JPH03137569A - 加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
加速度センサおよびその製造方法Info
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- JPH03137569A JPH03137569A JP27378089A JP27378089A JPH03137569A JP H03137569 A JPH03137569 A JP H03137569A JP 27378089 A JP27378089 A JP 27378089A JP 27378089 A JP27378089 A JP 27378089A JP H03137569 A JPH03137569 A JP H03137569A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、地震や物体の衝突時の加速度を検出する加速
度セ／すおよびその製造方法に関するものである。
度セ／すおよびその製造方法に関するものである。
第６図は従来の加速度センサの一例を示す図であり、同
図（＆）は断面図、同図（ｂ）はシリコン基板の裏面側
から見た平面図である。同図において、１はシリコン基
板、２はシリコン基板１の裏面側に四角形状にわ九って
断面がほぼ台形状に食刻されて形成され丸溝、３はシリ
コン基板１への溝２の形成によって台形の島状に形成さ
れた厚肉状の慣性質量部、４はシリコン基板ＩＫ対して
溝２０食刻により形成されかつ慣性質量部３ｔ−懸架し
て支持する薄肉状の起歪部、５はシリコン基板１０表面
側に形成された電極域シ出し部、６はシリコン基板１の
表面側に上記慣性質量部３を被覆して固定配置された上
部シリコンキャップ、Ｔは上部シリコンキャップ６の内
面に慣性質量部３と対向して形成された上部電極、８は
シリコン基板１の裏面側に慣性質量部３を被覆して固定
配置された下部シリコンキャップ、９は下部シリコンキ
ャップ８の内面に慣性質量部３と対向して形成された下
部電極、１０は容量形成部である。
図（＆）は断面図、同図（ｂ）はシリコン基板の裏面側
から見た平面図である。同図において、１はシリコン基
板、２はシリコン基板１の裏面側に四角形状にわ九って
断面がほぼ台形状に食刻されて形成され丸溝、３はシリ
コン基板１への溝２の形成によって台形の島状に形成さ
れた厚肉状の慣性質量部、４はシリコン基板ＩＫ対して
溝２０食刻により形成されかつ慣性質量部３ｔ−懸架し
て支持する薄肉状の起歪部、５はシリコン基板１０表面
側に形成された電極域シ出し部、６はシリコン基板１の
表面側に上記慣性質量部３を被覆して固定配置された上
部シリコンキャップ、Ｔは上部シリコンキャップ６の内
面に慣性質量部３と対向して形成された上部電極、８は
シリコン基板１の裏面側に慣性質量部３を被覆して固定
配置された下部シリコンキャップ、９は下部シリコンキ
ャップ８の内面に慣性質量部３と対向して形成された下
部電極、１０は容量形成部である。
このような構成において、慣性質量部３に加速度が加わ
ると、この慣性質量部３の位置が変化し、対向する上部
電極７と下部電極９との間で容量値が変化して加速度が
検出されることになる。
ると、この慣性質量部３の位置が変化し、対向する上部
電極７と下部電極９との間で容量値が変化して加速度が
検出されることになる。
しかしながら、このように構成された加速度センサは、
シリコン基板１の結晶の（１００） ｍに対して異方性
エツチングを行なっていくと、溝２は結晶の（１１１）
面でエツチングが止まり、同図価）に示すように断面が
台形状に形成されて慣性質量部３が構成されるので、形
成された慣性質量部３の形状がメサ形となシ、慣性質量
部３が十分な錘シとしての機能が得られないという問題
があった。つまり加速度に対して高感度が得られないと
いう問題がめった。
シリコン基板１の結晶の（１００） ｍに対して異方性
エツチングを行なっていくと、溝２は結晶の（１１１）
面でエツチングが止まり、同図価）に示すように断面が
台形状に形成されて慣性質量部３が構成されるので、形
成された慣性質量部３の形状がメサ形となシ、慣性質量
部３が十分な錘シとしての機能が得られないという問題
があった。つまり加速度に対して高感度が得られないと
いう問題がめった。
このような問題を改善するものとしては、慣性質量部３
′に１個の起歪部４により支持する（片持ちばり）とか
、もしくは加速度センサチップ自体を大盤に形成する必
要があった。
′に１個の起歪部４により支持する（片持ちばり）とか
、もしくは加速度センサチップ自体を大盤に形成する必
要があった。
このような構成によると、前者の構成では機械的強度を
低下させたり、後者の構成では加速度センサを大型化さ
せるなどの問題があった。
低下させたり、後者の構成では加速度センサを大型化さ
せるなどの問題があった。
したがって本発明は、前述した従来の課題を解決するた
めになされたものであ）、その目的は、加速度に対する
感度を向上させかつ小型で量産を可能とした加速度セン
サおよびその製造方法を提供することにある。
めになされたものであ）、その目的は、加速度に対する
感度を向上させかつ小型で量産を可能とした加速度セン
サおよびその製造方法を提供することにある。
このような課題を解決するために本発明による加速度セ
ンサは、シリコン基板の結晶の（１１０）面に垂直方向
に結晶の＜１１２＞軸方向に平行な一対の溝を形成し底
部に形成されたシリコン薄肉部からなる起歪部とこの起
歪部によシ支持された直方体状のシリコン厚肉部からな
る慣性質量部とを有している。
ンサは、シリコン基板の結晶の（１１０）面に垂直方向
に結晶の＜１１２＞軸方向に平行な一対の溝を形成し底
部に形成されたシリコン薄肉部からなる起歪部とこの起
歪部によシ支持された直方体状のシリコン厚肉部からな
る慣性質量部とを有している。
本発明による加速度センサの製造方法は、シリコン基板
の表面を結晶方位（１１０）面としこの結晶の（１１０
）面と垂直方向にこの結晶の４１２＞軸方向に沿って異
方性エツチングを行なってシリコン厚肉状の起歪部を形
成し、この起歪部の間にシリコン厚肉状の慣性質量部を
形成するものである。
の表面を結晶方位（１１０）面としこの結晶の（１１０
）面と垂直方向にこの結晶の４１２＞軸方向に沿って異
方性エツチングを行なってシリコン厚肉状の起歪部を形
成し、この起歪部の間にシリコン厚肉状の慣性質量部を
形成するものである。
本発明における加速度センサにおいては、慣性質量部が
直方体状に形成され慣性質量部の質量が増大する。
直方体状に形成され慣性質量部の質量が増大する。
本発明における加速度センサの製造方法においては、シ
リコン基板の結晶の（１１０）面と垂直方向に！晶の＜
１１２＞軸方向に沿ったエツチングによシ質量の大きい
慣性質量部が形成される。
リコン基板の結晶の（１１０）面と垂直方向に！晶の＜
１１２＞軸方向に沿ったエツチングによシ質量の大きい
慣性質量部が形成される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による加速度センサの一実施例を示す図
で同図＜ｍ）は縦断面図、同図伽ンは同図（ａ）のシリ
コン基板の裏面から見た平面図であｐ、前述の図と同一
部分には同一符号を付しである。同図において、シリコ
ン基板１０表面と平行となる裏ｌｌ１ｔ−結晶の（１１
０）面とし、この裏面側には結晶の（１１０）面と垂直
方向に結晶の＜１１２＞軸に沿ってエツチングによシ食
刻されて断面がほぼ矩形状の一対の深溝２，７．２ｂ’
が平行に形成されている。そして、この一対の深溝２＆
Ｊ 、２ｂ’の形成によりシリコン基板１の上部にはシ
リコン基板１の薄肉部からなる一対の起歪部４ａ＃ 、
４ｂ’が形成され、さらにこの一対の起歪部４．１と４
ｂ’との間にはほぼ直方体を有するシリコン基板１の厚
肉部からなる慣性質量部３′が支持されて形成されセン
サチップが構成されている。
で同図＜ｍ）は縦断面図、同図伽ンは同図（ａ）のシリ
コン基板の裏面から見た平面図であｐ、前述の図と同一
部分には同一符号を付しである。同図において、シリコ
ン基板１０表面と平行となる裏ｌｌ１ｔ−結晶の（１１
０）面とし、この裏面側には結晶の（１１０）面と垂直
方向に結晶の＜１１２＞軸に沿ってエツチングによシ食
刻されて断面がほぼ矩形状の一対の深溝２，７．２ｂ’
が平行に形成されている。そして、この一対の深溝２＆
Ｊ 、２ｂ’の形成によりシリコン基板１の上部にはシ
リコン基板１の薄肉部からなる一対の起歪部４ａ＃ 、
４ｂ’が形成され、さらにこの一対の起歪部４．１と４
ｂ’との間にはほぼ直方体を有するシリコン基板１の厚
肉部からなる慣性質量部３′が支持されて形成されセン
サチップが構成されている。
このような構成によれば、慣性質量部３′がメサ型では
なく、任意の大きさの直方体状で形成されるので、その
質量が増加し、感度向上が計れる。
なく、任意の大きさの直方体状で形成されるので、その
質量が増加し、感度向上が計れる。
因に第２図（、） 、 （ｂ）にそれぞれ示すように幅
Ｗ＝１■の同一面積１ｍ角で厚さＤ ＝ ０．５■の慣
性質量部３，３′を従来２本実施例で比較すると、本実
施例では質量が約２．６倍となシ、Ｆ＝ｍ−ａ（ａ：加
速度９ｍ：質量、Ｆ：ｒｎに作用する力）により感度は
質量ｍに大きく依存することから、感度は大幅に向上さ
せることができる。
Ｗ＝１■の同一面積１ｍ角で厚さＤ ＝ ０．５■の慣
性質量部３，３′を従来２本実施例で比較すると、本実
施例では質量が約２．６倍となシ、Ｆ＝ｍ−ａ（ａ：加
速度９ｍ：質量、Ｆ：ｒｎに作用する力）により感度は
質量ｍに大きく依存することから、感度は大幅に向上さ
せることができる。
このように構成される加速度センサは次のようにして製
造される。すなわち、第３図（＆）に示すように直径が
３〜４インチで＜１１２＞軸方向にオリエンテーション
フラット１１＆を有しかつ表面に結晶方位（１１０）面
を有するシリコンウェハ１１上にＳｉ３Ｎ、などのエツ
チングマスク材１２を成膜した後、このエツチングマス
ク材１２の表面に結晶方位＜１１２＞軸と平行に一対の
窓パターン１３ｍ 、 １３ｂを複数組フォトリングラ
フイー技術によりパターニングする。この窓パターン１
３ｍ 、 １３ｂハＡＬｔｄ −対の深溝２＆’ 、２
ｂ’の溝幅と対応するパターン幅を有して形成されてい
る。この場合、この窓パターンｔ３ｍ 、 １３ｂの両
端部は同図（ｂ）に拡大図で示すように後述するシリコ
ンウェハ１１のダイシング時の割れを防止するためにエ
ツチングマスク材１２の端部まではバターニングを行な
わない。次にこれらの複数組の窓パターン１３＆ 、
１３ｂ内をＫＯＨもしくはエチレンジアミンなどのエツ
チング液により異方性エツチングを行なって第４図（Ａ
） 、 （ｂ）に示すようにシリコンウェハ１１の表面
に垂直な方向に一対の深溝ｉ４ｍ 、 １４ｂを結晶の
＜１１２＞軸方向に沿って複数組食刻形成し、これによ
ってシリコンウェハ１１の底部にはシリコン薄肉部から
なる一対の起歪部１５ｍ 、 １５ｂが複数組形成され
るとともにこの一対の起歪部ｉｓａ 、 １５ｂとの間
にはシリコン厚内部からなる慣性質量部１６が形成され
る。
造される。すなわち、第３図（＆）に示すように直径が
３〜４インチで＜１１２＞軸方向にオリエンテーション
フラット１１＆を有しかつ表面に結晶方位（１１０）面
を有するシリコンウェハ１１上にＳｉ３Ｎ、などのエツ
チングマスク材１２を成膜した後、このエツチングマス
ク材１２の表面に結晶方位＜１１２＞軸と平行に一対の
窓パターン１３ｍ 、 １３ｂを複数組フォトリングラ
フイー技術によりパターニングする。この窓パターン１
３ｍ 、 １３ｂハＡＬｔｄ −対の深溝２＆’ 、２
ｂ’の溝幅と対応するパターン幅を有して形成されてい
る。この場合、この窓パターンｔ３ｍ 、 １３ｂの両
端部は同図（ｂ）に拡大図で示すように後述するシリコ
ンウェハ１１のダイシング時の割れを防止するためにエ
ツチングマスク材１２の端部まではバターニングを行な
わない。次にこれらの複数組の窓パターン１３＆ 、
１３ｂ内をＫＯＨもしくはエチレンジアミンなどのエツ
チング液により異方性エツチングを行なって第４図（Ａ
） 、 （ｂ）に示すようにシリコンウェハ１１の表面
に垂直な方向に一対の深溝ｉ４ｍ 、 １４ｂを結晶の
＜１１２＞軸方向に沿って複数組食刻形成し、これによ
ってシリコンウェハ１１の底部にはシリコン薄肉部から
なる一対の起歪部１５ｍ 、 １５ｂが複数組形成され
るとともにこの一対の起歪部ｉｓａ 、 １５ｂとの間
にはシリコン厚内部からなる慣性質量部１６が形成され
る。
次にエツチングマスク材１２を除去した後、同図に示す
ように矢印Ｘ１． ｘ、およびＹｌ ＋ Ｙｌ ＊ Ｙ
３で示す方向にダイヤモンドカッタにより采の目状にダ
イシングを行なって複数個のセンサチップ１Ｔを得る。
ように矢印Ｘ１． ｘ、およびＹｌ ＋ Ｙｌ ＊ Ｙ
３で示す方向にダイヤモンドカッタにより采の目状にダ
イシングを行なって複数個のセンサチップ１Ｔを得る。
このようにして形成されたセンサチップ１７は第１図（
Ａ）に示すように内側に上部電極１を有する上部キャッ
プ６および内側に下部電極Ｓを有する下部キャップ８ｔ
−それぞれ接着配置して完成させる。
Ａ）に示すように内側に上部電極１を有する上部キャッ
プ６および内側に下部電極Ｓを有する下部キャップ８ｔ
−それぞれ接着配置して完成させる。
このような方法によれば、シリコンウェハ１１の表面の
結晶の（１１Ｇ） ｔｒｉに垂直な方向に結晶の＜１１
２＞軸方向に沿って異方性エツチングを行ない、一対の
深＠ １３ａ 、 １３ｂ を複数組形成し、シリコン
薄肉部からなる起歪Ｎ１５＆ 、 １５ｂ を形成する
ので、この起歪部ｔｓａ 、 １５ｂとの間に質量の大
きいシリコン厚肉部からなる直方体状の慣性質量部１６
が形成できる。
結晶の（１１Ｇ） ｔｒｉに垂直な方向に結晶の＜１１
２＞軸方向に沿って異方性エツチングを行ない、一対の
深＠ １３ａ 、 １３ｂ を複数組形成し、シリコン
薄肉部からなる起歪Ｎ１５＆ 、 １５ｂ を形成する
ので、この起歪部ｔｓａ 、 １５ｂとの間に質量の大
きいシリコン厚肉部からなる直方体状の慣性質量部１６
が形成できる。
第５図は本発明による加速度センサのさらに他の実施例
を示す断面図であり、前述の図と同一部分には同一符号
を付しである。同図において、第１図と異なる点は、シ
リコン基板１に形成された一対の起歪部４ａ’ 、４ｂ
″上に一対のピエゾ抵抗素子１ｅａ 、 １８ｂが設け
られている。
を示す断面図であり、前述の図と同一部分には同一符号
を付しである。同図において、第１図と異なる点は、シ
リコン基板１に形成された一対の起歪部４ａ’ 、４ｂ
″上に一対のピエゾ抵抗素子１ｅａ 、 １８ｂが設け
られている。
このような構成によれば、慣性質量部３′が変位するこ
とによシ、一対のピエゾ抵抗素子１８＆、１８ｂが歪を
検知し、加速度を検出することができる。
とによシ、一対のピエゾ抵抗素子１８＆、１８ｂが歪を
検知し、加速度を検出することができる。
なお、一対のピエゾ抵抗素子１８ｍ 、 １８ｂのいず
れか一力を配置しても同様の効果が得られる。
れか一力を配置しても同様の効果が得られる。
し発明の効果〕
以上、説明し友ように本発明による加速度センサは、シ
リコン基板の結晶の（１１０）面に垂直方向に結晶の（
１１２＞軸方向に沿って一対の溝を形成し底部に形成さ
れたシリコン薄肉部からなる起歪部とこの起歪部により
支持されたシリコン厚肉部からなる慣性質量部とでセン
サチップを構成したことにより、慣性質量部が直方体状
に形成され慣性質量部の質量が増大するので、感度が向
上し、小製で感度の良好な加速度センサが得られる。ま
た、本発明による加速度センナの製造方法は、シリコン
基板の表面を結晶の（１１０）面とし、この結晶の（１
１Ｇ）面と垂直方向く結晶の＜１１２＞軸方向に沿って
エツチングを行なってシリコン薄肉状の起歪部を形成し
、この起歪部との間にシリコン厚肉部からなる慣性質量
部を形成し、この慣性質量部に対向して対向電極を形成
することによシ、質量の大きい慣性質量部が形成され、
加速度に対する感度が良好で小製で量産可能な加速度セ
ンサが得られるなどの極めて優れた効果を有する。
リコン基板の結晶の（１１０）面に垂直方向に結晶の（
１１２＞軸方向に沿って一対の溝を形成し底部に形成さ
れたシリコン薄肉部からなる起歪部とこの起歪部により
支持されたシリコン厚肉部からなる慣性質量部とでセン
サチップを構成したことにより、慣性質量部が直方体状
に形成され慣性質量部の質量が増大するので、感度が向
上し、小製で感度の良好な加速度センサが得られる。ま
た、本発明による加速度センナの製造方法は、シリコン
基板の表面を結晶の（１１０）面とし、この結晶の（１
１Ｇ）面と垂直方向く結晶の＜１１２＞軸方向に沿って
エツチングを行なってシリコン薄肉状の起歪部を形成し
、この起歪部との間にシリコン厚肉部からなる慣性質量
部を形成し、この慣性質量部に対向して対向電極を形成
することによシ、質量の大きい慣性質量部が形成され、
加速度に対する感度が良好で小製で量産可能な加速度セ
ンサが得られるなどの極めて優れた効果を有する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による加速度セ／す
の一実施例を示すそれぞれ断面図、同図（、）のシリコ
ン基板の下から見た平面図、第２図（＆） 、 （ｂ）
はそれぞれ従来９本実施例によるセンサチップを示す断
面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）および第４図（ａ）、
伽）は本発明による加速度センサの製造方法の一実施例
を説明する図、第５図は本発明による加速度センサのさ
らに他の実施例を示す断面図、第６図（、） 、 （ｂ
）は従来の加速度センサの構成を示すそれぞれ断面図、
同図（ａ）のシリコン基板の下から見た平面図である。 １・・・・シリコン基板、２ｍ’ 、２ｂ’ΦΦ争・深
溝、３′・・・・慣性質量部、４６’、４ｂ’・・・・
起歪部、６・・Φφ上部キャップ、Ｔ−φ・・上部電極
、８・・・・下部キャップ、９・・・・上部電極、１０
・・・・容量形成部、１１・・・・シリコンウェハ、ｔ
ｔａ・・・・オリエンテーションフラット、１２・・・
・エツチングマスク材、ｉ３ｍ 、 １３ｂ −−−−
窓パターン、１４＆ 、 １４ｂ −−・−深溝、１５
ｍ 、 １５ｂ拳φ・・起歪部、１６・・・・慣性質量
部、１Ｔ・・・・センサチッグ、１８ＪＬ 、 １８ｂ
・・・・ピエゾ抵抗素子。
の一実施例を示すそれぞれ断面図、同図（、）のシリコ
ン基板の下から見た平面図、第２図（＆） 、 （ｂ）
はそれぞれ従来９本実施例によるセンサチップを示す断
面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）および第４図（ａ）、
伽）は本発明による加速度センサの製造方法の一実施例
を説明する図、第５図は本発明による加速度センサのさ
らに他の実施例を示す断面図、第６図（、） 、 （ｂ
）は従来の加速度センサの構成を示すそれぞれ断面図、
同図（ａ）のシリコン基板の下から見た平面図である。 １・・・・シリコン基板、２ｍ’ 、２ｂ’ΦΦ争・深
溝、３′・・・・慣性質量部、４６’、４ｂ’・・・・
起歪部、６・・Φφ上部キャップ、Ｔ−φ・・上部電極
、８・・・・下部キャップ、９・・・・上部電極、１０
・・・・容量形成部、１１・・・・シリコンウェハ、ｔ
ｔａ・・・・オリエンテーションフラット、１２・・・
・エツチングマスク材、ｉ３ｍ 、 １３ｂ −−−−
窓パターン、１４＆ 、 １４ｂ −−・−深溝、１５
ｍ 、 １５ｂ拳φ・・起歪部、１６・・・・慣性質量
部、１Ｔ・・・・センサチッグ、１８ＪＬ 、 １８ｂ
・・・・ピエゾ抵抗素子。
Claims (2)
- （１）シリコン単結晶基板の（１１０）面と垂直方向で
結晶の〈１１２〉軸方向に沿った一対の溝を設けるとと
もに該溝の底部に形成されたシリコン薄肉状の起歪部と
、前記起歪部に懸架支持された直方体の慣性質量部と前
記慣性質量部の変位を検出する検出手段とを備えたこと
を特徴とする加速度センサ。 - （２）シリコン単結晶基板の表面を結晶方位の（１１０
）面とし該結晶の（１１０）面の垂直方向に該結晶の〈
１１２〉軸方向に沿った異方性エッチングを行なってシ
リコン薄肉の起歪部を形成するとともに該起歪部との間
にシリコン厚肉状の慣性質量部を形成することを特徴と
した加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27378089A JPH03137569A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27378089A JPH03137569A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03137569A true JPH03137569A (ja) | 1991-06-12 |
Family
ID=17532474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27378089A Pending JPH03137569A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03137569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142249A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-08 | Hitachi Ltd | 三次元加速度センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118260A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
| JPH01169366A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-04 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPH01216269A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP27378089A patent/JPH03137569A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118260A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
| JPH01169366A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-04 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPH01216269A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142249A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-08 | Hitachi Ltd | 三次元加速度センサ |
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