JPS60165777A - 光双安定集積素子 - Google Patents
光双安定集積素子Info
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- JPS60165777A JPS60165777A JP59021123A JP2112384A JPS60165777A JP S60165777 A JPS60165777 A JP S60165777A JP 59021123 A JP59021123 A JP 59021123A JP 2112384 A JP2112384 A JP 2112384A JP S60165777 A JPS60165777 A JP S60165777A
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体を用いた光交換・光情報処（１）
理の主要構成要素である光双安定集積素子に関する。
（従来技術とその問題点）
光交換・光情報処理に主要な光記憶・光論理素子として
最近検討されてきている光双安定素子は低エネルギーで
高速動作する可能性があり、その将来性が注目されてい
る素子である。光双安定素子とは、ある一つの入射光強
度あるいは注入電流価に対して出射光強度が高ｆ斤２つ
の安定状態をとりうろことに由来している。この素子に
は半導体を始め液晶、誘電体を用いたものが検討されて
いるが、半導体拐料を用いたものは、特にその高速性を
最も良く発揮できるものとして注目されている。その中
に波長依存性が小さく周囲温度の変動に対して特性が左
右されない素子として、光トランジスタと発光ダイオー
ドを同一基板に積層させて形成した光双安定素子がある
。これについては佐々木氏のアイ・イー・イー・イー・
トランスアクション・オン・エレクトｐン・デバ（−／
（（ＩＥＥＥＴＲＡＮ８ＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ ）誌の第ＥＤ−２９巻、第
９号、第１３８２頁〜１３８８頁、１９８２年に記載さ
れた論文に詳しい。
最近検討されてきている光双安定素子は低エネルギーで
高速動作する可能性があり、その将来性が注目されてい
る素子である。光双安定素子とは、ある一つの入射光強
度あるいは注入電流価に対して出射光強度が高ｆ斤２つ
の安定状態をとりうろことに由来している。この素子に
は半導体を始め液晶、誘電体を用いたものが検討されて
いるが、半導体拐料を用いたものは、特にその高速性を
最も良く発揮できるものとして注目されている。その中
に波長依存性が小さく周囲温度の変動に対して特性が左
右されない素子として、光トランジスタと発光ダイオー
ドを同一基板に積層させて形成した光双安定素子がある
。これについては佐々木氏のアイ・イー・イー・イー・
トランスアクション・オン・エレクトｐン・デバ（−／
（（ＩＥＥＥＴＲＡＮ８ＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ ）誌の第ＥＤ−２９巻、第
９号、第１３８２頁〜１３８８頁、１９８２年に記載さ
れた論文に詳しい。
この動作原理を説明するためＫ、第１図にその構成図を
示す。入射光は光トランジスターの基板２゜エミツタ層
３を透過してベース層４．コレクタ層５で吸収されて電
子及び正孔を生成させる。そのうちの電子は２つのクラ
ッド層６にはさまれた発光ダイオード７の活性層８へ流
れこみ最上層のＰ形キャップ層９から活性層８へ流入し
た正孔と再結合して発光する。このときの出射光の一部
は光トランジスタＩＫ帰還される。光トランジスターは
通常入射光によって生じた光電流が、その光強度に対し
て飽和する特性を有している。したがっである程度の強
度の入射光が光トランジスターに結合することＫより発
光ダイオード７が発光を開始すると、光帰還の効果によ
って光トランジスターの光電流が飽和状態に達するまで
発光ダイオード７への注入電流が増加する。この場合、
発光ダイ（ オード７での注入電流に対する光出力への変換効率をａ
、光トランジスターでの光入力に対する光電流、への変
換効率なｋとするとａｋ）１の条件を満足したときに光
双安定特性が観測されることが知られている。この場合
ａの値が通常１０−３ｍＷ／ｍＡのオーダであるため、
ａｋ：）１となるためには、光トランジスタ１の電流増
幅率を１０００以上にする必要がある。この程度の電流
増幅率を有する光トランジスタ１はベース層の厚さ、及
びエミツタ層３とベース層４を構成する半導体材料のエ
ネルギーギャップの大きさ、を最適化することにより実
現可能とはなるが、応答速度とトレード・オフσ）関係
があるため高速動作の方を優先すると電流増幅率を１桁
程度は少なくとも下げる必要がでてくる。そこで発光ダ
イオード７の代りに半導体レーザで置換えられれば、ａ
の値が０７程度となるため大幅な値の電流増幅率を必要
としない。そのため半導体レーザと光トランジスタを組
合わせて集積化でき、しかも両者の間に光帰還が可能な
構成を冶する光双安定素子の実現が望まれていた。
示す。入射光は光トランジスターの基板２゜エミツタ層
３を透過してベース層４．コレクタ層５で吸収されて電
子及び正孔を生成させる。そのうちの電子は２つのクラ
ッド層６にはさまれた発光ダイオード７の活性層８へ流
れこみ最上層のＰ形キャップ層９から活性層８へ流入し
た正孔と再結合して発光する。このときの出射光の一部
は光トランジスタＩＫ帰還される。光トランジスターは
通常入射光によって生じた光電流が、その光強度に対し
て飽和する特性を有している。したがっである程度の強
度の入射光が光トランジスターに結合することＫより発
光ダイオード７が発光を開始すると、光帰還の効果によ
って光トランジスターの光電流が飽和状態に達するまで
発光ダイオード７への注入電流が増加する。この場合、
発光ダイ（ オード７での注入電流に対する光出力への変換効率をａ
、光トランジスターでの光入力に対する光電流、への変
換効率なｋとするとａｋ）１の条件を満足したときに光
双安定特性が観測されることが知られている。この場合
ａの値が通常１０−３ｍＷ／ｍＡのオーダであるため、
ａｋ：）１となるためには、光トランジスタ１の電流増
幅率を１０００以上にする必要がある。この程度の電流
増幅率を有する光トランジスタ１はベース層の厚さ、及
びエミツタ層３とベース層４を構成する半導体材料のエ
ネルギーギャップの大きさ、を最適化することにより実
現可能とはなるが、応答速度とトレード・オフσ）関係
があるため高速動作の方を優先すると電流増幅率を１桁
程度は少なくとも下げる必要がでてくる。そこで発光ダ
イオード７の代りに半導体レーザで置換えられれば、ａ
の値が０７程度となるため大幅な値の電流増幅率を必要
としない。そのため半導体レーザと光トランジスタを組
合わせて集積化でき、しかも両者の間に光帰還が可能な
構成を冶する光双安定素子の実現が望まれていた。
（発明の目的）
本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、半導
体レーザと受光素子を集積化して高速動作を可能にした
光双安定集積素子を提供するととＫある。
体レーザと受光素子を集積化して高速動作を可能にした
光双安定集積素子を提供するととＫある。
（発明の構成）
本発明の光双安定集積素子は、光導波路上に回折格を備
えている分布帰還形半導体レーザと、受光素子とを積層
した構造であって、前記半導体レーザの少なくとも一方
の端面は共振器軸方向の光軸に対して全反射角となるよ
うＫＭめに形成されており、この斜めに形成された端面
で反射された光を受光する位置に前記受光素子が設置さ
れており、かつ、前記受光素子の前記半導体レーザに接
していない方の面が、外部からの入射光に対する受光面
となっていることを特徴としている。
えている分布帰還形半導体レーザと、受光素子とを積層
した構造であって、前記半導体レーザの少なくとも一方
の端面は共振器軸方向の光軸に対して全反射角となるよ
うＫＭめに形成されており、この斜めに形成された端面
で反射された光を受光する位置に前記受光素子が設置さ
れており、かつ、前記受光素子の前記半導体レーザに接
していない方の面が、外部からの入射光に対する受光面
となっていることを特徴としている。
（構成の詳細な説明）
この発明では半導体レーザ例えば分布帰還形半導体レー
ザの８ｉ層方向に沿りて受光素子例えば光トランジスタ
を積層して構成されている。分布帰還形半導体レーザの
場合はレーザ光の出射端面が共振器とはならないため、
出射端面が斜めにエラより出射光を斜め方向に取り出す
ことができる。
ザの８ｉ層方向に沿りて受光素子例えば光トランジスタ
を積層して構成されている。分布帰還形半導体レーザの
場合はレーザ光の出射端面が共振器とはならないため、
出射端面が斜めにエラより出射光を斜め方向に取り出す
ことができる。
そこで出射端面の一つが全反射面となるようにエツチン
グ角度を選べば半導体内部で全反射した光は半導体内部
を通って積層された面にほぼ垂直な方向に出射すること
となる。そこで出射する面上に受光素子例えば光トラン
ジスタを積層させておけば、全反射した出射光の殆んど
が光トランジスタに吸収される。これＫよって生じた光
電流は半導体レーザ例えば分布帰還形半導体レーザに再
びバイアス電流として注入される。光トランジスタには
前述のように入射光の強度に対して光電流が飽和する特
性を有しているので、この光帰還効果を利用して光電流
が飽和値に達するまで分布帰還形半導体レーザに電流が
注入されつづける。この場合外部からの入射光が光トラ
ンジスタの受光面から注入されれば、そのことがトリガ
となって光双安定動作を実現できる。したがって、本発
明においては半導体レーザと受光素子とを同一半導体基
板上に集積化することが可能となるため、高速動作に適
した構造の受光素子で構成でき、高速動作の可能な光双
安定素子を構成することができる。
グ角度を選べば半導体内部で全反射した光は半導体内部
を通って積層された面にほぼ垂直な方向に出射すること
となる。そこで出射する面上に受光素子例えば光トラン
ジスタを積層させておけば、全反射した出射光の殆んど
が光トランジスタに吸収される。これＫよって生じた光
電流は半導体レーザ例えば分布帰還形半導体レーザに再
びバイアス電流として注入される。光トランジスタには
前述のように入射光の強度に対して光電流が飽和する特
性を有しているので、この光帰還効果を利用して光電流
が飽和値に達するまで分布帰還形半導体レーザに電流が
注入されつづける。この場合外部からの入射光が光トラ
ンジスタの受光面から注入されれば、そのことがトリガ
となって光双安定動作を実現できる。したがって、本発
明においては半導体レーザと受光素子とを同一半導体基
板上に集積化することが可能となるため、高速動作に適
した構造の受光素子で構成でき、高速動作の可能な光双
安定素子を構成することができる。
（実施例）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例の斜視図である。光双安定４
Ｊ積素子１０１は分布帰還形半導体レーザ１０２と光ト
ランジスタ １０３とから構成されている。この場合、
分布帰還形半導体レーザ１０２の一部に光トランジスタ
１０３が積層されている。
Ｊ積素子１０１は分布帰還形半導体レーザ１０２と光ト
ランジスタ １０３とから構成されている。この場合、
分布帰還形半導体レーザ１０２の一部に光トランジスタ
１０３が積層されている。
分布帰還形半導体レーザ１０２１ｃ１１Ｌ流を供給する
電極と光トランジスタへの電極は溝１０４によって隔て
られており、いわゆるタンデム電、極構造を形成してい
る。光双安定集積素子１０１の製法としては、まずｐ形
基板１０５上Ｋｐ−ＩｎＰ第１のバッファ層１０６ 、
ｐ−ＩｎＰクラッド層１０７゜ノンドープのＩＨＧａＡ
ｉＰ活性層１０Ｂ 、回折格子を有するｎ−ＩｎＧａＡ
ａＰガイド層１０９ 、ｎ −ＩｎＰクラッド層１１Ｇ
、ｎ ＩｎＰ第２のバッファ層１１１ 、ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ＝＋レクタ層１１２、ｐ−ＩｎＧ＆ＡｇＰベー
ス層１１３ 、ｎ −ＩｎＰ ：ｘ−ミッタ層１１４を
積層する。
電極と光トランジスタへの電極は溝１０４によって隔て
られており、いわゆるタンデム電、極構造を形成してい
る。光双安定集積素子１０１の製法としては、まずｐ形
基板１０５上Ｋｐ−ＩｎＰ第１のバッファ層１０６ 、
ｐ−ＩｎＰクラッド層１０７゜ノンドープのＩＨＧａＡ
ｉＰ活性層１０Ｂ 、回折格子を有するｎ−ＩｎＧａＡ
ａＰガイド層１０９ 、ｎ −ＩｎＰクラッド層１１Ｇ
、ｎ ＩｎＰ第２のバッファ層１１１ 、ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ＝＋レクタ層１１２、ｐ−ＩｎＧ＆ＡｇＰベー
ス層１１３ 、ｎ −ＩｎＰ ：ｘ−ミッタ層１１４を
積層する。
次に分布帰還形半導体レーザ１０２ Ｋ電流を供給しや
すいように光トランジスタ１０３となるところ以外のコ
レクタ層１１２、ペース１１３、エミツタ層１１４をエ
ツチング忙より除去する。さらに光トランジスタ１０３
への第１の電＆１１５と分布帰還形半導体レーザ１０２
への第２の電極１１６は、互いに独立に機能するように
第２のバッファ層１１１をエツチングして除去し溝１０
４ ！ｌｃより分離される。第２のバッファ層１１１を
除去する理由は第１の電極１１５ と第２の電極１１６
との間の抵抗を大きくしたためである。
すいように光トランジスタ１０３となるところ以外のコ
レクタ層１１２、ペース１１３、エミツタ層１１４をエ
ツチング忙より除去する。さらに光トランジスタ１０３
への第１の電＆１１５と分布帰還形半導体レーザ１０２
への第２の電極１１６は、互いに独立に機能するように
第２のバッファ層１１１をエツチングして除去し溝１０
４ ！ｌｃより分離される。第２のバッファ層１１１を
除去する理由は第１の電極１１５ と第２の電極１１６
との間の抵抗を大きくしたためである。
光トランジスタ１０３としては高速動作を可能にする必
要性から、応答速度を左右する接合容量が小さくなるよ
う受光面１１７をとりかこむような第１の電極１１５を
形成する。次に、光トランジスタ１０３と分布帰還形半
導体レーザ１０２とが光学的に結合する必要性から、分
布帰還形半導体レーザ１０２の共振器軸方向の一方の側
の出射側端面な逆メサ方向にエツチングする。エツチン
グされた角度を全反射角度にとれば、全反射端面１２０
で全反射した光は分布帰還形半導体レーザ１０２直上の
光トランジスタ１０３に吸収される。
要性から、応答速度を左右する接合容量が小さくなるよ
う受光面１１７をとりかこむような第１の電極１１５を
形成する。次に、光トランジスタ１０３と分布帰還形半
導体レーザ１０２とが光学的に結合する必要性から、分
布帰還形半導体レーザ１０２の共振器軸方向の一方の側
の出射側端面な逆メサ方向にエツチングする。エツチン
グされた角度を全反射角度にとれば、全反射端面１２０
で全反射した光は分布帰還形半導体レーザ１０２直上の
光トランジスタ１０３に吸収される。
したがりてトリガとして外部から入射光が光トランジス
タ１０３ Ｋ受光面１１７から注入されるとコレクタＦ
Ｖｊ１１２ 、ペース層１１３での光の吸収によって生
じた正孔、電子のうちの電子が第１のｔｔ＆ｌ１５と第
３の′＃を極１１８の間の電界により第３の電極１１８
の方へ引きませられる。その結果として、分布帰還形半
導体レーザ１０２へ電子が供給され、また第３の電＆１
１８からＬ正孔が供給される。これＫより電子と正孔が
再結合して分布帰還形半導体レーザ発振を始める。この
場合に第２の電極１１６からあらかじめ電流をある程度
注入して利得をあげておけばさらにレーザ発振は容易と
なる。発振したレーザ光は全反射端面１２０により光ト
ランジスタ １０３へ光帰還される。
タ１０３ Ｋ受光面１１７から注入されるとコレクタＦ
Ｖｊ１１２ 、ペース層１１３での光の吸収によって生
じた正孔、電子のうちの電子が第１のｔｔ＆ｌ１５と第
３の′＃を極１１８の間の電界により第３の電極１１８
の方へ引きませられる。その結果として、分布帰還形半
導体レーザ１０２へ電子が供給され、また第３の電＆１
１８からＬ正孔が供給される。これＫより電子と正孔が
再結合して分布帰還形半導体レーザ発振を始める。この
場合に第２の電極１１６からあらかじめ電流をある程度
注入して利得をあげておけばさらにレーザ発振は容易と
なる。発振したレーザ光は全反射端面１２０により光ト
ランジスタ １０３へ光帰還される。
この光帰還が繰返えされた結果、光トランジスタ１０３
の光電流が入射光強度に対して飽和状独となったところ
で分布帰還形半導体レーザ１０２からの出射光強度は一
定値となる。この実施例ではレーザ発振閾値１００ｍＡ
Ｋ対して、第２の電極１１６への注入電流を８０ｍＡ、
入射光強度を３０μｍ、光トランジスタ１０３の電流増
幅率を１００とした。
の光電流が入射光強度に対して飽和状独となったところ
で分布帰還形半導体レーザ１０２からの出射光強度は一
定値となる。この実施例ではレーザ発振閾値１００ｍＡ
Ｋ対して、第２の電極１１６への注入電流を８０ｍＡ、
入射光強度を３０μｍ、光トランジスタ１０３の電流増
幅率を１００とした。
光トランジスタ１０３への印加電圧は５■である。
したがってレーザ発振に必要な残る２０ｍＡは入射光の
光−電気変換による。一旦レーザ発振を開始するとａｋ
）１を十分満足しているので、光トランジスタ１０３の
光電流が飽和するまで急峻に出射光強度が増加した。あ
とは入射光強度を増加させても殆んど出射光強度に変化
は見られなかった。
光−電気変換による。一旦レーザ発振を開始するとａｋ
）１を十分満足しているので、光トランジスタ１０３の
光電流が飽和するまで急峻に出射光強度が増加した。あ
とは入射光強度を増加させても殆んど出射光強度に変化
は見られなかった。
次に入射光強度を減少させていくと、光トランジスタ１
０２の光電流が飽和点のところまで出射光が変化せず、
さらに減少させていくと急峻に出射光強度が減少した。
０２の光電流が飽和点のところまで出射光が変化せず、
さらに減少させていくと急峻に出射光強度が減少した。
立上り、立下りでの入射光強度には差があり、光双安定
動作が観測された。また半導体レーザを用いているので
高速動作にも効果的なことがわかった。この実施例では
分布帰還形半導体レーザ１０２の大きさは、共振器長が
３５０μｍ１幅１５０μｍ１第２の電極１１６の長さが
２５０μｍ１溝１０４の長さが５０μｍ、才だ光トラン
ジスタ１０３の太きさは受光面の大きさが２０μｍであ
る。結晶成長の様子は成長方法や成長条件等により太幅
Ｋかわるのでそれらとともに適切な寸法を採用すべきこ
とは言うまでもない。
動作が観測された。また半導体レーザを用いているので
高速動作にも効果的なことがわかった。この実施例では
分布帰還形半導体レーザ１０２の大きさは、共振器長が
３５０μｍ１幅１５０μｍ１第２の電極１１６の長さが
２５０μｍ１溝１０４の長さが５０μｍ、才だ光トラン
ジスタ１０３の太きさは受光面の大きさが２０μｍであ
る。結晶成長の様子は成長方法や成長条件等により太幅
Ｋかわるのでそれらとともに適切な寸法を採用すべきこ
とは言うまでもない。
本発明の実施例の形態は、以上のべた実施例の他ＶＣ種
々ありうる。ｐ−ＩｎＰ基板の代りＫ ｎ −ＩｎＰ基
板を用いてもよいが、この場合には結晶成長する他の層
のｐとｎを逆にする＜ｖｈ壺がある。また分布帰還形半
導体レーザ１０２を活性層１０８上に回折格子を設けた
ガイド層にした全面電極タイプとしたが、動作電流を小
さく抑えられるように、埋め込みヘテｐ構造としてもよ
い。また半導体材料としてもＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系
Ｋ［らずＧａＡｓ／Ａ４ＧａＡｓ系等の他のものであっ
てもよい。
々ありうる。ｐ−ＩｎＰ基板の代りＫ ｎ −ＩｎＰ基
板を用いてもよいが、この場合には結晶成長する他の層
のｐとｎを逆にする＜ｖｈ壺がある。また分布帰還形半
導体レーザ１０２を活性層１０８上に回折格子を設けた
ガイド層にした全面電極タイプとしたが、動作電流を小
さく抑えられるように、埋め込みヘテｐ構造としてもよ
い。また半導体材料としてもＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系
Ｋ［らずＧａＡｓ／Ａ４ＧａＡｓ系等の他のものであっ
てもよい。
また以上の実施例では半導体レーザとして分布帰還形半
導体レーザ１０２を、受光素子として光トランジスタ
１０３を用いたが限定されるものではない。例えば受光
素子としてフォトダイオードやＡＰＤを用いても同様の
効果が得られる。才だ、半導体レーザからの出射光を積
層面に垂直な方向Ｋｌ（ｌｉり出せるようＫもう１つの
出射側端面を全反射端面としてもよい。また以上の実施
例では分布帰還形半導体レーザ］０２への注入電流用と
して第２の電極１１６を設けたが、光トランジスタ１０
３の電流増幅率が十分大きければ、がならずしも設ける
必要はない。
導体レーザ１０２を、受光素子として光トランジスタ
１０３を用いたが限定されるものではない。例えば受光
素子としてフォトダイオードやＡＰＤを用いても同様の
効果が得られる。才だ、半導体レーザからの出射光を積
層面に垂直な方向Ｋｌ（ｌｉり出せるようＫもう１つの
出射側端面を全反射端面としてもよい。また以上の実施
例では分布帰還形半導体レーザ］０２への注入電流用と
して第２の電極１１６を設けたが、光トランジスタ１０
３の電流増幅率が十分大きければ、がならずしも設ける
必要はない。
第１図は従来例の構成図、第２図は本発明の実施例の斜
視図を示す図である。 なお図において、１・・・光トランジスタ、２・・・基
板、３・・・エミツタ層、４・・・ベース層、５・・・
コレクタ廣、６・・・クラッド層、７・・・発光ダイオ
ード、８・・・活性層、９・・・キャン７［、１０ｉ
・・・光双安定集積素子、１０２・・・分布帰還形牛導
体レーザ、１０３・・・光トランジスタ、１０４・・・
溝、１０５・・・ｐ形基板、１０６−ｐ−Ｉｎｐ第１の
バッファ層、１０７・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、１０
８・・・ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層、１０９−
ｎ −ＩｎＧａＡｓＰガイド層、１１０・・・ｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層、１１１・・・ｎ−ＩｎＰ第２のバッフ
ァ層、１１２−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ’：ｌレクタ層、ｌ
１３−ｐ−ＩｎＧａＡｓＰベース層、１１４・＝ｎ
−１ｎＰ エミツタ層、１１５・・・第１の電極、１１
６・・・第２のＩＭ、ＩＩｉ、１１ｒ・・・受光面、１
１８・・・第３の電、極、１２０・・・全反射端面をそ
れぞれあられす。 ト −
視図を示す図である。 なお図において、１・・・光トランジスタ、２・・・基
板、３・・・エミツタ層、４・・・ベース層、５・・・
コレクタ廣、６・・・クラッド層、７・・・発光ダイオ
ード、８・・・活性層、９・・・キャン７［、１０ｉ
・・・光双安定集積素子、１０２・・・分布帰還形牛導
体レーザ、１０３・・・光トランジスタ、１０４・・・
溝、１０５・・・ｐ形基板、１０６−ｐ−Ｉｎｐ第１の
バッファ層、１０７・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、１０
８・・・ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層、１０９−
ｎ −ＩｎＧａＡｓＰガイド層、１１０・・・ｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層、１１１・・・ｎ−ＩｎＰ第２のバッフ
ァ層、１１２−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ’：ｌレクタ層、ｌ
１３−ｐ−ＩｎＧａＡｓＰベース層、１１４・＝ｎ
−１ｎＰ エミツタ層、１１５・・・第１の電極、１１
６・・・第２のＩＭ、ＩＩｉ、１１ｒ・・・受光面、１
１８・・・第３の電、極、１２０・・・全反射端面をそ
れぞれあられす。 ト −
Claims (1)
- 光導波路上に回折路を備えている分布帰還形半導体レー
ザと、受光素子とを積層した構造であって、前記半導体
レーザの少なくとも一方の端面は共振器軸方向の光軸に
対して全反射角となるようＫＮめに形成されており、こ
の斜めに形成された端面で反射された光を受光する位置
に前記受光素子が設置されており、かつ、前記受光素子
のＯｆｆ ｉｉｉ半導体レーザに接していない方の面が
、外部からの入射光に対する受光面となっていることを
特徴とする光双安定集積素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021123A JPS60165777A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 光双安定集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021123A JPS60165777A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 光双安定集積素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165777A true JPS60165777A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12046102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021123A Pending JPS60165777A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 光双安定集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950622A (en) * | 1988-04-28 | 1990-08-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing a surface emitting type AlGaAs/GaAs semiconductor laser diode |
| US8333086B2 (en) | 2007-11-21 | 2012-12-18 | The Tokyo Electric Power Company, Incorporated | Condenser and cooling device |
| JP2015018925A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | ソフトバンクテレコム株式会社 | 波長変換素子及び波長変換装置 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59021123A patent/JPS60165777A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950622A (en) * | 1988-04-28 | 1990-08-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing a surface emitting type AlGaAs/GaAs semiconductor laser diode |
| US8333086B2 (en) | 2007-11-21 | 2012-12-18 | The Tokyo Electric Power Company, Incorporated | Condenser and cooling device |
| JP2015018925A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | ソフトバンクテレコム株式会社 | 波長変換素子及び波長変換装置 |
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