JPS60238328A - イオン交換膜を製造する方法 - Google Patents

イオン交換膜を製造する方法

Info

Publication number
JPS60238328A
JPS60238328A JP9292684A JP9292684A JPS60238328A JP S60238328 A JPS60238328 A JP S60238328A JP 9292684 A JP9292684 A JP 9292684A JP 9292684 A JP9292684 A JP 9292684A JP S60238328 A JPS60238328 A JP S60238328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
polymerization
exchange membrane
ion exchange
chloromethylstyrene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9292684A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0352777B2 (ja
Inventor
Toshikatsu Hamano
浜野 利勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP9292684A priority Critical patent/JPS60238328A/ja
Priority to US06/730,481 priority patent/US4608393A/en
Priority to EP85114653A priority patent/EP0222926B1/en
Publication of JPS60238328A publication Critical patent/JPS60238328A/ja
Publication of JPH0352777B2 publication Critical patent/JPH0352777B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、イオン交換膜を製造する方法に関し、更に詳
しく言えば、特定の基材及び特定の重合性モノマーの組
合せ混合物を採用することからなるイオン交換膜の新規
な製造方法に関する。
スルホン酸基、カルボンrr#Mu如き陽イオン交換基
を有する陽イオン交換膜あるいは第四アンモニウム基の
如き陰イオン交換基を有する陰イオン交換膜などのイオ
ン交換膜は、各種の電解用隔膜、電気透析用膜、拡散透
析用膜、燃料電池用隔膜、各種廃液処理用膜など広範な
用途が提案されている。而して、実用的なイオン交換膜
の場合、王に機械的強度の点から、一般に基材にイオン
交換樹脂を膜状に支持させることがψましいとされてい
る。イオン交換樹脂を基材に膜状に支持させる手段とし
ては、pl熱プレス法により布などの基材をイオン交換
膜に裏打ち、埋込みの如く積層する方法も知られている
が、重合性上ツマ−を、そのままあるいは必要に応じて
部分的に重合した後に、基材に含浸担持させ重合せしめ
、必要によりイオン交換基導入反応を施す方法が、従来
より各種提案されている。
基材に重合性モノマーを含浸担持させ、該モノマーを重
合せしめ、必要によりイオン交換基導入反応を施すこと
からなるイオン交換膜の製造方法においては、基材の種
類によっては、基材とイオン交換樹脂との親和性が小さ
く、このために得られるイオン交換膜の機械的強度及び
電気化学的性質が不充分な場合がある。特に基材がポリ
エチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系重合体や
四フッ化エチレン、三フッ化塩化エチレン、フッ化ビニ
リデンなどのフッ素化オレフィン系重合体からなる場合
には、耐熱性、耐薬品性などの点で優れたイオン交換膜
が期待できるにもかかわらず、従来の重合方法によると
前記の如き問題点に遭遇する。かかる問題点の解消を目
的として、特公昭57−30138号公報、特公昭59
−14047号公報、米国特詐第4414090号明細
書などに記載されているように、重合手段として電離性
放射線の照射法を採用し、重合性モノマーを基材にグラ
フト重合せしめる方法が提案されている。
本発明者の研究によれば、従来よりイオン交換膜の製造
において使用される重合性モノマーとして、スチレン、
クロルメチルスチレン、ジビニルベンゼンなどは夫々知
られているが、オレフィン系重合体やフッ素化オレフィ
ン系重合体からなる基材を採用する場合には、次の如き
問題点があることを新規に見い出すに至った。即ち、前
記の特公昭57−30136号公報における如く、基材
に電離性放射線照射などの特定の前処理を施した後、グ
ラフトさせるべき特定のモノマー溶液に含浸させて重合
させるか、あるいは基材に特定のモノマー溶液を含浸さ
せた状態で電離性放射線照射重合させるかして、基材に
3〜80重量%グラフト重合された特定重合層を形成し
、この重合層を介してイオン交換樹脂を支持するという
ような手段の採用が必要であるとされている。また、放
射線グラフト重合に関するポリプロピレンの特異な現象
の発見に基づく、特公昭5B−8857号公報や特公昭
56−34014号公報における如く、特定条件下の前
照射法あるいは短時間低温共存照射法の採用が必要であ
るとされている。而して、スチレンとジビニルベンゼン
の採用による陽イオン交換膜の製造やクロルメチルスチ
レンとジビニルベンゼンの採用による陰イオン交換膜の
製造においては、基材の劣化に基づき、あるいは膜形成
層の剥離に基づくなどにより、充分な機械的強度を有す
るイオン交換膜が得られず、これら三成分を必須成分と
して採用することにより、初めて充分な機械的強度を有
するイオン交換膜が円滑有利に得られるという事実を見
出したものである。
本発明は、前記問題点の認識に基づいて完成されたもの
であり、基材に重合性モノマーを含浸担持させ、該モノ
マーを重合せしめ、必要によりイオン交換基導入反応を
施すことからなるイオン交換膜の製造方法において、基
材としてオレフィン系重合体及び/又はフ、ン素化オレ
フィン系重合体からなるものを使用し、前記重合性モノ
マーとしてスチレン、クロルメチルスチレン及びジビニ
ルベンゼンの三成分を必須成分とする混合物を使用する
ことを特徴とするイオン交換膜を製造する方法を新規に
提供するものである。
本発明においては、スチレン、クロルメチルスチレン及
びジビニルベンゼンの三成分を必須成分とする混合物を
基材に含浸担持させ重合せしめることが重要である。特
にスチレン又はクロルメチルスチレンのいずれか一方を
採用しない場合には、生成重合体が基材に強固に結合し
た状態でイオン交換膜を製造することが困難になり、例
えば、スチレンとジビニルベンゼンの二成分系の採用の
場合などでは、基材と膜形成樹脂層とが簡単に剥離した
り、あるいは膜形成樹脂層自体が極めて脆弱で簡単に亀
裂や微小クラ・ンクが発生するという難点が認められる
本発明において、基材に含浸担持される重合性モノマー
混合物は、スチレン、クロルメチルスチレン及びジビニ
ルベンゼンの総重量基準で、スチレン10〜8oz、ク
ロルメチルスチレン10〜8(H,ジビニルベンゼン1
〜25%を含有するのが好ましい。この含有割合は、目
的とするイオン交換膜の種類により、その好適な範囲が
若干具なるが、例えば陽イオン交換膜を目的とする場合
には、スチレンを上記範囲の多い方で、あるいは陰イオ
ン交換膜を目的とする場合には、クロルメチルスチレン
をト記範囲の多い方で選定するなどが可能である。いず
れにしても、ジビニルベンゼンは、余りに多量すぎると
、得られるイオン交換膜の電気抵抗を増大せしめるし、
また余りに少量すぎると、機械的強度の達成に不利とな
るが、通常は上記範囲で可及的に少ない方を採用するの
が好ましく、特にジビニルベンセフ5〜15%程度が好
適である。クロルメチルスチレンは、余りに多量すぎる
と、樹脂層の柔軟性が低下してクラックを発生し易(な
り、陰イオン交換膜を目的とする場合は樹脂層が膨潤し
て崩壊し、また陽イオン交換膜を目的とする場合には抵
抗の高いものとなってしまう難点が生ずる。そして、ク
ロルメチルスチレンが余りに少量すぎると、基材と樹脂
層の結合が弱く剥離し易くなると共に、陰イオン交換膜
を目的とする場合は抵抗が高いものとなってしまう難点
が生じ、陽イオン交換膜を目的とする場合は樹脂層が膨
潤して崩壊する。従って、好適には20〜65%程度が
選定される。また、スチレンも同様の理由により、好適
には20〜85%程度が選定される。
而して、本発明においては、基材としてオレフィン系重
合体及び/又はフッ素化オレフィン系重合体からなるも
のを採用することが重要である。
かかる基材の採用により、目的とするイオン交換膜の耐
熱性、耐薬品性の観点から有利になる。基材は、前記材
質から構成されていれば、フィルム状のものも採用可能
であるが、通常は布、ネットなどの織布、不織布あるい
は多孔質フィルムの如きM膜状の空隙性基材が好適に採
用される。特定の三成分を必須成分とする重合性上ツマ
ー混合物の採用により、その理由は必ずしも明確でない
が、上記基材の材質に対する親和性あるいは反応性の向
上がもたらされ、重合反応の結果生成するR@形成層の
重合体と基材とが強固に結合したイオン交換膜が得られ
る。基材は通常その厚みが5〜500 ミクロン、好ま
しくは20〜300ミクロン程度の8M状として採用さ
れる。空隙性基材の場合の空隙率は、主に機械的強度の
点から90%以F、特には80%以下とするのが好まし
い。なお、空隙率とは(1−基材の見かけの比重÷基材
の真の比重)×100を表し、見かけの比重とは、基材
が占める、空間をも考慮した比重を示し、真の比重とは
、基材の材質自体の比重を示す。
オレフィン系重合体としては、エチレン、プロピレン、
ブテン、メチルペンテンなどのオレフィンの単独重合体
、これらオレフィンの相互共重合体、さらには、オレフ
ィンと他の七ツマ−との共重合体が例示され、具体的に
は、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリプ
ロピレンなどが挙げられる。また、フ・ン素化オレフィ
ン系重合体としては、四フッ化エチレン、三フッ化塩化
エチレン、フッ化ビニリデン、六フ・ン化フロピレンな
どの重合体あるいは共重合体が各種例示され、具体的に
はポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、エチ
レン−四フッ化エチレン系共を合体、エチレン−三フッ
化塩化エチレン系共重合体、四フフ化エチレン−六フッ
化フロピレン系共重合体、プロピレン−四フフ化エチレ
ン系共重合体などが挙げられ得る。
本発明においては、上記の如き特定の基材に特定の重合
性モノマー混合物を含浸担持させ重合せしめるが、該重
合手段には特に限定される理由はない。しかし、通常は
基材とのグラフト重合が生起するような重合手段の採用
が好ましい。例えば、基材を予め電離性放射線照射など
により前処理する方法が採用可能であり、重合性モノマ
ーが含浸担持された基材に電離性放射線を照射して重合
せしめる同時照射方法も採用され得る。本発明の好適な
実施態様においては、基材に含浸担持された重合性子ツ
マ−を、前段で電離性放射線の照射により一部重合させ
、後段で重合開始剤の存在ド加熱により(電離性放射線
を照射せずに)残部重合せしめるという重合手段が好ま
しく採用され得る。
而して、γ線や電子線の如き電離性放射線の照射により
重合性上ツマー混合物を一部重合させる場合、その重合
反応転化率は80%以下、好ましくは5〜50%、特に
lO〜40%程度を選定するのが望ましい。この段階に
おける重合反応転化率を余りに過大にするような照射条
件を採用すると、電離性放射線による基材自体の劣化を
生起し、結果的に充分な機械的強度を有するイオン交換
膜が得られ難くなる。次いで、電離性放射線の非照射下
に、過酸化ベンゾイルの如き重合開始剤の存在下加熱に
より残部重合が実施される0通常の重合操作においては
、重合開始剤を添加した重合性モノマー混合物を基材に
含浸担持せしめ、前段の電離性放射線照射重合を行ない
、引き続いて後段の加熱重合を行なうという方法が採用
される。
電離性放射線としては、 Go−60や0s−127線
源からのγ線、あるいは電子線加速器からの電子線が好
適に採用され、線量率102〜toeラツド/秒、好ま
しくは105〜107ラツド/秒で照射されるのが望ま
しい。照射線量は、上記の重合反応転化率を得るように
選定され、照射温度や照射時間も同様に選定される。通
常は60℃以下、好ましくはlO〜40℃程度の温度で
0.5〜48時間、好ましくは1〜20時間程時間隔射
により、照射線量0.5〜10メガラツト、好ましくは
1.5〜5メガラツドで所望の重合反応転化率が達成さ
れ得る。また、後段の熱重合の条件については、特に限
定される理由はないが、通常は添加されている重合開始
剤が活性に作用し得る温度以上に加熱し、残部重合を完
結させるべく加熱重合させる。例えば、過酸化ベンゾイ
ルの如き重合開始剤を採用した場合には、60〜150
℃、好ましくは80〜120℃程度で0.5〜12時間
加熱重合を行なうのが望ましい、低温で活性な重合開始
剤の採用により加熱温度を下げたり、重合時間を短縮し
たりすることができる。
本発明においては、重合性上ツマー混合物に上記必須三
成分以外の重合性モノマー、例えばアクリル酸、メタク
リル酸、ヒドロキシアクリレート、ヒドロキシメタクリ
レート、ビニルピリジン、アルキル置換ビニルピリジン
、アクリロニトリル、フタジエン、イソプレン、ビニル
トルエン、エチルビニルベンゼンの如きを添加すること
も可能であり、適宜有機溶剤、例えばテトラヒドロフラ
ン、ベンゼンなどの溶液として使用しても良い。更に、
重合性モノマー混合物を基材に含浸担持させる前に、予
め部分的に重合させたもの、あるいはポリスチレン、ニ
トリル−ブタジェンゴムなどを配合したものなどの採用
も可能である。
基材に重合性上ツマー混合物を含浸担持せしめて重合さ
せるに当り1重合反応に対して不活性であり且つ重合反
応終了後に剥離可能なポリエステルフィルム、ガラス板
、アルミニウム箔などの間に七ツマー含浸された基材を
挟んで実施する方法は、未発明において好適に採用され
得る0例えば、重合性モノマー混合物が含浸担持された
基材をポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリ
エステルフィルムに挟んで、上記の前段及び後段の重合
を実施するのが好適であり、また七ツマー含侵された基
材とポリエステルフィルムを積層し、これを基材側を内
側にして巻き物として重合操作にかけることなども可能
である。而して、電離性放射線照射による前段重合に引
き続いて加熱重合を行なう場合などには、加熱重合を温
水中にて行なうことなども可能である。また、重合性モ
ノマー混合物を基材に含浸担持する場合に、減圧操作を
用いることも有効である。
本発明において、基材に含浸担持させて重合せしめた重
合物は、必須の三成分混合物の場合にはイオン交換基導
入反応を施して、イオン交換膜とされる。重合性モノマ
ー混合物にイオン交換基含有化合物を配合して直接イオ
ン交換膜とすることも可能である。通常は、上記の如き
前段及び後段の重合反応終了後に、従来より公知乃至周
知の手段などにより、陽イオン交換基又は陰イオン交換
基が導入され、目的とするイオン交換膜が製造される。
例えば、濃硫酸、クロルスルホン酸の如きスルホン化剤
を用いてスルホン酸型陽イオン交換基を導入する方法、
クロルメチル基を第三級アミンでアミン化し第四級アン
モニウム型陰イオン交換基を導入する方法、環化反応可
能な重合膜をAlCl3.5nCI4を触媒として環化
反応せしめて架橋構造とし、次にクロルメチルエーテル
に5nC14を加えてクロルメチル化し、四級アミン化
して陰イオン交換膜とする方法などが例示され得る。
未発明方法によって得られるイオン交換膜は、特定基材
の採用により、従来のイオン交換膜に比して耐熱性、耐
薬品性が優れ、また特定の重合性千ツマー混合物の採用
により、膜形成層と基材とが強固に結合した充分な機械
的強度を有するイオン交換膜とすることができる。当然
のことながら、電気的性能、例えば実効−抵抗、輸率、
イオン選択性などは、適宜好適なものとすることができ
る。従って、本発明のイオン交換膜は、従来の陽イオン
交換膜及び陰イオン交換膜について提案されている広範
囲な用途に使用され、上記優秀な性質、利点を生かして
更にその用途が広がる。具体的には、燃料電池用隔膜、
各種電解用隔膜、レドックス電池用隔膜、酸回収濃縮用
膜、アルカリ回収濃縮用膜、高温電気透析用膜、高温拡
散透析用膜、複分解用膜などの用途が例示され得る。
以下に、本発明の実施例について、更に具体的に説明す
るが、かかる説明によって本発明は何ら限定されるもの
でなく、本発明の目的及び精神を逸脱しない限り、適宜
の付加や変更が可能であることは言うまでもない。なお
、実施例における割合は、特に明示しない限り、重量割
合を示す。また、イオン交換膜の各種物性は、それぞれ
次のようにして測定したものである。
実効抵抗:2室型のセルに膜をはさみ、0.5NのNa
CI溶液で両室を満たして10(loc/ sの交流ブ
リッ′ジでセル全体の抵抗を測り、次に膜をとりはずし
溶液のみの抵抗を測る。両抵抗の差より膜の全抵抗Rを
め、次式により実効抵抗Rmを得る。
Rm=R@S(Ω−一)S:膜面積 輸率:2室型のセルに膜をはさみ、0.5N KGI/
2.5 N K(:Iの溶液を両室に満たして甘こう電
極を用いて両液間の起電力を測定し、輸率をめる。
強度(破裂強度):シェーレン式破裂強度試験機により
、グリセリンを圧力媒体としゴム薄膜を介して圧力を加
えていき、膜の破裂する最大圧力を測定する。
実施例1 ポリプロピレン製布(厚さ112 IL、重量44.2
3/m’)の基材に、ジビニルベンゼンlO%、スチレ
ン48駕、クロルメチルスチレン42%の組成のシロッ
プに過酸化ベンゾイル2駕添加したものを含浸し、これ
を2枚のポリエステルフィルムと2枚の硝子板にはさん
で固定する。さらにコバル)80のガンマ−線を室温で
3メガラッド照射し放射線重合を行ない、次いで90°
Cの温水中で6時間加熱重合を行ない重合膜を作る。こ
の重合膜を88%濃硫酸の60°Cの条件で16時間ス
ルホン化処理して陽イオン交換膜とする。でき上がった
陽イオン交換膜の性能は実効抵抗4.43Ω−cnt、
’厚み18411.、輸率85%、破裂強度5kg/−
以上であった。
実施例2 シロップ組成としてジビニルベンゼン11% 、スチレ
ン28駕、クロルメチルスチレン61%のものを使用し
、これに過酸化ベンゾイル2z添加したものを、実施例
1と同様の基材に含浸し、実施例1と同様の方法で重合
膜を作る。この重合膜を11リメチルアミンの60℃の
条件で16時間アミノ化処理して陰イオン交換膜とする
でき上がった陰イオン交換膜の性能は、実効抵抗2.7
Ω−d、厚み168pL、輸率83%、破裂強度3kg
/cn以上であった。
実施例3 エチレン−四フッ化エチレン系共重合体から織った布(
厚さ 1457t、重量81.33/rn’)の基材に
、ジビニルベンゼン8%、スチレン48z、クロルメチ
ルスチレン43%の組成のシロップに過酸化ベンゾイル
2駕話加したものを含浸し、これを2枚のポリエステル
フィルムと2枚の硝子板にはさんで固定する。さらにコ
バルト60のガンマ−線を室温で3メカラット照射し放
射線重合を行ない、次いで90°Cの温水中で6時間加
熱重合を行ない重合膜を作る。この重合膜を98%濃硫
酸の60℃の条件で16時間スルホン化処理して陽イオ
ン交換膜とする。でき玉かった陽イオン交換膜の性能は
実効抵抗17Ω−詞、厚み152 ル、輸率87%、破
裂強度5kg/ca1以上であった。
実施例4 シロップ組成としてジビニルベンゼン11z、スチレン
28駕、クロルメチルスチレン61%のものを使用し、
これに過酸化ベンゾイル2駕添加したものを、実施例3
と同様の基材に含浸せしめ、実施例3と同様の方法で重
合膜を作る。この重合膜をINトリメチルアミンの60
℃の条件で16時間アミン化処理して陰イオン交換膜と
する。
でき上がった陰イオン交換膜の性能は、実効抵抗6.8
Ω−詞、厚み174 pL、輸率85%、破裂強度5k
g/c−ff1以上であった。
比較例1 実施例1と同様のポリプロピレン製布の基材に、ジヒニ
ルベンゼン8%、スチレン82%の組成のシロップに過
酸化ベンゾイル2%添加したものを含浸し、これを2枚
のポリエステルフィルムと2枚の硝子板にはさんで固定
する。さらにコバルト60のガンマ−線を室温で3メガ
ラッド照射し放射線重合を行ない、次いで90℃の温水
中で6時間加熱重合を行ない重合膜を作る。この重合膜
を88%濃硫酸の60℃の条件で16時間スルホン化処
理して陽イオン交換膜とする。できLがった陽イオン交
換膜は含水により著しく11潤し寸法が重合膜の約2倍
となり完全に崩壊した。
比較例2 実施例1と同様のポリプロピレン製布の基材に、ジビニ
ルベンゼン8%、クロルメチルスチレン92%の組成の
シロップに過酸化ベンゾイル2z添加したものを含浸し
、これを2枚のポリエステルフィルムと2枚の硝子板に
はさんで固定する。さらにコバルト60のガンマ−線を
室温で3メカラッド照射し放射線重合を行ない、次いで
80℃の温水中で6時間加熱重合を行ない重合膜を作る
。この重合膜をInリメチルアミンの60℃の条件で1
6時間アミノ化処理をして陰イオン交換膜とする。でき
上がった陰イオン交換膜は含水膨潤による寸法変化は少
ないが、樹脂層が基材かも完全にはがれてしまい、イオ
ン交換膜とはならなかった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、)A材に重合性モノマーを含浸担持させ、該七ツマ
    −を重合せしめ、必要によりイオン交換基導入反応を施
    すことからなるイオン交換膜の製造方法において、基材
    としてオレフィン系重合体及び/又はフッ素化すレフイ
    ン系重合体からなるものを使用し、前記重合性上ツマ−
    としてスチレン、クロルメチルスチレン及びジビニルベ
    ンゼンの三成分を必須成分とする混合物を使用すること
    を特徴とするイオン交換膜を製造する方法。 2、スチレン、クロルメチルスチレン及びジビニルベン
    ゼンの総重量基準でスチレンlO〜8oz、クロルメチ
    ルスチレンlO〜80駕、ジにルベンゼン1〜25%で
    ある特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、基材に含浸担持された重合性モノマーを、前段で電
    離性放射線の照射により一部重合させ、後段で重合開始
    剤の存在を加熱により残部重合せしめることからなる特
    許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 4、電離性放射線の照射に−よる前段の重合性モノマー
    の重合反応転化率が80%以fである特許請求の範囲第
    3項記載の方法。
JP9292684A 1984-05-11 1984-05-11 イオン交換膜を製造する方法 Granted JPS60238328A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9292684A JPS60238328A (ja) 1984-05-11 1984-05-11 イオン交換膜を製造する方法
US06/730,481 US4608393A (en) 1984-05-11 1985-05-06 Process for producing an ion exchange membrane using irradiation by ionizing radiation followed by thermal polymerization
EP85114653A EP0222926B1 (en) 1984-05-11 1985-11-18 Process for producing an ion exchange membrane

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9292684A JPS60238328A (ja) 1984-05-11 1984-05-11 イオン交換膜を製造する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60238328A true JPS60238328A (ja) 1985-11-27
JPH0352777B2 JPH0352777B2 (ja) 1991-08-13

Family

ID=14068092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9292684A Granted JPS60238328A (ja) 1984-05-11 1984-05-11 イオン交換膜を製造する方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60238328A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003055604A1 (ja) * 2001-12-27 2005-04-28 株式会社荏原製作所 電気式脱塩装置
JP2006008993A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Asahi Glass Engineering Co Ltd 一価陽イオン選択透過性陽イオン交換膜およびその製造方法
JP2009215499A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Solt Industry Center Of Japan 陽イオン交換膜及びその製造方法
JP2009215500A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Solt Industry Center Of Japan 陰イオン交換膜及びその製造方法
WO2011136296A1 (ja) * 2010-04-27 2011-11-03 Agcエンジニアリング株式会社 陰イオン交換膜およびその製造方法
WO2023038133A1 (ja) * 2021-09-13 2023-03-16 Agcエンジニアリング株式会社 イオン交換膜及び触媒層付きイオン交換膜の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5845233A (ja) * 1982-08-23 1983-03-16 Tokuyama Soda Co Ltd 陽イオン交換膜の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5845233A (ja) * 1982-08-23 1983-03-16 Tokuyama Soda Co Ltd 陽イオン交換膜の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003055604A1 (ja) * 2001-12-27 2005-04-28 株式会社荏原製作所 電気式脱塩装置
JP2006008993A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Asahi Glass Engineering Co Ltd 一価陽イオン選択透過性陽イオン交換膜およびその製造方法
JP2009215499A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Solt Industry Center Of Japan 陽イオン交換膜及びその製造方法
JP2009215500A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Solt Industry Center Of Japan 陰イオン交換膜及びその製造方法
WO2011136296A1 (ja) * 2010-04-27 2011-11-03 Agcエンジニアリング株式会社 陰イオン交換膜およびその製造方法
WO2023038133A1 (ja) * 2021-09-13 2023-03-16 Agcエンジニアリング株式会社 イオン交換膜及び触媒層付きイオン交換膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0352777B2 (ja) 1991-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6242123B1 (en) Solid polyelectrolyte membrane for fuel cells, and method for producing it
CA1094982A (en) Single film, high performance bipolar membrane
WO2006028292A1 (ja) 燃料電池用隔膜、及びその製造方法
JP2001348439A (ja) 広範囲なイオン交換容量のフッ素樹脂イオン交換膜及びその製造方法
JP2002083612A (ja) 電解質膜及びその製造方法、並びに燃料電池及びその製造方法
US7081484B2 (en) Anion exchange membrane, process for its production and solution treating apparatus
JP4463351B2 (ja) 固体高分子電解質型燃料電池用隔膜
JP3797578B2 (ja) バナジウム系レドックスフロー電池用隔膜
JPH11335473A (ja) イオン交換膜およびその用途
EP0222926B1 (en) Process for producing an ion exchange membrane
JP2003261697A (ja) 優れた耐酸化性と広範囲なイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法
JPS60238328A (ja) イオン交換膜を製造する方法
JP2002348389A (ja) 広いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法
JP2004014436A (ja) フッ素系高分子イオン交換膜からなる燃料電池用電解質膜
US3759738A (en) Graft polymeric substrate
JP2004335119A (ja) 電解質膜および当該電解質膜を用いた燃料電池
JP4429851B2 (ja) 耐久性に優れた電解質膜
EP1421125A1 (en) Process for preparing graft copolymer membranes
WO2007129692A1 (ja) 直接液体型燃料電池用隔膜及びその製造方法
JPH06271687A (ja) イオン交換膜の製造方法
JPH0352778B2 (ja)
JP2009151938A (ja) 燃料電池用固体高分子電解質膜及び燃料電池
JP2002198068A (ja) 固体高分子電解質膜及びその製造方法
JP2002170580A (ja) 固体高分子型燃料電池用隔膜
JP4645794B2 (ja) 固体高分子電解質膜及び燃料電池

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees