JPS61291649A - 熱伝導性に高い異方性を有する高分子フイルムとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱伝導性の改良された高分子フィルム及びそ
の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

プラスチックフィルムは金属や牛導体、無機物の絶縁体
に比べると、熱伝導性に劣っている。

高熱伝導性のプラスチックフィルムが安価に得られると
、種々の素子の放熱材、熱伝導を利用する幅広い応用分
野への適用が予想される。これまで、プラスチックフィ
ルムの熱伝導性を改善するために、プラスチック中に良
熱伝導性の無機材料全光てんする手法が用いられてきた
。

しかし、充てん系の材料で高い熱伝導度全実現するには
充てん材を大量に混入してフィルム中で無機物同士を接
触させる必要があり、プラスチックとしての成形性やコ
ストに問題が出てくる。また、高熱伝導性の無機物を蒸
着やスパッタ等により積層しても、熱伝導性が改善され
るが、製造工程が複雑で、プラスチックとの密着性等に
も問題が生じやすい。

更に、これらの複合系では、フィルムの熱伝導度に方向
による差、すなわち、異方性を与えることが困難である
。異方的に熱伝導性金有するフィルムを利用すると熱伝
導を利用する種々の応用分野で、性能の向上が期待でき
る。従来技術でこのような異方熱伝導性の高いフィルム
を作製するには、個々のフィルムにそれぞれ加工工程を
施すか、金属線等をフィルムに埋め込む方法が用いられ
ており、いずれの場合でも、大幅な価格の上昇を招くた
め、その用途が限られていた。

一方、比較灼熱伝導度の高い高分子材料としては、炭素
繊維等の導電性金有する材料が知られている。更に、近
年、高い導電性を示す有機高分子材料が数多く報告され
、ポリアセチレンのような高分子材料では１０３／Ω・
副以上の高導電性を示す材料が知られてきている。この
ような材料系では導電性を付与するキャリアによる熱伝
導度の向上が予想されるが、これ１で、熱伝導性に着目
した例はなかった。ポリアセチレンはフィルムが繊維状
のフィブリルできてい△ るため、フィルムの密度が低く、著しく高い熱伝導性は
期待できないが、導電性高分子材料のなかでも、ポリピ
ロールやポリチオフェンのように、芳香族化合物の電解
重合にＬシ合成する材料は、電導度、フィルム密度共に
高く、また、空気中における安定性にも優れるため、良
好な熱伝導性が期待される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このような特殊な材料系では、汎用性の
高い通常の高分子フィルムには適用できず、また、熱伝
導度に高い異方性を与えることも困難でるる。

本発明の目的は、熱伝導性に高い異方性を有する高分子
フィルムとその製造方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は、熱伝導性
に高い異方性を有する高分子フィルムに関する発明でろ
って、高分子フィルムの所望のパターン部位の表面、及
び内部に芳香族化合物の電解重合体が混入されているこ
とｔ−特徴とする。

また本発明の第２の発明は、上記第１の発明の高分子フ
ィルムの製造方法に関する発明であって、パターン状に
加工した電極上に高分子フィルムをコートし、芳香族化
合物の電解重合にニジ、電極の導通部に接し九フィルム
部分から芳香族化合物の電解重合体を混入させることを
特徴とする。

更に本発明の第３の発明は、上記第１の発明の高分子フ
ィルムを、第２の発明とは異なる方法で製造する方法に
関する発明であって、光導電性の電極上に高分子フィル
ムをコートし、パターン状に光照射しながら芳香族化合
物を電解重合させることに↓し、光照射部に芳香族化合
物の電解重合体を複合させること′（ｌ−特徴とする。

本発明の第１の発明の熱伝導性に高い異方性金有する高
分子フィルムにおいては、芳香族化合物の電解重合体が
混入されている部位は、混入されていない部位に比べて
、熱伝導性が高いことを利用して、高分子フィルムに熱
伝導度の異方性を与えるものである。

本発明の第２の発明は、高分子フィルムの熱伝導度に異
方性を付与するための方法に関するもので、異方性を付
与する方向に対応して、導通部位を有するように表面を
加工した電極上に、高分子フィルムｔ−＝＋−トし、こ
の電極を用いて芳香族化合物の電解重合全行い、導通部
位に接し念高分子フィルム中にのみ選択的に良熱伝導性
の芳香族化合物の電解重合体を複合させるものである。

更に、本発明の第３の発明は、高分子フィルムの熱伝導
度に異方性を付与するための別の方法に関するもので、
光照射による光起電流が得られる光導電性の基板を電極
として使用し、この上に、高分子フィルムをコートし、
異方性を付与する方向に対応したパターン状に光照射し
ながら、芳香族化合物の電解重合を行い、高分子フィル
ムの光照射部にのみ選択的に良熱伝導性の芳香族化合物
の電解重合体を複合させるものである。

本発明者等の一部（土材、丹羽）は、芳香族化合物の電
解重合を利用して、絶縁性プラスチックフィルムを高導
電化する新しい技術１＆：開発し、既に、特許として出
願した（特願昭５８−１８６９９１号、同５８−２１３
２０１号）。

この原理は、電極基板上に導電化するフィルムを密着さ
せて、導電性高分子を与える芳香族化合物の電解重合を
行うもので、生成した導電性の芳香族化合物重合体が絶
縁性フィルム中に複合され、種々の新しい星の複合系導
電性フィルムが得られる。この複合導電性フィルムは以
下のような特徴を有する。

（１１ｍ々の汎用高分子フィルムをベースに用いるため
、機械強度・成形性に優れる。

（２）導電性高分子が成長しながら複合されるため、少
ない複合量で厚いフィルムを高導電化できる。

（３）複合量にニジフィルムの電導度を容易に制御でき
、４０％前後複合すると単独の材料の１７２程度の電導
度（１５／Ω・ｃｍ）が得られる。

（４）　　片面のみ、及び全体が導電性のフィルムを同
一装置で製造できる。

これまで、芳香族化合物の電解重合体については、熱伝
導度異方性した研究は全くなく、轟然のことながら、芳
香族化合物の電解重合体を用いて、熱伝導度を改善しよ
うとした発明、及び報告はなかった。本発明者等は、芳
香族化合物の電解重合体、及びこれを複合した高分子フ
ィルムの熱伝導特性を研究した結果、芳香族化合物の電
解重合体を複合することにニジ、高分子フィルムの熱伝
導性が向上することを見出した。すなわち通常の高分子
フィルムの熱伝導度は、高分子の種類・密度によって異
なるが、２〜１２　Ｘ　１０−’　ｃａｌ／ｃ１ｎ・５
代・℃の範囲で、金属や無機物半導体に比べると２〜３
桁低い。一方、代表的な電解重合体でおるポリピロール
とポリチオフェンでは、炸裂条件にエフ若干差が見られ
るが、それぞれ、９〜２５　Ｘ　１０−”　ａａｌ／ａ
ｎ・式％式％ 常の高分子フィルムに比べて１桁以上優れている。この
良熱伝導性の電解重合体を複合した高分子フィルムの熱
伝導度は、複合量、複合状態によし、大きく変化するが
、いずれの場合でも複合前のフィルムに比べると、その
値が向上する。例えば、硬質のポリ塩化ビニルフィルム
（膜厚：２０μｍ）は、複合化前は、５〜＆５×１０−
’　ａａｌＺ副・Ｓ■・℃　であるが、ポリピロールを
１５重量％複合した場合、５．７〜ａａｘ１ｏ−ｓＣａ
１／ｃｒｎ−３ｅｃ・℃となし、１桁以上熱伝導度が向
上する。

更に、本発明者等は、芳香族化合物の電解重合体の複合
化の際に、パターン状に導通部位を有する電極を使用し
、この電極上での芳香族化合物の電解重合条件による熱
伝導性の変化を把握して、最適な重合条件を突止めるこ
とにより、高分子フィルムに十分に高い熱伝導度異方性
を付与することに成功し、本発明に到達した。

この異方的に熱伝導性を有する高分子フィルムを作製す
る工程図を、第１図に示した。第１図において１はパタ
ーン状に加工された電極、１１は絶縁体層、１２は電極
、１３は高分子フィルム、１４は高分子フィルムと芳香
族化合物の電解重合体の複合層を意味する。まず、電極
（１２）の光面にあらかじめ絶縁材料で被覆し絶縁体層
（１１）？設ける（１−ａ）。適当な加工技術を用いて
所望のパターン状に加工する（１−ｂ）。このパターン
状に加工された電極（１）Ｋ高分子フィルム（１３）’
＆コートする（　１−　ｃ）。

このフィルム付電極を、芳香族化合物の電解重合溶液に
浸漬し、直流電圧を印加して芳香族化合物の電解重合を
行うと、電極の導通部位に接している高分子フィルム部
分から、電解重合体が高分子フィルム中に生成・混入し
、良熱伝導性の複合７４１（１４）が形成される（　１
−ｄ）。フィルムを電極からはく離する（１−ｅ）。こ
の（１−ｃｌから（１−ｅ）の工程を繰返すことにより
、熱伝導度に異方性を有するフィルムを何枚も作製する
ことも可能である。（１−（１）の工程の際に、電解重
合を比較的初期に停止すると、第２図のように片面のみ
にパターン状に電解重合体が複合されたフィルムが得ら
れ、十分長く電解重合を行うと、第３図のようにフィル
ムの反対表面までパターン状に電解重合体が複合された
フィルムが得られる。このように、重合条件により、複
合フィルムの構造が異なる。

異方性を付与する方向は、電極面を加工するパターン形
状により変化させる。例えば、面内一方向に熱伝導度が
優れたフィルムを作製するには、第４図のような格子状
に導通部位を有する電極を使用し、面内に比べて膜厚方
向に熱伝導度が優れたフィルムを作製するには、第５図
のようなドツト状に導通部位を有する電極を使用する。

第４図及び第５図はそれら電極のパターン形状を示す平
面図である。この際に、格子やドツトの寸法全微細に、
かつ、導通部の占有面積の割合を少なくして、透明な高
分子フィルムを用いると、フィルム中に芳香族化合物の
電解重合体が複合されている部分が少なくなし、光透過
率の高い異方熱伝導性フィルムを作製できる。この発明
の主な特徴全以下にまとめる。

（１）　　フィルムに熱伝導度異方性を付与するための
特別な加工処理が不要である。

（２）　　パターン化した電極は繰返し使用できる。

（３）電極パターンの形状を変えることによし、糧々の
異方熱伝導性フィルム金回−装置で製造できる。

（４）　　電解重合体がフィルム中に複合しているため
、電解重合体パターンの密着力が高く、ペースのフィル
ムからはがれない。

（５ン　　透明性の高い異方熱伝導性フィルムを作製で
きる。

本発明で異方的に熱伝導性を付与できる高分子フィルム
としては、ポリ塩化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化
ビニル及び塩化ビニルと各種ビニルモノマーとの共重合
体、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビ
ニリデン及び塩化ビニリデンと各種ビニルモノマーとの
共重合体、ポリフッ化ビニリデン系樹脂、すなわち、ポ
リフッ化ビニリデン及びフッ化ビニリデンと各種とニル
モノマーとの共重合体、ポリスチレン系樹脂、すなわち
、ポリスチレン及びステレ／と各種ビニルモノマーとの
共重合体、アクリル系樹脂、すなわち、ポリメチルメタ
クリレート及び各種アクリル糸上ツマ−と各種ビニルモ
ノマーとの共重合体、ポリビニルカルバゾール及びビニ
ルカルバゾールと各種とニルモノマーとの共重合体、エ
チレンと各種ビニルモノマーとの共重合体、ポリ酢酸ビ
ニル及び酢酸ビニルト各種ビニルモノマーとの共重合体
、ポリビニルアルコール類、各徨ポリカーボネート類、
ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン類、ポリア
ミドイミド類、ナイロン類、フェノール樹脂類、各種ゴ
ム類、セルロース類等広範囲の材料が挙げられる。

更に、以上の高分子材料に、可塑剤、熱安定剤、滑剤、
紫外線吸収剤、防どん剤、顔料、染料、界面活性剤、導
電性充てん剤、等を配合したフィルムも使用できる。

また、電解重合時の電解質としては、有機第４級アンモ
ニウム塩、プロトン酸、無機塩、等電々の化合物が使用
できる。溶剤としては、アセトニトリル系、ベンゾニト
リル系、プロピレンカーボネート系等電解質と電解重合
する芳香族化合物を溶屏できる溶剤を、複合化する高分
子フィルムに合わせて選ぶ。この選択は、電解溶液が高
分子フィルムを溶かすことなく、フィルム中を芳香族化
合物と電解質アニオンを拡散させて、芳香族化合物の電
解重合を進行させるようにする必要がある。

一方、本発明に使用できる芳香族化合物としては、ピロ
ール、３−メチルビロール、Ｎ−メチルビロール、Ｎ−
フェニルピロール、チオフェン、３−メチルチオフェン
、フラン、アニリン、フェノール、アズレン、ピレン、
カルバゾール等通常の電解重合に使用される化合物が挙
げられるが、フィルムの熱伝導度を向上させる目的から
、ち密で、高電導度の電解重合体を与えるピロール、３
−メチルピロール、チオフェン、５−メチルチオフェン
、フランが特に有効である。

パターン状に導電性部位を持つ電極は、適当な導体面上
に、リングラフィ技術を適用して炸裂できる。電極表面
の材質としては、金、白金、パラジウム等の貴金属、ニ
ッケル、クロム、ステンレス等の卑金属、酸化スズ、酸
化インジウム、スズ−インジウム酸化物（工Ｔｏ）等の
導電性金属酸化物が使用できる。また、上記の材質を組
合わせたし、絶縁物基板上圧薄膜として堆積させたもの
も使用できる。リングラフィ技術として、最も良く利用
されるホトリソグラフィで電極表面を加工する場合を説
明すると、電極基板上に適当な絶縁体Ａ１設け、その上
にレジスト材を塗布し、所望のパターンを有するホトマ
スクを用いてレジスト層にパターン全露光し、現像した
後、絶縁体層をエツチング加工する。

このようにして、導体面上にパターン化した絶縁体を持
つ電極を炸裂できる。絶縁体層としては、８ｊ０　、８
１０１　、Ａ４０ｓ、ＩＪ　７ガラス（Ｐ２Ｏ）等の絶
縁性酸化物、８１．Ｎ４、ＢＮ等の絶縁性窒化物等を蒸
着、スパッタリング、ＯＶＤ法で形成できる。

また、ポリイミド等の絶縁膜、ｓｌｏ、　％　Ａ４ｏ、
等の絶縁性の粉末の焼結体等、各樵の絶縁体も使用でき
る。また、いわゆる、リフトオフ法、すなわち、電極の
導体上にレジストでパターンを描画した後、この上に絶
縁体層を全面に付着させ、残ったレジス）を溶剤で除去
して、逆パターンの絶縁体を形成する方法によっても、
パターン状の絶縁体を有する電極を炸裂できる。ま九、
パターン寸法が大きい場合は、適当なメタルマスクを介
して、電極表面に直接絶縁体パターンを設けることもで
きる。

電極の導電性部位の構成としては、絶縁体基板上に直接
導体パターンを形成しても良い。しかし、この構成では
、パターンの寸法が小さくなると導体パターンの抵抗が
大きくなり、電解重合の際に電圧降下を起こして、重合
が均一に進まない欠点がある。しかし、パターン寸法が
大きい場合は本発明の効果に違いはない。

更に、このようなパターン状に導電性部位を有する電極
をドラム状にすることにニジ、異方的に熱伝導性を有す
る高分子フィルムを連続的に生産することができる。

また、同様な熱伝導性に高い異方性を有するフィルムは
、光導電性を持つ電極を用いると、電極を加工すること
なく得られる。この工程を第６図に示す。すなわち、ｆ
ｊ／Ｘ６図は光導電性電極基板を用いる熱伝導性に高い
異方性を有する高分子フィルムの炸裂工程図であり、６
１は光導電性の基板、６２は高分子フィルム、６３はパ
ターン状に照射する元、６４は芳香族化合物の電解重合
体が複合された部分を意味する。まず、光照射による元
起電流が得られる光導電性の基板（６１）’に用鴛する
（６−ａ）。それに高分子フィルム（６２）ｔ−全面コ
ートする（　６−　ｂ）。

このフィルム付き基板を電極として、異方性を付与する
方向に対応したパターン状に光照射（６５）　Ｌながら
、芳香族化合物の電解重合を行うと、光導電性基板面の
照射部から電解重合に必要な電流が誘起されて、光照射
部に接した高分子フィルム中にのみ選択的に良熱伝導性
の電解重合体が複合される（６−ｃ）。重合後、フィル
ムをはく離する（６−１）。このような、光導電性の基
板としては、シリコン、アモルファスシリコン、ガリウ
ム・ひ累、セレン、カドミウム・セレン、硫化カドミウ
ム、硫化亜鉛等の無機の半導体、あるいは、これらの薄
膜をガラス等の基板に堆積したものが使用できる。パタ
ーン状に光照射するには、電解重合容器中のフィルム付
き基板の直前に、パターンを描画したホトマスク、ある
いは、パターン状に穴の開いたマスクを設置して置く。

マスクを用いる代わシに、レーザー元をパターン状に走
査する方法も可能である。この方法の特徴を以下に述べ
る。

（１１フィルムに直接加工処理を施す必要がない。

（２）　　電極面を加工する必要がない。

（３）電極に凹凸がないため、電極へのフィルムの密着
が容易である。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は電解重合する芳香族化合物、ペースとして用い
る高分子フィルム、熱伝導性の異方性を付与する方向に
より、無限の組合わせがある。したがって、本発明はこ
れら実施例に限定されない。

実施例１ 異面抵抗１０ΩのＩＴＯ付きガラス基板上に、ＣＶＤ法
により、窒化シリコン薄膜ヲ１．５μｍの厚さに付着さ
せた。この上にホトレジス）ＡＺ−１５５０，７（シプ
レー社展）ｔ−１μｍの厚さにスピンコードし、ホトマ
スクを用いて、１０μｍのライン、４０μｍのスペース
の１次元格子パターンを露光・現像した。この基板を、
ＯＦ、ガスを用いて窒化シリコンをプラズマ・エツチン
グ１更に、レジストを除去して、ＩＴＯ表面上に１０μ
ｍ幅の窒化シリコンライン′ｆｔ５０本／鱈で形成した
。

この基板上に、ポリ塩化ビニル（分子量ニア０．０００
）のメチルエチルケトン溶液をキャストして、厚さ２０
μｍのポリ塩化ビニルフィルムを形成した。他方、電解
重合溶液として、ビロール（１モル／ｌ）、テトラエチ
ルアンモニウム・パラトルエンスルホネート（（Ｌ３モ
ル／ｌ）ｋ溶解した、アセトニトリル−ニトロベンゼン
（４：１）溶液を調製した。この溶液中で、上記のフィ
ルム付き電極基板を陽極として、白金メッキしたチタン
メツシュを陰極として、１．５Ｖｑ）直流電圧を印加し
、α６クーロン／ｄの電荷量でビロールの重合を行った
。重合後のフィルムは、エタノールで洗浄、乾燥した後
、電極よりはく離し念。はく離後のフィルムは、格子に
平行な方向と、格子に垂直な方向の熱伝導度を測定した
。熱伝導度はホットプレート法で、フィルム中の２ｍｍ
間隔での温度勾配を測足して求め次。その結果、格子に
平行方向は５．７×１Ｏ−ｓＣａ１／６ｎ−３ｅＣ・℃
、垂直方向は４．２　Ｘ　１０−４ｃａ１７’ｍ−５ｅ
ｃ・℃で、１桁以上の熱伝導度の異方性を示した。また
、はく離後の電離表面にはフィルムの残さが全く与られ
ず、電極は簡単な洗浄で繰返し使用できた。

実施例２ 表面抵抗１０ΩのＩＴｏ付きガラス基板上に１０ＶＤ法
により、窒化シリコン薄［ｔ−１，５μｍの厚さに付着
させた。この上にホトレジストム２−１！５５０Ｊ（シ
プレー社製）ｔ−１μｍの厚さにスピンコードし、ホト
マスクを用いて、２５μｍの直径の円パターンを、縦・
横それぞれ１００μｍの間隔で露光・現像した。この基
板を、ＣＦ４ガスを用いて窒化シリコンをプラズマ・エ
ツチングし、更に、レジス）を除去して、１７０表面上
に２５μｍ直径の穴の空いた窒化シリコン層を形成した
。この基板上に、ポリフッ化ビニリデンのＮ、　Ｎ−ジ
メチルホルムアミド溶液をキャストして、厚さ３０μｍ
のポリフッ化ビニリデンフィルム全形成した。他方、電
解重合溶液として、ビロール（１モル／ｌ）、テトラエ
チルアンモニウム・テトラフルオロボレート（１３モル
／ｌ）を溶解した、アセトニトリル−エタノール（５：
１）溶液をｍｍした。この溶液中で、上記のフィルム付
き電極基板を陽極とし、白金メッキしたチタンメツシュ
を陰極として、２．５Ｖの直流電圧を印加して、１．５
クーロン／ｃｎ？　Ｏ電荷量でビロールの重合を行った
。重合後のフィルムは、エタノールで洗浄、乾燥した後
、電極よシはく離した。はく離後のフィルムは、フィル
ムの面内方向と、フィルムの膜厚方向で熱伝導度を測定
した。面内方向の熱伝導度はホットプレート法で、フィ
ルム中の２ｗ間隔での温度勾配を測定して求め、フィル
ムの膜厚方向は、ＣＯ意レーザーを用いた熱パルス法で
熱拡散率を測足し、比熱と密度から熱伝導度に換算して
求めた。その結果、面内方向はＡ３Ｘ１０″″’　ｃａ
ｌ／ｃｍ”ｓｅｃ”　Ｃ、垂直方向は６．２　Ｘ　１０
−”　ｃａｌ／ｍ・ｓｅｃ・Ｃで、膜厚方向に熱伝導性
が優れたフィルムが炸裂でき次。また、はく離後の電極
表面にはフイルムの残さが全くみられず、電極は簡単な
洗浄で繰返し使用できた。

実施例３ ガラス基板上に、スパッタリング法によシ白金を１５０
ｎｍの厚さに堆積し、電極の導体とした。この基板上に
スパッタリング法によし、８ｉ０．ｉ　１．２１１ｒｎ
の厚さに付着させた。この上にホトレジス）ＡＺ−１５
５０Ｊ（シプレー社Ｈ）を１μｍの厚さにスピンコード
し、ホトマスクを用いて、１０μｍの直径の円パターン
金、縦・横それぞれ５０μｍの間隔でｊＩ元・現像した
。この基板ｋ、Ｏ４Ｆｍガスを用いてｓｌｏ、２プラズ
マ・エツチングし、更に、レジス）？除去して、白金電
極光面上に１５μｍ直径の穴の空いたＳ１０！　　層を
形成した。

この基板上に、ポリ塩化ビニリデンのシクロヘキサノン
溶液をキャストして、厚さ１２μｍのポリ塩化ビニリデ
ンフィルムを形成した。他方、電解重合溶液として、チ
オフェン（［１８モル／ｌ）、テトラエチルアンモニウ
ム・バークロレート（α２モル／ｌ）′ｔ−溶解した、
ベンゾニトリル−Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（５：
１）溶液を調製した。この溶液中で、上記電極基板を陽
極とし、白金メッキしたチタンメツシュを陰極として、
５ｖの＠流電圧を印加して０．７クーロン／−の電荷量
通電し、チオフェンの電解重合を行い、ポリチオフェン
を微細ドツト状にポリ塩化ビニリデンフィルム中に複合
し友。重合後のフィルムは、エタノールで洗浄、乾燥し
り後、電極よ少はく離した。はく離後のフィルムは、フ
ィルムの面内方向と、フィルムの膜厚方向で熱伝導度を
測定した。面内方向の熱伝導度はホットグレート法で、
フィルム中の２ｗ間隔での温度勾配を測定して求め、フ
ィルムの膜厚方向は、００ｍレーザーを用いた熱パルス
法で熱拡散率を測定し、比熱と密度から熱伝導度に換算
して求めた。その結果、面内方向は２．７×１Ｏ−４Ｃ
ａ１／ｃｆＲａｓｅＣ・℃、垂直方向は５．８Ｘ１０−
３Ｃａ１／ｃｒｎ−５ｅＣ・℃で、膜厚方向の熱伝導性
が面内に比べて、１桁以上高い。更に、このフィルムは
、微細なドツト状に電解重合体が分散されているため、
可視光領域で５０％以上の光を透過するため、透明性に
も優れている。また、はく離後の電極表面にはフィルム
の残さが全くみら゛れず、電極は簡単な洗浄で繰返し使
用できた。

実施例４ ガラス基板上に、ＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
ｔ−１，５μｍの厚さに堆積し、暗抵抗：１０６０・α
の光導電体電極を作製した。この電極上にポリカーボネ
ート（分子量：８０，０００）のメチルエチルケトン溶
液をキャストして、厚さ２５μｍのポリカーボネートフ
ィルム全形成した。このフィルム付き基板ヲ、ピロール
（１モル／ｌ）、テトラエチルアンモニウム串テトラフ
ルオロボレー）（（Ｌ５モル／ｌ）’を溶解したアセト
ニトリル溶液中に浸漬し、この基板の前にステンレスに
５０μｍの孔が２００μｍピッチで設けられたマスクｆ
　５　ｔｓの間隔をとって、設置した。このマスクを通
して、電極基板面に２００Ｗのキセノンランプを照射し
ながら、白金メッキしたチタンメツシュを対向電極とし
て、電極基板との間に４ｖの直流電圧を印加して、１．
２クーロン／ｃｒｌの電荷量でピロールの重合を行った
。重合後のフィルムは、エタノールで洗浄、乾燥した後
、電極よシはく離した。得られたフィルムは光照射部に
のみポリピロールが複合されていた。はく離後のフィル
ムは、フィルムの面内方向と、フィルムの膜厚方向で熱
伝導度を測定した。面内方向の熱伝導度はホットプレー
ト法で、フィルム中の２■間隔での温度勾配全測定して
求め、フィルムの膜厚方向は、Ｃｏル−ザーを用いた熱
パルス法で熱拡散率を測定し、比熱と密度から熱伝導度
に換算して求めた。その結果、面内方向は４．５×１Ｏ
−４Ｃａ１／ｃｒｎ−５ｅＣ・℃、垂直方向は６．４　
Ｘ　１０−”　ｃａ１／ｍ・ｓｅｃ・ｃで、膜厚方向に
熱伝導性が優れたフィルムが作製できた。

また、はく離後の電極表面にはフィルムの浅さが全くみ
られず、電極は簡単な洗浄で繰返し使用できた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明に：れば、種々の高分子フ
ィルムをベースとして、熱伝導性に高い異方性を有する
高分子フィルムを作製でき、しかも、フィルムへの直接
の加工工程が不要のため、熱伝導性に高い異方性を有す
る高分子フィルムが安価に得られる可能性が高い。また
、電解重合体の複合部を微細化、すなわち、細線化や細
孔化することにニジフィルムの光透過率を制御できるた
め、半透明の異方熱伝導性フィルムを作製できる利点が
ある。このような熱伝導性に異方性を有する高分子フィ
ルムは、感熱記録用のシートフィルム、フレキシブルな
ヒートシンクフィルムを始め、熱を利用する産業上の利
用分野に適用が期待される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の熱伝導性に高い異方性を有する高分子
フィルムを作製する工程図、第２図及び第３図は熱伝導
性に高い異方性を有する高分子フィルムの構造を示す断
面概略図、第４図及びＷｃ５図は、本発明の熱伝導性に
高い異方性を有する高分子フィルムの異方性を制御する
ための電極導通部位のパターン形状を示す平面図、第６
図は本発明に＝る光導電性電極基板を用いる熱伝導性に
高い異方性金有する高分子フィルムの作製工程図でおる
。 １：パターン状に加工された電極、１１：絶縁体層、１
２：電極、１３：高分子フィルム、１４：高分子フィル
ムと芳香族化合物の電解重合体の複合層、６１：光導電
性の基板、６２：高分子フィルム、６３：パターン状に
照射する光、６４：芳香族化合物の電解重合体が複合さ
れた部分

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、高分子フィルムの所望のパターン部位の表面、及び
   内部に芳香族化合物の電解重合体が混入されていること
   を特徴とする熱伝導性に高い異方性を有する高分子フィ
   ルム。 ２、パターン状に加工した電極上に高分子フィルムをコ
   ートし、芳香族化合物の電解重合により、電極の導通部
   に接したフィルム部分から芳香族化合物の電解重合体を
   混入させることを特徴とする熱伝導性に高い異方性を有
   する高分子フィルムの製造方法。 ３、光導電性の電極上に高分子フィルムをコートし、パ
   ターン状に光照射しながら芳香族化合物を電解重合させ
   ることにより、光照射部に芳香族化合物の電解重合体を
   複合させることを特徴とする熱伝導性に高い異方性を有
   する高分子フィルムの製造方法。