JPS6023798B2 - 発光スクリ−ン - Google Patents
発光スクリ−ンInfo
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- JPS6023798B2 JPS6023798B2 JP55099453A JP9945380A JPS6023798B2 JP S6023798 B2 JPS6023798 B2 JP S6023798B2 JP 55099453 A JP55099453 A JP 55099453A JP 9945380 A JP9945380 A JP 9945380A JP S6023798 B2 JPS6023798 B2 JP S6023798B2
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
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- C09K11/7726—Borates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/44—Devices characterised by the luminescent material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光メタホゥ酸塩を支持体上に被着させてなる
発光スクリーンに関するものである。
発光スクリーンに関するものである。
オランダ国特許出願第７，６０７，７２４号には発光ホ
ウ酸塩を含有する発光スクリーンが被澄されており、こ
のホウ酸塩の骨格格子は次式：Ｌｎ＆〇６ （式中のＬｎは希±頚金属を示す）で表わされる。
ウ酸塩を含有する発光スクリーンが被澄されており、こ
のホウ酸塩の骨格格子は次式：Ｌｎ＆〇６ （式中のＬｎは希±頚金属を示す）で表わされる。
かかる既知のメタホウ酸塩をＧｄ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｔｂお
よび／またはＤｙで活性化すると、効率の良い発光材料
が生成する。本発明の目的は発光スクリーンに使用した
際に極めて望ましい発光特性を示す新規な発光メタホウ
酸塩を得ようとするにある。
よび／またはＤｙで活性化すると、効率の良い発光材料
が生成する。本発明の目的は発光スクリーンに使用した
際に極めて望ましい発光特性を示す新規な発光メタホウ
酸塩を得ようとするにある。
本発明の発光スクリーンは発光メタホゥ酸塩を支持体上
に被着ごせてなり、上記ホゥ酸塩が次式（Ｙ，い），−
．−ｙ−ＺＣｅＸＧｄｙＴｈＺ（Ｍｇ，Ｚｎ），−ｐＭ
ｎｐＢ５０．。
に被着ごせてなり、上記ホゥ酸塩が次式（Ｙ，い），−
．−ｙ−ＺＣｅＸＧｄｙＴｈＺ（Ｍｇ，Ｚｎ），−ｐＭ
ｎｐＢ５０．。
（式中、ｙ＝ｚ＝ｐ＝０の場合０．０１ミｘＳＩ．０，
ｚ＝ｐ＝０の場合 ０．０１ミｘＳＩ−ｙｏ．０２三ｙ
ミ０．８０， ｐ＝０の場合 ０．０１三×ＳＩ−ｙ−ｚｏミｙミ０．
９８ ｙ十ｚミ０．９９ ０．０１三ｚミ０．７５ ｚ＝０の場合 ０．０１ミｘＳＩ−ｙ ｏミｙミ０．９９ ０．０１‐ミｐミ０．３０， ｐ羊０かつｚキ０の場合 ０．０１ミｘミ１一ｙ一Ｚ ＯＳｙミ０．９８ ０．０１三ｚミ０．７５ ｙ十ｚミ０．９９ ０．０１ミｐミ０．３０である） で表わされる組成を有することを特徴とする。
ｚ＝ｐ＝０の場合 ０．０１ミｘＳＩ−ｙｏ．０２三ｙ
ミ０．８０， ｐ＝０の場合 ０．０１三×ＳＩ−ｙ−ｚｏミｙミ０．
９８ ｙ十ｚミ０．９９ ０．０１三ｚミ０．７５ ｚ＝０の場合 ０．０１ミｘＳＩ−ｙ ｏミｙミ０．９９ ０．０１‐ミｐミ０．３０， ｐ羊０かつｚキ０の場合 ０．０１ミｘミ１一ｙ一Ｚ ＯＳｙミ０．９８ ０．０１三ｚミ０．７５ ｙ十ｚミ０．９９ ０．０１ミｐミ０．３０である） で表わされる組成を有することを特徴とする。
本発明の発光スクリーンに使用する発光ホウ酸塩は結晶
質物質で、その骨格格子組成は式：（Ｙ，凶）（Ｍｇ，
Ｚｎ）ＫＯ，。で表わすことができる。本発明において
は、かかる新規な物質がいＣＯＢ５０，ｏ，ＮｄＣｏＢ
０，。およびＳｍＣｏＢ５０．ｏの構造に相当する単斜
晶系の結晶構造を有することを確かめた。最後に記載し
た物質の結晶構造は、例えば、「Ｋｒｉｓｔａｌｌｏｇ
ｒａｆｉｙａ」１９ ７３７（１９７４）に記載されて
いる。本発明の基礎になった実験から、Ｙおよび／また
はＬａならびにＭｇおよび／またはＺｎを含有するかか
る新規なメタホウ酸塩は、活性剤元素Ｃｅ，Ｇｄ，Ｔｂ
およびＭｎのうちの１種または２種以上で活性化した場
合、極めて効率良く発光する物質を生成することが分っ
た。かかるメタホウ酸塩は紫外線特に短波長の紫外線に
より良好に励起することができる。従って、かかるメタ
ホウ酸塩は低圧水銀蒸気放電灯の発光スクリーンに実用
するのに極めて適している。
質物質で、その骨格格子組成は式：（Ｙ，凶）（Ｍｇ，
Ｚｎ）ＫＯ，。で表わすことができる。本発明において
は、かかる新規な物質がいＣＯＢ５０，ｏ，ＮｄＣｏＢ
０，。およびＳｍＣｏＢ５０．ｏの構造に相当する単斜
晶系の結晶構造を有することを確かめた。最後に記載し
た物質の結晶構造は、例えば、「Ｋｒｉｓｔａｌｌｏｇ
ｒａｆｉｙａ」１９ ７３７（１９７４）に記載されて
いる。本発明の基礎になった実験から、Ｙおよび／また
はＬａならびにＭｇおよび／またはＺｎを含有するかか
る新規なメタホウ酸塩は、活性剤元素Ｃｅ，Ｇｄ，Ｔｂ
およびＭｎのうちの１種または２種以上で活性化した場
合、極めて効率良く発光する物質を生成することが分っ
た。かかるメタホウ酸塩は紫外線特に短波長の紫外線に
より良好に励起することができる。従って、かかるメタ
ホウ酸塩は低圧水銀蒸気放電灯の発光スクリーンに実用
するのに極めて適している。
さらに、本発明に係るホウ酸塩は種々の方法、例えば、
電子により励起することができることが分った。かかる
ホウ酸塩により放出される放射のスペクトル分布は使用
した活性剤によって左右される。ある活性剤の濃度はあ
る範囲内で選定する。この理由は、該活性剤濃度がある
最小値より４・さし、場合には、励起エネルギーの吸収
が４・さくなりすぎかつ／または環子収率が低くなりす
ぎるからであり、ある最大値より大きい場合には濃度消
光により低くすぎる放射線束が得られる。本発明におい
ては骨格格子順陽イオン成分、Ｙまたは仏またはこれら
の両者およびＭｇまたはＺｎまたはこれらの両者の選定
が発光ホウ酸塩の発光特性にほとんど影響を与えな心こ
とを確かめた。上述の一般式で表わされるホゥ酸塩をＣ
ｅ単独で活性化した場合、即ち、ｙ：ｚ＝ｐ＝０の場合
には、短波長の効率の良い狭い帯状発光を示す物質が得
られる。最大発光は３００〜３０則ｍに位置し、発光バ
ンドの半値幅は３則ｍである。光化学用、例えば、紅斑
（ｅひｔｈｅｍａ）発生用低圧水銀蒸気放電灯の発光ス
クリーンに使用するのに特に適しているかかる物質にお
いては、Ｃｅ含有量ｘを０．０１以上とする。ｘの最大
値は１．０である。この理由はかかる物質では濃度消光
が意味ある程度までは起らないからである。Ｃｅおよび
Ｇｄで活性化されたホウ酸塩（この場合ｚ＝ｐ＝０であ
る）は効率良く発光する物質で、この物質は３１桝ｍに
発光の最大値を有するＧｄの特性線状発光を示す。
電子により励起することができることが分った。かかる
ホウ酸塩により放出される放射のスペクトル分布は使用
した活性剤によって左右される。ある活性剤の濃度はあ
る範囲内で選定する。この理由は、該活性剤濃度がある
最小値より４・さし、場合には、励起エネルギーの吸収
が４・さくなりすぎかつ／または環子収率が低くなりす
ぎるからであり、ある最大値より大きい場合には濃度消
光により低くすぎる放射線束が得られる。本発明におい
ては骨格格子順陽イオン成分、Ｙまたは仏またはこれら
の両者およびＭｇまたはＺｎまたはこれらの両者の選定
が発光ホウ酸塩の発光特性にほとんど影響を与えな心こ
とを確かめた。上述の一般式で表わされるホゥ酸塩をＣ
ｅ単独で活性化した場合、即ち、ｙ：ｚ＝ｐ＝０の場合
には、短波長の効率の良い狭い帯状発光を示す物質が得
られる。最大発光は３００〜３０則ｍに位置し、発光バ
ンドの半値幅は３則ｍである。光化学用、例えば、紅斑
（ｅひｔｈｅｍａ）発生用低圧水銀蒸気放電灯の発光ス
クリーンに使用するのに特に適しているかかる物質にお
いては、Ｃｅ含有量ｘを０．０１以上とする。ｘの最大
値は１．０である。この理由はかかる物質では濃度消光
が意味ある程度までは起らないからである。Ｃｅおよび
Ｇｄで活性化されたホウ酸塩（この場合ｚ＝ｐ＝０であ
る）は効率良く発光する物質で、この物質は３１桝ｍに
発光の最大値を有するＧｄの特性線状発光を示す。
かかる物質では励起エネルギーがＣｅイオンからＧｄイ
オンに移動する。そこでＧｄ濃度は０．０２から０．８
０までの広い限界値の間で選定することができる。この
場合最小Ｃｅ濃度ｘは０．０１である。意味ある程度の
濃度消光効果が認められないので、利用できるすべての
Ｙ位置および／またはＬａ位置が占有される（ｘミ１−
ｙになる）までＣｅ含有量を増大することができる。Ｇ
ｄ発光を示すホウ酸塩は光化学用、放射用、特に、例え
ば、乾燈のような皮膚病の光線療法用の低圧水銀蒸気放
電灯の発光スクリーンに使用される。ＣｅおよびＴｂで
汚性化された本発明に係るホウ酸塩（ｐ＝０）は極めて
効率の良い緑色発光物質（特性Ｔｂ発光を示す）である
。
オンに移動する。そこでＧｄ濃度は０．０２から０．８
０までの広い限界値の間で選定することができる。この
場合最小Ｃｅ濃度ｘは０．０１である。意味ある程度の
濃度消光効果が認められないので、利用できるすべての
Ｙ位置および／またはＬａ位置が占有される（ｘミ１−
ｙになる）までＣｅ含有量を増大することができる。Ｇ
ｄ発光を示すホウ酸塩は光化学用、放射用、特に、例え
ば、乾燈のような皮膚病の光線療法用の低圧水銀蒸気放
電灯の発光スクリーンに使用される。ＣｅおよびＴｂで
汚性化された本発明に係るホウ酸塩（ｐ＝０）は極めて
効率の良い緑色発光物質（特性Ｔｂ発光を示す）である
。
かかる物質では励起エネルギーはＣｅにより吸収され、
Ｔｂに移動する。またこの場合にもＣｅ含有量ｘは０．
０１以上である。Ｔｈ含有量ｚは０．０１以上かつ０．
７５以下とする必要がある。またかかるホゥ酸塩はＧｄ
を含有することができ（ｙ＝０〜０．９８）、Ｃｅから
ＴＯへのエネルギー移動の一部分は戊イオンを経由して
行なわれる。ＧｄおよびＴｂの含有量の合計ｘ十ｙは０
．９９以下であることが必要である。Ｃｅ含有量の上限
は格子における利用できる位置の数により決まる（ｘＳ
Ｉ−ｙ−ｚ）。緑色発光するＴ戊舌性化ホウ酸塩は特殊
目的用、例えば、ェレクトログラフィ一門低圧水銀蒸気
放電灯の発光スクリーンに使用され、あるいは他の発光
材料と縄合せて一般照明用に使用する低圧水銀蒸気放電
灯に使用される。本発明に係るＭｎ活性化ホウ酸塩（ｚ
＝０）は約６２かｍのスペクトルの赤色部分に最大を有
するバンド（半値幅約８仇ｍ）で発光する。
Ｔｂに移動する。またこの場合にもＣｅ含有量ｘは０．
０１以上である。Ｔｈ含有量ｚは０．０１以上かつ０．
７５以下とする必要がある。またかかるホゥ酸塩はＧｄ
を含有することができ（ｙ＝０〜０．９８）、Ｃｅから
ＴＯへのエネルギー移動の一部分は戊イオンを経由して
行なわれる。ＧｄおよびＴｂの含有量の合計ｘ十ｙは０
．９９以下であることが必要である。Ｃｅ含有量の上限
は格子における利用できる位置の数により決まる（ｘＳ
Ｉ−ｙ−ｚ）。緑色発光するＴ戊舌性化ホウ酸塩は特殊
目的用、例えば、ェレクトログラフィ一門低圧水銀蒸気
放電灯の発光スクリーンに使用され、あるいは他の発光
材料と縄合せて一般照明用に使用する低圧水銀蒸気放電
灯に使用される。本発明に係るＭｎ活性化ホウ酸塩（ｚ
＝０）は約６２かｍのスペクトルの赤色部分に最大を有
するバンド（半値幅約８仇ｍ）で発光する。
従ってかかるホウ酸塩は一般照明用に使用される低圧水
銀蒸気放電灯の発光スクリーンにおいて赤色成分または
色補正成分として使用するのに極めて適している。また
かかる物質では励起エネルギーはＣｅ（Ｃｅ含有量：０
．０１〜１−ｙ）からＭｎに移動する。またかかる物質
はＧｄ（ｙ：０〜０．９９）を含有することができる。
Ｍｎ含有量ｐは０．０１〜０．３０の範囲で選定する必
要がある。ＭｎおよびＴｂの両者を含有するホゥ酸塩（
従って、ｐキ０およびｚ羊０）は赤色Ｍｈ発光ならびに
緑色Ｔｂ発光を示す。
銀蒸気放電灯の発光スクリーンにおいて赤色成分または
色補正成分として使用するのに極めて適している。また
かかる物質では励起エネルギーはＣｅ（Ｃｅ含有量：０
．０１〜１−ｙ）からＭｎに移動する。またかかる物質
はＧｄ（ｙ：０〜０．９９）を含有することができる。
Ｍｎ含有量ｐは０．０１〜０．３０の範囲で選定する必
要がある。ＭｎおよびＴｂの両者を含有するホゥ酸塩（
従って、ｐキ０およびｚ羊０）は赤色Ｍｈ発光ならびに
緑色Ｔｂ発光を示す。
かかる物質は一般照明用に使用される低圧水銀蒸気放電
灯のスクリーンに使用するのに適している。かかる物質
においてＣｅは０．０１以上で１一ｙ−ｚ以下の濃度で
存在する。かかる物質はＧｄ（ｙ：０〜０．９８）を含
有することができる。Ｔｑ含有量およびＭｎ含有量の範
囲はＴｈ発光のみまたはＭｎ発光のみを示す物質におけ
る含有量（０．０１ミｚミ０．７５および０．０１ミｐ
ミ０．３０）に等しい。本発明においては、Ｃｅ発光は
Ｃｅ含有量ｘが０．０１〜０．５０であるホウ酸塩（た
だし、ｘ＝ｙ＝ｚ＝０）において最も効率が良いことを
確かめた。
灯のスクリーンに使用するのに適している。かかる物質
においてＣｅは０．０１以上で１一ｙ−ｚ以下の濃度で
存在する。かかる物質はＧｄ（ｙ：０〜０．９８）を含
有することができる。Ｔｑ含有量およびＭｎ含有量の範
囲はＴｈ発光のみまたはＭｎ発光のみを示す物質におけ
る含有量（０．０１ミｚミ０．７５および０．０１ミｐ
ミ０．３０）に等しい。本発明においては、Ｃｅ発光は
Ｃｅ含有量ｘが０．０１〜０．５０であるホウ酸塩（た
だし、ｘ＝ｙ＝ｚ＝０）において最も効率が良いことを
確かめた。
従って、Ｃｅ発光が望ましい場合には、かかる物質を含
有する発光スクリーンが好ましい。本発明の発光スクリ
ーンの他の例では、 ｚ＝ｐ＝０ ０．０１ミ×−ミ０．５０ ０．０５くｙミ０．７５ ｘ＋ｙＳＩ である。
有する発光スクリーンが好ましい。本発明の発光スクリ
ーンの他の例では、 ｚ＝ｐ＝０ ０．０１ミ×−ミ０．５０ ０．０５くｙミ０．７５ ｘ＋ｙＳＩ である。
本発明においては、最も効率の良いＧｄ発光はＧｄ含有
量が０．０５〜０．７５でＣｅ含有量が０．０１〜０．
５０である場合に得られることを確かめた。最も効率の
良い緑色Ｔは発光は、上述の一般式で表わされ、Ｍｎを
含有せず（ｐ＝０）かつ利用できるＹ位置およびい位置
がすべてＣｅ，Ｔｂおよび場合によってはＧｄで占有さ
れ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）、Ｂの２０モル％以下がＡＩおよ
び／またはＧａで置換されている条件下のホウ酸塩にお
いて見出された。実験から、ＣｅおよびＴｂで活性化さ
れたホウ酸塩におけるかかる僅小な置換により光東が一
層大きくなることがあることを確かめた。最大光東は、
上述の緑色発光ホウ酸塩（ｐ＝０、ｘ十ｙ＋ｚ＝１）に
おいて、Ｇｄ濃度ｙを０．５０〜０．９０とし、Ｂの０
．５〜８モル％をＡＩおよび／またはＧａで置換した場
合に得られる。
量が０．０５〜０．７５でＣｅ含有量が０．０１〜０．
５０である場合に得られることを確かめた。最も効率の
良い緑色Ｔは発光は、上述の一般式で表わされ、Ｍｎを
含有せず（ｐ＝０）かつ利用できるＹ位置およびい位置
がすべてＣｅ，Ｔｂおよび場合によってはＧｄで占有さ
れ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）、Ｂの２０モル％以下がＡＩおよ
び／またはＧａで置換されている条件下のホウ酸塩にお
いて見出された。実験から、ＣｅおよびＴｂで活性化さ
れたホウ酸塩におけるかかる僅小な置換により光東が一
層大きくなることがあることを確かめた。最大光東は、
上述の緑色発光ホウ酸塩（ｐ＝０、ｘ十ｙ＋ｚ＝１）に
おいて、Ｇｄ濃度ｙを０．５０〜０．９０とし、Ｂの０
．５〜８モル％をＡＩおよび／またはＧａで置換した場
合に得られる。
ＣｅからＴｂへのエネルギー移動はＷイオンを経由して
極めて良好に進行する。上述の範囲内でＧｄを使用する
と、Ｔｂ含有量を小さく選定することができる。従って
、緑色発光が望ましい場合には、かかる発光ホゥ酸塩を
含有するスクリーンが好ましい。本発明の発光スクリー
ンのさらに他の例は、上述の式で表わされ、ｚ＝０およ
びｘ＋ｙ＝１で、Ｂの２０モル％以下がＡＩおよび／ま
たはＣａで置換されていることがある組成を有するホウ
酸塩を含有する。
極めて良好に進行する。上述の範囲内でＧｄを使用する
と、Ｔｂ含有量を小さく選定することができる。従って
、緑色発光が望ましい場合には、かかる発光ホゥ酸塩を
含有するスクリーンが好ましい。本発明の発光スクリー
ンのさらに他の例は、上述の式で表わされ、ｚ＝０およ
びｘ＋ｙ＝１で、Ｂの２０モル％以下がＡＩおよび／ま
たはＣａで置換されていることがある組成を有するホウ
酸塩を含有する。
また、本発明においては、ＣｅおよびＭｎで活性化され
赤色発光を示すホゥ酸塩において、最も効率の良い物質
は、ＹおよびＬａが全部戊および場合によってはＧｄに
より置換された場合に得られることを確かめた。この場
合も、励起エネルギーの移動はＧｄイオンを経由して極
めて良好に進行する。従って、０．５０ミｙミ０．９９
で、Ｂの０．５〜８モル％がＮおよび／または０ａで置
換されているかかる種類のホウ酸を含有するスクリーン
が好ましい。Ｇｄを使用することにより、Ｍｎ含有量を
小さくしてＭｎ発光の濃度消光を減少することができる
。また、ＣｅおよびＭｎで活性化されたかかるホウ酸塩
の場合にも、少量のＢをＮおよび／またはＧａで置換す
ることにより光東を大きくすることができる。低圧水銀
蒸気放電灯と絹合せた場合に白色光を発生することので
きる発光スクリーンの好適例は、Ｃｅ，ＴｂおよびＭｎ
で活性化されたホウ酸塩で、上述の一般式で表わされ、
ｐ≠０およびｚ主０かつｘ十ｙ＋ｚ＝１で、Ｂの２０モ
ル％以下がＮおよび／またはＧａで置換されていること
のあるホウ酸塩を含有する。
赤色発光を示すホゥ酸塩において、最も効率の良い物質
は、ＹおよびＬａが全部戊および場合によってはＧｄに
より置換された場合に得られることを確かめた。この場
合も、励起エネルギーの移動はＧｄイオンを経由して極
めて良好に進行する。従って、０．５０ミｙミ０．９９
で、Ｂの０．５〜８モル％がＮおよび／または０ａで置
換されているかかる種類のホウ酸を含有するスクリーン
が好ましい。Ｇｄを使用することにより、Ｍｎ含有量を
小さくしてＭｎ発光の濃度消光を減少することができる
。また、ＣｅおよびＭｎで活性化されたかかるホウ酸塩
の場合にも、少量のＢをＮおよび／またはＧａで置換す
ることにより光東を大きくすることができる。低圧水銀
蒸気放電灯と絹合せた場合に白色光を発生することので
きる発光スクリーンの好適例は、Ｃｅ，ＴｂおよびＭｎ
で活性化されたホウ酸塩で、上述の一般式で表わされ、
ｐ≠０およびｚ主０かつｘ十ｙ＋ｚ＝１で、Ｂの２０モ
ル％以下がＮおよび／またはＧａで置換されていること
のあるホウ酸塩を含有する。
また本発明においては、かかるホゥ酸塩において、Ｙお
よびいが全部Ｃｅ，Ｔｈおよび場合によってはＣＯで置
換されている場合が有利であることを確かめた。この場
合も、Ｃｄを含有し、０．５０ミｙミ０．９０で、Ｂの
０．５〜０．８モル％が山および／またはＧａで置換さ
れているホウ酸塩が好ましい。次に本発明を図面を参照
して例について説明する。
よびいが全部Ｃｅ，Ｔｈおよび場合によってはＣＯで置
換されている場合が有利であることを確かめた。この場
合も、Ｃｄを含有し、０．５０ミｙミ０．９０で、Ｂの
０．５〜０．８モル％が山および／またはＧａで置換さ
れているホウ酸塩が好ましい。次に本発明を図面を参照
して例について説明する。
第１図において符号１は本発明に係る低圧水銀蒸気放電
灯のガラス壁を示す。
灯のガラス壁を示す。
電極２および３を放電灯の両端に１個づつ配置する。こ
れらの電極は放電灯の作動中に放電を起す。この放電灯
に点火用ガスとして作用する希ガス混合物および少量の
水銀を入れる。ガラス壁１は発光スクリーンを構成し、
その内側を発光層４で被覆する。発光層４には本発明に
係る発光メタホウ酸塩を含有させる。発光層４は従来法
により、例えば、発光材料を含有する懸濁液を使用して
ガラス壁１に被着させる。例１ 次の物質： 凶２０３ １．７６夕
Ｃｅ０２ ０．２
１夕ＭｇＣ０３Ｍｇ（ＯＨ）２・３町２０
１．２９夕はＢ０３ ４
．０１夕からなる混合物を作った。
れらの電極は放電灯の作動中に放電を起す。この放電灯
に点火用ガスとして作用する希ガス混合物および少量の
水銀を入れる。ガラス壁１は発光スクリーンを構成し、
その内側を発光層４で被覆する。発光層４には本発明に
係る発光メタホウ酸塩を含有させる。発光層４は従来法
により、例えば、発光材料を含有する懸濁液を使用して
ガラス壁１に被着させる。例１ 次の物質： 凶２０３ １．７６夕
Ｃｅ０２ ０．２
１夕ＭｇＣ０３Ｍｇ（ＯＨ）２・３町２０
１．２９夕はＢ０３ ４
．０１夕からなる混合物を作った。
この混合物は生成しようとするメタホウ酸塩の各モルに
対して０．１モル過剰のＭｇおよび０．４モル過剰のＢ
を含有していた。一般的に知られているように、構成成
分の１種または２種以上を僅かに過剰に使用すると、発
光材料の生成に有利な影響を与えることがある。所要に
応じて、過剰のＢを最終生成物から水洗により除去する
ことができる。上述の混合物を弱還元性雰囲気中で４０
０ｄＣにおいて１時間加熱した。冷却および粉砕後に、
得た生成物を３回、各回弱還元性雰囲気中で１０４５ｑ
ｏにおいて１時間、熱処理した。冷却および粉砕後に式
：いｏ．ｏ９Ｃｅｏ，．Ｍｇ＆○，ｏで表わされる組成
を有する発光メタホウ酸塩を得た。
対して０．１モル過剰のＭｇおよび０．４モル過剰のＢ
を含有していた。一般的に知られているように、構成成
分の１種または２種以上を僅かに過剰に使用すると、発
光材料の生成に有利な影響を与えることがある。所要に
応じて、過剰のＢを最終生成物から水洗により除去する
ことができる。上述の混合物を弱還元性雰囲気中で４０
０ｄＣにおいて１時間加熱した。冷却および粉砕後に、
得た生成物を３回、各回弱還元性雰囲気中で１０４５ｑ
ｏにおいて１時間、熱処理した。冷却および粉砕後に式
：いｏ．ｏ９Ｃｅｏ，．Ｍｇ＆○，ｏで表わされる組成
を有する発光メタホウ酸塩を得た。
Ｘ線回折分析の結果、この物質（および後述の本発明に
係る発光材料のすべての例）は、例えば、いＣＯＢ５０
，ｏの構造に類似した単斜晶系結晶構造を・有すること
が分った。短波長紫外線（主として２５，４ｎｍ放射）
により励起させた際に、このホゥ酸塩は量子収率７２％
であった。この物質の発光スペクトルは約３０かｍに最
大値を有するバンド（半値幅約４瓜ｍ）であった。第２
図にこのスペクトルを示す。第２図では波長＾をｎｍ単
位で水平軸線上にとり、放出された放射エネルギーＥを
任意の単位で縦軸線上にとった。例２〜６ 例１に記載したと同機な方法で、いくつかのＣｅ活性化
ホゥ酸塩を製造した。
係る発光材料のすべての例）は、例えば、いＣＯＢ５０
，ｏの構造に類似した単斜晶系結晶構造を・有すること
が分った。短波長紫外線（主として２５，４ｎｍ放射）
により励起させた際に、このホゥ酸塩は量子収率７２％
であった。この物質の発光スペクトルは約３０かｍに最
大値を有するバンド（半値幅約４瓜ｍ）であった。第２
図にこのスペクトルを示す。第２図では波長＾をｎｍ単
位で水平軸線上にとり、放出された放射エネルギーＥを
任意の単位で縦軸線上にとった。例２〜６ 例１に記載したと同機な方法で、いくつかのＣｅ活性化
ホゥ酸塩を製造した。
次の第１表にこれらの物質を表わす式と共に童子収率ｑ
（％）および励起用放射吸収率Ａ（％）の測定結果を示
した。第 １． 表 例７ 次の物質： Ｇも０３ ０‐９８夕 Ｙ２０３ ０．斑夕 Ｃｅ〇２ ０．１０夕 Ｍｇ０ ０．５１夕（生成しようとするホウ酸塩
１モル当り０．０５モル過剰）比Ｂ０３ ４．４５
夕（生成しようとするホウ酸塩１モル当り１．０モル過
剰）からなる混合物を作った。
（％）および励起用放射吸収率Ａ（％）の測定結果を示
した。第 １． 表 例７ 次の物質： Ｇも０３ ０‐９８夕 Ｙ２０３ ０．斑夕 Ｃｅ〇２ ０．１０夕 Ｍｇ０ ０．５１夕（生成しようとするホウ酸塩
１モル当り０．０５モル過剰）比Ｂ０３ ４．４５
夕（生成しようとするホウ酸塩１モル当り１．０モル過
剰）からなる混合物を作った。
この混合物を３回、各回弱還元性雰囲気中で１０３５ｏ
ｏにおいて１時間、熱処理した。各熱処理操作後に生成
物を冷却し、粉砕した。生成した発光ホゥ酸塩は式：Ｇ
も．４５Ｙｏ．５ｏＣｅ側５Ｍが５０，ｏで表わされる
組成を有していた。
ｏにおいて１時間、熱処理した。各熱処理操作後に生成
物を冷却し、粉砕した。生成した発光ホゥ酸塩は式：Ｇ
も．４５Ｙｏ．５ｏＣｅ側５Ｍが５０，ｏで表わされる
組成を有していた。
２５４ｎｍ放射により励起した際に、このホゥ酸塩は特
性Ｇｄ放射（約３１かｍにおいて若干の極めて狭いライ
ン）を放出した。
性Ｇｄ放射（約３１かｍにおいて若干の極めて狭いライ
ン）を放出した。
第３図にこのホウ酸塩の発光のスベクドルェネルギー分
布を示す。最大発光のピーク高さは、式：Ｇｑ．５Ｌ念
．略７Ｂｉｏ．ｏ，３＆０６で表わされる組成を有する
既知のＢｉ活性化ホウ酸ランタンガドニウムのピーク高
さの５９％であった。
布を示す。最大発光のピーク高さは、式：Ｇｑ．５Ｌ念
．略７Ｂｉｏ．ｏ，３＆０６で表わされる組成を有する
既知のＢｉ活性化ホウ酸ランタンガドニウムのピーク高
さの５９％であった。
例 ８〜１３
例７に記載したと同様な方法で、ＣｅおよびＧｄで活性
化されたいくつかのホウ酸塩を製造した。
化されたいくつかのホウ酸塩を製造した。
これらの物質を表わす式ならびにピーク高さＰ（上述の
標準物質に対する％）および励起用放射の吸収率Ａ（％
）を第２表に示した。第２表 例 １４ 次の物質： Ｇら０３ ２．７２夕 Ｃｅ０２ ０．８６夕 Ｔｈ４０７ ０．９３夕 Ｍｇ０ １．０６夕（生成しようとするホウ酸塩
１モル当り０．０５モル過剰）日３Ｂ０３ ８．１
１夕（生成しようとするホウ酸塩１モル当り０．０５モ
ル過剰）日３Ｂ０３ ８．１１夕（生成しようとす
るホウ酸塩１モル当り０．２５モル過剰）からなる混合
物を作った。
標準物質に対する％）および励起用放射の吸収率Ａ（％
）を第２表に示した。第２表 例 １４ 次の物質： Ｇら０３ ２．７２夕 Ｃｅ０２ ０．８６夕 Ｔｈ４０７ ０．９３夕 Ｍｇ０ １．０６夕（生成しようとするホウ酸塩
１モル当り０．０５モル過剰）日３Ｂ０３ ８．１
１夕（生成しようとするホウ酸塩１モル当り０．０５モ
ル過剰）日３Ｂ０３ ８．１１夕（生成しようとす
るホウ酸塩１モル当り０．２５モル過剰）からなる混合
物を作った。
この混合物を弱還元性雰囲気中で１０３５ｏｏにおいて
１時間加熱した。冷却および粉砕後に、生成物を再度同
一温度で１時間熱処理した。生成した発光ホウ酸塩は式
：０４．６Ｃｅｏ．２Ｔ広．２ＭｇＢ５０，。
１時間加熱した。冷却および粉砕後に、生成物を再度同
一温度で１時間熱処理した。生成した発光ホウ酸塩は式
：０４．６Ｃｅｏ．２Ｔ広．２ＭｇＢ５０，。
で表わされる組成を有し、短波長紫外線（２５４ｎｍ）
で励起した際に７６％のテルビウム発光の童子収率を示
した。発光スペクトルは特性Ｔｂ放射からなり、これを
第４図に示した。例 １５〜２６ 例１４に記載したと同様な方法によりＣｅおよびＴゎで
活性化されたいくつかのホゥ酸塩を製造した。
で励起した際に７６％のテルビウム発光の童子収率を示
した。発光スペクトルは特性Ｔｂ放射からなり、これを
第４図に示した。例 １５〜２６ 例１４に記載したと同様な方法によりＣｅおよびＴゎで
活性化されたいくつかのホゥ酸塩を製造した。
生成した物質を表わす式なちびにＴｂ発光の量子収率ｑ
（％）および吸収率Ａ（％）を第３表に示した。第３表 例 ２７〜３２ 少量のＢをＮまたはＧａで置換した本発明に係るいくつ
かのホウ酸塩を製造して、かかる置換のこれらの物質に
及ぼす影響を調べた。
（％）および吸収率Ａ（％）を第３表に示した。第３表 例 ２７〜３２ 少量のＢをＮまたはＧａで置換した本発明に係るいくつ
かのホウ酸塩を製造して、かかる置換のこれらの物質に
及ぼす影響を調べた。
このために、次の物質：Ｃｅ０２
２０．６６夕Ｇも０３
６５．２５タＴｂ４０７
２２．４３タＭｇＣ０３Ｍｇ（ＯＨ）
２１班２０ ５８．１６夕日３Ｂ０３
１８１．７８タＮ２０３
３．０６夕からなる混合物を作
った。
２０．６６夕Ｇも０３
６５．２５タＴｂ４０７
２２．４３タＭｇＣ０３Ｍｇ（ＯＨ）
２１班２０ ５８．１６夕日３Ｂ０３
１８１．７８タＮ２０３
３．０６夕からなる混合物を作
った。
この混合物は化学量論的分量の構成成分を含有していた
。この混合物を２回、各回弱還元性雰囲気中で１０３５
ｏｏにおいて１時間、加熱した。生成物を常温において
３び分間水洗し、次いで炉過し、約１２０００で乾燥し
た。生成したホウ酸塩は式Ｃｅｏ．２０４．６Ｔち．２
Ｍ雛４．９ＡＩｏ．，Ｃ，ｏで表わされる組成を有し、
特性Ｔｂ放射を示した。
。この混合物を２回、各回弱還元性雰囲気中で１０３５
ｏｏにおいて１時間、加熱した。生成物を常温において
３び分間水洗し、次いで炉過し、約１２０００で乾燥し
た。生成したホウ酸塩は式Ｃｅｏ．２０４．６Ｔち．２
Ｍ雛４．９ＡＩｏ．，Ｃ，ｏで表わされる組成を有し、
特性Ｔｂ放射を示した。
例７に記載したと同様にして、さらにＡＩまたはＧａ含
有ホウ酸塩を製造した（例２８〜３１）。
有ホウ酸塩を製造した（例２８〜３１）。
比較のために例３２の物質を製造した。この物質はＡＩ
またはＧａを含有していないが、他のすべての点では例
２７の物質と全く同じであった。これらの物質を表わす
式ならびにテルビウム発光の量子収率ｑ（％）および吸
収率Ａ（％）（２５４ｎｍ励起〉の測定結果を第４表に
示した。第４表 例 ３３〜聡 次の物質： Ｇも０３ ４．３０夕 Ｃｅ０２ ０．２２夕 Ｚｎ０ １．９３夕（ホウ酸塩１モル当り０．０
５モル過剰）ＭｎＣ０３ ０．３２夕 日３Ｂ０３ ８．１１夕（ホウ酸塩１モル当り０．
２５モル過剰）からなる混合物を２回、各回弱還元性雰
囲気中で９４０００において１時間加熱することにより
、Ｃｅおよ びＭｎで活性化 さ れ、式：Ｇ広．９５
Ｃｅｏ．ｏ５Ｚ比．９Ｍ〜，．Ｂ５０，。
またはＧａを含有していないが、他のすべての点では例
２７の物質と全く同じであった。これらの物質を表わす
式ならびにテルビウム発光の量子収率ｑ（％）および吸
収率Ａ（％）（２５４ｎｍ励起〉の測定結果を第４表に
示した。第４表 例 ３３〜聡 次の物質： Ｇも０３ ４．３０夕 Ｃｅ０２ ０．２２夕 Ｚｎ０ １．９３夕（ホウ酸塩１モル当り０．０
５モル過剰）ＭｎＣ０３ ０．３２夕 日３Ｂ０３ ８．１１夕（ホウ酸塩１モル当り０．
２５モル過剰）からなる混合物を２回、各回弱還元性雰
囲気中で９４０００において１時間加熱することにより
、Ｃｅおよ びＭｎで活性化 さ れ、式：Ｇ広．９５
Ｃｅｏ．ｏ５Ｚ比．９Ｍ〜，．Ｂ５０，。
で表わされる発光ホウ酸塩を得た。このホウ酸塩（例３
３）は２５４ｎｍで励起した際に赤色Ｍｎ発光（バンド
は約６３則ｍに最大を有し、半値幅は約７執ｍである）
を示した。第５図にこの発光スペクトルを示した。上述
と同様な方法でＭｎ発光を示す若干の他のホウ酸塩を得
た。これらの物質を表わす式ならびにマンガン発光の量
子収率ｑ（％）および２５４ｎｍ励起における吸収率Ａ
（％）を第５表に示した。第５表 例 ３９，４０および４１ 次の物質： Ｃｅ０２ ２０．６６タ Ｇ４０３ ６５．２５９ Ｔｈ４０７ ２２．４３タ Ｍｇ０ ２３．４８夕 ＭｎＣ０３ ２．３０夕 ＆Ｂ０３ １９３．４０９（ホウ酸塩１モル当り０．２
１モル過剰）からなる混合物から出発して、Ｃｅ，Ｔｂ
およびＭｎで活性化され、式：ＧＬ．６Ｃｅｏ．２Ｔい
．２Ｍ軸．９７Ｍｎｏ．ｏ誼５０，。
３）は２５４ｎｍで励起した際に赤色Ｍｎ発光（バンド
は約６３則ｍに最大を有し、半値幅は約７執ｍである）
を示した。第５図にこの発光スペクトルを示した。上述
と同様な方法でＭｎ発光を示す若干の他のホウ酸塩を得
た。これらの物質を表わす式ならびにマンガン発光の量
子収率ｑ（％）および２５４ｎｍ励起における吸収率Ａ
（％）を第５表に示した。第５表 例 ３９，４０および４１ 次の物質： Ｃｅ０２ ２０．６６タ Ｇ４０３ ６５．２５９ Ｔｈ４０７ ２２．４３タ Ｍｇ０ ２３．４８夕 ＭｎＣ０３ ２．３０夕 ＆Ｂ０３ １９３．４０９（ホウ酸塩１モル当り０．２
１モル過剰）からなる混合物から出発して、Ｃｅ，Ｔｂ
およびＭｎで活性化され、式：ＧＬ．６Ｃｅｏ．２Ｔい
．２Ｍ軸．９７Ｍｎｏ．ｏ誼５０，。
で表わされるホウ酸塩を得た。この混合物を２回、各回
弱還元性雰囲気中で１３５ぴＣにおいて１時間加熱した
。冷却後、生成物を水洗し、三戸過し、乾燥した。２５
４ｍｍ放射で励起した際にこのホウ酸塩は特性Ｔｂ放射
および赤色Ｍｎ放射の両者を示した。
弱還元性雰囲気中で１３５ぴＣにおいて１時間加熱した
。冷却後、生成物を水洗し、三戸過し、乾燥した。２５
４ｍｍ放射で励起した際にこのホウ酸塩は特性Ｔｂ放射
および赤色Ｍｎ放射の両者を示した。
同様な方法でこのタイプの他の２種のホゥ酸塩を製造し
た。これらの物質を表わす式および測定した結果を第６
表に示した。第６表において量子収率のｑの値はＴｂ発
光およびＭｎ発光の量子収率の合計に関するものである
。第６表 第１図に示す種類の４０Ｗ型低圧水銀蒸気放電灯に、例
１４に示すＣｅおよびＴｂで活性化された発光ホウ酸塩
を被着させた。
た。これらの物質を表わす式および測定した結果を第６
表に示した。第６表において量子収率のｑの値はＴｂ発
光およびＭｎ発光の量子収率の合計に関するものである
。第６表 第１図に示す種類の４０Ｗ型低圧水銀蒸気放電灯に、例
１４に示すＣｅおよびＴｂで活性化された発光ホウ酸塩
を被着させた。
この放電灯は初期光東が１０９．３Ｚｍ／Ｗであった。
光束はこの放電灯を１００時間作動させた後でも１０９
．１その／Ｗで、初期光東とほぼ同じであった。上述の
例３９に示すＣｅ，ＴｈおよびＭｎで活性化されたホウ
酸塩を被着させた放電灯は、初期光東が５５．６夕風／
Ｗであった。
光束はこの放電灯を１００時間作動させた後でも１０９
．１その／Ｗで、初期光東とほぼ同じであった。上述の
例３９に示すＣｅ，ＴｈおよびＭｎで活性化されたホウ
酸塩を被着させた放電灯は、初期光東が５５．６夕風／
Ｗであった。
この放電灯を１０餌時間作動させた後に、光東はなお５
４．７そｍ／Ｗであった。この放電灯の放出する放射の
着色点はｘ＝０．４３８およびｙ＝０．４１８であった
。
４．７そｍ／Ｗであった。この放電灯の放出する放射の
着色点はｘ＝０．４３８およびｙ＝０．４１８であった
。
第１図は本発明の発光スクリ−ンを設けた低圧水銀蒸気
放電灯の１例の断面図、第２図は本発明の発光スクリー
ンに使用するＣｅ単独で活性化されたホゥ酸塩の１例の
発光スペクトル特性を示す曲線図、第３図は本発明の発
光スクリーンに使用するＣｅおよびＧｄで活性化された
ホウ酸塩の１例の発光スペクトル特性を示す曲線図、第
４図は本発明の発光スクリーンに使用するＣｅおよびＴ
ｂで活性化されたホウ酸塩の１例の発光スペクトル特性
を示す曲線図、第５図は本発明の発光スクリーンに使用
するＣｅおよびＭｎで活性化されたホウ酸塩の１例の発
光スペクトル特性を示す曲線図である。 １・・・・・・ガラス壁、２，３・・・・・・電極、４
・・・・・・発光層。 ＦＩＧ．Ｉ ＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ‐ム Ｆ員Ｇ・５
放電灯の１例の断面図、第２図は本発明の発光スクリー
ンに使用するＣｅ単独で活性化されたホゥ酸塩の１例の
発光スペクトル特性を示す曲線図、第３図は本発明の発
光スクリーンに使用するＣｅおよびＧｄで活性化された
ホウ酸塩の１例の発光スペクトル特性を示す曲線図、第
４図は本発明の発光スクリーンに使用するＣｅおよびＴ
ｂで活性化されたホウ酸塩の１例の発光スペクトル特性
を示す曲線図、第５図は本発明の発光スクリーンに使用
するＣｅおよびＭｎで活性化されたホウ酸塩の１例の発
光スペクトル特性を示す曲線図である。 １・・・・・・ガラス壁、２，３・・・・・・電極、４
・・・・・・発光層。 ＦＩＧ．Ｉ ＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ‐ム Ｆ員Ｇ・５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光メタホウ酸塩を支持体上に被着させてなる発光
スクリーンにおいて、 上記ホウ酸塩が次式： （Ｙ，Ｌａ）＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿−＿ｚＣｅ＿ｘＧ
ｄ＿ｙＴｂ＿ｚ（Ｍｇ，Ｚｎ）＿１＿−＿ｐＭｎ＿ｐＢ
＿５Ｏ＿１＿０（式中、ｙ＝ｚ＝ｐ＝０の場合 ０．０１≦ｘ≦１．０ ｚ＝ｐ＝０の場合 ０．０１≦ｘ≦１−ｙ ０．０２≦ｙ≦０．８０ ｐ＝０の場合 ０．０１≦ｘ≦１−ｙ−ｚ ０≦ｙ≦０．９８ ｙ＋ｚ≦０．９９ ０．０１≦ｚ≦０．７５ ｚ＝０の場合 ０．０１≦ｘ≦１−ｙ ０≦ｙ≦０．９９ ０．０１≦ｐ≦０．３０ ｐ≠０およびｚ≠０の場合 ０．０１≦ｘ≦１−ｙ−ｚ ０≦ｙ≦０．９８ ０．０１≦ｚ≦０．７５ ｙ＋ｚ≦０．９９ ０．０１≦ｐ≦０．３０である） で表わされる組成を有することを特徴とする発光スクリ
ーン。 ２ ｙ＝ｚ＝ｐ＝０で、０．０１≦ｘ≦０．５０である
特許請求の範囲第１項記載の発光スクリーン。 ３ ｚ＝ｐ＝０で、０．０１≦ｘ≦０．５０ ０．０５
≦ｙ≦０．７５ ｘ＋ｙ≦１である特許請求の 範囲第１項記載の発光スクリーン。 ４ ｐ＝０で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である特許請求の範囲第
１項記載の発光スクリーン。 ５ ｚ＝０で、ｘ＋ｙ＝１である特許請求の範囲第１項
記載の発光スクリーン。 ６ ｐ≠０およびｚ≠０で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である特許
請求の範囲第１項記載の発光スクリーン。 ７ 発光メタホウ酸塩を支持体上に被着させてなる発光
スクリーンにおいて、 上記ホウ酸塩が次式： （Ｙ，Ｌａ）＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿−＿ｚＣｅ＿ｘＧ
ｄ＿ｙＴｂ＿ｚ（Ｍｇ，Ｚｎ）＿１＿−＿ｐＭｎ＿ｐＢ
＿５Ｏ＿１＿０（式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ｐ＝０ ０．０１≦ｘ ｙ＋ｚ≦０．９９ ０≦ｙ≦０．９８ ０．０１≦ｚ≦０．７５であり、かつＢの２０モル％
以下がＡｌおよび／またはＧａで置換されている）で表
わされる組成を有することを特徴とする発光スクリーン
。 ８ ０．５０≦ｙ≦０．９０で、Ｂの０．５〜８モル％
がＡｌおよび／またはＧａで置換されている特許請求の
範囲第７項記載の発光スクリーン。 ９ 発光メタホウ酸塩を支持体上に被着させてなる発光
スクリーンにおいて、 上記ホウ酸塩が次式： （Ｙ，Ｌａ）＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿−＿ｚＣｅ＿ｘＧ
ｄ＿ｙＴｂ＿ｚ（Ｍｇ，Ｚｎ）＿１＿−＿ｐＭｎ＿ｐＢ
＿５Ｏ＿１＿０（式中、ｘ＋ｙ＝１ ｚ＝０ ０．０１≦ｘ ０≦ｙ≦０．９９ ０．０１≦ｐ≦０．３０であり、かつＢの２０モル％
以下がＡｌおよび／またはＧａで置換されている）で表
わされる組成を有することを特徴とする発光スクリーン
。 １０ ０．５０≦ｙ≦０．９９で、Ｂの０．５〜８モル
％がＡｌおよび／またはＧａで置換されている特許請求
の範囲第９項記載の発光スクリーン。 １１ 発光メタホウ酸塩を支持体上に被着させてなる発
光スクリーンにおいて、 上記ホウ酸塩が次式： （Ｙ，Ｌａ）＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿−＿ｚＣｅ＿ｘＧ
ｄ＿ｙＴｂ＿ｚ（Ｍｇ，Ｚｎ）＿１＿−＿ｐＭｎ＿ｐＢ
＿５Ｏ＿１＿０（式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ０．０１≦ｘ ０≦ｙ≦０．９８ ０．０１≦ｚ≦０．７５ ｙ＋ｚ≦０．９９ ０．０１≦ｐ≦０．３０であり、かつＢの２０モル％
以下がＡｌおよび／またはＧａで置換されている）で表
わされる組成を有することを特徴とする発光スクリーン
。 １２ ０．５０≦ｙ≦０．９０でＢの０．５〜８モル％
がＡｌおよび／またはＧａで置換されている特許請求の
範囲第１１項記載の発光スクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7905680 | 1979-07-23 | ||
| NL7905680A NL7905680A (nl) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | Luminescerend scherm. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5628282A JPS5628282A (en) | 1981-03-19 |
| JPS6023798B2 true JPS6023798B2 (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=19833578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55099453A Expired JPS6023798B2 (ja) | 1979-07-23 | 1980-07-22 | 発光スクリ−ン |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4319161A (ja) |
| EP (1) | EP0023068B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6023798B2 (ja) |
| CA (1) | CA1147944A (ja) |
| DE (1) | DE3060368D1 (ja) |
| ES (1) | ES493549A0 (ja) |
| HU (1) | HU183186B (ja) |
| NL (1) | NL7905680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006283022A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Osram Sylvania Inc | 狭帯域ｕｖｂ放射燐光体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| NL8203040A (nl) * | 1982-07-30 | 1984-02-16 | Philips Nv | Lagedrukkwikdampontladingslamp. |
| NL8205044A (nl) * | 1982-12-30 | 1984-07-16 | Philips Nv | Lagedrukkwikdampontladingslamp. |
| FI72837C (fi) * | 1983-04-25 | 1987-07-10 | Philips Nv | Laogtrycks-kvicksilveraongurladdningslampa. |
| US4963441A (en) * | 1984-05-24 | 1990-10-16 | Shiga Prefecture | Light-storing glazes and light-storing fluorescent ceramic articles |
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| FR2597851B1 (fr) * | 1986-04-29 | 1990-10-26 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux borates mixtes a base de terres rares, leur preparation et leur application comme luminophores |
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| US5132043A (en) * | 1991-12-24 | 1992-07-21 | Gte Products Corporation | Method of preparing small particle size borate phosphor |
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| US5552082A (en) * | 1995-01-03 | 1996-09-03 | General Electric Company | Quantum splitting oxide phosphor and method of making |
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| DE19806213B4 (de) * | 1998-02-16 | 2005-12-01 | Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. | Kompakte Energiesparlampe |
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