JPS60245178A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びその製造方法Info
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- JPS60245178A JPS60245178A JP10102384A JP10102384A JPS60245178A JP S60245178 A JPS60245178 A JP S60245178A JP 10102384 A JP10102384 A JP 10102384A JP 10102384 A JP10102384 A JP 10102384A JP S60245178 A JPS60245178 A JP S60245178A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78681—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＫＬ表示装置等の駆動に使用される薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＰＴと略す）に関し、特には、特定の
材料及び製造方法によって保護膜を形成したドレイン電
流の経時変化の少ない安定性に優れたＴＰＴ及びその製
造方法に関する。
ンジスタ（以下ＴＰＴと略す）に関し、特には、特定の
材料及び製造方法によって保護膜を形成したドレイン電
流の経時変化の少ない安定性に優れたＴＰＴ及びその製
造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
ＴＰＴは、ソース・ドレイン電極間の半導体の電気伝導
度を半導体と接する絶縁物層を介して設けられた第３の
電極（ゲート電極）に印加する電圧によって制御するい
わゆる電界効果型トランジスタとして知られている。従
来ＴＰＴは、大面積に渡ってスイッチングアレーを形成
し易い点、あるいは材料が安価なため低コストになり得
る々どの点でイメージセンサあるいは液晶やＥＬ表示装
置等のスイッチングアレーを目的に研究が続けられてい
る。
度を半導体と接する絶縁物層を介して設けられた第３の
電極（ゲート電極）に印加する電圧によって制御するい
わゆる電界効果型トランジスタとして知られている。従
来ＴＰＴは、大面積に渡ってスイッチングアレーを形成
し易い点、あるいは材料が安価なため低コストになり得
る々どの点でイメージセンサあるいは液晶やＥＬ表示装
置等のスイッチングアレーを目的に研究が続けられてい
る。
従来ＴＦＴ中の半導体層の表面や、ソース・ドレイン電
極と半導体層との接触部の表面などは、雰囲気の影響を
受けやすく、酸素ガスや水蒸気が直性これらの表面から
拡散することによって、電気的特性が大きく変動し、商
品として使いものにならなかった。このためスパッタ法
などにより、素子の表面を二酸化シリコン（５ｉｎ２）
や酸化アルミニウム（ム７１２０．）などの無機絶縁物
からなる保護膜で被覆することが検討されている。しか
しながらこの場合にも、これらの膜中のピンホール等を
通じて、酸素ガスや水蒸気が拡散し、同様に電気的特性
の変動がみられた。また、スパッタ法によりこれらの保
護膜を形成する場合、高エネルギーを持ったプラズマ粒
子が直接半導体層の表面に入射するため半導体層中に欠
陥が生じて電気的特性が劣化したり、温度が上昇して拡
散などのため電気的特性が変化するなどの不都合があっ
た。
極と半導体層との接触部の表面などは、雰囲気の影響を
受けやすく、酸素ガスや水蒸気が直性これらの表面から
拡散することによって、電気的特性が大きく変動し、商
品として使いものにならなかった。このためスパッタ法
などにより、素子の表面を二酸化シリコン（５ｉｎ２）
や酸化アルミニウム（ム７１２０．）などの無機絶縁物
からなる保護膜で被覆することが検討されている。しか
しながらこの場合にも、これらの膜中のピンホール等を
通じて、酸素ガスや水蒸気が拡散し、同様に電気的特性
の変動がみられた。また、スパッタ法によりこれらの保
護膜を形成する場合、高エネルギーを持ったプラズマ粒
子が直接半導体層の表面に入射するため半導体層中に欠
陥が生じて電気的特性が劣化したり、温度が上昇して拡
散などのため電気的特性が変化するなどの不都合があっ
た。
発明の目的
本発明は、従来のＴＰＴにおける前記問題を解決すべく
なされたものであって、耐酸素性及び耐湿性全向上させ
、経時変化の少ない安定なＴＰＴ及びその製造方法を提
供するものである。
なされたものであって、耐酸素性及び耐湿性全向上させ
、経時変化の少ない安定なＴＰＴ及びその製造方法を提
供するものである。
発明の構成
本発明は前記の目的を達成するためＴＰＴにおいて、半
導体層の表面又は素子の全面をパリレンを主成分とする
薄膜で被覆したことを特徴とする。
導体層の表面又は素子の全面をパリレンを主成分とする
薄膜で被覆したことを特徴とする。
本発明によれば、耐酸素性及び耐湿性にすぐれたパリレ
ン薄膜で素子の一部または全面を保護しているので、こ
れらのガス及び水蒸気によるＴＰＴの電気的特性の変化
を極めて小さくすることができる。
ン薄膜で素子の一部または全面を保護しているので、こ
れらのガス及び水蒸気によるＴＰＴの電気的特性の変化
を極めて小さくすることができる。
実施例の説明
第１図は本発明の実施例によるＴＰＴの断面を示したも
のである。絶縁基板１上に１０００人程度の膜厚を有す
るアルミニウムからなるゲート電極２、前記ゲート電極
２を被覆する６０００人程度０膜厚を有するムｅ２０３
からなる絶縁体層３、前記絶縁体層３の上に５００人程
鹿の膜厚を有するＣｄＳｅからなる半導体層４、前記半
導体層４の上に数〜数十ミクロンの所定の間隔を隔てて
１ｏｏ。
のである。絶縁基板１上に１０００人程度の膜厚を有す
るアルミニウムからなるゲート電極２、前記ゲート電極
２を被覆する６０００人程度０膜厚を有するムｅ２０３
からなる絶縁体層３、前記絶縁体層３の上に５００人程
鹿の膜厚を有するＣｄＳｅからなる半導体層４、前記半
導体層４の上に数〜数十ミクロンの所定の間隔を隔てて
１ｏｏ。
入程度の膜厚を有するアルミニウムからなるソース電極
６及びドレイン電極６、さらに素子全面を被覆する数ミ
クロンの膜厚を有するパリレン薄膜７から構成されてい
る。
６及びドレイン電極６、さらに素子全面を被覆する数ミ
クロンの膜厚を有するパリレン薄膜７から構成されてい
る。
第２図は、第１図の実施例においてパリレン薄膜がある
場合ａとない場合すのドレイン電流の経時変化を調べた
ものである。ゲート電圧、ドレイン電圧ともに１０Ｖと
一定にして測定を行なったこの図かられかるように、パ
リレン薄膜で被覆した素子では、１０００時間経過後の
ドレイン電流の変化は約６係程度であり、十分に実用に
たえうろことがわかった。
場合ａとない場合すのドレイン電流の経時変化を調べた
ものである。ゲート電圧、ドレイン電圧ともに１０Ｖと
一定にして測定を行なったこの図かられかるように、パ
リレン薄膜で被覆した素子では、１０００時間経過後の
ドレイン電流の変化は約６係程度であり、十分に実用に
たえうろことがわかった。
半導体層がＣ＋ｉＳｅなどの場合には、特に湿度に対す
る電気的特性の変化が大きく、パリレン薄膜で被覆する
ことにより、長期安定性を大幅に改善することができる
。
る電気的特性の変化が大きく、パリレン薄膜で被覆する
ことにより、長期安定性を大幅に改善することができる
。
パリレン薄膜の形成は、たとえばプラズマ重合法により
形成することができる。第３図は、プラズマ重合装置の
概略図である◇真空チャンバー８内にたとえばバラキシ
レンなどのモノマーガスとアルゴンガスが分圧がそれぞ
れ５０ ｍＴｏｒｒと４゜ｍ Ｔｏｒｒ になるように
導入し、電極１０とアース間にたとえば１３・５６ Ｍ
Ｈｚの高周波電力を印加して、パラキシレンガスを活性
化し、パリレンの高分子膜を形成することができる。プ
ラズマ重合法により形成された膜は、素子との密着性に
すぐれ、多方向から膜が形成されるため、膜と膜との断
差が存在するような場合でも、断切れの起こる６ ・ 心配がなく信頼性にすぐれている。
形成することができる。第３図は、プラズマ重合装置の
概略図である◇真空チャンバー８内にたとえばバラキシ
レンなどのモノマーガスとアルゴンガスが分圧がそれぞ
れ５０ ｍＴｏｒｒと４゜ｍ Ｔｏｒｒ になるように
導入し、電極１０とアース間にたとえば１３・５６ Ｍ
Ｈｚの高周波電力を印加して、パラキシレンガスを活性
化し、パリレンの高分子膜を形成することができる。プ
ラズマ重合法により形成された膜は、素子との密着性に
すぐれ、多方向から膜が形成されるため、膜と膜との断
差が存在するような場合でも、断切れの起こる６ ・ 心配がなく信頼性にすぐれている。
熱重合法によりパリレン薄膜を形成した場合にも同様の
効果が得られた。これはたとえばジパラキシレンを７０
０′ｃｉで加熱して分離させ室温にある素子表面上で重
合させることにより形成される。この方法によっても安
定で強い重合膜を簡単に形成することができる。
効果が得られた。これはたとえばジパラキシレンを７０
０′ｃｉで加熱して分離させ室温にある素子表面上で重
合させることにより形成される。この方法によっても安
定で強い重合膜を簡単に形成することができる。
プラズマ重合法及び熱重合法ではともに素子自体が室温
のままパリレン薄膜を形成することができるので、素子
の熱による電気的特性の変化を防止することができる。
のままパリレン薄膜を形成することができるので、素子
の熱による電気的特性の変化を防止することができる。
またこれらの方法によ多形成したパリレン薄膜は、強い
紫外線を照射することにより分解し、パターン形成も容
易に行なうことができる。
紫外線を照射することにより分解し、パターン形成も容
易に行なうことができる。
以上の例では、インバーテツドスタガータイプのＴＰＴ
について述べたが、スタガータイプのＴＰＴについても
同様の効果が得られることは言うまでもない〇 発明の効果 以上のように、本発明によれば、半導体層の表面又は素
子の全面が、耐酸素性及び耐湿性にすぐれたパリレン薄
膜で被覆されているので、半導体中への酸素ガス及び水
蒸気の拡散を防止し、ドレイン電流の経時変化をきわめ
て小さくすることができる。また製造方法も簡単であり
、量産にも適しており製造コストを大幅に引き下げるこ
とができるため工業的価値も高い。
について述べたが、スタガータイプのＴＰＴについても
同様の効果が得られることは言うまでもない〇 発明の効果 以上のように、本発明によれば、半導体層の表面又は素
子の全面が、耐酸素性及び耐湿性にすぐれたパリレン薄
膜で被覆されているので、半導体中への酸素ガス及び水
蒸気の拡散を防止し、ドレイン電流の経時変化をきわめ
て小さくすることができる。また製造方法も簡単であり
、量産にも適しており製造コストを大幅に引き下げるこ
とができるため工業的価値も高い。
第１図は本発明の一実施例であるＴＰＴの縦断面図、第
２図はパリレン薄膜がある場合亀とない場合すのＴＰＴ
のドレイン電流の経時変化を示す図、第３図はプラズマ
重合装置の概略図を示す。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・ゲート電極、３
・・・・・・絶縁体層、４・・・・・・半導体層、６・
・・・・・ソース電極、６・・・・・・ドレイン電極、
７・・・・・・本発明のパリレン薄膜、８・・・・・・
真空チャンバー、９・・・・・・サンプルの位置、１ｏ
・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 Ｉ ＩＱ ＩＱＯｌ０００ 糸Ｉ逝Ｂ寺月４ （１４間ン
２図はパリレン薄膜がある場合亀とない場合すのＴＰＴ
のドレイン電流の経時変化を示す図、第３図はプラズマ
重合装置の概略図を示す。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・ゲート電極、３
・・・・・・絶縁体層、４・・・・・・半導体層、６・
・・・・・ソース電極、６・・・・・・ドレイン電極、
７・・・・・・本発明のパリレン薄膜、８・・・・・・
真空チャンバー、９・・・・・・サンプルの位置、１ｏ
・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 Ｉ ＩＱ ＩＱＯｌ０００ 糸Ｉ逝Ｂ寺月４ （１４間ン
Claims (3)
- （１）半導体層の表面又は素子の全面がパリレンを主成
分とする薄膜で被覆されていることを特徴とする薄膜ト
ランジスタ。 - （２）半導体層がセレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）から
成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
トランジスタ。 - （３）半導体層の表面又は素子の全面にパリレンを主成
分とする薄膜をプラズマ重合法又は熱重合法により形成
する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102384A JPS60245178A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102384A JPS60245178A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245178A true JPS60245178A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14289598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10102384A Pending JPS60245178A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0944116A2 (de) * | 1998-02-18 | 1999-09-22 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren aus Cadmium-Selenid |
| KR20020095805A (ko) * | 2001-06-15 | 2002-12-28 | 조대형 | 물체의 파릴렌 코팅방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625714A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-12 | Canon Inc | Color liquid crystal display cell |
| JPS5646550A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10102384A patent/JPS60245178A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625714A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-12 | Canon Inc | Color liquid crystal display cell |
| JPS5646550A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0944116A2 (de) * | 1998-02-18 | 1999-09-22 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren aus Cadmium-Selenid |
| EP0944116A3 (de) * | 1998-02-18 | 1999-12-22 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren aus Cadmium-Selenid |
| KR20020095805A (ko) * | 2001-06-15 | 2002-12-28 | 조대형 | 물체의 파릴렌 코팅방법 |
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