JPH01236670A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH01236670A JPH01236670A JP63061924A JP6192488A JPH01236670A JP H01236670 A JPH01236670 A JP H01236670A JP 63061924 A JP63061924 A JP 63061924A JP 6192488 A JP6192488 A JP 6192488A JP H01236670 A JPH01236670 A JP H01236670A
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高いパワーの光を出力でき、光スィッチ、光
メモリ−、光アンプあるいは波長変換素子として用いら
れる半導体素子に関する。
メモリ−、光アンプあるいは波長変換素子として用いら
れる半導体素子に関する。
光コンピュータ、光交換あるいは光・電気集積回路の分
野に用いるために光スィッチ、光メモリ−、光アンプあ
るいは波長変換等の機能を有するｐｎｐｎ接合素子が注
目されている。例えば、ジー・ダブル・テーラら（Ｇ、
Ｗ、Ｔａｙｌｏｒ ｅｔ ａｌ、）によりジャーナル・
オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、、 ５９（２）、 １９８６． ｐｐ ５９
６−６００） ニ「ア・ニュー・ダブル・ヘテロストラ
クチュアー・オプトエレクトロ二ック・スイッチング・
デバイス・ユージング・モルキュジー・ビーム・エピタ
キシー」（八、 ｎｅｗ ｄｏｕｂ！、ｅ ｈｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ ｕｓｉｎｇｍｏｌ
ｅｃｕｌｅｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ ）と題して
発表された論文がある。このｐｎｐｎ接合素子を発展さ
せた構造で、発光部をレーザ構造とした素子の概略図を
第３図に示す。
野に用いるために光スィッチ、光メモリ−、光アンプあ
るいは波長変換等の機能を有するｐｎｐｎ接合素子が注
目されている。例えば、ジー・ダブル・テーラら（Ｇ、
Ｗ、Ｔａｙｌｏｒ ｅｔ ａｌ、）によりジャーナル・
オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、、 ５９（２）、 １９８６． ｐｐ ５９
６−６００） ニ「ア・ニュー・ダブル・ヘテロストラ
クチュアー・オプトエレクトロ二ック・スイッチング・
デバイス・ユージング・モルキュジー・ビーム・エピタ
キシー」（八、 ｎｅｗ ｄｏｕｂ！、ｅ ｈｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ ｕｓｉｎｇｍｏｌ
ｅｃｕｌｅｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ ）と題して
発表された論文がある。このｐｎｐｎ接合素子を発展さ
せた構造で、発光部をレーザ構造とした素子の概略図を
第３図に示す。
第３図のレーザ構造の製造においては、ｎ型ＧａΔＳ基
板工上にｎ型で不純物濃度５ ＸＩＯ”ｃｍ−’のＡ
１０． ｂＧ ａ ６．４Ａ ９層２を１μｍ厚、ｐ型
で不純物濃度Ｉ Ｘ１０１９ｃｍ−’のＡ Ｉ！ ｏ、
＋ｓＧ ａ ｏ、ａｓＡ、 Ｓ層１３を５０人、ｎ型
で不純物濃度Ｉ Ｘ １（１”ｃｍ−”のＡ ｌ ６．
１５Ｇ ａ ６． ｌｌ５Ａ ５層１４を０．３ μｍ
、 ｎ型テ不純物濃度Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’の口型Ｇａ
Ａｓ活性層６を０．１μｍ、、ｎ型で不純物濃度Ｉ Ｘ
１０”ｃｍ−”のＡＺｏ、＋５Ｇａｏ、Ｂ５ＡＳ５Ａ
５を０．３ｔｔｍ、ｐ型で不純物濃度５ Ｘ１０１８ｃ
ｍ−’のＡＩ。、６Ｇａｏ０．Ａｓ層８を１μｍ、ｐ型
で不純物濃度Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−３のＧａＡｓキャップ
層９を０．１５μｍ、順次にＭＢＥ成長法により連続成
長し、ウェーハを形成する。次に、エツチングにより１
０μｍのストライプ状に残し、ＧａＡｓ基板１に達する
まで除去しメサ型構造を形成する。その後、ＣＶＤ法に
よるＳｉＯ２膜ＩＯを３０００人厚で形成し、さらにフ
ォト・リソグラフィー技術によりメサ型のトップに４μ
ｍ幅でストライプ状にＳｉＯ□を除去した後、ＣｒとＡ
ｕを真空蒸着し、ｎ側電極１１を形成する。またその後
、約１００μｍの厚さになる様にＧａＡｓ基板ｌを薄＜
ＬＡｕＧｅＮｉによりｎ側電極１２を形成してレーザ構
造が完成する。
板工上にｎ型で不純物濃度５ ＸＩＯ”ｃｍ−’のＡ
１０． ｂＧ ａ ６．４Ａ ９層２を１μｍ厚、ｐ型
で不純物濃度Ｉ Ｘ１０１９ｃｍ−’のＡ Ｉ！ ｏ、
＋ｓＧ ａ ｏ、ａｓＡ、 Ｓ層１３を５０人、ｎ型
で不純物濃度Ｉ Ｘ １（１”ｃｍ−”のＡ ｌ ６．
１５Ｇ ａ ６． ｌｌ５Ａ ５層１４を０．３ μｍ
、 ｎ型テ不純物濃度Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’の口型Ｇａ
Ａｓ活性層６を０．１μｍ、、ｎ型で不純物濃度Ｉ Ｘ
１０”ｃｍ−”のＡＺｏ、＋５Ｇａｏ、Ｂ５ＡＳ５Ａ
５を０．３ｔｔｍ、ｐ型で不純物濃度５ Ｘ１０１８ｃ
ｍ−’のＡＩ。、６Ｇａｏ０．Ａｓ層８を１μｍ、ｐ型
で不純物濃度Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−３のＧａＡｓキャップ
層９を０．１５μｍ、順次にＭＢＥ成長法により連続成
長し、ウェーハを形成する。次に、エツチングにより１
０μｍのストライプ状に残し、ＧａＡｓ基板１に達する
まで除去しメサ型構造を形成する。その後、ＣＶＤ法に
よるＳｉＯ２膜ＩＯを３０００人厚で形成し、さらにフ
ォト・リソグラフィー技術によりメサ型のトップに４μ
ｍ幅でストライプ状にＳｉＯ□を除去した後、ＣｒとＡ
ｕを真空蒸着し、ｎ側電極１１を形成する。またその後
、約１００μｍの厚さになる様にＧａＡｓ基板ｌを薄＜
ＬＡｕＧｅＮｉによりｎ側電極１２を形成してレーザ構
造が完成する。
この様な構造においては、ｐｎｐｎ構造を有しているか
ら非線形電流−電圧特性を示す。
ら非線形電流−電圧特性を示す。
しかしながら、第３図に示した従来のｐｎｐｎ接合素子
においては、ｎ型Ａ１６，６Ｇａｏ、ａＡｓ層２とｐ型
Ａｊ！ｏ、＋５Ｇａｏ、５ｓＡｓ層１３との界面に界面
準位が多数存在するため、この部分での界面結合電流が
大きいという問題があった。このためμＡオーダーの小
電流では、ｐｎｐｎ接合素子を構成するｎｐｎトランジ
スタの電流はほとんど発生再結合電流が支配的となり、
このトランジスタの利得が小さくなる。それ故、μＷオ
ーダーの弱い光に対して小さな電流がｎｐｎ）ランジス
クに流れた場合には、利得が小さいためにｐｎｐｎ接合
素子がターンオンせず、受光感度が悪いという欠点があ
った。
においては、ｎ型Ａ１６，６Ｇａｏ、ａＡｓ層２とｐ型
Ａｊ！ｏ、＋５Ｇａｏ、５ｓＡｓ層１３との界面に界面
準位が多数存在するため、この部分での界面結合電流が
大きいという問題があった。このためμＡオーダーの小
電流では、ｐｎｐｎ接合素子を構成するｎｐｎトランジ
スタの電流はほとんど発生再結合電流が支配的となり、
このトランジスタの利得が小さくなる。それ故、μＷオ
ーダーの弱い光に対して小さな電流がｎｐｎ）ランジス
クに流れた場合には、利得が小さいためにｐｎｐｎ接合
素子がターンオンせず、受光感度が悪いという欠点があ
った。
また、以上述べた非発光再結合単位が界面のみならず発
光領域の活性層にも含まれているため、非発光再結合す
る割合が大きく、発光効率が悪いという問題もあった。
光領域の活性層にも含まれているため、非発光再結合す
る割合が大きく、発光効率が悪いという問題もあった。
本発明の目的は、受光感度が大きく、しがも発光効率の
高いｐｎｐｎ型の半導体素子を提供することにある。
高いｐｎｐｎ型の半導体素子を提供することにある。
本発明は、ｐｎｐｎ接合を有する半導体素子において、
外側のｐｎ接合近傍の基板側領域中に少なくとも２種類
以上の半導体が交互に積層している超格子構造を有する
ことを特徴とする。
外側のｐｎ接合近傍の基板側領域中に少なくとも２種類
以上の半導体が交互に積層している超格子構造を有する
ことを特徴とする。
従来の半導体素子で問題点となった界面再結合準位は、
結晶を成長中の雰囲気に含まれる酸素等の不純物が原因
と考えられる。これを低減するために、本発明の半導体
素子に係るｐｎｐｎ接合では、問題となる外側のｐｎ接
合、特に外側のｎ層と内側のｐｍの界面の基板側に超格
子構造を導入することにより、ｐｎ接合界面における界
面準位を低減するものである。現在、この出願に係る発
明者は、超格子を導入することによって界面再結合速度
が１桁程度低くなることを実験的に見出している。この
界面再結合を抑制する機構については現在検討中である
が、界面再結合準位を発生する不純物が超格子内部に取
り込まれやすいためであると考えられる。
結晶を成長中の雰囲気に含まれる酸素等の不純物が原因
と考えられる。これを低減するために、本発明の半導体
素子に係るｐｎｐｎ接合では、問題となる外側のｐｎ接
合、特に外側のｎ層と内側のｐｍの界面の基板側に超格
子構造を導入することにより、ｐｎ接合界面における界
面準位を低減するものである。現在、この出願に係る発
明者は、超格子を導入することによって界面再結合速度
が１桁程度低くなることを実験的に見出している。この
界面再結合を抑制する機構については現在検討中である
が、界面再結合準位を発生する不純物が超格子内部に取
り込まれやすいためであると考えられる。
また、上述した不純物低減の効果は、当然、発光層であ
る活性層の非発光再結合単位を低減する効果もあると期
待される。
る活性層の非発光再結合単位を低減する効果もあると期
待される。
以上述べた様に、本発明のｐｎｐｎ型半導体素子におい
ては、超格子構造を導入することにより、界面再結合準
位および非発光再結合単位が低減し、受光感度２発光効
率が向上する。
ては、超格子構造を導入することにより、界面再結合準
位および非発光再結合単位が低減し、受光感度２発光効
率が向上する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための素子断
面図である。この半導体素子の構造を、その製造方法と
ともに説明する。
面図である。この半導体素子の構造を、その製造方法と
ともに説明する。
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に不純物濃度が５ＸＩＯ”
ｃｍ−’のｎ型Ａ １６． ｂＧ ａ （１，４Ａ ｓ
層２を厚さ１μｍ形成する。
ｃｍ−’のｎ型Ａ １６． ｂＧ ａ （１，４Ａ ｓ
層２を厚さ１μｍ形成する。
次に、ＧａＡｓ層が２０人、Ａｊ！ＡｓＪＪが３０人で
２０周期からなり、不純物濃度がＩ Ｘ１０１８ｃｍ−
’のｎ型超格子構造３を形成する。
２０周期からなり、不純物濃度がＩ Ｘ１０１８ｃｍ−
’のｎ型超格子構造３を形成する。
さらに、この超格子構造３の上に不純物濃度がＩ Ｘ１
０１９ｃｍ−’のｐ型Ａβ（１，３Ｇ ａ （１，ＴＡ
３層４を厚さ５０人形成する。ここで、不純物は超格
子構造３によりトラップされるので、超格子構造３とｐ
型Ａ （！ ０．３Ｇ ３０．７Ａ ３層４との界面の
結晶性が向上し、界面再結合準位は低減する。また、超
格子構造３の上に形成される各層の結晶性も改善される
。
０１９ｃｍ−’のｐ型Ａβ（１，３Ｇ ａ （１，ＴＡ
３層４を厚さ５０人形成する。ここで、不純物は超格
子構造３によりトラップされるので、超格子構造３とｐ
型Ａ （！ ０．３Ｇ ３０．７Ａ ３層４との界面の
結晶性が向上し、界面再結合準位は低減する。また、超
格子構造３の上に形成される各層の結晶性も改善される
。
次に、ｐ型Ａ ｊ’ｏ、ｚＧａｏ、ｔＡ ｓ層４の上に
、不純物濃度がＩ ＸＩＯ”ｃｍ−３でｎ型のＡｌｏ、
３Ｇａｏ、ｑＡｓ層５を０．３μｍ、不純物濃度がＩ
ＸＩＯ”ｃｍ−３で厚さ０．１ μｍのｎ型ＧａＡｓ活
性層６を形成する。ここでＧａＡｓ活性層６中の非発光
再結合単位は、超格子構造３を遵大したことにより低減
する。
、不純物濃度がＩ ＸＩＯ”ｃｍ−３でｎ型のＡｌｏ、
３Ｇａｏ、ｑＡｓ層５を０．３μｍ、不純物濃度がＩ
ＸＩＯ”ｃｍ−３で厚さ０．１ μｍのｎ型ＧａＡｓ活
性層６を形成する。ここでＧａＡｓ活性層６中の非発光
再結合単位は、超格子構造３を遵大したことにより低減
する。
このＱａ、Ａｓ活性層６の上に、不純物濃度がｌＸ１０
１７ｃｍ−３で厚さ０．３．ｃ＋ｍのｎ型Ａ７！ａ、：
＋Ｇａｏ、ｔＡｓ層７、不純物濃度が５ ｘｌＯ”ｃｍ
−’で厚さ１μｍのｐ型Ａ ／！ ｏ、’ ｂ Ｇ ａ
Ｏ，４Ａ ｓ層８、不純物濃度がＩ ＸＩＯ”ｃｍ−
’で厚さ１５００人のｐ型ＧａＡｓキーｔ”７プ層９を
、順次、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により形成す
る。
１７ｃｍ−３で厚さ０．３．ｃ＋ｍのｎ型Ａ７！ａ、：
＋Ｇａｏ、ｔＡｓ層７、不純物濃度が５ ｘｌＯ”ｃｍ
−’で厚さ１μｍのｐ型Ａ ／！ ｏ、’ ｂ Ｇ ａ
Ｏ，４Ａ ｓ層８、不純物濃度がＩ ＸＩＯ”ｃｍ−
’で厚さ１５００人のｐ型ＧａＡｓキーｔ”７プ層９を
、順次、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により形成す
る。
次に、エツチングによりＧａＡｓ基板１に達するまで除
去しメサ型構造を形成する。
去しメサ型構造を形成する。
その後、ＣＶＤ法による５ｉｎ２膜１０を３０００人厚
で形成し、さらにフォト・リソグラフィー技術によりメ
サ型のトップに４μｍ幅でストライプ状にＳｉＯ□を除
去した後、ＣｒとＡｕを真空蒸着し、ｎ側電極１１を形
成する。
で形成し、さらにフォト・リソグラフィー技術によりメ
サ型のトップに４μｍ幅でストライプ状にＳｉＯ□を除
去した後、ＣｒとＡｕを真空蒸着し、ｎ側電極１１を形
成する。
またその後、約１００μｍ厚さになる様にＧａＡｓ基板
１を薄＜ＬＡｕＧｅＮｉによりｎ側電極１２を形成して
レーザ構造を完成した。
１を薄＜ＬＡｕＧｅＮｉによりｎ側電極１２を形成して
レーザ構造を完成した。
以上の素子作製のプロセスは、従来素子と同様な方法で
行った。
行った。
本実施例のように超格子構造３を導入すると、これとｐ
型Ａ １ ｏ、 ｚＧ ａ ｏ、 ７Ａ ５層４との界
面での界面準位が低減し、界面再結合電流が抑制され、
ｐｎｐｎ型半導体素子の受光感度が改善される。
型Ａ １ ｏ、 ｚＧ ａ ｏ、 ７Ａ ５層４との界
面での界面準位が低減し、界面再結合電流が抑制され、
ｐｎｐｎ型半導体素子の受光感度が改善される。
また、ｎ型ＧａＡｓ層６の結晶性も向上するので、発光
効率が高くなり、発振闇値電流も低減することができる
。
効率が高くなり、発振闇値電流も低減することができる
。
また上記実施例においては、ｎ型ベース領域内部にダブ
ルへテロ構造を設けてレーザ素子としたが、これに限ら
ず、ｎ型ベース領域全域を−様な組成分布を有する半導
体層とした、第２図に示す第２の実施例の構造にしても
良い。第２の実施例では、ベース領域は不純物濃度がＩ
Ｘ １０” ｃｍ−”で厚さが５０人のｐ型ＧａＡｓ
層３０と、不純物濃度がＩ ＸＩＯ”ｃｍ−３で厚さが
１μｍのｎ型ＧａＡｓ層３１とからなっている点が、第
１の実施例と異なる。
ルへテロ構造を設けてレーザ素子としたが、これに限ら
ず、ｎ型ベース領域全域を−様な組成分布を有する半導
体層とした、第２図に示す第２の実施例の構造にしても
良い。第２の実施例では、ベース領域は不純物濃度がＩ
Ｘ １０” ｃｍ−”で厚さが５０人のｐ型ＧａＡｓ
層３０と、不純物濃度がＩ ＸＩＯ”ｃｍ−３で厚さが
１μｍのｎ型ＧａＡｓ層３１とからなっている点が、第
１の実施例と異なる。
その他の構成は第１の実施例と同一であり、したがって
第１図と同一の要素には同一の番号を付して示している
。
第１図と同一の要素には同一の番号を付して示している
。
第２の実施例では発光層のベース層が第１の実施例の０
．１μｍに比べて１μｍ程度と厚いため、ターンオンし
た場合には発光ダイオードとして動作しレーザ発振は生
じない。しかし、第１の実施例と同様に界面準位および
発光層の非発光準位が低減するため、受光感度および発
光効率の高いｐｎｐｎ接合素子が得られる。
．１μｍに比べて１μｍ程度と厚いため、ターンオンし
た場合には発光ダイオードとして動作しレーザ発振は生
じない。しかし、第１の実施例と同様に界面準位および
発光層の非発光準位が低減するため、受光感度および発
光効率の高いｐｎｐｎ接合素子が得られる。
以上の２つの実施例において、超格子構造は、ＧａＡｓ
層が２０人、Ａｊ！Ａｓ層が３０人で２０周期からなる
としたが、超格子構造はこれに限られるものではなく、
他の層厚１組成１周期の超格子構造でも本発明に適用で
きる。
層が２０人、Ａｊ！Ａｓ層が３０人で２０周期からなる
としたが、超格子構造はこれに限られるものではなく、
他の層厚１組成１周期の超格子構造でも本発明に適用で
きる。
また上記実施例においては、ｎ型基板を用いた構造とし
たが、これに限らずｐ型基板を用いても良い。この場合
には、ｐ型基板の上に形成されたｐ型ＡｆＧａＡｓ層と
ｎ型ベース層の間に超格子を４人する。この構造でも同
様に、ｐｎｐ ）ランジスタの利得が向上する。
たが、これに限らずｐ型基板を用いても良い。この場合
には、ｐ型基板の上に形成されたｐ型ＡｆＧａＡｓ層と
ｎ型ベース層の間に超格子を４人する。この構造でも同
様に、ｐｎｐ ）ランジスタの利得が向上する。
以上説明したように本発明によれば、受光感度が大きく
、しかも発光効率が高く、発振闇値電流が小さいｐｎｐ
ｎ型半導体素子が得られる。
、しかも発光効率が高く、発振闇値電流が小さいｐｎｐ
ｎ型半導体素子が得られる。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するだめの半導体
素子の断面図、 第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体
素子の断面図、 第３図は従来技術による半導体素子の断面図である。 １・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・−−−−ｎ型Ａ ＩＩ ｏ、 ｂＧ ａ ０．４Ａ
３層３・・・・・超格子構造 ４−−＝・ｐ型Ａ’Ｏ１＋ｌＧａ０．？ＡＳ層５、’Ｉ
−−−ｎ型Ａ （ｌ Ｏ，：ｌＧ ３６．７Ａ ３層６
・・・・・ｎ型ＧａＡｓ活性層 ８・−・−ｐ型Ａ（ｌｏ、ｂＧａ６．ｓＡｓ層９・・・
・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ＩＯ・・・・・Ｓｉｎ、膜 １１・・・・・ｐ側電極 １２・・・・・ｎ側電極 １３・・・・・ｐ型Ａｌｏ、１ｓＧａｏ、ａ５Ａｓ層１
４、１５−− ・ｎ型Ａ ｌ ｏ、 ＋ｓＧ ａ ｏ、
Ｂ５Ａ ５層３０・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層 ３１・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 Ｌ 口
素子の断面図、 第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体
素子の断面図、 第３図は従来技術による半導体素子の断面図である。 １・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・−−−−ｎ型Ａ ＩＩ ｏ、 ｂＧ ａ ０．４Ａ
３層３・・・・・超格子構造 ４−−＝・ｐ型Ａ’Ｏ１＋ｌＧａ０．？ＡＳ層５、’Ｉ
−−−ｎ型Ａ （ｌ Ｏ，：ｌＧ ３６．７Ａ ３層６
・・・・・ｎ型ＧａＡｓ活性層 ８・−・−ｐ型Ａ（ｌｏ、ｂＧａ６．ｓＡｓ層９・・・
・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ＩＯ・・・・・Ｓｉｎ、膜 １１・・・・・ｐ側電極 １２・・・・・ｎ側電極 １３・・・・・ｐ型Ａｌｏ、１ｓＧａｏ、ａ５Ａｓ層１
４、１５−− ・ｎ型Ａ ｌ ｏ、 ＋ｓＧ ａ ｏ、
Ｂ５Ａ ５層３０・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層 ３１・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 Ｌ 口
Claims (1)
- （１）ｐｎｐｎ接合を有する半導体素子において、外側
のｐｎ接合近傍の基板側領域中に少なくとも２種類以上
の半導体が交互に積層している超格子構造を有すること
を特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061924A JPH01236670A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061924A JPH01236670A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236670A true JPH01236670A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13185194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63061924A Pending JPH01236670A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005503024A (ja) * | 2001-09-12 | 2005-01-27 | クリー インコーポレイテッド | 大型炭化ケイ素デバイスおよびその製造方法 |
| CN107230738A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-03 | 河北工业大学 | 具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202981A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62189439A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Nec Corp | 光双安定素子 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63061924A patent/JPH01236670A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202981A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
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| JP4644828B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2011-03-09 | クリー インコーポレイテッド | 大型炭化ケイ素デバイスおよびその製造方法 |
| CN107230738A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-03 | 河北工业大学 | 具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法 |
| CN107230738B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-05-31 | 河北工业大学 | 具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法 |
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