JPS60239082A - 光増幅発光受光集積素子 - Google Patents
光増幅発光受光集積素子Info
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- JPS60239082A JPS60239082A JP9400584A JP9400584A JPS60239082A JP S60239082 A JPS60239082 A JP S60239082A JP 9400584 A JP9400584 A JP 9400584A JP 9400584 A JP9400584 A JP 9400584A JP S60239082 A JPS60239082 A JP S60239082A
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- semiconductor laser
- phototransistor
- emitter
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体を用いた光通信・光交換・光情報処
理の主要構成要素である光増幅発光受光集積素子に関す
る。
理の主要構成要素である光増幅発光受光集積素子に関す
る。
（従来技術とその問題点）
光通信・光交換・光情報処理における基本的な回路の一
つに光増幅回路がある。この回路は従来の電子回路よシ
も簡単に構成できるものと期待されてお如、基本的な検
討が進められている。光増幅回路には主として受光素子
と半導体レーザを組合わせたものと半導体レーザの増幅
機能を利用したものとが掲げられる。そのうち相対的に
見て実装組立が容易で且つ回路自体の温度依存性が緩い
特長を有する前者の光増幅回路は、素子の集積化によシ
一層簡単外構成にすることができる。受光素子と半導体
レーザを集積化したものは、例えばベネキング（Ｈ−Ｂ
ｓｎｅｋｉｎｇ ）氏等がエレクトロニクス レター
ズ（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）誌第１６
巻、第６０２〜６０３頁、１９８０年に報告した論文に
記載されている。この報告では画素子を集積化する方法
として半導体基板の両端面に半導体レーザと光トランジ
スタを各々成長させる方法が提案されている。光トラン
ジスタのエミッタ側に形成された受光面から注入される
光信号は、光トランジスタの領域で増幅された光電流と
して共通する半導体基板を通じて半導体レーザに供給さ
れる。通常の光トランジスタでは、１フオトンに対して
２０００程度の電子（または正孔）が生成されるため、
微弱な光信号でも再生増幅することが可能となる。しか
しながら、半導体レーザと光トランジスタで半導体基板
をはさむ構造のため、少なくとも結晶成長を２段階に分
ける必要がある。
つに光増幅回路がある。この回路は従来の電子回路よシ
も簡単に構成できるものと期待されてお如、基本的な検
討が進められている。光増幅回路には主として受光素子
と半導体レーザを組合わせたものと半導体レーザの増幅
機能を利用したものとが掲げられる。そのうち相対的に
見て実装組立が容易で且つ回路自体の温度依存性が緩い
特長を有する前者の光増幅回路は、素子の集積化によシ
一層簡単外構成にすることができる。受光素子と半導体
レーザを集積化したものは、例えばベネキング（Ｈ−Ｂ
ｓｎｅｋｉｎｇ ）氏等がエレクトロニクス レター
ズ（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）誌第１６
巻、第６０２〜６０３頁、１９８０年に報告した論文に
記載されている。この報告では画素子を集積化する方法
として半導体基板の両端面に半導体レーザと光トランジ
スタを各々成長させる方法が提案されている。光トラン
ジスタのエミッタ側に形成された受光面から注入される
光信号は、光トランジスタの領域で増幅された光電流と
して共通する半導体基板を通じて半導体レーザに供給さ
れる。通常の光トランジスタでは、１フオトンに対して
２０００程度の電子（または正孔）が生成されるため、
微弱な光信号でも再生増幅することが可能となる。しか
しながら、半導体レーザと光トランジスタで半導体基板
をはさむ構造のため、少なくとも結晶成長を２段階に分
ける必要がある。
また、半導体レーザ光を伸開面から取シ出す必要性から
、伸開する場合には、ウェハの厚さを１００〜１５０μ
ｍ程度にする必要がある。このための製造プロセスとし
ては、２回目の結晶成長のまえに所望のウェハ厚に研磨
し、結晶成長後に受光面。
、伸開する場合には、ウェハの厚さを１００〜１５０μ
ｍ程度にする必要がある。このための製造プロセスとし
ては、２回目の結晶成長のまえに所望のウェハ厚に研磨
し、結晶成長後に受光面。
電極等を形成することとなる。その結果ウェハ厚が薄い
ために製造プロセスが難しくなるという問題を生ずる。
ために製造プロセスが難しくなるという問題を生ずる。
そこで、結晶成長が容易で通常のプロセスで集積化でき
るような構造の光増幅素子が望まれていた。
るような構造の光増幅素子が望まれていた。
（発明の目的）
この発明の目的は結晶成長が容易でしかも製造プロセス
が簡単な光増幅発光受光集積素子の提供にある。
が簡単な光増幅発光受光集積素子の提供にある。
（発明の構成）
この発明は、半導体レーザとこの半導体レーザ上に光ト
ランジスタを積層した光集積素子であって、半導体レー
ザと光トランジスタの接続領域−半導体レーザ側に第１
の導電形半導体層光トランジスタ側に第２の導電形を備
え、これら半導体層でトンネル接合を形成することを特
徴とする。
ランジスタを積層した光集積素子であって、半導体レー
ザと光トランジスタの接続領域−半導体レーザ側に第１
の導電形半導体層光トランジスタ側に第２の導電形を備
え、これら半導体層でトンネル接合を形成することを特
徴とする。
（構成の詳細々説明）
この発明では半導体レーザの半導体層の成長に引続いて
その層上に光トランジスタの半導体層を積層させること
ができる。この場合に画素子の接続は不純物濃度が高い
計とｐ＋の半導体層でトンネル接合を形成させる方法を
用いる。光トランジスタのｎタイプのコレクタ側をプラ
ス、半導体レーザのｎタイプの半導体基板側をマイナス
とおけば、画素子が結合するｎ十−ｐ＋の接合付近では
逆方向電圧が印加されることになる。ｎ十、ｐ＋半導体
層の不純物濃度が１０”ａ＋＋−以上であれば、ｎ＋−
ｐ＋接合の空間電荷層の幅がかなり挾くなるのでトンネ
ル効果によシ半導体レーザ側のｐ＋半導体層の充満帯か
ら光トランジスタ側のｎ千生導体層の伝導帯へ電子が移
動することができる。このとき光信号が注入されない場
合には、電子がｎタイプのエミッターｐタイプのベース
障壁のためにｎタイプのエミッタ中に留まる。光信号が
注入されると、注入光の波長に対して吸収係数の大きな
材料で成長されたｐタイプのベースで吸収されて生成し
た正孔によって、電子に対してはエミッターベース障壁
が低くなシ、その結果電子は大量にコレクタから電極を
通して外部へ流れる。これに伴ってｐ千生導体層での正
孔がｎ側電極方向に流れて活性層中でｎ側電極から供給
された電子と再結合する。との構成では、半導体レーザ
と光トランジスタを半導体基板上に積層させるだけでよ
いので、結晶成長も通常の方法ででき埋め込み構造の半
導体レーザでなければ１回、埋め込み構造の半導体レー
ザであれば２回の結晶成長で製作できる。
その層上に光トランジスタの半導体層を積層させること
ができる。この場合に画素子の接続は不純物濃度が高い
計とｐ＋の半導体層でトンネル接合を形成させる方法を
用いる。光トランジスタのｎタイプのコレクタ側をプラ
ス、半導体レーザのｎタイプの半導体基板側をマイナス
とおけば、画素子が結合するｎ十−ｐ＋の接合付近では
逆方向電圧が印加されることになる。ｎ十、ｐ＋半導体
層の不純物濃度が１０”ａ＋＋−以上であれば、ｎ＋−
ｐ＋接合の空間電荷層の幅がかなり挾くなるのでトンネ
ル効果によシ半導体レーザ側のｐ＋半導体層の充満帯か
ら光トランジスタ側のｎ千生導体層の伝導帯へ電子が移
動することができる。このとき光信号が注入されない場
合には、電子がｎタイプのエミッターｐタイプのベース
障壁のためにｎタイプのエミッタ中に留まる。光信号が
注入されると、注入光の波長に対して吸収係数の大きな
材料で成長されたｐタイプのベースで吸収されて生成し
た正孔によって、電子に対してはエミッターベース障壁
が低くなシ、その結果電子は大量にコレクタから電極を
通して外部へ流れる。これに伴ってｐ千生導体層での正
孔がｎ側電極方向に流れて活性層中でｎ側電極から供給
された電子と再結合する。との構成では、半導体レーザ
と光トランジスタを半導体基板上に積層させるだけでよ
いので、結晶成長も通常の方法ででき埋め込み構造の半
導体レーザでなければ１回、埋め込み構造の半導体レー
ザであれば２回の結晶成長で製作できる。
また、結晶成長後に電極形成などの製造プロセスをした
あとで所望の厚さに研磨すればよいので従来例にくらべ
て簡単に製作できる。
あとで所望の厚さに研磨すればよいので従来例にくらべ
て簡単に製作できる。
５−
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の実施例の斜視図、第２図はこの発明
を説明するためのエネルギー準位図である。
を説明するためのエネルギー準位図である。
光増幅発光受光集積素子１は半導体レーザ２と光トラン
ジスタ３から構成される。製作順序は先づ、ｎタイプ（
以下ｎ−と略す） ＩｎＰ基板１００上にｎ −Ｉ ｎ
Ｐバラフッ層１０１、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活
性層１０３、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４を順次結晶成
長させたＤＨ基板上に、フォトレジストを塗布して通常
のフォトリソグラフィーとエツチングによシ２つの溝で
挾まれたメサ１０５を製作する。次にこのウェハを液相
成長法により、ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層１ｏ
６゜ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブロック層１０７、ｐ−Ｉ
ｎＰの埋め込み層１０８、ｐ ＩｎＰ結合層１０９、ｎ
＋−ＩｎＰ結合層１１０、ｎ−ＩｎＰエミッタ層１１１
、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰベース層１１２、ｎ−ＩｎＰ：＋
レフタ層１１３を順次成長させて結晶成長を終える。
ジスタ３から構成される。製作順序は先づ、ｎタイプ（
以下ｎ−と略す） ＩｎＰ基板１００上にｎ −Ｉ ｎ
Ｐバラフッ層１０１、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活
性層１０３、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４を順次結晶成
長させたＤＨ基板上に、フォトレジストを塗布して通常
のフォトリソグラフィーとエツチングによシ２つの溝で
挾まれたメサ１０５を製作する。次にこのウェハを液相
成長法により、ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層１ｏ
６゜ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブロック層１０７、ｐ−Ｉ
ｎＰの埋め込み層１０８、ｐ ＩｎＰ結合層１０９、ｎ
＋−ＩｎＰ結合層１１０、ｎ−ＩｎＰエミッタ層１１１
、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰベース層１１２、ｎ−ＩｎＰ：＋
レフタ層１１３を順次成長させて結晶成長を終える。
６一
次に光トランジスタ３の接合容量を小さくするため形状
を円筒・状とし、ｎ−ＩｎＰコレクタ層１１３の平面に
光信号を注入するための受光面１１４とそのまわシにプ
ラス電極１１５を形成する。そのあとで所望の厚み、通
常１００〜１５０μｍ程度にｎ−ＩｎＰ 基板１００を
研磨し、マイナス電極１１６を形成する。光信号の波長
は１．３μｍとし、ベース層１１２の組成は波長にして
１．５μｍになるようにした。また半導体レーザ２と光
トランジスタ３との間でトンネル効果による正孔電流が
半導体レーザ２に供給されるように、ｐ＋−ＩｎＰ結合
層１０９とｎ＋−ＩｎＰ結合層１１０の不純物濃度を１
０１１１ｃＩｒ３とした。この程度の不純物濃度があれ
ばｐ−ｎ接合の空間電荷層の幅が１５０Ｘとなシ、ｐ＋
−ＩｎＰ結合層１０９から討ＩｎＰ結合層１１０へと電
子がこの空間電荷層を透過することができる。これにと
もなって電子の抜けたあとが正孔となって半導体レーザ
に供結される。この動作をわかシやすく説明するために
第２図に示したエネルギー準位図を用いる。光信号が光
トランジスタ３の受光面を通して注入されない場合は、
第２図（ａ）に示したようにエミッターベース障壁のた
めにトンネル効果でエミツタ層１１１に電子が供結され
てもそこで留まってしまう。このためｐ＋−ＩｎＰ結合
層１０９から活性層へ供結される正孔電流の大きさが小
さく、したがってマイナス電極１１６から供給される電
子と再結合する割合は極めて小さい。光信号がある場合
は、第２図（ｂｌに示すようにベース層１１２領域でそ
の大部分が吸収されて、正孔と電子が生成する。電子は
コレクタ層１１３側に引き寄せられるが、正孔はエミッ
ターベース障壁のためにエミツタ層１１１へは流れでな
い。この正孔のために電子に対してはエミッターベース
障壁が低くなることとなシ、トンネル効果で満たされた
エミツタ層１１１からの電子がコレクタ層１１３から外
部へ放出される。これに伴うｐ＋−ＩｎＰ 結合層１０
９からの電子供給は大量の正孔が半導体レーザ２のｐ側
から活性層１０３へ供給されることを意味しておシ、光
信号がトリガーとなって半導体レーザ２のレーザ発振を
誘発する。μＷオーダの微弱な光信号に対してｍＷオー
ダの光出力が得られるので、光増幅として機能すること
ができる。仁の実施例の半導体レーザ２の大きさはメサ
１０５の幅が１，５μｍ、共振器長が３００μｍであシ
、発振閾値２５ｍＡ発振波長１．３０μｍの特性を有し
ている。また光トランジスタ３はコレクタ層１１３、ベ
ース層１１２、エミツタ層の厚さ、不純物濃度を各々３
ｔｔｍ 、 １０”ｔｙｘ−” 、０．５ａｍ、 １０
”Ｉｆ” 、 ３μｍ、 １０１１０ｌ５とした。受光
面１１４０口径は２０μｍとした。この仕様のもとて１
．３μｍの波長の光信号１０μＷ（ピーク換算）を注入
したところバイアス電圧４ｖの場合でレーザ出力３ｍＷ
が得られた。以上のようにして結晶成長が容易で、しか
も製造プロセスが通常の方法で簡単にできる光増幅発光
受光集積素子を実現できた。
を円筒・状とし、ｎ−ＩｎＰコレクタ層１１３の平面に
光信号を注入するための受光面１１４とそのまわシにプ
ラス電極１１５を形成する。そのあとで所望の厚み、通
常１００〜１５０μｍ程度にｎ−ＩｎＰ 基板１００を
研磨し、マイナス電極１１６を形成する。光信号の波長
は１．３μｍとし、ベース層１１２の組成は波長にして
１．５μｍになるようにした。また半導体レーザ２と光
トランジスタ３との間でトンネル効果による正孔電流が
半導体レーザ２に供給されるように、ｐ＋−ＩｎＰ結合
層１０９とｎ＋−ＩｎＰ結合層１１０の不純物濃度を１
０１１１ｃＩｒ３とした。この程度の不純物濃度があれ
ばｐ−ｎ接合の空間電荷層の幅が１５０Ｘとなシ、ｐ＋
−ＩｎＰ結合層１０９から討ＩｎＰ結合層１１０へと電
子がこの空間電荷層を透過することができる。これにと
もなって電子の抜けたあとが正孔となって半導体レーザ
に供結される。この動作をわかシやすく説明するために
第２図に示したエネルギー準位図を用いる。光信号が光
トランジスタ３の受光面を通して注入されない場合は、
第２図（ａ）に示したようにエミッターベース障壁のた
めにトンネル効果でエミツタ層１１１に電子が供結され
てもそこで留まってしまう。このためｐ＋−ＩｎＰ結合
層１０９から活性層へ供結される正孔電流の大きさが小
さく、したがってマイナス電極１１６から供給される電
子と再結合する割合は極めて小さい。光信号がある場合
は、第２図（ｂｌに示すようにベース層１１２領域でそ
の大部分が吸収されて、正孔と電子が生成する。電子は
コレクタ層１１３側に引き寄せられるが、正孔はエミッ
ターベース障壁のためにエミツタ層１１１へは流れでな
い。この正孔のために電子に対してはエミッターベース
障壁が低くなることとなシ、トンネル効果で満たされた
エミツタ層１１１からの電子がコレクタ層１１３から外
部へ放出される。これに伴うｐ＋−ＩｎＰ 結合層１０
９からの電子供給は大量の正孔が半導体レーザ２のｐ側
から活性層１０３へ供給されることを意味しておシ、光
信号がトリガーとなって半導体レーザ２のレーザ発振を
誘発する。μＷオーダの微弱な光信号に対してｍＷオー
ダの光出力が得られるので、光増幅として機能すること
ができる。仁の実施例の半導体レーザ２の大きさはメサ
１０５の幅が１，５μｍ、共振器長が３００μｍであシ
、発振閾値２５ｍＡ発振波長１．３０μｍの特性を有し
ている。また光トランジスタ３はコレクタ層１１３、ベ
ース層１１２、エミツタ層の厚さ、不純物濃度を各々３
ｔｔｍ 、 １０”ｔｙｘ−” 、０．５ａｍ、 １０
”Ｉｆ” 、 ３μｍ、 １０１１０ｌ５とした。受光
面１１４０口径は２０μｍとした。この仕様のもとて１
．３μｍの波長の光信号１０μＷ（ピーク換算）を注入
したところバイアス電圧４ｖの場合でレーザ出力３ｍＷ
が得られた。以上のようにして結晶成長が容易で、しか
も製造プロセスが通常の方法で簡単にできる光増幅発光
受光集積素子を実現できた。
なお結晶成長の様子は成長方法や成長条件等によシ大幅
に変わるので、それらとともに適切な寸法を採用すべき
ことは言うまでもない。また光トランジスタ３の受光面
１１４の寸法、プラス電極１１５の形状２寸法、電極材
料も特に限定される９− ものではない。また以上の実施例では半導体レーザ２へ
の正孔注入を光トランジスタ３からの光信号のトリガに
よってのみ行なったが、光トランジスタ３への負担を軽
減するために、半導体レーザ２への正孔注入用の電極を
タンデム電極半導体レーザのように多分割化してもよい
。この場合には光トランジスタ３のまわシのｎ＋−Ｉｎ
Ｐ結合層１１０上にプラス電極を設けてもよく、あるい
は光トランジスタの廻りのｎ”−ＩｎＰ結合層１１０を
エツチングで除去したあとでその上にプラス電極を設け
て亀よい。以上実施例ではＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の
半導体材料を用いたが、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系等他
の半導体材料を用いてもよい。また以上の実施例では埋
め込み構造の半導体レーザ２を用いたが、他のストライ
プ構造の半導体レーザや、他の機能例えば活性層の一部
に損失が大きい領域をもうけて半導体レーザ２の光出力
−注入電流特性がヒステリシスを描くような双安定機能
や光出力がある注入電流のところで急激に立上るいわゆ
る微分利得機能を有するようにしてもよい。また半導体
レー１０− ザ２から光出力が単一軸モード化されるように、活性層
１０３上部または下部に回折格子を形成させてもよい。
に変わるので、それらとともに適切な寸法を採用すべき
ことは言うまでもない。また光トランジスタ３の受光面
１１４の寸法、プラス電極１１５の形状２寸法、電極材
料も特に限定される９− ものではない。また以上の実施例では半導体レーザ２へ
の正孔注入を光トランジスタ３からの光信号のトリガに
よってのみ行なったが、光トランジスタ３への負担を軽
減するために、半導体レーザ２への正孔注入用の電極を
タンデム電極半導体レーザのように多分割化してもよい
。この場合には光トランジスタ３のまわシのｎ＋−Ｉｎ
Ｐ結合層１１０上にプラス電極を設けてもよく、あるい
は光トランジスタの廻りのｎ”−ＩｎＰ結合層１１０を
エツチングで除去したあとでその上にプラス電極を設け
て亀よい。以上実施例ではＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の
半導体材料を用いたが、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系等他
の半導体材料を用いてもよい。また以上の実施例では埋
め込み構造の半導体レーザ２を用いたが、他のストライ
プ構造の半導体レーザや、他の機能例えば活性層の一部
に損失が大きい領域をもうけて半導体レーザ２の光出力
−注入電流特性がヒステリシスを描くような双安定機能
や光出力がある注入電流のところで急激に立上るいわゆ
る微分利得機能を有するようにしてもよい。また半導体
レー１０− ザ２から光出力が単一軸モード化されるように、活性層
１０３上部または下部に回折格子を形成させてもよい。
以上の実施例では光トランジスタとしてベースに電極を
もうけない通常のものを用いたが、ベース用の電極を形
成させたいわゆるバイポーラ型光トランジスタとして用
いてもよい。この場合には、光トランジスタの形状が円
柱状とはならずベース用の電極分だけ横につき出た形と
なる６また以上の実施例では計−ＩｎＰ結合層１０９と
ｐ＋−ＩｎＰ結合層１１０の不純物濃度をｔｏｌｌ＋□
３としたが、最小でｌ Ｑ”ｌ’ｌｌ＝あれば多少逆方
向電圧を大きくする必要があるが、トンネル効果を実現
できる。また以上の実施例では半導体レーザの発根波長
を１３声としたが、とくに限定されるものではない。し
たがって注入される光信号の波長に全く依存しない波長
変換素子としても機能できる。
もうけない通常のものを用いたが、ベース用の電極を形
成させたいわゆるバイポーラ型光トランジスタとして用
いてもよい。この場合には、光トランジスタの形状が円
柱状とはならずベース用の電極分だけ横につき出た形と
なる６また以上の実施例では計−ＩｎＰ結合層１０９と
ｐ＋−ＩｎＰ結合層１１０の不純物濃度をｔｏｌｌ＋□
３としたが、最小でｌ Ｑ”ｌ’ｌｌ＝あれば多少逆方
向電圧を大きくする必要があるが、トンネル効果を実現
できる。また以上の実施例では半導体レーザの発根波長
を１３声としたが、とくに限定されるものではない。し
たがって注入される光信号の波長に全く依存しない波長
変換素子としても機能できる。
第１図は本発明の実施例の斜視図、第２図はこの発明を
説明するためのエネルギー準位図である。 図において、１・・・光増幅発光受光集積素子、２・・
・半導体レーザ、３・・・光トランジスタ、１００・・
・ｎ−ＩｎＰ基板、１０１− ｎ−ＩｎＰバッフ７層、
１０３・・・ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層、１
ｏ ４−ｐ−ＩｎＰクラッド層、１０５−・・メサ、１
０６− ｐ−ＩｎＰ第１の電流ブロック層、１０７・・
・ｎ−ＩｎＰ第２の電流ブロック層、１０８・・・ｐ−
ＩｎＰ埋め込み層、１０９・・・ｐ”−ＩｎＰ結合層、
１１０＝ ｎ＋−Ｉ ｎＰ結合層、１１１−・・ｎ−４
Ｈｐ工ミツタ層、１１２− ｐ−Ｉ ｎＧａＡｍＰ ヘ
ー ス層、１１３− ｎ−ＩｎＰコレクタ層、１１４・
・・受光面、１１５・・・プラス電極、１１６・・・マ
イナス電極、をそれぞれ示す。 代理人弁理士 内照 晋 光１ｇ号 （ＩＩＩ） （７１２） （＋１３）
説明するためのエネルギー準位図である。 図において、１・・・光増幅発光受光集積素子、２・・
・半導体レーザ、３・・・光トランジスタ、１００・・
・ｎ−ＩｎＰ基板、１０１− ｎ−ＩｎＰバッフ７層、
１０３・・・ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層、１
ｏ ４−ｐ−ＩｎＰクラッド層、１０５−・・メサ、１
０６− ｐ−ＩｎＰ第１の電流ブロック層、１０７・・
・ｎ−ＩｎＰ第２の電流ブロック層、１０８・・・ｐ−
ＩｎＰ埋め込み層、１０９・・・ｐ”−ＩｎＰ結合層、
１１０＝ ｎ＋−Ｉ ｎＰ結合層、１１１−・・ｎ−４
Ｈｐ工ミツタ層、１１２− ｐ−Ｉ ｎＧａＡｍＰ ヘ
ー ス層、１１３− ｎ−ＩｎＰコレクタ層、１１４・
・・受光面、１１５・・・プラス電極、１１６・・・マ
イナス電極、をそれぞれ示す。 代理人弁理士 内照 晋 光１ｇ号 （ＩＩＩ） （７１２） （＋１３）
Claims (1)
- 半導体レーザ上に光トランジスタを積層した光集積素子
であって、前記半導体レーザと前記光トランジスタの接
続領域に前記半導体レーザ側に第１の導電形半導体層、
前記光トランジスタ側に第
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9400584A JPS60239082A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光増幅発光受光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9400584A JPS60239082A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光増幅発光受光集積素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239082A true JPS60239082A (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14098307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9400584A Pending JPS60239082A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光増幅発光受光集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679964A (en) * | 1994-07-07 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic integrated device |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP9400584A patent/JPS60239082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679964A (en) * | 1994-07-07 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic integrated device |
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