JPS60244864A - 容量性トランスジユ−サ - Google Patents

容量性トランスジユ−サ

Info

Publication number
JPS60244864A
JPS60244864A JP60075255A JP7525585A JPS60244864A JP S60244864 A JPS60244864 A JP S60244864A JP 60075255 A JP60075255 A JP 60075255A JP 7525585 A JP7525585 A JP 7525585A JP S60244864 A JPS60244864 A JP S60244864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
mass
mink
outer layer
size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60075255A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0342791B2 (ja
Inventor
レスリー・ブルース・ウイルナー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Becton Dickinson and Co
Original Assignee
Becton Dickinson and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Becton Dickinson and Co filed Critical Becton Dickinson and Co
Publication of JPS60244864A publication Critical patent/JPS60244864A/ja
Publication of JPH0342791B2 publication Critical patent/JPH0342791B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/24—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance
    • G01D5/241—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes
    • G01D5/2417—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes by varying separation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/0882—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system for providing damping of vibrations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、バッチ方式で形成されるシリコン容量性加速
度計に関する。更に、本発明は、固定された極板に関し
て接近離反運動が可能な極板の今までにない大きな運動
領域を提供するた・め、運動可能な極板が固定された極
板に関して接近離反するように腔部内でピストン状に運
動するよう取付けられたサンドイッチ形式の構造を用い
る如き容量性のトランスジューサに関する。即ち、この
運動可能な極板の全領域は、この形式の容量性のトラン
スジューサにおいて通常提供される撓み形の運動パター
ンではなく、固定極板に関して接近離反運動するもので
ある。
更に複雑さを増す計装システムを可能にするコンピュー
タの使用によシ、高い信頼性および中庸なコストの個々
のセンナに対する需要が高まっている。このような需要
には、直接加速度を測定するものと、速度および変位量
を測定するため加速度および時間の積分を可能にするも
のの両方の加速センサに対する需要が含まれる。このこ
とは特に、上記の如く、自動車の如き品物の生産のため
のロボット構造物を用いる製造プロセスにおいて妥当す
る。このことはまた、例えば航空機のための推進装置ま
たは軍備において用いられる色々な種類の発射物におい
ても重要である。このような構造物は非常に小さなもの
であるが、当業者においては明らかなように、温度およ
び圧力の振動および衝撃の厳しい条件下においても依然
として作動すること、またこれらのものが非常に広い範
囲にわたって加えられる刺激に対して非常に敏感に作動
することが重要である。
フレーム内で撓みによシ運動する堅固な中心部の「ピス
トン」の使用については既に開発されている。例えば、
このような構造は米国特許第４．２３６，１３７号にお
いて教示されている。このような構造においては、運動
を検出する装置は、中心部の板が撓む撓みに関する歪み
計である。対照的に、本発明においては、撓みは板の厚
みの略々中心部において生じる。この中心部の撓みは、
検出過程における板の面内の加速度に応じた中心部質量
の傾斜を妨げるため重要となる。これは、食刻の深さを
緻密に制御することにょシ本発明のプロセスにおいて実
現される。即ち、食刻された腔部の底部が変性され、次
いで別の食刻にょシ緩和されて可撓性に富んだ隔膜を形
成し、その上で板が「ピストン状」の運動を行なう。米
国特許第４．２３６，１３７号に記載された装置におい
ては、ガス減衰作用は板の接近度に極端に依存しかつ媒
体の音速によシその周波数範囲において制約される板間
の抑圧膜減衰作用と共に変化する接近度の面空間を用い
ていた。
対照的に、本発明においては、内部の流体の運動のため
の複数の離間された開口即ち通路を用いて、独自に考案
された板が得られる。このため、板がピストン状に前後
に運動する時、流体は通路内を運動する。更に重要なこ
とは、板の表面上には通路に接近離反するように流体の
流れを正確に指向させる効果を有する特殊な溝が板の表
面に画成され、これによりピストン状に運動可能な板の
運動中、流体の運動を案内する。主なガスの流動抵抗は
、板の面上に分散するチャネルにある。この理由によシ
、板におけるパーフォレーション即ち開口における減衰
作用が上記の諸問題を回避するものである。
本発明の別の特徴は、運動可能な板の表面におげろ係止
点の如きガラスの点の使用である。従って、過大な負荷
においては、これら係止点は板の電気的な短絡を阻止す
る。この点は、更に、過大負荷における２つの停滞形態
を阻止する。非常に敏感な容量性センサにおいては、電
気的なバイアス即ちキャリアの吸着力が可動ピストンを
固定板に対するピストン状の板の運動において近似させ
る隔膜のばね作用力を超えることになる。従って、板は
一体に係止する。係止点の高さは、本発明によれば、係
止状態を阻止するように選定される。
例えば、本発明の一実施例においては、この高さはｌＧ
の加速度に応じて約０．００００２５　ｉｎ　（１μイ
ンチ）の移動量を許容する回復剤さで５ボルトの係止状
態を阻止するように選定される。
別の係止問題は、空圧作用による係止形態をとり得る。
即ち、平坦な板が相互に非常に接近させられると、板間
の空間内への流動抵抗は非常に大きくなる。ガスが感度
の大きな容量性センサにおけるこの空間内に再び流入す
るには長い時間（数秒間〕を要し、運動する板を過大負
荷の下に置いた後その通常位置へ戻すことが可能である
。板の表面上で隔てられた本発明の係止点は、前記空間
を２枚の板間で開口状態に維持してガスを流動させて急
速に回復させる。
上記の如く、本発明の特徴の１つは、運動可能な板をサ
ンドイッチ部に取付け、２つの外側の層間には腔部が形
成され、中心層即ち上部は運動可能なコンデンサ極板を
支持する構造であシ、芯部分と上部層もまた極板のどの
表面にも腔部の一部を形成する。このように、形成され
た腔部は極板に形成されたパーフォレーションを通して
可動長さのどちらの側にも流通する。
本発明の別の特徴は、サンドイッチ部の反対側のアルミ
ニウム膜に対して押付けられる上部における小さな７リ
コンの節、突条、バーその他の突起の使用であシ、これ
は節が各部間に安定した結合を生じる下側の材料の弾性
変形により接触状態に保持されるという効果を有する。
最後に、本発明のコンデンサ極板の処理においては、分
散した食刻係止点による均一な薄さの可撓構造を有する
非常に小さな寸法の高感度のコンデンサが本発明によっ
て提供される。
本発明による容量性のシリコン・センサを提供する諸条
件について一般的に考察すると、結果として得られる素
子は、±１０％の範囲内に制御が可能であるコンデンサ
間隙を提供するものでなげればならず、まＴ二残留隔膜
の厚さは±８％以内に制御可能でなければならないこと
を実現することが重要である。また、残留隔膜はウェー
ハの中間面において実質的なものでなげればならない。
更に。
表面上のチャネルの幅は、最小寸法の±１５％以内に制
御可能でなげればならず、またチャネルにおいては予測
可能な丸味を持たなければならないが、熱論スルーホー
ルがなければならない。更に。
このスルーホールおよびチャネルは脆弱な張出し部分を
持ってはならない。係止点は陽極酸化結合電圧に耐える
ように絶縁されねばならず、また厚さが０．６乃至１．
０μ内になげればならない。最後に。
結合リム部は陽極酸化結合のため平坦かつ平滑でなけれ
ばならず、また隔膜が剥離即ち現像された後ホトリソグ
ラフィ法（光食刻法）が許容されない。
所要の結果を達成するためのプロセスの単なる事例とし
、また特に本発明のサンドイッチ状構造の中心部の可動
極板構造の生産においては、出発材料は単結晶クリコン
・ウェーハのＮまたはＰタイプ（１００）の０．７°以
内の指標番号［１１０）の面である。最初の厚さは約０
．１９０５ｍｍ（０，００７５インチ）±約０．００５
１能（０，０００２インチ〕となるように選定される。
両面は研磨され、次いで約０３μの厚さまで軽く酸化さ
れる。その後、法で整合された指標パターンが前後の被
覆に対して加えられ、開口した指標面が再び酸化される
。次に、その溝、チャネルおよびスルーホールのホトリ
ングラフィ法によるパターンが前面における酸化物およ
び裏面における酸化物に開口される。次いでウェーッー
が、スルーホールの穿孔のため、貫通状態の半分よシ若
干多め（約０．０９９ｍｍ（０，００３９インチ〕）に
水酸化カリウム食刻法で食刻される。その後、前面はホ
トリソグラフィ法で処理され、リム部はそのままで中心
部の可動部分から残留酸化物を除去する。
その後、正確な浅い食刻法（即ち、イオンビーム加工法
）を用いて、３．５μ±１０％が前面の露出シリコンか
ら除去され、これによりコンデンサ間隙を形成する。
これに続いて、全ての残留酸化物が剥離され、両面が再
び酸化させられて約０．６μの厚さまで厚い酸化物層と
なる。裏面はホトリソグラフィ処理されて最終的な食刻
において侵されるべき領域のみに酸化物を残して他の全
て酸化物を除去する。
次に全ての露出されたシリコンは、２２μの深さとなる
ようにホウ素の濃度が５×１０１９原子／ＣＣを超える
程度までホウ素でドープされる。
乾燥状態の０２雰囲気内でウェー２１を再び酸化させて
、ホウ素が５×１０１９原子／ＣＣを超える１、６μま
で正味の深さを減少させる。高度なドーピング層は、こ
の状態において内外の両側共ドーピングの程度が少なく
なるよう先細となる。酸化物は約０．６μでなければな
らない。次にホトリソグラフィ法を行なって表面上に酸
化物の係止点を残し、その後に他の全ての酸化物の除去
が続く。最後に、最終的な食刻操作（エチレン・ジアミ
ン／ピロカテコール（ＦＤＰ　）エッチャント）が加え
られて、５×１０１９原子／ＣＣよシ多くド−ピングを
施したシリコンの残留隔膜を現わす。
本発明のサンドイッチ構造の蓋部と基部の形成に際して
は、１つの手順はパイレックスの蓋部および基部の提供
である。これに関連して、ホウ素ケイ酸塩、望ましくは
パイレックスを用いる。ガラスの場合における要件は、
２つの表面を一体に結合した後冷却中収縮がシリコンと
密接に関連するように、シリコンと似た熱膨張を生じる
ものでなければならないことである。更に、１０乃至１
０８１０８０ｈの範囲内で４５０乃至５５０°Ｇの結合
温度において導電性を呈するものでなければならない。
最後に、このガラスは１００℃以下の温度において機械
的および化学的な安定性を有するものでなげればならな
い。基極板は、コンデンサの静止極板を支持する。この
極板は可動極板とは反対に薄い金属膜であシ、電気的に
結合するように中心のリム部における切欠きを貫通して
延長する。
この切欠きは、素子の内部の清潔度を確保するためンル
ダー・ガラスで封止することができる。蓋部は、運動を
許容するため中心部分の運動部分と反対の凹部を持たな
ければならない。これら２つのパイレックス部分は、中
心部に対して陽極酸化結合することができる。
あるいはまた、蓋部および基部は主としてシリコンから
なシ、層間に絶縁性を有するキヤ・ξシタンスが小さな
結合部を提供するためパイレックスまたは相当物のイン
レーを有する。パイレックスおよびノリコンのこのよう
な複合物を形成する１つの手順は、パイレックスの所要
のインレー厚さよシ若干深く凹みを生じるまでシリコン
を食刻することである。次にパイレックスのフリットを
沈降によってシリコン上に沈着させ、四部の深さよシも
大きな、厚さを有するガラスの固形層を形成するまで融
解される。
次に、ウェーハ表面が研磨されてシリコンの邪魔されな
い面から・ξイレックスを除去し、凹部におけるパイレ
ックスの平坦かつ平滑な表面を生じる。コンデンサの固
定極板となる基部は、この基部と可動極板を有する中心
層の両者に対する結合の便を提供するためホトリソグラ
フィ法にょシバターンが加えられた薄いアルミニウム膜
で覆われる。蓋部は、可動極板の運動を許容する凹部を
必要とする。このような凹部は、パイレックスではなく
シリコンを侵すＦＤＰエッチャント中で食刻することに
より有効に形成される。
パイレックスのインレーを含むシリコンの外側の層を用
いるのには２つの目的がある。１つは、結合リム部にお
ける切欠きの必要および切欠きを塞ぐための必要を排除
するため、固定電極を同一面としないことである。他の
目的は、はとんど１つの材料で形成することにより各部
分の間の熱膨張の不一致を減少させることである。
上記および他の目的を念頭に置いて、以下に本発明を更
に詳細に記述するが、本発明の他の目的および長所につ
いては以下の記述、図面および頭書の特許請求の範囲か
ら明らかになろう。
いくつかの図面においては同じ部分を同じ照合番号で示
す図面において、第１図は非常に高い感度を有する容量
性トランスジューサ等に使用されるサンドインチ構造を
形成する本発明の中心部のコンデンサ極板即ち６部の平
面図を示している。
実際には、中心部のコンデンサ極板の平面図は、前に述
べた如き基部と対面するその底面である。
このため、コンデンサ極板１０は、紙面に対して直角の
方向にピストン状に運動可能な中心部の可動極板部分１
５を含むが、第１図においてはその運動は可撓性を有す
る隔膜１１に沿って運動する。
第１図に示されるように、隔膜１１の外側面は結合リム
部３０と結合されている。
本発明の本文における前に述べた如き１つの特徴は、可
動極板１５の表面上で距離を隔てた状態で形成された複
数のパーフオレ−ンヨン即ち通路１６である。これらの
パーフォレーション即チ通路は、本発明の容量性トラン
スジューサのサンドイッチ構造内部の空気の極板１５の
底面からその頂面への、またその反対方向の運動を許容
する。
溝１８によシ更に分割された凹部１２は、コンデンサ６
部１０の可動極板部分１５におけるこの６部の表面内に
あって、以下に述べる本発明のサンドインチ構造の基部
と、中心部のコンデンサ極板１０との間に形成された下
方の腔部の一部を形成する。更に、前記表面の四部およ
び（または）溝は、空気の流れの減衰のための案内面を
形成し、空気をこの面に沿ってパーフォレーショ７１６
に向けて案内する。これは、迅速な正確に指向された空
気の流れを提供して、反対側の極板が相互に接近する時
迅速な回復を生じるように作用する。
本発明の更に別の特徴として、上記の如く、電気的な接
点の突出部即ち突起２２が極板２０の底面上に設けられ
て、本発明の容量性トランスジューサのサンドイッチ構
造を構成する種々の部分が一体に接合される時、反対側
の基部に面する表面上の対向位置の薄い金属膜と接触状
態を生じる。２４は、固定極板の金属膜の接点が通過す
ることができるように６部の極板１０における凹部であ
る。
本発明の別の特徴として、第１１図の６部の極板部分１
０の形成中、中心部のピストン状に運動することができ
る極板部分１５の表面上に距離を隔てた状態で複数の係
止部１４が形成されている。
このように、係止部１４は誘電体であり、本発明のサン
ドイッチ構造の中心の固定された基部の反対側の中心面
に対する極板１５の電気的な接触を阻止するように作用
する。このため、更に、空気が極板間で迅速に流れ得る
ように空圧作用による停滞を阻止するものである。
次に第２図においては、同図は本発明の中心部の極板部
分１０の断面図で」ある。第２図において判るように１
面２６は極板ｌＯの実際のリム面７゜の下方まで食刻さ
れている。比較的浅い深さに食刻されているのは、本発
明のサンドイッチ構造の基部において形成された対向す
る固定コンデンサ極板に対する運動中可撓性に富むピス
トン状の極板１５の係合面を提供する一連の係止点１４
である。極板１０の面２６には、空気の流れを減衰させ
る溝１８の形態が点線により示されている。
「傾斜部」２７．２９がそれぞれ面２４．２６から突出
して、運動するように極板１５がその上に保持される隔
膜１１を形成している。
本例においては、食刻の深さの寸法は製造される素子に
おいて非常に小さなものであることを理解すべきである
。このため、係止点１４の面および面７０の下方の面２
６の食刻深さは、第２図の表示においては肉眼では見え
ないことになる。図の表示は、明瞭下のため本文の論議
における他の事柄と共に非常に誇張されている。本文に
説明するコンデンサの全寸法については以下に論述する
。
次に第３図においては、この断面は減衰溝１８と同じコ
ンデンサの表面２６を示している。この断面図は、パー
フォレーションを持たない領域についてのものである。
第５図乃至第９図は、本発明の容量性トランスジューサ
のサンドイッチ構造内示している。例えば、第９図は基
部５６．６部１０および蓋部即ち頂部５０を含む一緒に
接合された部分を示している。
第４図は、基部の接点３８と６部の接点４０と共に蓋部
５０の外表面を含む本発明のサンドイッチ構造の平面図
を示す。蓋部５０を中心の６部１０の上面から取外す時
、蓋部５０の露出された内面は第６図に示すように見え
る。即ち、パイレックス膜５２の形態のリム部は、蓋部
を形成するシＩＪ　ｓン結晶の外表面の周囲に延在して
いる。これ（関して、上記の如くフリット状の・ξイレ
ン２１粒子から形成された・ξイレツクス膜のそれぞれ
の厚さは、その研磨および（または）ラッピング形態に
おいて約０．０１０２朋（０，０００４インチ）である
。中心部５４は、約０．００８９　ｍｍ　（０，０００
３５インチ）の係合面からバックエツチングされた剥き
出しのシリコンである。このため、このバックエツチン
グされた剥き出しのシリコン面は、本発明のサンドイッ
チ構造の腔部の一部を形成する効果を有する。蓋部５０
が中心の６部ｌＯの上面から取外されると、中心の６部
の頂面の様子は第５図に示されている。第５図で判るよ
うに、複数の開口即ち・ξ−フオレーション１６は、隔
膜１１上で運動可能なその可動極板部分１５における６
部１０の頂面に形成される。
次に第８図においては、基部５６が中心の心部部分から
取外されると、基部５６の表面が第８図に示されるよう
に見える。この場合、基部５６もまた、本発明のサンド
インチ構造の蓋部分に形成されたパイレックス膜と同じ
ように形成されたパイレックス膜のリム部５８を有する
。接点６２は極板１０に対する金属／・ξイレツクス接
点であり基部５６と接触しないように絶縁されているが
、接点６４は基部５６に対する金属／シリコン接点であ
る。固定されたコンデンサ極板を形成する剥き出しのシ
リコン部分６０は、典型的な寸法を挙げるならば、約０
．００３闘（０，０００１２インチ）までバックエツチ
ングされている。このバンクエツチングされた部分もま
た、その内部で極板１５が本発明のサンドイッチ構造内
で撓む腔部の一部を形成する。
第７図は、第１図の表示と類似するか、基部５８上の領
域６２と接触する複数の離間された７リコンの突条また
はバーを形成する適当な凹部３２．３４．３５を有る中
心の上部工０の平坦な底面を示している。
細いバー３３が第８図に示される接点６２に対する絶縁
されたピット３２，３５間に形成される。ピット３５は
６部１０から離れてピット４６（第５図）内に延在し、
視覚的な整合のため金属接点６２を見ることができる。
種々の接点が、本発明の装置を測定された加速度即ち圧
力における変化により生じるキャパ７タンスの変化の読
取りのための適当な回路と結合するように作用する。
本発明の容量性トランスジューサは、前に簡単に述べた
ように非常に小さい。本発明のサンドインチ構造の容量
性トランスシュ〜すの製造において用いることができる
単なる例示としては、サンドイッチ構造の厚さは例えば
約１．４６１ｍｍ（０，０５７５インチ）でよい。この
寸法を厚さとして仮定すると、幅は約２．６９２ｍｍ　
（０，１０６インチ）、長さは約３．４８０ｍｍ　（０
，１３フインチ）となる。
このようＶて５上記のことから判るように、本発明によ
れば、サイズミンク・マス、その弾性的な支持部、この
支持部が取付けられるフレーム、およびガス減衰法を用
いる装置がシリコン単結晶から食刻されるシリコン・ウ
ェーッ蔦技術によって形成されたノリコン容量性トラン
スジューサ即ち加速度計が提供される。コンデンサ間隙
もまた同じシリコン部分に食刻することができ、共働部
分がこれもまたノリコン結晶からなる第２のコンデンサ
極板を提供する。本文における構成は非常に安定な加速
度計を提供するものであるが、これはその主な構成要素
がそれぞれ１つの連続する単結晶であるためである。高
い精度要件およびガス減衰動作の複雑さにも拘らず経済
的な製造が可能であるが、これは大量の同じ素子を同時
にウェーッ・形態で形成することができるためである。
更に、本構造は、不適正な信号の効果をもたらすことに
なる加速度に応じて中心部の質量の傾斜を阻止するよう
にピストン状に運動する極板の中心部の撓みを生じる点
において特に重要である。
本発明のセンサは、主として板の表面に形成された分散
したチャネルに存在するガスの流動抵抗によシガス減衰
されるものである。このため、／ξ−フオレーション内
の減衰作用により、流動するガスの大きな質量を生じる
場合でさえ従来技術の諸問題を回避する。素子の表面上
に形成された係止点を用いる本構造は、空気の流れの制
御と共に、２つの形態の停滞状態を阻止する。即ち、運
動するコンデンサ極板を支持する柔軟なばね作用の隔膜
の過大な電圧負荷が係止点の厚さの選択によって回避さ
れる。更に、前記係止点が対向位置にあるコンデンサ極
板間に空間を開口状態に維持してこの領域内へのガスの
流入および迅速な回復を許容するため、空圧作用の停滞
作用が阻止される。
本文に開示された各方法により典型的とされる。
方法および製品は本発明の望ましい実施態様を形成する
ものであるが、本発明はこれらの特定の方法および製品
に限定されるものではなく、頭書の特許請求の範囲に規
定される本発明の範囲から逸脱することなくその内で変
更が可能である。例えば、本発明を構成する方法から開
発されたプロセスおよび製品は、本装置の明瞭な教示内
容から明らかなように、圧力型シリコン・トランスジュ
ーサの提供のため変更が可能である。
更に、当業者には理解されるように、素子の特定の用途
に応じて開口１６の数を変更することができ、その結果
溝１８の大きさおよび数も変更される。更に、単一のば
ね作用の隔膜１１の代シに、中心の上部１０の両面に１
つずつ２つの部分的なばね作用隔膜を形成することもで
きる。
更にまた、本発明によって、第２の外側の極板が第３の
容量性の要素となる対称的なシステムを形成することも
できる。このような構成においては、サイズミンク・マ
スまたは極板の両面に溝および係止点が形成される。極
板のいずれか片側に形成される間隙は実質的に等しいも
のである。
このような構成に関連して、前記サイズミンク・マスと
機械的に接触する作用力の集中領域として第２の外側の
層を用いて圧力形トランスジューサを形成することもで
きる。このような状況の下では、作用力の集中領域は加
えられた圧力に比例して質量に対して撓み力を加えるこ
とになる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の容量性トランスジューサを提供するサ
ンドイッチ状構造の中心部を形成する本発明のコンデン
サ極板を示す底面図、第２図は第１図の線２−２に関す
る断面図、第３図は第１図の線３−３に関する断面図、
第４図は本発明のサンドイッチ状構造の上面を示す本発
明の容量性トランスジューサの平面図、第５図はサンド
イッチ状構造の蓋部および頂部を取外した状態の本発明
の上部即ちコンデンサ極板の平面図、第６図は本発明の
上部のコンデンサ極板からサンドイッチ構造を取外した
状態の蓋部の底面を示す平面図、第７図は基部の層を取
外した状態の本発明のサンドゝインチ構造の中心の６部
即ちコンデンサ極板の第１図と類似の底面図、第８図は
本発明の中心の心細極板部分と対面する基部の内側の上
面を示す本発明のサンドイッチ構造の基部の平面図、お
よび第９図は本発明の容量性トランスジューサのサンド
イッチ構造を示す側面図である。 １０・・・コンデンサ極板、１１・・・隔膜、１２・・
・凹部、１４・・・係止点、１５・・・可動極板、１６
・・・通路、１８・・・溝、２０・・・極板、２２・・
・突起、２４・・・凹部、２６・・・面、２７・・・傾
斜部、２９・・・傾斜部、３０・・・結合リム部、３２
．３４．３５・・・凹部、３３・・・バー、３８・・・
基部の接点、４０・・・６部の接点、４６・・・ビット
、５０・・・蓋部、５２・・・パイレックス漠、５６・
・・基部、５８・・・リム部、６０・・・剥き出しのシ
リコン部分、６２・・・接点。 ６４・・・接点、７０・・・リム面。 特許出願人　ベクトン・デイツキンソン・アンド・□１
０ Ｆ／ｑ６

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）容量性検出装置において可動コンデンサとして使
    用される極板において、 （ａ）　単結晶シリコンからなシ、 （ｂ）　前記極板の周部を形成するリム部と、（ｃ）　
    前記極板上にあって前記リム部から各側リム部上に隔て
    られた中心部のサイズミンク・マスと、 （ａ）　前記サイズミンク・マスを包囲して前記リム部
    に対する全ての縁部におけるその結合部を形成する隔膜
    ばねと、 （ｅ）容量性の検出装置に取付けられる時、前記サイズ
    ミンク・マスが前記極板の面に対して直角をなす面内で
    運動するように前記隔膜上に支持され、 （ｆ）容量性検出装置に取付けられる時、前記各サイズ
    ミンク・マス間に流体の流通状態を生じるため該マスに
    形成された少なくとも１つの開口と、 （ｇ）゛前記極板の１つの面内に形成された複数の溝と
    を設け、 （ｈ）　該溝は前記開口からこのｌ１ｉ）ｌ）ｔゝら？
    ＴｈｚらをＩｂ＆）メ糾＾、まで劃を乙釦内、（＝延６
    し。 （ｉ）　前記溝は、前記開口からの距離に正比例するよ
    うに徐々に減少する断面を呈し、（ｊ）　容量性検出装
    置に取付けられる時前記極板の測定された刺激を伝達す
    る前記極板上の電気的接点装置を設けることを特徴とす
    る極板。 （２）　（ａ）　前記サイズミンク・マスの前記の１つ
    の面から延在する複数の離間した誘電体の突起を設け、 （ｂ）　前記極板が容量性検出装置において運動するよ
    うに取付けられる時、前記突起と反対側の面と係合する
    ことを更に特徴とする特許請求の範囲第１項記載の極板
    。 （３）（ａ）　前記サイズミンク・マス上に離間された
    複数の前記開口と、 （ｂ）　該開口の各々から延在する複数の前記溝とを設
    けることを更に特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    極板。 （４）容量性の検出装置において （ａ）３つの層、即ち略々同じ大きさの内側の極板層と
    、第１の外側の層と、第２の外側層からなるラミネート
    を設け、 （ｂ）　前記３つの層の各々は単結晶シリコンからなり
    、 （ｃ）　前記第１と第２の外側の層は前記の内側の極板
    層から絶縁され、 （ｄ）前記内側の極板の周囲を形成するリム部と、 （ｅ）　前記の外側の各層が、前記極板のリム部の１つ
    の縁部に対してその周部において接合され封止され、 （ｆ）前記装置の可動容量性極板を形成し、かつ第１と
    第２の面を有する前記極板上の中心部のサイズミンク・
    マスとを設け、該マスは前記リム部から各縁部において
    離間され、（ｇ）　その各側縁部において前記サイズミ
    ック・マスを包囲し、かつ前記リム部に対するその結合
    部を形成する隔膜ばねとを設け、 （１１）前記サイズミック・マスは、前記極板の面に対
    して直角の面内で運動するように前記隔膜上に支持され
    、 （１）前記マスの前記第１と第２の面の間に流体の流通
    を生じるため前記サイズミンク・マスに形成された少な
    くとも１つの開口と、（ｊ）　前記サイズミンク・マス
    の第１の面に形成された複数の溝とを設け、 （ｋ）　該溝は、前記開口からこの開口とは隔てられた
    地点まで前記面内で延在し。 （１）前記溝は、前記開口からの距離に正比例するよう
    に徐々に減少する断面を呈し、（ｍ）　前記第１の外側
    の層は、前記容量性検出装置の固定極板を形成し、 （ｎ）　前記第２の外側の層は、前記サイズミンク・マ
    スを密閉し、かつ前記第１の外側の層から離れる方向の
    その運動を制限し、 （ｏ）前記外側の層および前記リム部は気体を保有する
    ための腔部を形成し、 （ｐ）　前記極板上および前記外側の層の少なくとも１
    つの上にあって前記装置の測定された刺激を伝達する共
    働する電気的な接点装置を設けることを特徴とする装置
    。 （５）　（ａ）　前記第１の面から延在する複数の離間
    された誘電体の突起を設け、 （ｂ）　該突起が前記第１の外側の層と係合することを
    更に特徴とする特許請求の範囲第４項記載の極板。 （６１（ａ）　複数の前記開口が前記サイズミック・マ
    ス上に距離を隔てて置かれ。 （ｂ）　複数の前記溝が前記第１の面の前記各開口から
    延在することを更に特徴とする特許請求の範囲第４項記
    載の極板。 （力　前記の共働する電気的接点が、 （ａ）　前記内側の極板層上の複数の金属の突起と、 （ｂ）　正の電気的接点における前記の金属突起と係合
    する変形可能な金属シートとからなることを更に特徴と
    する特許請求の範囲第４項記載の極板。 （８）容量性の検出装置において、 （ａ）３つの層、即ち略々同じ大きさの内側の極板層と
    、第１の外側の層と、第２の外側層からなるラミネート
    を設け、 （ｂ）　前記内部の極板層は単結晶のシリコンからなり
    、前記外側の層はシリコンと実質的に同じ膨張特性を有
    するホウケイ酸塩からなり、（ｃ）　前記内部の極板層
    の周囲を形成するリム部を設け、該リム部はその両側面
    に前記の対向する第１と第２の外側層に対して結合され
    たホウケイ酸塩のガラス膜を有し、前記の内部の極板層
    を前記第１と第２の外側層に対して結合してこれを絶縁
    し、 （ａ）　前記第１の外側の層上に金属膜を設け、該金属
    膜は前記装置の固定コンデンサ極板を形成し、 （ｅ）前記極板上の接点部のサイズミック・マスは、前
    記装置の可動容量性極板を形成し、かつ第１と第２の面
    を有し、前記マスは前記リム部から各側縁部において離
    間され、（ｆ）その各側縁部において前記サイズミック
    ・マスを包囲し、かつ前記リム部に対するその結合部を
    形成する隔膜ばねを設け、 （ｇ）　前記サイズミンク・マスは、前記極板の面に対
    して直角の面内で運°動するように前記隔膜上に支持さ
    れ、 （ｈ）　前記マスの前記第１と第２の面の間に流体の流
    通を生じるため前記サイズミンク・マスに形成された少
    なくとも１つの開口と、（１）前記サイズミック・マス
    の第１の面に形成された複数の溝とを設け、 （ｊ）　該溝は、前記開口からこの開口とは隔てられた
    地点まで前記面内で延在し、 （ｋ）前記溝は、前記開口からの距離に正比例するよう
    に徐々に減少する断面を呈し、（１）　前記第２の外側
    の層は、前記サイズミック・マスを密閉し、かつ前記第
    １の外側の層から離れる方向のその運動を制限し。 （ｍ）　前記外側の層および前記リム部は気体を保有す
    るための腔部を形成し、 （ｎ）　前記極板上および前記外側の層の少なくとも１
    つの上にあって前記装置の測定された刺激を伝達する共
    働する電気的な接点装置を設けることを特徴とする装置
    。 （９）　（ａ）　前記サイズミンク・マスの前記の第１
    の面から延在する複数の離間した誘電体の突起を設け、 （ｂ）　該突起は前記第１の外側の層と係合することを
    更に特徴とする特許請求の範囲第８項記載の装置。 αω　（ａ）　前記サイズミンク・マス上に離間された
    複数の前記開口と、 （ｂ）　前記第１の面において該開口の各々から延在す
    る複数の前記溝とを設けることを特徴とする特許請求の
    範囲第８項記載の装置。 ａυ　前記の共働する電気的接点が、 仏）前記内側の極板層上の複数の金属の突起と、 （ｂ）　正の電気的接点における前記の金属突起と係合
    する変形可能な金属シートとからなることを更に特徴と
    する特許請求の範囲第８項記載の装置。
JP60075255A 1984-05-18 1985-04-09 容量性トランスジユ−サ Granted JPS60244864A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US611765 1984-05-18
US06/611,765 US4574327A (en) 1984-05-18 1984-05-18 Capacitive transducer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60244864A true JPS60244864A (ja) 1985-12-04
JPH0342791B2 JPH0342791B2 (ja) 1991-06-28

Family

ID=24450332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60075255A Granted JPS60244864A (ja) 1984-05-18 1985-04-09 容量性トランスジユ−サ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4574327A (ja)
JP (1) JPS60244864A (ja)
DE (1) DE3507820A1 (ja)
FR (1) FR2564593B1 (ja)
GB (1) GB2158945B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4224383A1 (de) * 1991-07-24 1993-01-28 Hitachi Ltd Beschleunigungsmesser vom kapazitiven typ fuer airbagsysteme
DE4234969A1 (de) * 1991-10-18 1993-04-22 Hitachi Ltd Mikrowandler elektrostatischer bauart und ihn verwendendes steuersystem
WO1993022690A1 (en) * 1992-04-27 1993-11-11 Nippondenso Co., Ltd. Acceleration sensor and its manufacture
US5461916A (en) * 1992-08-21 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
US6388300B1 (en) 1999-01-25 2002-05-14 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor and method of manufacturing the same

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3625411A1 (de) * 1986-07-26 1988-02-04 Messerschmitt Boelkow Blohm Kapazitiver beschleunigungssensor
DE3742385A1 (de) * 1987-12-14 1989-06-22 Siemens Ag Beschleunigungsempfindliches elektronisches bauelement
US4825335A (en) * 1988-03-14 1989-04-25 Endevco Corporation Differential capacitive transducer and method of making
JPH0623782B2 (ja) * 1988-11-15 1994-03-30 株式会社日立製作所 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ
US5008774A (en) * 1989-02-28 1991-04-16 United Technologies Corporation Capacitive accelerometer with mid-plane proof mass
US4930043A (en) * 1989-02-28 1990-05-29 United Technologies Closed-loop capacitive accelerometer with spring constraint
US4930042A (en) * 1989-02-28 1990-05-29 United Technologies Capacitive accelerometer with separable damping and sensitivity
DE4015464A1 (de) * 1989-06-05 1990-12-06 Motorola Inc Doppelt-integrierende silicium-beschleunigungserfassungseinrichtung
DE3922476A1 (de) * 1989-07-06 1991-01-17 Siemens Ag Kapazitiver beschleunigungssensor in mikromechanischer ausfuehrung
DE3923042A1 (de) * 1989-07-13 1991-01-24 Messerschmitt Boelkow Blohm Kapazitiver wegsensor
EP0459723B1 (en) * 1990-05-30 1996-01-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor acceleration sensor and vehicle control system using the same
US5233213A (en) * 1990-07-14 1993-08-03 Robert Bosch Gmbh Silicon-mass angular acceleration sensor
US5221400A (en) * 1990-12-11 1993-06-22 Delco Electronics Corporation Method of making a microaccelerometer having low stress bonds and means for preventing excessive z-axis deflection
DE4102805A1 (de) * 1991-01-31 1992-08-13 Bosch Gmbh Robert Kapazitiver beschleunigungssensor
JP2776142B2 (ja) * 1992-05-15 1998-07-16 株式会社日立製作所 加速度センサ
US5404749A (en) * 1993-04-07 1995-04-11 Ford Motor Company Boron doped silicon accelerometer sense element
US5837562A (en) * 1995-07-07 1998-11-17 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Process for bonding a shell to a substrate for packaging a semiconductor
US5824565A (en) * 1996-02-29 1998-10-20 Motorola, Inc. Method of fabricating a sensor
US6425290B2 (en) 2000-02-11 2002-07-30 Rosemount Inc. Oil-less differential pressure sensor
US20020104379A1 (en) * 2000-05-30 2002-08-08 Input/Output, Inc. Accelerometer with re-entrant grooves
US6685302B2 (en) 2001-10-31 2004-02-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flextensional transducer and method of forming a flextensional transducer
US6593651B1 (en) * 2002-01-30 2003-07-15 Endevco Corporation Terminals for multi-layer devices
US6862795B2 (en) * 2002-06-17 2005-03-08 Vty Holding Oy Method of manufacturing of a monolithic silicon acceleration sensor
US6829937B2 (en) 2002-06-17 2004-12-14 Vti Holding Oy Monolithic silicon acceleration sensor
JP3492673B1 (ja) * 2002-06-21 2004-02-03 沖電気工業株式会社 静電容量型加速度センサの製造方法
US6930487B2 (en) * 2002-12-12 2005-08-16 Howard L. North, Jr. Method for electronic damping of electrostatic positioners
EP1711836A1 (en) * 2004-01-07 2006-10-18 Northrop Grumman Corporation Coplanar proofmasses employable to sense acceleration along three axes
US7302847B2 (en) * 2004-08-17 2007-12-04 Nippon Soken, Inc. Physical quantity sensor having movable portion
US20070163346A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-19 Honeywell International Inc. Frequency shifting of rotational harmonics in mems devices
US8079262B2 (en) * 2007-10-26 2011-12-20 Rosemount Aerospace Inc. Pendulous accelerometer with balanced gas damping
DE102008016004A1 (de) * 2008-03-27 2009-10-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikroelektromechanischer Inertialsensor mit atmosphärischer Bedämpfung
US7736931B1 (en) 2009-07-20 2010-06-15 Rosemount Aerospace Inc. Wafer process flow for a high performance MEMS accelerometer
DE102010038461B4 (de) * 2010-07-27 2018-05-30 Robert Bosch Gmbh Drehratensensor und Verfahren zur Herstellung eines Masseelements
US8656778B2 (en) 2010-12-30 2014-02-25 Rosemount Aerospace Inc. In-plane capacitive mems accelerometer
JP2013181884A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Panasonic Corp 静電容量式センサ
DE102014202816B4 (de) * 2014-02-17 2022-06-30 Robert Bosch Gmbh Wippeneinrichtung für einen mikromechanischen Z-Sensor
JP7383978B2 (ja) * 2019-10-23 2023-11-21 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
EP4359741A1 (en) 2021-06-21 2024-05-01 Sonion Nederland B.V. Vibration sensor with air venting channels
CN115312323B (zh) * 2022-07-04 2023-08-04 武汉神动汽车电子电器股份有限公司 防渗入表压陶瓷电容

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57125355A (en) * 1980-12-24 1982-08-04 Ibm Semiconductor acceleration detector

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3709042A (en) * 1969-05-14 1973-01-09 S Lee Capacitance accelerometer
US4144516A (en) * 1976-03-29 1979-03-13 Aine Harry E Solid state transducer and method of making same
US4287772A (en) * 1978-05-18 1981-09-08 Gulton Industries, Inc. Strain gage transducer and process for fabricating same
US4236137A (en) * 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
US4435737A (en) * 1981-12-16 1984-03-06 Rockwell International Corporation Low cost capacitive accelerometer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57125355A (en) * 1980-12-24 1982-08-04 Ibm Semiconductor acceleration detector

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4224383A1 (de) * 1991-07-24 1993-01-28 Hitachi Ltd Beschleunigungsmesser vom kapazitiven typ fuer airbagsysteme
JPH0526903A (ja) * 1991-07-24 1993-02-05 Hitachi Ltd 静電容量式加速度センサ及びエアバツグシステム
DE4224383C2 (de) * 1991-07-24 1999-07-15 Hitachi Ltd Kapazitiver Beschleunigungssensor für Airbag-Systeme
DE4234969A1 (de) * 1991-10-18 1993-04-22 Hitachi Ltd Mikrowandler elektrostatischer bauart und ihn verwendendes steuersystem
US5367429A (en) * 1991-10-18 1994-11-22 Hitachi, Ltd Electrostatic type micro transducer and control system using the same
USRE41213E1 (en) 1992-04-27 2010-04-13 Denso Corporation Dynamic amount sensor and process for the production thereof
USRE42083E1 (en) 1992-04-27 2011-02-01 Denso Corporation Acceleration sensor and process for the production thereof
USRE41047E1 (en) 1992-04-27 2009-12-22 Denso Corporation Acceleration sensor and process for the production thereof
WO1993022690A1 (en) * 1992-04-27 1993-11-11 Nippondenso Co., Ltd. Acceleration sensor and its manufacture
USRE40561E1 (en) 1992-04-27 2008-11-04 Denso Corporation Acceleration sensor and process for the production thereof
US6227049B1 (en) 1992-04-27 2001-05-08 Denso Corporation Acceleration sensor and process for the production thereof
US6244112B1 (en) 1992-04-27 2001-06-12 Denso Corporation Acceleration sensor and process for the production thereof
USRE40347E1 (en) 1992-04-27 2008-06-03 Denso Corporation Acceleration sensor and process for the production thereof
US7040165B2 (en) 1992-08-21 2006-05-09 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US7407827B2 (en) 1992-08-21 2008-08-05 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US6550331B2 (en) 1992-08-21 2003-04-22 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US6868727B2 (en) 1992-08-21 2005-03-22 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US6938486B2 (en) 1992-08-21 2005-09-06 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US6422078B2 (en) 1992-08-21 2002-07-23 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US5461916A (en) * 1992-08-21 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
US6463803B2 (en) 1992-08-21 2002-10-15 Nippon Denso Co., Ltd. Semiconductor mechanical sensor
US6227050B1 (en) 1992-08-21 2001-05-08 Nippondense Co., Ltd. Semiconductor mechanical sensor and method of manufacture
US5872024A (en) * 1992-08-21 1999-02-16 Nippondenso Co., Ltd. Method for manufacturing a mechanical force sensing semiconductor device
US7685877B2 (en) 1992-08-21 2010-03-30 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US5627318A (en) * 1992-08-21 1997-05-06 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
US7866210B2 (en) 1992-08-21 2011-01-11 Denso Corporation Semiconductor mechanical sensor
US6388300B1 (en) 1999-01-25 2002-05-14 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US4574327A (en) 1986-03-04
JPH0342791B2 (ja) 1991-06-28
DE3507820A1 (de) 1985-11-21
FR2564593B1 (fr) 1989-03-31
FR2564593A1 (fr) 1985-11-22
GB8503438D0 (en) 1985-03-13
DE3507820C2 (ja) 1987-10-22
GB2158945A (en) 1985-11-20
GB2158945B (en) 1988-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60244864A (ja) 容量性トランスジユ−サ
EP0854358B1 (en) Asymmetrical transducer structure
US5008774A (en) Capacitive accelerometer with mid-plane proof mass
US4999735A (en) Differential capacitive transducer and method of making
US4071838A (en) Solid state force transducer and method of making same
US4998179A (en) Capacitive semiconductive sensor with hinged diaphragm for planar movement
EP0386464B1 (en) Closed-loop capacitive accelerometer with spring constraint
US4825335A (en) Differential capacitive transducer and method of making
EP1407464B1 (en) Micro-electromechanical sensor
EP0490419B1 (en) Accelerometer
EP0164413B1 (en) Pressure transducer
CA2054668A1 (en) Micromachined differential pressure transducers and method of producing the same
US6084257A (en) Single crystal silicon sensor with high aspect ratio and curvilinear structures
US4050049A (en) Solid state force transducer, support and method of making same
Wolffenbuttel et al. Polysilicon bridges for the realization of tactile sensors
JPS60202323A (ja) 圧力用デイテクタ
WO1994003786A1 (en) Methodology for manufacturing hinged diaphragms for semiconductor sensors
Park et al. A servo-controlled capacitive pressure sensor using a capped-cylinder structure microfabricated by a three-mask process
JPH03112170A (ja) 加速度センサおよびその製造方法
Guckel et al. Design and construction techniques for planar polysilicon pressure transducers with piezoresistive read-out
JPH06160416A (ja) 加速度センサ
Rudolf et al. Silicon micromachining for sensor applications
JPH09178770A (ja) 半導体加速度センサ
JPH03137569A (ja) 加速度センサおよびその製造方法
JPH04192370A (ja) 半導体加速度センサ