ ／ ｃｍ以下の絶縁性を示し、高度の異方
性の導電性フィルムが得られた。
状の白金電極を用いて亜硫酸金イオンを含む金メッキ液
ニュートロネクス３０９（日本エレクトロプレイテイン
グエンジニャーズ社製）中で金メッキを行った。ｔ５Ｖ
の定電圧で７分間金メンキした後、フィルムを水洗、乾
燥すると、金の析出が認められた。フィルムは電極基板
から容易にはく離できた。得られたフィルムの電気伝導
度を測定したところ、電極の格子に平行であった方向で
１０．５Ｓ／ｃｒｎの高い導電性を示したが、格子に垂
直であった方向は１０−’Ｓ／ｃＩｎ以下の絶縁性を示
した０実施例２ 実施例１と同様の基板上にポリ塩化ビニル（分子量７万
）のメチルエチルケトン溶液からキャスティング法によ
り厚さ２０μｍのフィルムを形成した。このフィルム付
基板を、アセトニトリル−メチルエチルケトン（１：１
）の混合溶媒に、０３モル／ｌのテトラエテルアンモニ
ウムパラトルエンスルホネート、１モル／ｌのピロール
を溶解した電解液に、白金メンキしたチタンメツシュを
対向電極として、浸漬し、５、 ＯＶの電圧で１０分間
ピロールの電解重合を行うと、黒色のポリピロールの析
出が認められた。得られたフィルムは電極より容易には
がすことができ、電気伝導度を測定したところ、電極の
格子に平行であった方向で４．５８ ／ ｃｍの高い導
電性を示した。他方、格子に垂直であった ゛方向は１
０−Ｉ３８ ／ ｃｍ以下の絶縁性を示し、高度の異方
性の導電性フィルムが得られた。
実施例３
ガラス基板上に１ｏｏＸのクロムと７ｏｏＸの白金を蒸
着した後、スパッタリング法で５００−又のインジウム
・スズ酸化物を積層し、導電性の基板とした。この上に
、ホトレジストλ２−１３５０Ｊを２μｍの厚さにスピ
ンコードし＼ホトマスクを用いて５０μｍピッチの２次
元格子パタンを露光し、現像した。この上にＳｉＯを２
０００に蒸着した後、メチルエチルケトン中でリフトオ
フを行った。
着した後、スパッタリング法で５００−又のインジウム
・スズ酸化物を積層し、導電性の基板とした。この上に
、ホトレジストλ２−１３５０Ｊを２μｍの厚さにスピ
ンコードし＼ホトマスクを用いて５０μｍピッチの２次
元格子パタンを露光し、現像した。この上にＳｉＯを２
０００に蒸着した後、メチルエチルケトン中でリフトオ
フを行った。
このようにして導電性のインジウム・スズ酸化物表面上
に絶縁性のＳｉＯの２次元格子バタンを形成した。この
表面は５０μｍ間隔に孤立した導電性バタンか得られて
いる。この基板上に塩化ビニリデン−塩化ビニル（７５
＋２５）共重合体フィルムをキャスティング法により１
５μ常の厚さにコートした。このフィルム付基板を、白
金メンキしたチタンメツシュ電極と共に、チオフェン（
１モル／ｌ Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレー
） （０，３モル／ｌ）を含むアセトニトリル−テトラ
ヒドロフラン（２：１）溶液に浸漬し、１０分間、４．
０”／でチオフェンの電解重合を行った。その結果、緑
色のポリチオフェンの生成が認められた。このフィルム
を電極基板よりはく離し、電気伝導度を測定したところ
、フィルム面上では１０” Ｓ ／ ｃｍ以下の絶縁性
であったが、膜厚方向の電気伝導度は１５Ｓ／αであっ
た。このようにして、膜厚方向にのみ導電性を有するフ
ィルムが得られた。
に絶縁性のＳｉＯの２次元格子バタンを形成した。この
表面は５０μｍ間隔に孤立した導電性バタンか得られて
いる。この基板上に塩化ビニリデン−塩化ビニル（７５
＋２５）共重合体フィルムをキャスティング法により１
５μ常の厚さにコートした。このフィルム付基板を、白
金メンキしたチタンメツシュ電極と共に、チオフェン（
１モル／ｌ Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレー
） （０，３モル／ｌ）を含むアセトニトリル−テトラ
ヒドロフラン（２：１）溶液に浸漬し、１０分間、４．
０”／でチオフェンの電解重合を行った。その結果、緑
色のポリチオフェンの生成が認められた。このフィルム
を電極基板よりはく離し、電気伝導度を測定したところ
、フィルム面上では１０” Ｓ ／ ｃｍ以下の絶縁性
であったが、膜厚方向の電気伝導度は１５Ｓ／αであっ
た。このようにして、膜厚方向にのみ導電性を有するフ
ィルムが得られた。
実施例４
ガラス基板上に１ｏｏＸσクロムと１０００Ｘの金を蒸
着後、２０００（ｊ、のインジウム・スズ酸化物を積層
した。この上にホトレジストＡＺ−１３５０Ｊを２μｍ
の厚さにスピンコードシ、ホトマスクを用いて５０μｍ
のライン、５０μｍのスペースの１次元格子パタンを露
光し、現像した。この後、平行平板型反応性イオンエツ
チング装置を用いてＣＢｒＦａをエツチングガスとして
カス圧２０ミリトル、流量２０ＳＣＣＭ。
着後、２０００（ｊ、のインジウム・スズ酸化物を積層
した。この上にホトレジストＡＺ−１３５０Ｊを２μｍ
の厚さにスピンコードシ、ホトマスクを用いて５０μｍ
のライン、５０μｍのスペースの１次元格子パタンを露
光し、現像した。この後、平行平板型反応性イオンエツ
チング装置を用いてＣＢｒＦａをエツチングガスとして
カス圧２０ミリトル、流量２０ＳＣＣＭ。
パワー１００Ｗの条件下でインジウム・スズ酸化物層を
１２ｏｏＸエツチングした。プラズマアンシャー装置で
残ったＡＺレジストを除去すると金の上にｅｏｏＸ厚と
２ｏｏｏＸ厚のインジウム・スズ酸化物層＝が５０μｍ
おきに１次元格子状に並んだ電極基板が得られた。
１２ｏｏＸエツチングした。プラズマアンシャー装置で
残ったＡＺレジストを除去すると金の上にｅｏｏＸ厚と
２ｏｏｏＸ厚のインジウム・スズ酸化物層＝が５０μｍ
おきに１次元格子状に並んだ電極基板が得られた。
この電極基板上に厚さ２０μ情のポリ塩化ビニルフィル
ム（分子量７万）をキャスト法で形成した。得られたフ
ィルム付電極基板を実施例２と同様の条件でビロールの
電解重合を行ったところ、ポリピロールの形成がフィル
ム全面で生じた。このフィルムは電極基板から容易に引
きはがすことができ、その電気伝導度を測定したところ
、電極基板面に接触していた裏面で１次元格子に平行で
あった方向が１２８ ／ ｃｍ 、垂直であった方向が
８．５８ ／ ｃｍと両方向共に高い導電性を示した。
ム（分子量７万）をキャスト法で形成した。得られたフ
ィルム付電極基板を実施例２と同様の条件でビロールの
電解重合を行ったところ、ポリピロールの形成がフィル
ム全面で生じた。このフィルムは電極基板から容易に引
きはがすことができ、その電気伝導度を測定したところ
、電極基板面に接触していた裏面で１次元格子に平行で
あった方向が１２８ ／ ｃｍ 、垂直であった方向が
８．５８ ／ ｃｍと両方向共に高い導電性を示した。
他方、電解溶液に接していた表面では格子に平行であっ
た方向で６．８８ ／ ｃｍ、格子に垂直であった方向
は１０−１２８／ｃｍ以下の絶縁性を示した。このよう
に、電極表面に比抵抗の異なる導電体で格子バタンを形
成し、電解重合条件を適切に選択することにより、片面
は全面導電性、反対面はバタン状に異方性の導電性をも
ったフィルムが作製できた。
た方向で６．８８ ／ ｃｍ、格子に垂直であった方向
は１０−１２８／ｃｍ以下の絶縁性を示した。このよう
に、電極表面に比抵抗の異なる導電体で格子バタンを形
成し、電解重合条件を適切に選択することにより、片面
は全面導電性、反対面はバタン状に異方性の導電性をも
ったフィルムが作製できた。
以上説明したように、本発明に従って所望のバタン状に
導電部位を有する電極を用いて、この上に高分子フィル
ムをコートしてから金属材の電解メッキあるいは芳香族
化合物の電解重合を行うと電極上の導電部位のバタン形
状に導電性を有する高分子フィルムが得られることから
、種々の異方性の導電性あるいは特殊な回路状に導電性
を有するフィルムを容易に製造できる利点がある。
導電部位を有する電極を用いて、この上に高分子フィル
ムをコートしてから金属材の電解メッキあるいは芳香族
化合物の電解重合を行うと電極上の導電部位のバタン形
状に導電性を有する高分子フィルムが得られることから
、種々の異方性の導電性あるいは特殊な回路状に導電性
を有するフィルムを容易に製造できる利点がある。
これらのフィルムは各種平面入力装置の入力用バタン化
導電層、表示素子の入力端子、イメージセンサの出力端
子静穏々の産業分野で使用できる。
導電層、表示素子の入力端子、イメージセンサの出力端
子静穏々の産業分野で使用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明におけるバタン状電極の１例の構成の概
要図そして第２図は本発明方法の代表例の製造工程図で
ある。 １：絶縁性基板、２：バタン化した導体層、３：全面の
導体層、４；バタン化した絶縁体、５：高分子フィルム
、６：導電化部、 ７：絶縁部 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中本 宏 同 弁上 昭 同 吉 嶺 桂 第１図
要図そして第２図は本発明方法の代表例の製造工程図で
ある。 １：絶縁性基板、２：バタン化した導体層、３：全面の
導体層、４；バタン化した絶縁体、５：高分子フィルム
、６：導電化部、 ７：絶縁部 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中本 宏 同 弁上 昭 同 吉 嶺 桂 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 所望のバタン形状に導電性部位を有する電極上に形
成した高分子フィルムと、該高分子フィルム付電極上で
の電解メッキにより形成した金属材とを包含することを
特徴とするバタン状に導電性を有するフィルム。 ２、 所望のバタン形状に導電性部位を有する電極上に
高分子フィルムを形成する工程、及び該高分子フィルム
付電極上で電解メッキにより金属材を形成する工程の各
工程を包含することを特徴とするバタン状に導電性を有
するフィルムの製造方法。 ６、 所望のバタン形状に導電性部位を有する電極上弛
形成した高分子フィルムと、該高分子フィルム付電極上
での芳香族化合物の電解重合によって形成した芳香族高
分子材とを包含することを特徴とするバタン状に導電性
を有するフィルム。 ４、所望のバタン形状に導電性部位を有する電極上に高
分子フィルムを形成する工程、及び該高分子フィルム付
電極上で芳香族化合物の電解重合により芳香族高分子材
を形成する工程の各工程を包含することを特徴とするバ
タン状に導電性を有するフィルムの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101676A JPS60245798A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 |
| DE8585303589T DE3581835D1 (de) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Folie aus polymerisiertem kunststoff mit leitendem muster und verfahren zur herstellung derselben. |
| US06/736,491 US4608129A (en) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| EP19850303589 EP0162706B1 (en) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| CA000482107A CA1243736A (en) | 1984-05-22 | 1985-05-22 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| KR1019850003528A KR900003155B1 (ko) | 1984-05-22 | 1985-05-22 | 패턴상 도전성을 갖는 고분자 필름과 그 제조방법 |
| US07/243,242 US4898766A (en) | 1984-05-22 | 1988-09-08 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101676A JPS60245798A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245798A true JPS60245798A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0124236B2 JPH0124236B2 (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=14306956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101676A Granted JPS60245798A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245798A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223195A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | 日本写真印刷株式会社 | 導電性回路基板とその製造法 |
| JPS6251116A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 異方性導電膜の製造方法 |
| JPS63125696A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Seizo Miyata | 非導電性物質のメツキ法 |
| JP2012097319A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Eamex Co | 高分子電解質複合体の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59101676A patent/JPS60245798A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223195A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | 日本写真印刷株式会社 | 導電性回路基板とその製造法 |
| JPH0318755B2 (ja) * | 1985-07-23 | 1991-03-13 | Nissha Printing | |
| JPS6251116A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 異方性導電膜の製造方法 |
| JPS63125696A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Seizo Miyata | 非導電性物質のメツキ法 |
| JP2012097319A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Eamex Co | 高分子電解質複合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0124236B2 (ja) | 1989-05-10 |
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