JPS6223195A - 導電性回路基板とその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規なる導電性回路基板とその新しいａＩｌｌ
ｉｔ性改善法に関するものであって、その目的とすると
ころはプリント基板、フィルムコネクタ、配線板あるい
はシートスイッチ用などの精密な導電性回路図柄を有す
る基板を生産し、産業用、工業用、日用品等の素材とし
て市場に提供せんとするものである。

〈発明の構成の詳細〉 導電性回路基板は従来、印刷法、フォトレジストエツチ
ング法、マスキング蒸着法、レーザーエツチング法ある
いは化学的溶解法等により作成されているのであるが、
精度、生産性、経済性あるいは技術面等における種々の
困難性がその各々について常に発現し、特に複雑な図柄
とか微細な図柄とかに至ってはいずれの公知の製造法を
とってみても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここにおい
て本発明者はこの欠点を一挙に解決するための新方法に
ついて永年にわたり研究を続行してきたが今般遂に乱目
すべき本発明を完成するに至ったものである。

すなわち本発明者は、金属板または金属薄膜を形成した
基材上にフォトレジスト層を形成し、フォトファブリケ
ージタン方法にて、該フォトレジスト層に回路図柄を形
成し、該回路図柄部分のみのフォトレジスト層を除去し
て、回路図柄が形成された前記金属板または金属薄膜の
表面にプラスチックス薄板を密着させる工程、該薄板に
対向する電極を設置して該薄板と該電極の間にヘテロ原
子を有する芳香族化合物、強電解質および活性水素原子
不含の極性有機溶剤よりなる液状または糊状の電解液を
充満させる工程、該金属板または金属薄膜と該電極との
間に通電して電解し該薄板上に回路図柄を形成させる工
程、および回路図柄が形成された薄板を金属板または金
属薄膜の表面ならびに電解液より分離する工程を経て調
製されることを特徴とする導電性回路基板を発明すると
共にこの導電性回路基板を鍍金液と接触させて電気鍍金
を行ない回路図柄のみに金属を析出させることを特徴と
する導電性回路基板の導電性改善法を発明したものであ
る。

まず、金属板または金属￥Ｓ膜上に導電性回路図柄を形
成するフォトレジスト層を設ける。金属板または金属薄
膜の材料としては、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケ
ル等の単−金属又は前記金属の合金、或いは酸化インジ
ウム、酸化スズ等の金属酸化物を用いる。基体上に金属
薄膜を設ける場合は、真空蒸着法、スパッタリング法、
ＣＶＤ法、化学メッキ法等を通用する。金属板または金
属薄膜上に形成するフォトレジスト層は、市販の感光性
フォトポリマーを用いるとよい。フォトレジスト層の形
成方法としては、コーティング法、スプレー法、印刷法
等がある。

次に、前記フォトレジスト層にフォトファブリケーショ
ン方法にて、回路図柄を形成する。即ち、所定の回路図
柄を呈するフォトマスクを介して前記フォトレジスト層
を露光し、フォトレジスト層を選択的に焼付、光硬化ま
たは光分解せしめる。

次いで、未露光部または露光部のフォトレジスト層を溶
解除去または洗浄除去する。このようにして、該回路図
柄部分のみが除去されたフォトレジスト層が形成される
。従って該回路図柄部分には金属板又は金属薄膜の表面
が露呈する状態になる。

次に、以上のごとき留意にもとすいて作られた金属板又
は金属薄膜の表面にプラスチックス薄板を密着させる工
程を述べる。まずプラスチックス薄板というのは、プラ
スチックス薄板がポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、塩化ビニル系共重合体、ボリフフ化ビニル、ポリフッ
化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド、ポリビニル
エーテル、ポリアルキレンエーテル、ポリエーテルエス
テル、塩素化ポリオレフィン、ポリアミドイミド、ポリ
エーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイ
ミド、ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群より選ば
れた少なくとも−゛つのへテロ原子を含む耐溶剤性高分
子を基体とする膜、フィルム、シートもしくは１反のい
ずれかである。

このプラスチックス薄板を最も容易に密着させるのはこ
のプラスチックスを含む溶液またはインキもしくは塗料
を印刷法、スプレー法、塗布法等によって金属板又は金
属薄膜の表面に均一に付着させた後、溶液を蒸発させ薄
板を形成させる方法であるがこの際、気泡が含まれたり
溶剤の蒸発による発泡があってはならない。一方、金属
板又は金属薄膜の表面への密着は、必要とすれば減圧室
内で、掻（少しの溶剤とか接着剤を存在させて室温下も
しくは加熱下で行われるべきである。この場合も密着面
における空気、ガス、溶剤、可塑剤、。

塵埃等の混入は製品の損失に関係してくるのでこれらが
著しく残留したり、県人したりしないように注意し、且
つ金属又は金属薄膜を形成した基材に均一な力をかけて
密着してやるようにしなければならない。この場合にあ
っても不必要な内部歪を金属板又は金属薄膜を形成した
基材の中に残したり、厚さに不均一さが生じた場合には
導電性回路図柄の美しい形成が阻害される恐れが多分に
あるので、厚さの不同を必要とする基板は後加工で肉盛
りをすべきである。

以北の１程が終Ｔすると次にプラスチックス薄板に対向
する電極を設置する必要がある。この薄板が平面である
場合には対向電極は平面とし、この薄板が曲面であれば
対向電極はこれに並行する曲面とし、薄板が半円筒形で
あれば対向電極は半円筒形または円筒形もしくは線状と
し、薄板が球面であれば対向電極は球面を利用するよう
にする。

薄板と対向電極は通常適当な電解槽中に設置されるが、
薄板の面積が大きくなると乾燥室内で薄板と対向電極と
を一定の間隙を保つようにスペーサー等を用いて設置さ
れる。このいずれにせよ薄板と対向電極の中に充分量の
電解液を充満させることが必要で、電解槽を用いる場合
には電解液中に浸漬すればよく、乾燥室内に設置した場
合にはその間隙に液状または糊状電解液を完全に挿入充
満して、その間隙から外へ電解液が漏れないようバッキ
ング等を用いて側面を密封してやる必要がある。ここに
用いる電解液はへテロ原子を存する芳香族化合物、強電
Ｍ質および活性水素原子不含の極性有機溶剤よりなる液
状または糊状の電解液であり、この電解液の使用温度は
一２０℃〜＋７０℃とくに好ましくは一１０℃〜＋５０
℃である。

ペテロ原子を有する芳香族化合物とは、アニリン、核置
換アニリン、ナフチルアミン、核置換ナフチルアミン、
アミノアンスラセン、核置換アミノアンスラセン、チオ
フェン、核置換チオフェン、ピロール、置換ピロール、
ピラゾール、置換ピラゾール、イミダゾール、ＲｔＡイ
ミダゾール、トリアゾール、置換トリアゾール、ピリジ
ン、核置換ピリジン、ジアジン、置換ジアジン、トリア
ジン、置換トリアジン、オキサジン、置換オキサジン、
ペンゾヂオフエン、置換ベンゾチオフェン、ヘンゾビロ
ール、置換ベンゾビロール、ヘンズピラゾール、Ｗ換ベ
ンズピラゾール、ベンズイミダゾール、Ｗ換ベンズイミ
ダゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、アゾベ
ンゼン、置換アゾベンゼン、フタロシアニン、核置換フ
タロシアニン、カルバゾール、置換カルバゾール、キノ
リン、核置換キノリン、ヘンズオキサゾール、置換ベン
ズオキサゾール、テトラ（ナフチ口）テトラアザポルフ
ィリンおよびテトラ　（フェナンス口）テトラアザポル
フィリンよりなる群より選ばれた少なくとも一つの化合
物である。

強電解質とは、過ハロゲン化水素酸、ポウフン化水素酸
、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロヒ酸、ヘキサ
フルオロアンチモン酸、トリフルオロ酢酸、パーフルオ
ロ脂肪酸、トリフルオロメタンスルホン酸、芳香族スル
ホン酸およびヘキサフルオロケイ酸よりなる群から選ば
れた少なくとも一つの強酸のアニオンとリチウム塩、ナ
トリウム塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム塩、
ホスホニウム塩、銀塩、第四級ホスホニウム塩およびス
ルホニウム塩よりなる群から選ばれた少なくとも一つの
塩を構成しているカチオンとを結合させた塩である。

活性水素原子不含の極性有機溶剤とは、二塩化メタンア
セトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセタミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドン
、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−アセチルピペリジン、
Ｎ、Ｎ−ジホルミルピペラジン、Ｎ、Ｎ−ジアセチルピ
ペラジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、
テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン
、テトラヒドロフラン、グリコールカーボネート、グリ
コールエーテル、環状ラクトン、ニトロベンゼンおよび
ヘキサメチルホスホルトリアミドよりなる群から選ばれ
た少なくとも一つの非プロトン捲性溶剤である。

以上のうち経済的に用いられるヘテロ原子を有する芳香
族化合物はアニリン、チオフェン、ビチェニル、ビロー
ル、メチルピロール等であす、マた強電解質というのは
化学式で示すならばＬｉＢＦ、、ＬｉＰＦａ　、ＬｉＣ
ｌ０ｎ、Ｒ，、ＮＰＦいＲ４ＮＣｌＯ４、Ｒ４ＮＢＦ４
、Ｒ１５ＯｓＣ６ＨｎＲ、ＲａＮＡｓＦｂ　、ＬｉＡｓ
Ｆ６（ただしＲはＣ。

〜Ｃ４のアルキル基）等である。また活性水素原子不含
の極性有機溶剤はアセトニトリル、ボロビオニトリル、
ベンゾニトリル、テトラヒドラフラン、プロピレンカー
ボネート、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジ
メチルエーテル、メチルジオキソラン、Ｎ−メチルピロ
リドン、ニトロベンゼン、二塩化メタン等が安価である
。本発明の電解液の組成は原則として任意にとりうるち
のであるが、ヘテロ原子を有する芳香族化合物／強電解
質／活性水素原子不含の極性有機溶剤の使用比率（モル
量１モル量／溶剤はｍｌ）は０．０１〜１．５０１０゜
０２〜２．００／１０００、特に好ましくは０．０５〜
１．００１０゜０３〜１．５／１０００の範囲である。

なお、電解液の粘度は小であるほうが通電し易いが、使
用条件によって糊状である場合があり、このような場合
には適当な温度まで冷却するか、電解反応に関係しない
フィラー例えば不活性中性塩とが不溶性化合物例えばエ
アロジルシリカ等を電解液が固化しない程度に若干量添
加するのである。

本発明において用いられる対向する電極材料としては金
属、金属化合物、炭素のいずれでもよいが、本発明者ら
によって試験された結果、白金、金、パラジウム、ホワ
イトゴールド、ニッケル、チタニウム、モリブデン、ス
テンレススチール、グラファイトあるいは炭素繊維等が
優れており、特に便利なものは白金、ニッケル、チタニ
ウムあるいはグラファイトを素材として作られた電極で
ある。本発明にいう基材面と上記の電極の間に通電して
電解する工程は直流電圧０．１〜１００Ｖ、特に好まし
くは１〜３０Ｖ、電流密度は０．１〜５０ｍ八／Ｃｍへ
、特に好ましくは１〜２０Ｉｌ＾／ａｍ”である。この
電解操業時間は数分〜数時間である。電解操業時間とは
プラスチックス薄板上に回路図柄が形成されるまでの時
間であり、長時間かけると相当に厚手の強固なやや大め
の回路図柄が形成されるのに対し、細線図柄では比較的
短時間の電解操業を行なうべきである。

プラスチックス薄板上に回路図柄が形成される過程は、
電解の進行と共に金属板又は金属薄膜に密着した薄板面
から起こり時間の経過と共に薄板内部に向かって進行す
る。

本発明に利用される電解重合反応というのは、通常上ツ
マ−の酸化電位である数■の電圧により重合が開始され
るものであり、ビロールからポリピロールを形成させる
場合、ＬｉＢＦ４をＣＩｌ、ＣＮに溶解した電解液を用
いて３■、０．３ｍＡ／ｃｆｆｌ程で重合反応が進行す
る。しかしチオフェンからポリチオフェンを形成させる
場合には２０Ｖ、１０〜２０ｍＡ／ｃｄの通電が必要で
ある。陽極と陰極の間隙は０．５〜５ｃ１１程度であり
、電解液は適当に機械攪拌することが望ましい。重合反
応は陽極側で起こるため、陽極の材料に注意しなければ
ならないが、上記したごとく陰極の材料は特に限定され
ない。重合に際してサイクリックポルタモグラムを測定
したい時に参照電極を電解液中に挿入しておくのが便利
である。なお通常のポリピロールやポリチオフェンの電
解重合においては同じ電圧を印加しても重合電流はモノ
マー、電解質、溶剤（およびそれらの濃度）によって異
なってくるが、重合効率は両者とも大体一定で１クーロ
ン当たり（０，４〜０．５）　Ｘｌ０−５モルのモノマ
ーが高分子化し、大体４０〜５０％になる。一般に電圧
は低い方が効率はよいが高電圧にするとバンクグラウン
ド電流が増加し効率は低下する傾向があることも本発明
者によって明らかにされた。

さて、本発明の電解工程ではプラスチックス薄板側を陽
極とし対向する電極を陰極とし、陽極側に所要の回路図
柄を形成させるのであるが、回路図柄を美しく形成させ
るには陽極表面積／陰極表面積との比は１１０．５〜１
０．０、特に好ましくは１／１〜３の範囲になるようど
ちらかといえば陰極面積を大きくしてやるのがよい。こ
の電解重合反応において陽極側に析出した回路図柄を構
成する高分子物質には電解質の解離による陰イオンの一
部がドーパントとして取り込まれているが、その程度は
以上水してきた各工程の条件によりかなり変化して（る
。しかしながらここに生成する回路図柄を構成する高分
子物質はいずれも導電性を有していることが保証されて
いる。次に以上のような回路図柄が形成されたプラスチ
ックス薄板面からまず電解液を除去し要すれば付着して
いる電解液を有機溶剤で洗浄した後、金属板又は金属薄
膜の表面およびフォトレジスト層表面から薄板を破らな
いように剥離する。このような分離操作の終わった薄板
は有機溶剤に浸漬して洗浄して不要物を除去した後乾燥
されるか、未乾燥のままで本発明の製品となるのである
。なお、ここに得られた回路図柄の導電性はσ＝１０弓
〜１０’Ｓ／Ｃｌ１１の程度であるが、これをさらに向
上させるには別途適当なドーパント　（例えばｔ１ｇｓ
Ｏ４、Ｉｉ−ＡＩ（：１３、Ｉｎ（：Ｉ３、八ｓＦ５．
５ｂＦｓ等）をもってドーピングしてやればよいのは当
然である。

以上のごとくして調製された本発明の導電性回路基板は
そのままで、あるいは樹脂液による表面コーティング加
工もしくは樹脂フィルムによるラミネート加工によって
各種の用途に供することができるのである。

さらに本発明者は上述のごとくして調製された導電性回
路基板を鍍金液と接触させ、電気鍍金を行い回路図柄の
みに金属を析出させることにより導電性回路基板の４電
性改善に成功したのである。

すなわち以上の導電性回路基板の回路図柄を長期間の使
用に耐えるよう安定化するとともに優れた導電性を付与
するための方法が本発明者によって種々の方法が研究さ
れた結果、最も好ましい方法は回路図柄を電気鍍金する
方法であることが見出された。鍍金される金属は特に限
定されないが、用いられる金属単体はＡ１、Ｃｄｓ　Ｃ
ｒ−Ｃｏｓ　Ａｕ、　Ｉｎ。

Ｆｅ、、Ｐｂ、　Ｎｉ、　ｌ’ｔ、、Ａｇ、　Ｓｎ、　
Ｚｎ等で、特に工業的に重要なものはＣｕ、　Ａｕ、、
　Ｎｉ、Ｐｔ、　Ａｇ、　Ｇｏおよび各種合金であり、
好ましくは光沢鍍金される金属である。銅鍍金にはシア
ン化銅浴（例えばＣｕＣＮ　２６ｇ／ｌ、ＮａＣＮ　３
５ｇ／ｌ、ＮａｚＣＯ＊　３０ｇ／１ＳＫＮａＣａＨ＜
Ｏｈ　１ｌｈ０４５ｇ／ｌ　、　ｐＨ１２，６）　、硫
６１銅浴（例えばＣｕＳＯ４・５Ｈｚ０１８８ｇ／Ｉ、
）１□ＳＯａ　７４ｇ／ｌ　）　、ホウフン化１１１浴
〔例えばＣｕ（ＢＦａ）ｚ　２２４ｇ／ｌ　、１ＩＢＦ
＋　１５ｇ／Ｌ　ＨＪＯｓ　１５ｇ／ｌ、ｐＨ１，，２
〜１．７　）　、ピロリン酸銅浴（Ｃｕ”２２〜３８ｇ
／ｌ　　、　ｈａｔ−−−−１５０〜２５０ｇ／ｌ、　
ＮＯ３−５〜１０ｇ／ｌ、ＮＨ３１〜３ｇ／１Ｓｐ８８
．２〜８．８）等が用いられる。

金鍍金にはシアン化金浴（例えばＡｕ４．Ｏｇ／Ｉ、　
ＫＣＮ３０ｇ／ｌ　、　Ｋ、ＨＰＯ４，３０ｇ／Ｉ、Ｋ
ｚＣＯｙ　３０ｇ／Ｉ　−ｐＨ１１〜１１゜５）等が用
いられる。ニッケル鍍金には混合ニッケル塩浴（例えば
ＮｉＳＯ４・７１（２０２４０〜３４０ｇハ、ＮｉＣ１
，・６ｕｚｏ　３０〜６０ｇ／Ｉ　、　ｔ１３ＢＯｉ　
３０〜４０ｇ／ｌ　、ｐＨ２゜４）、ホウフン化ニッケ
ル浴〔例えば、Ｎ１（ＢＦ４）ｚ　２２０ｇ／ｌ　ＳＮ
ｉ　５．５ｇ／Ｉ　、ｌｌＢＦ４４ｇ／ｌ、ｔｌＪＯｚ
　３０ｇ／Ｉ　、ρ１１２．０〜３．５〕等が用いられ
る。

銀鍍金にはシアン化銀浴（例えばＡｇＣＮ　４５ｇ／Ｌ
ＫＣＮ　４ｇ／ｌ、Ｋ、ＧＯ３１５ｇ／Ｉ　５ＫＯＨ４
ｇ／Ｉ）等が用いられる。またスズ鍍金にはホウフッ化
スズ浴（例えばＳｎ　４０ｇ／ｌ、ｔｌＢＦｎ４０ｇ／
Ｉ、ゼラチン２ｇ／　Ｉ、β−ナフトール０．５ｇ／Ｉ
）等が用いられる。以上水した各鍍金浴はいずれも基本
的なものであり、実際には光沢鍍金を完成させるための
添加剤が加えられる。

さらに、本発明に最も適する鍍金の一つにはホウフッ化
物浴鍍金があり、例えば半田合金鍍金はＳｎ”５２ｇ／
Ｉ　、　Ｐｂ”３０ｇ／ｌ　、ｔｌＢＦ、　１００〜２
００ｇ／　ｌ−、１１３８０ｓ　２５ｇ／Ｉ　、ペプト
ン５．０ｇ／ｌ、を含む浴を用い、陽極板としてはＳｎ
／Ｐｂ＝６０／４０の合金を使用して行われる。これに
関する代表的な半田合金浴（７−９３バス）の割合とい
うのは４９．６％Ｓｎ　（ＢＦ　４）２液１１ｋｇ、５
１％Ｐｂ（ＢＦａ）ｚ液１２１　ｋｇ、４９％ＨＢＦ４
７６ｋｇ、ｌｌＪＯｓ７ｋｇ、ペプトン０．２　ｋｇ、
水２４７　ｋｇ　　からなっており、操作条件は陰極電
流密度２０〜３０ｍＡ／ｃｊ、１０〜５０℃でゆるやか
な浴撹拌をしながら！鑞できるものである。また銅鍍金
には他の鍍金を施す下地生成作業として屡々行われるも
のであり、その上に再びニッケルとか半田合°金を鍍金
することにより、回路図柄は著しく強固になり且つその
導電性が非常に向上するものである。

勿論、このようにして導電性が改善された基板に対して
更に二次加工あるいは三次加工が施されてもよいことは
当然である。

本発明者は以上述べてきた本発明に関して多数の実験を
行い本発明の新規性と優秀性を確認したのであるが、さ
らに本発明の技術的内容を明確にするため多数の実験例
中より代表的なユニの例を抽出して以下に実施例として
示す。したがって本発明は以下に示された実施例のみに
限定して解釈されるべきではなく本発明の趣旨と精神と
を逸脱せざる限り任意にその実施態様を変更で実施しう
ろことは当然である。以下の実施例によって本発明の優
秀性は益々明らかにされるであろう。

〈実施例〉 実施例１ 厚さ１ｍｍの銅板上にフォトレジスト（市販品、商品名
、ＦＰＥＲ，富士薬品社製）を塗布した後、予め準備し
たフォトマスクを介して紫外線露光して、フォトレジス
ト面に回路図柄を焼付ける。次ぎに、回路図柄部分のフ
ォトレジストを溶解除去する。このフォトレジストが部
分的に形成されたｌｒｌ板上に高重合度の精製ポリ塩化
ビニルを溶剤（テトラヒビ０フ９フ９０ ％）に溶かした５％溶液を）Ｎ浄室内で塗布し、窒素ガ
スを送って溶剤を除去し、厚さ０．１〜０．２ｍｍのポ
リ塩化ビニルのフィルムを形成させる。銅板を陽極とし
、一方、ニッケル板を陰極として陽極より約２１の間隙
をあけて対向設置する。これを電解液を満たしたデシケ
ータ−中に沈め減圧脱気して窒素ガス雰囲気にしたのち
通電する。電解液はテトラブチルアンモニウムバークロ
レート０．２モル、ビロール０．１モルをブチレンカー
ボネートーアセトニリル混？ｆ！Ｌ（１：１）１１に溶
解した組成を有し温度は−１５〜−−５゛Ｃに保たれて
いる。通電は２Ｖ、０．５＋＊Ａ／ｃｄで５〜ｌＯ時間
行なう。この操作時間中においてポリ塩化ビニルの泪仮
に接し７た側に銅の回路と同形の図柄の回路が形成され
、この回路が次第に強化されてくるのが観察されるので
、通電を終了したのち電極等を引き上げてアセトン中に
浸漬して洗浄し乾燥した後、銅板面からポリ塩化ビニル
のフィルムを剥離する。剥離したフィルムには、銅板面
上にフォトレジストで形成された回路図柄と同様の回路
が形成されており、ここに得られたポリピロールよりな
る回路図柄はσ＝１０〜１５Ｓ／ｃ＋ｏである。

実施例２ ポリエステルフィルム上にアルミニウムを膜厚約５００
人に蒸着したフィルムにフォトレジスト（市販品、商品
名．ＯＰＲ．東京応化社製）を塗布した後、予め準備し
たフォトマスクを介して紫外線露光して、フォトレジス
ト面に回路図柄を焼付ける。次ぎに、回路図柄部分のフ
ォトレジストを溶解除去する。このアルミニウムおよび
フィルム面に極く少量のｍ−クレゾールを塗布し、これ
に厚さ３０μｍの未延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを載置し１６０〜１８０℃に加熱したのち圧迫し
て完全に接着する。この接着物を１００℃で真空乾燥し
、実施例１と同様にして対向陰極白金板を設置し電解液
中に沈積してやる。電解液はアセトニトリル１ｉ中にヘ
ンゾイミダヅール０．２モル、テトラブチルアンモニウ
ムバークロレート０、４モルを溶解したものである。電
極間に通電（２　Ｖ，　　３ｍＡ／ｃａｔ）　１，１０
〜１５’ｃで約４０分間保つとポリエチレンテレフタレ
ートフィルム中にポリヘンシイミダゾールの回路図柄（
σ＝Ｏ．ＯＩ　Ｓ　／　ｃ＋ａ）がアルミニウム膜の電
極図柄と同しように形成される。次にポリエチレンテレ
フタレートフィルムを分離してアセ＋−ニトリルで充分
洗浄した後、乾燥すると導電性回路基板が得られる。

実施例３ 実施例１に用いられた回路基板をニッケル酸性フッ化物
浴（１００χＩＩＦ　４３ｍ１塩基性炭酸ニツケル４水
和物１２０　ｇ／ｌ　　クエン酸３０ｇ／］　　ラウリ
ル硫酸ナトリウム１．０ｇ／ｌ）に浸漬し、この回路基
板と対向ニッケル電掻間に通Ｎ、（電気密度５０ｍＡ／
　ｃａＩ）　１．。

て液を静かに撹拌しながら電解を行うと、回路図柄上に
ニッケルが薄く均一に鍍金された回路基板が得られニッ
ケル鍍金部分はρ＝１０−’Ω口であることが認められ
た。

実施例４ 実施例２で得られた回路基板をシアン化銅浴（Ｃｕ（：
Ｎ　４４ｇ／ｌ　ＮａＣＮ　６７ｇ／］　ロソセル塩７
４ｇ／ｌ　　ＫＯＨ１１ｇ／Ｉ）に浸漬し、対向銅電極
を用いて実施例３と同様に操作すれば回路図柄面にｆｌ
＆ｌＩ金された基板が得られる。なお、これを更に常法
によりニッケル鍍金もしくは合金鍍金すれば回路図柄の
非常に強固な化学的耐性とか耐候性に富む回路基板にな
る。導電度は鍍金される金属によって種々に変更するこ
とができる。

〈発明の効果〉 本発明は導電性回路基板およびその製造方法に関するも
のであり、産業用部品から一般日用品にわたる電子材料
、電気材料として有用な導電性回路基板を容易に且つ量
産できる方法を明らかにあいたものである０本発明によ
って得られる導電性回路基板は、その使用例として、プ
リント基板、フィルムコネクタ、シートスイッチ、シー
トコイル、センサー、フユーズおよび高密度回路等があ
げられ、その、産業利用価値は極めて大きいものである
。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属板または金属薄膜を形成した基材上にフォト
   レジスト層を形成し、フォトファブリケーション方法に
   て、該フォトレジスト層に回路図柄を形成し、該回路図
   柄部分のみのフォトレジスト層を除去して、回路図柄が
   形成された前記金属板または金属薄膜の表面にプラスチ
   ックス薄板を密着させる工程、該薄板に対向する電極を
   設置して該薄板と該電極の間にヘテロ原子を有する芳香
   族化合物、強電解質および活性水素原子不含の極性有機
   溶剤よりなる液状または糊状の電解液を充満させる工程
   、該金属板または該金属薄膜と該電極との間に通電して
   電解し該薄板上に回路図柄を形成させる工程、および回
   路図柄が形成された薄板を金属板または金属薄膜表面な
   らびに電解液より分離する工程を経て調製されることを
   特徴とする導電性回路基板。
2. （２）金属板または金属薄膜を形成した基材上にフォト
   レジスト層を形成し、フォトファブリケーション方法に
   て、該フォトレジスト層に回路図柄を形成し、該回路図
   柄部分のみのフォトレジスト層を除去して、回路図柄が
   形成された前記金属板または金属薄膜の表面にプラスチ
   ックス薄板を密着させる工程、該薄板に対向する電極を
   設置して該薄板と該電極の間にヘテロ原子を有する芳香
   族化合物、強電解質および活性水素原子不合の極性有機
   溶剤よりなる液状または糊状の電解液を充満させる工程
   、該金属板または金属薄膜と該電極との間に通電して電
   解し該薄板上に回路図柄を形成させる工程、および回路
   図柄が形成された薄板を金属板または金属薄膜の表面な
   らびに電解液より分離する工程を経て鋼製された導電性
   回路基板を鍍金液と接触させて電気鍍金を行い回路図柄
   のみに金属を析出させることを特徴とする導電性回路基
   板の導電性改善法。
3. （３）鍍金液がニッケル、コバルト、クロム、銅、銀、
   金、白金、スズ、半田合金およびコバルト・ニッケル合
   金よりなる群から選ばれた少なくとも一つの金属を電気
   化学的に析出できる化合物の溶液であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項記載の導電性回路基板の導電性
   改善法。