JPH01119692A - パターン状高分子膜及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は改良された芳香族系高分子膜と°その作製方法
に関する。

〔従来の技術〕

近年、液晶表示をはじめとしたディジタル表示装置や、
タッチベン方式の手書き入力装置、ファクシミＩＪ装置
等の急激な需要の増加が見られる。これらの宅内装置の
入出力部品の表示部、コネクター、例えば液晶表示装置
やエレクトロクロミック表示装置の表示部、電極取出部
の接続、タッチペンの入力、ファクシミリにおけるイメ
ージセンサ−の出力吸出し等に任意のパターン状に高導
電性を有する安価なフィルムが要求嘔れている。また、
センサー素子においても年々小型化とソリッドステート
化が進められ、例えばイオンセンサーについても微少な
電極部分に任意のパターン状に電導性や酸化還元性のあ
る均’Ｊ［７！フイルムを作製することが要求されてい
る。

従来、導電性の高分子フィルムとしては、芒種の熱可塑
性樹脂に導電性充てん材を混入し、それを成形してフィ
ルム化したもの、及び高分子フィルムの表面に導電性の
材料を蒸着１スプレー塗布、又はメツキし次もの等が使
用されてきた。これらいずれのフィルムでも、均一な導
電性のフィルムを得ることは容易でおるが、所望のパタ
ーン状にのみ導電性を付与したフィルムを得るには、フ
ィルムに何らかのパターン成形工程を施す必要がある。

他方、このような金属やカーボンと各種樹脂との複合系
とは異なり、高分子材自体が導電注會有する導ＩｗＬ注
高分子材が、その高い導電性から注目を浴びている。す
なわち、ある棟の芳香族化合物は電解質を添加した溶媒
中に溶解して、これ’ｅＩｉ！、解酸化することにより
、導電性の高分子膜ｔｔ電極基板上形成させることがで
きる。

このような芳香族化合物としては、ビロール類−チオフ
ェン類等の複素環式化合物、アズレン、ピレン、トリフ
ェニレン等の多環芳香族化合物が刈られている〔例えば
、Ｊ、バーボン（Ｊ、Ｂａｒ−ｇｏｎ　）、Ｓ、モーマ
ント（ｓ、　Ｍｏｈｍａｎｄ　）、Ｒ、Ｔ、　！７オル
トマン（Ｒ，Ｊ、、Ｗａｌｔｍａｎ　）、ＩＢＭ　　ジ
ャーナル　オブ　リサーチ　アンド　デベロップメント
（Ｉ　ＢＭ　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　ＲＬ５ｓｅａｒｃｈ
　＆　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　）第２７巻　第４号　
第３５０頁（１９８３年〕。

参照〕。これらの高分子は、導電性を示す以外にも可逆
な酸化還元性を持ち、エレクトロクロミズム性を示し、
電池や表示、センサー材料としても注目されている。し
かしながら、電極基板上でのｔｍ酸化によυ高分子膜を
形成する方法では、形成される高分子の溶解度の友め使
用可能なモノマーが制限される、形成され皮膜の均質性
が低い、形成される膜の量に比較して使用するモノマー
の量が多い、電解溶媒の汚染が著しい、等の種々の問題
がある。ま次、得られる導電性高分子のフィルムは一般
（もろく、成形加工が難しいｍめ、これをパターン化す
る技術は確立されていなかった。更に、このようなモノ
マー溶液からの電解重合では溶液中の七ツマ−が電極表
面に拡散して重合するが、′ＲＬ極面では中心と周辺で
のモノマーの拡散状態が異なるために重合速度が異な夛
、電極上の谷位置で均質な重合膜を得ることが難しい。

パターン状電極を用い次場合には、パターンの大小やパ
ターン密度によシモノマーの拡散状態が複雑になるため
均一な膜とはならず、重合の制御も難しい。最近、パタ
ーン化され７′ｃ４電部位を持つ基板上にポリ塩化ビニ
ルのごとき汎用高分子を塗布し、これを電極としてモノ
マー溶液中で電解酸化する方法が見出されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、この方法で得られたパターン状導電性高分子膜
は、導電性高分子が汎用高分子中に分散されたものとな
り、導電性が極度に小さくなるほか、酸化還元速度も小
さくなり、エレクトロクロミズム性やセンサーとしての
感受性も低下する。また、重合自体も汎用高分子中のモ
ツマーの拡散に依存しておシ、これに伴う重合の不均一
性の問題は何ら解決されていない。

本発明はこれらの欠点を除去するためになされたもので
あり、その目的は高い均質性を有するパターン状高分子
膜、及びそれらの効率よい作製方法を提供することにあ
る０ 〔問題点を解決するための手段〕 本発８Ａを概説すれば、本発明の第１の発明はパターン
状高分子膜の作製方法の発明であって、所望のパターン
形状に導電性部位を有する電極基板上に芳香族系化合物
モノマーの膜を作製する工程、該芳香族系化合物モノマ
ーの膜を電解酸化する工程、の各工程を包含することを
特徴とする。

本発明の第２の発明は他のパターン状高分子膜の作製方
法の発明であって、所望のパターン形状に導電性部位を
有する電極基板上に芳香族系化合物モノマーの膜を作製
する工程、該芳香族系化合物モノマーの膜上に電解質膜
を作製する工程、該電解質膜上に導電体を形成させる工
程、該芳香族系化合物モノマーの膜を電解酸化する工程
、の各工程を包含することを特徴とする。

また、本発明の第３の発明も更に他のパターン状高分子
膜の作製方法の発明でろって、所望のパターン形状に導
電性部位を肩する電極基板上に芳香族系化合物モノマー
と電解ＪＲを含む膜を作製する工程、該芳香族系化合物
モノマーと電解質を含む膜上に導電体を形成させる工程
、該芳香族系化合物モノマーと電解質を含む膜を電解酸
化する工程、の６工８を包含することを特徴とする。

そして、本発明の第４の発明はパターン状高分子膜の発
明であって、所望のパターン形状に導電性部位を有する
電極基板上に、該基板上で芳香族系化合物モノマーをｔ
Ｓ酸化して形成したパターン状面分子膜ｔ−有すること
を特徴とするＯ 更に、本発明の第５の発明は他のパターン状高分子膜の
発明であって、所望のパターン形状に導電性を有する電
極基板上に、該基板上で芳香族系化合物モノマーの電解
酸化によって形成したパターン状高分子膜と電解質膜と
を有することを特徴とする０ そして更に本発明の第６の発明は、更に他のパターン状
高分子膜の発明であって、所望のパターン形状に導電性
金有する電極基板上に、該基板上で芳香族系化合物モノ
マーと電解質とを含む膜の電解酸化に工って形成した高
分子と電解質の混合物のパターン状膜を有することを特
徴とする。

すなわち、従来性われてきたパターン状高分子膜の作製
は、高分子材と導電性材料の混合あるいは積層化、芳香
族系化合物モノマーの溶液からの電解重合の方法によっ
ておシ、作製したフィルムへの煩雑なパターン成形工程
、溶解度に起因する使用可能モノマーの制限、電解溶媒
の汚染、膜の不均一性等の多くの問題を伴っている。こ
れに対し、本発明では、あらかじめ、基板上に真空蒸着
、スパッタリング、ＣＶＤ法等の手法を用いて所望のパ
ターン形状に導電性部位を有する電極を作製し、その上
に平滑な芳香族系化合物モノ！−の膜を塗布法、真空蒸
着法などにより作製する。次いで、該モノマー金溶解し
ない電解質溶液中に該パターン状電極とモノマー膜を形
成し次基板を浸漬し、電解酸化に工り該七ツマ−の高分
子膜ｔ−得る。あるいは、パターン状電極の上にモノマ
ーと電解’Ｊ［を積層あるいは混合によシ複合化し友Ｐ
ＩＸを形成し、更にその上に導電体を形成し、パターン
状電極と導電体の間に適当な直流電圧を印加して、無溶
媒で該モノマーを電解酸化することによｐ高分子膜を得
るものである。本発明者らは、このようなパターン状電
極と芳香族系七ツマー膜あるいはその固体電解質との積
層膜、複合膜、あるいは更に導電体を形成した基板上で
も電解酸化反応が進行し、パターン状高分子膜を従来よ
りも簡便な方法で作製できることを見出した。なお、本
発明で言う高分子膜の「高分子」とは、該モノマーが二
つ以上結合した状態を示す。

以下２本発明のパターン状高分子膜及びその作製方法を
よシ詳細に説明する〇 本発明に用いる所望のパターン形状に導電性部位を有す
る電極基板は、リフトオフ、エツチング、スクリーン印
刷、導体上へのパターン状絶縁体の形成等、通常、プリ
ント板やＬＳＩの加工に用いられている方法が利用でき
る。電極表面の材質としては、金、白金、パラジウム等
の貴金属、ニッケル、クロム、ステンレス等の卑金属、
あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導電性金属酸化
物が使用できる。例えば、ＬＳＩの加工方法を利用すれ
ば、このような電極表面上にレジスト材をコートし、所
望のパターンを有するホトマスクを用いてレジスト層に
パターンを露光し、現像し友後、基板を加工することが
できる。

第２図に本発明によるパターン状電極の１例の構成の概
略斬面図を示す。第２図において符号１は絶縁性基板、
２はパターン化した導体、３は絶縁性基板表面の導電層
、４はパターン化し次絶縁体を意味する。基板加工の際
、第２−１図のように電極導体層全直接エツチングして
、電極をパターン状にすることができる。また、第２−
２図のように導電ｔ＊　３上にパターン化した絶縁体４
を形成しても工い０このような絶縁体としては、レジス
ト材その他のものが使用できるが、より＠着力の高い８
１０やＢ１０３等の絶縁性酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ等
の窒化物を使用した方が好ましい。

上記の方法に↓り作製したパターン状電極の上べ作製す
る芳香族系化合物モノマーとしては、電解酸化可能なも
のであれば特に限定されないカ、Ｍ　エバ、ビフェニル
％　　ｐ−１−フェニル、０−ターフェニル、ｐ−クォ
ータフェニル、２−ヒドロキシビフェニル、Ｎ−ビニル
カルバゾール、Ｎ−エチニルカルバゾール、ターチオフ
ェン、Ｎ−フェールピロールなど、通常の電解酸化によ
る重合で用いられている七ツマー類や、これらの誘導体
、数量体のオリゴマー状態になったものを用いることが
できる。通常液状のものでも、誘導体やオリゴマー状態
で固体膜にできるものならば使用可能である。

芳香族系化合物モノマーに積層あるいは混合する電解質
としては、芳香族系化合物モノマー膜中に拡散可能な電
解質であれば特に限定されないが、例えばアルカリ、ア
ルカリ土類金属の各種塩類〔アニオンが、ｌ−５Ｂｒ−
、Ｃ１−１Ｉ　（Ａ７４０３）″、Ｎ”、　Ｐ２Ｏ３−
１ＣＦ３ＳＯｓ−１Ｃｔ○４−、８ＣＮ−１ＢＦ’４−
５ＮＯ３−１ＣＦ３ＣＯＯ−、など〕やテテトラアルキ
ルアンモニラのフルオロボレート、バークロレート、サ
ルフェート、スルホネート、あるいはそれらの誘導体、
ＰＩ）ＢｒｈＡｇ（ＳＯｓＣＦｓ）ｚｂ　Ｚｎ（ＳＯ３
ＣＦ３）１、ＺｎＣ４、ＡｇＣｌＯ４などの各種塩類を
用いることができる。

また、それらと共に電解質の拡散を助ける低分子めるい
は高分子のマトリクス材料を含有させることもできる。

そのようなマトリクス材料としては、例えばクラウンエ
ーテル等の低分子イオンキャリア、ポリ−エチレンオキ
シド、ボリプロヒレンオキシド、ポリテトラヒドロフラ
ン、ポリ〔（アルコキシ）ホスファゼン〕、ポリ（Ｎ−
アセチルエチレンイミン）、ポリビニルアセテート、ポ
リエチレンイミン等の高分子、イオンキャリアを担持し
た高分子等を挙げることができる。

パターン状電極上に形成された芳香族系化置物モノマー
膜は、電解質溶液中での電解酸化時にはく離しない程度
の密着力で基板上に付着していれば良く、クリえば、該
モノマーを基板上に真空蒸着する、あるいは、芳香族化
合物モノマーを含む溶液を基板上にスピンコードし友の
ち乾燥する、あるいは、芳香族化合物モノマーを含む溶
液中に基板を浸漬し危のち乾燥することによｐ作製する
ことができる。基板上に作製する芳香族七ツマー膜は、
単一組成でも、複数のモノマーの混合でもよい。また、
複数のモノマーの積層し友ものでも良い。モノマー膜に
電解質を積層あるいは混合する場合についても同様で６
る。ｆなわち、本発明において芳香族モノマー膜及び電
解質を積層あるいは混合した複合膜の作製方法は限定さ
れるものでｔｉない。

上記の方法で作製した膜上に、必要な場合には導電体を
形成する。その材質としては、導電性であシ、かつ、電
解反応により侵食されないものであれば特に限定されな
い。金、白金、パラジウム、ニッケル、クロム、アルミ
、酸化スズ、その他の金属や金属酸化物などを用いるこ
とができる。これらの物質からなる導電体の形成には、
真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法などの手法を用い
ることができる。また、ガラスやプラスチックフィルム
に金属あるいは金属酸化物をコートシ友もの、るるいは
金属そのものなどの導電性の面を、上記の膜の表面に接
触させて使用することも可能である。

第１−１図〜第１−３図に、本発明における所望のパタ
ーン形状に導電性部位を有する電極基板と芳香族系化合
物モノマー膜の構成例の概略断面図を、電極導体層を直
接エツチングし次基板を使用し次場合を例にとって示す
。第１−１図Ｓ第１−３図において符号５は芳香族系化
合物モノマー膜、６は電解質膜、７は導電体、８は芳香
族系化合物モノマーと電解質の混合膜を意味する。

上述の方法によシ作製された芳香族系化合物上ツマー膜
を有する電極基板を、通電に必要な電解７Ｊ［ｔ−含む
電解反応溶液中に、対向電極と共に浸漬し、適当な直流
電圧を印加することにょ９、パターン状の高分子膜が得
られる。

通電に必要な電解質としては、例えば、アルカリ金属や
テトラアルキルアンモニウムのハロゲン化物、フルオロ
ボレート、バークロレート、サルフェート、スルホネー
ト等を用いることができる。

また、芳香族系化合物モノマー膜と電解質膜を積層した
膜の上部おるいは芳香族系化合物モノマーと電解質の混
合膜の上部に導電体を作製した電極基板を用いる場合に
は、電解浴ｇを使用する必要がなく、所望のパターン形
状に導電性部位を有する電極基板と導電体の間に適当な
直流電圧を印加することにより、パターン状の高分子膜
が得ら九る。

本発明の方法の代表例を第３図に示す。すなわち、第３
図は本発明の方法の代表例の作製工程の一部を、絶縁基
板上の電極導体を直接エツチングした上に、芳香族系化
合物モノマー膜を形成した電極基板を使用する場合を例
にとって示し次概略模式図でろる。第３図において符号
９は電解溶液、１０は対向電極、１１は電解酸化により
高分子が形成された部分を意味する。

なお、導電体を使用する場合、反応後、必要に応じて導
電体を除去してもよい。

このようにして得られ次パターン状高分子膜は、基板上
に作製されたピンホールや凹凸のないモノマー膜あるい
は電解質との複合膜がそのまま高分子化され友ものでメ
ジ、元の七ツマー膜あるいは電解質との複合膜と同様の
良質の構造を保っている。電解酸化膜をモノマーと電解
質の混合膜から作製した場合には、パターン状電解酸化
膜を電解質や導電体と複合化された状態で利用すること
が可能であるが、電解質を溶解する溶媒に浸漬して電解
質及び導電体を除去することにより、パターン状電解酸
化膜のみを取出して単独で利用することも可能である。

また、電解反応に必要な原料モノマーは基板表面に存在
するものしか必要とせず、更に、従来の均−溶液系のよ
うな電解反応中の芳香族系化合物モノマーの消失が起こ
ることもない。したがって、基板上に形成する高分子膜
の量、膜厚等ｔ−６らかしめ設定しておくことも可能と
なる。

このように平滑で良質の高分子膜が得られる理由は、浴
液中の電解質が電極基板上にコーチインクしたモノマー
膜内に拡散するか、あるいは、モノマー膜上に積層した
電解質がモノマー膜内に拡散するか、又は、モノマー膜
内に混合した電解質がモノマー膜内を拡散することにょ
シミ極表面に達し、それによってパターン状に導通部分
が形成され、電解反応が起き、その近傍で電解酸化反応
が進行し、電極基板側からパターン状に高分子膜が形成
されるためと推定される。し友がって、電解質が拡散可
能なモノマー膜と、必要な場合には電解反応溶液組成と
を選択することにより、所望のパターン状高分子膜が得
られる。

〔実施例〕

以下、本発明ｔ−実施例により更に具体的に説明するが
、本発明はそれらに限定されるものではない。

実施ｉｔ’ｌｌ　１ ガラス基板上に１０ＯＡ厚のクロム及び７００Ａ厚の金
を蒸着した後、７００Ａの酸化インジウムをスパッタリ
ング法で作製した。このようにして得た酸化インジウム
層を表面にし良導電性基板上に、以下のように格子パタ
ーンを形成した。まず、ホトレジストＡＺ−１３５０Ｊ
　（シプレー社製）を２μｍの厚さにスピンコードし、
ホト！スクを用いて％　ＣＬＩＩＩＩＩのライン、α１
１１ＩＩｌスペースの１次元格子パターンを露光し、現
像した。この上にＳｉＯを２００ＯＡ蒸着しに後、メチ
ルエチルケトン中でリフトオフすることにより、酸化イ
ンジウム表面上にα１１ａＩ幅の絶縁層でめる８１０パ
ターンをα２μｍピッチで作製した。この基板上に、真
空蒸着法にニジピレン薄膜（膜厚：α５μｓ）　　ｔ−
作製した。このピレンを蒸着したパターン状電極基板金
網目状の白金電極と共に電解溶液に浸し、パターン状電
極を正極、網目状白金電極を負極として、２．５Ｖの定
電圧でピレンの電解酸化を行つ九。電解液は水／エタノ
ール混合溶媒に電解塩（過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウム）１１Ｍを溶解させたものとした。約１分の電圧印
加により、無色のピレン薄膜のうち、パターン電極上の
みが重合した。この膜を水で十分洗浄し一昼夜減圧乾燥
したのち、顕微鏡観察を行ったところ、従来の方法によ
り作製したものに比較して非常に均質性に優れた薄膜が
形成されていることがわかった。また、この膜を基板か
らはく離し、ベンゼン、トルエン等のピレンモノマーを
溶解する有機溶媒に浸し友ところ、重合部分の膜の溶解
は認められなかつ次。これらのことから、上記の操作に
より非常に均質性に優れたパターン状高分子化ピレン薄
膜が作製されたことが確認された。

実施例２ 実施例１と同様の方法で作製したパターン状電極基板に
、＃液塗布法によりカルバゾール薄膜（膜厚１．２μｔ
ｎ）　　ｔ−作製した。このカルバゾール薄膜上に、ト
リフルオロメタ／スルホン酸リチウムとポリエチレンオ
キシドの混合物を真空蒸着によシ積層したのち、その上
に更に白金の導電体をスパッタリングによシ作製した。

次いで、パターン状電極基板を正極、白金の導電体ｆｔ
負極として、２．５Ｖの定電圧を印加した。

約５分の電圧印加中、半透明の導電体を通して観察され
るカルバゾール薄膜のうち、電極パターン上のみが重合
によフ徐々に暗緑色に変化した。反応後、このカルバゾ
ールを含む複合膜を水中に浸漬して電解質膜を溶解し、
実施例１と同様に顕微鏡観察を行ったところ、従来の方
法によシ作製したものに比較して非常に均質性に優れ次
薄膜が形成されていることがわかつ次。

また、この膜を基板からはく離し、ベンゼン、トルエン
等のカルバゾールモノマーを溶解する有機溶媒に浸し九
ところ、重合部分の膜の溶解は認められなかった。これ
らのことから、上記の操作により非常に均質性に優れた
パターン状高分子化カルバゾール薄膜が作製されたこと
が確認された。

実施例３ ｒＬｌｍｌＩのライン％　　ｌ１ｍのスペース、膜厚［
１１μｍの金のくし形電極を有する石英基板上に、溶液
塗布法によりＮ−フェニルピロールとトリフルオロメタ
ンスルホン酸とポリオキシエチレンの混合薄膜（重量比
３：１：１．膜厚α９μｍ）を作製し、その上に更に白
金の導電体をスパッタリングにより作製した。次いで、
くシ形電極基板を正極、白金の導電体を負極として、２
．５■の定電圧を印加した。約５分の電圧印加中、半透
明の導電体を通して観察されるＮ−フェニルビロール含
有薄膜のうち、パターン電極上のみが重合によフ徐々に
黒色に変化した。反応後、トリフルオロメタンスルホン
酸とポリオキシエチレンを除去することなしに、実施例
１と同様の顕微鏡観察を行つ九ところ、従来の方法によ
り作製し次ものに比較して非常に均質性に優れた薄膜が
形成されていることがわかった。また、この膜を基板か
らはく離し、まず水洗によりトリフルオロメタンスルホ
ン酸とポリオキシエチｖンｋＨ去したのち、ベンゼン、
トルエン等ノＮ−フェニルピロールモノマーを溶解する
有機溶媒に浸したところ、重合部分の膜の溶解は認めら
れなかった。これらのことから、上記の操作により非常
に均質性に優れたパターン状高分子化Ｎ−フェニルピロ
ール薄膜が作製されたことが確認された。

実施例４〜１０ 実施例１〜３と同様にパターン状に導電性部位を有する
基板上に、インチアナフテン（実施例４）、７ズｖン（
実施例５）、メチルアズレン（実施例６）、ナフタレン
（実施ｆｌＪ７）、トリフェニレン（実施ｆｆ１Ｊ８）
、ビフェニル（実施％Ｊ９）、Ｎ−ビニルカルバゾール
（実施例１ｏ）の薄膜あるいはそれらの複合膜を溶液塗
布法あるいは真空蒸着法により作製した。これらのモノ
マー薄膜上に、必要な場合には実施例２．３と同様に、
更に白金、又は酸化スズの半透明薄膜をスパッタリング
により作製した。これらのモノマー薄膜を有する基板を
用いて、実施例１〜３と同様な手法で電解酸化を行った
Ｏｔ′Ｍ塩としては、フルオロポレート、バークロレー
ト、サルフェート等を使用した。作製条件をまとめて表
１に示す。これらの薄膜について、実施例１〜３と同様
に顕微鏡観察及び汎用有機溶媒を用い次溶解性試験を行
った結果、いずれの薄膜においても、非常に均質なパタ
ーン状高分子薄膜が作製されたことが確認された。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、均質性が高いパ
ターン状芳香族系高分子膜を簡便に作製することが可能
であるという格別顕著な効果が奏せられる。得られたパ
ターン状高分子展は、通常の電解重合で得られる膜と同
様に、導電性の向上や、酸化還元性、エレクトロクロミ
ズム性を有している。したがって、２次電池、とりわけ
薄膜電池、更にセンサー、表示用材料として有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１−１図、第１−２図及び第１−３図は、本発明にお
ける所望のパターン形状に導電性部位を有する電極基板
と芳香族系化合物モノマー膜の構成例の概略断面図、第
２−１図及び第２−２図は、本発明の高分子膜の作製に
使用するパターン状電極の概略断面図、第３図は、本発
明の方法の代表例の作製工程の−ｇを、絶縁基板上のｔ
極導体全亘接エツチングした上に、芳香族系化合物モノ
マー膜を形成した電極基板を使用する場合を例にとって
示した概略模式図である。 １１：絶縁性基板、２：パターン化し次導体、３：絶縁
性基板表面の導電層、４：パターン化し次絶縁体、５：
芳香族系化合物モノマー膜、６：電解質膜、７：導電体
、８：芳香族系化合物モノマーと電解質の混合膜、９−
を解溶液、１０：対向電極、１１：［解酸化によシ高分
子が形成された部分 特許出願人　日本電信電話株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所望のパターン形状に導電性部位を有する電極基板
   上に芳香族系化合物モノマーの膜を作製する工程、該芳
   香族系化合物モノマーの膜を電解酸化する工程、の各工
   程を包含することを特徴とするパターン状高分子膜の作
   製方法。 ２、所望のパターン形状に導電性部位を有する電極基板
   上に芳香族系化合物モノマーの膜を作製する工程、該芳
   香族系化合物モノマーの膜上に電解質膜を作製する工程
   、該電解質膜上に導電体を形成させる工程、該芳香族系
   化合物モノマーの膜を電解酸化する工程、の各工程を包
   含することを特徴とするパターン状高分子膜の作製方法
   。 ３、所望のパターン形状に導電性部位を有する電極基板
   上に芳香族系化合物モノマーと電解質を含む膜を作製す
   る工程、該芳香族系化合物モノマーと電解質を含む膜上
   に導電体を形成させる工程、該芳香族系化合物モノマー
   と電解質を含む膜を電解酸化する工程、の各工程を包含
   することを特徴とするパターン状高分子膜の作製方法。 ４、所望のパターン形状に導電性部位を有する電極基板
   上に、該基板上で芳香族系化合物モノマーを電解酸化し
   て形成したパターン状高分子膜を有することを特徴とす
   るパターン状高分子膜。 ５、所望のパターン形状に導電性を有する電極基板上に
   、該基板上で芳香族系化合物モノマーの電解酸化によつ
   て形成したパターン状高分子膜と電解質膜とを有するこ
   とを特徴とするパターン状高分子膜。 ６、所望のパターン形状に導電性を有する電極基板上に
   、該基板上で芳香族系化合物モノマーと電解質とを含む
   膜の電解酸化によつて形成した高分子と電解質の混合物
   のパターン状膜を有することを特徴とするパターン状高
   分子膜。