JPH032474B2 - - Google Patents
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- JPH032474B2 JPH032474B2 JP28593387A JP28593387A JPH032474B2 JP H032474 B2 JPH032474 B2 JP H032474B2 JP 28593387 A JP28593387 A JP 28593387A JP 28593387 A JP28593387 A JP 28593387A JP H032474 B2 JPH032474 B2 JP H032474B2
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
この発明は、紫外線励起によつて350nm付近の
近紫外線を放射するセリウム付活リン酸イツトリ
ウム螢光体に関する。 ［従来技術及び問題点］ 最近、350nm付近の近紫外線を主成分として近
紫外線を放射する近紫外線放射螢光体を使用した
健康線螢光ランプが特に皮膚を焦がす日焼け用と
して注目されている。 従来、350nm付近の近紫外線をピーク波長とす
る螢光体には鉛付活ケイ酸バリウム螢光体が知ら
れているが、この鉛付活ケイ酸バリウム螢光体を
用いた螢光ランプは、光出力が弱く、また、この
初期出力の時間経過に対する出力維持率が充分で
ないという問題があつた。 これらの問題を解決するため、従来フライング
スポツト用陰極線管に使用され、陰極線刺激で極
めて短い残光特性を有したセリウム付活リン酸イ
ツトリウム螢光体を螢光ランプに用いられること
が提案されている。例えば、特公昭50−23670号
公報にはトリウムを導入することによつて発光強
度を向上させたセリウム及びトリウム付活リン酸
イツトリウム螢光体が提案され、又、特開昭49−
91084号公報にはイツトリウムを同じ三価のアル
ミニウム及び／又はガリウムで置換することによ
つて発光出力を向上させたセリウム及びトリウム
付活リン酸イツトリウム螢光体が開示されてい
る。 ところが、これらセリウム及びトリウム付活リ
ン酸イツトリウム螢光体は、高価なトリウムを使
用することから、極めて高価になるという問題が
ある。又、トリウムが放射性同位元素であるた
め、取扱上の問題があり、さらに、セリウム及び
トリウム付活リン酸イツトリウム螢光体の加熱劣
化が大きいので、螢光体層が高温にさらされるラ
ンプ製造工程の加熱工程によつて、初期輝度の低
下、光発光出力の維持率の低下を招くという欠点
がある。 このため、本発明者等が先に特願昭61−107481
号及び特願昭61−182092号として開示したセリウ
ム付活リン酸イツトリウム螢光体が健康線螢光ラ
ンプ用として実用的である。 しかしながら、ランプ製造の加熱工程での低下
率が低くて、螢光ランプに用いたとき、さらに、
発光効率がよく、光出力の光束維持率が改善され
たセリウム付活リン酸イツトリウム螢光体が所望
されている。 この発明は、上述の事情に鑑みなされたもので
あつて、その目的とするところは、ランプ製造の
加熱工程での低下率が低くて、螢光ランプに用い
たとき、発光効率がよく、光出力の光束維持率が
改善されたセリウム付活リン酸イツトリウム螢光
体を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ この発明の目的は、紫外線励起により近紫外線
を放射し、組成式がY1−xCexPO4（但し、ｘが
0.003〜0.6の範囲の値である）で表されるセリウ
ム付活リン酸イツトリウム螢光体において、ホウ
素元素が５〜200ppm含有されてなることを特徴
とする螢光体により、解決できる。 即ち、本発明者等は、螢光ランプ製造における
加熱工程に対し輝度劣化の少ないセリウム付活リ
ン酸イツトリウム螢光体を開発すべく種々の実験
を繰り返した結果、焼成時に、カチオン側原料、
即ち、イツトリウム化合物及びセリウム化合物と
アニオン側原料、即ち、リン酸化合物とを化学量
論的に１対１の等モルであるイツトリウムセリウ
ムリン酸塩原料に、ホウ酸塩系原料、例えば、ホ
ウ酸、ホウ酸アンモニウム等を特定量だけ添加し
て焼成することにより、特定量のホウ素元素が螢
光体母体に導入される場合、特定量のホウ素元素
を添加しない従来の螢光体に比較して、ランプ製
造工程中の加熱工程においても輝度低下の少な
く、ランプ特性における発光強度及び光出力の維
持率が向上することを新規に見い出した。 この発明は、特願昭61−107481号に示されゼノ
タイム構造とモナザイト構造との混晶であるセリ
ウム付活リン酸イツトリウム螢光体（セリウムの
置換量が上述の組成式におけるｘが0.08〜0.6で
ある）と、特願昭61−182092号に示され主とてゼ
ノタイム構造からなり300nmから320nmにわたる
発光紫外線をカツトできるセリウム付活リン酸イ
ツトリウム螢光体（セリウムの置換量が上述の組
成式におけるｘが0.003〜0.08である）とに適用
できる。 一般に、セリウム付活リン酸イツトリウム螢光
体の発光スペクトルにおいては、ゼノタイムタイ
プの結晶構造が多い場合、336nm及び352〜
355nmの波長に双ピークが得られ、一方、モナザ
イトタイプの結晶構造が多い場合、315〜320nm
のピークが追加される。 本発明を適用した場合、発光スペクトルのピー
ク波長が変化することはない。 次に、本発明において、セリウム付活リン酸イ
ツトリウム螢光体に対しホウ素元素含有量を変化
させた実験結果を示す第１図及び第２図を参照し
ながら、ホウ素元素の含有量を特定した理由につ
いて述べる。 第１図には、組成式がY0.9Ce0.1P04であるセ
リウム付活リン酸イツトリウム螢光体において、
ホウ素元素の含有量と加熱処理による粉体での発
光輝度の低下率との関係についての測定結果がグ
ラフにして示されている。 第１図中の曲線で示されるように、ホウ素元素
を含有しない従来の螢光体では、加熱処理による
発光輝度の低下率が8.0％まで低下するのに比べ
て、組成式が同一の本発明の螢光体では、ホウ素
元素の含有量が５〜200ppmである場合、発光輝
度の低下率は小さい。好ましくは、含有量が10〜
40ppmである場合、従来より、約６％前後低下率
を低くすることができる。 ここで、発光輝度の低下率は以下の式から算出
している。 低下率（％）＝（１−I1／I0）×100 但し、I1は熱処理600℃×30分後の常温発光強
度、I0は常温20℃の発光強度である。 第２図には、ホウ素元素の含有量と粉体での発
光強度との関係がグラフで示されている。 第１図の場合と同様にホウ酸元素の含有量が５
〜200ppmである場合、ホウ素元素を含有しない
従来の螢光体に比べて、粉体での発光強度は向上
し、好ましくは添加量が10〜40ppmの範囲である
場合、従来より発光強度を約20％向上さすことが
できる。 第１図及び第２図において、ホウ素元素は焼成
時にホウ酸アンモニウムを添加することにより、
母体内に導入されたものであるが、ホウ酸、例え
ばオルトホウ酸及び熱分解にて容易にホウ酸成分
となるその他のホウ酸塩化合物、例えばホウ酸イ
ツトリウムとして添加しても上述と同様な結果が
得られた。 第１図及び第２図では、組成式が
Y0.9Ce0.1PO4である場合を図示したが、これは
例示に過ぎず、セリウム付活リン酸イツトリウム
螢光体において、セリウムの置換量ｘが0.003〜
0.6の範囲の値である場合、第１図及びと同様な
発光輝度の低下率曲線及び発光強度曲線が得られ
る。このことを以下に実施例で詳述する。 ［実施例］ 以下、この発明の実施例１〜６について説明す
る。 実施例１〜６では、焼成時に螢光体１モルに対
しホウ酸基として3.3モル％に相当するホウ酸ア
ンモニウムを螢光体原料に添加して焼成した。 酸化イツトリウムと炭酸セリウムとの割合を除
く螢光体の製造方法及びランプの劣化試験につい
ては実施例１〜６共同様であるので、螢光体の組
成式がY0.975Ce0.025PO4である場合について以
下に詳述する。 高純度の酸化イツトリウム1100.8ｇ及び炭酸セ
リウム57.5ｇを30％塩酸３リツトルに溶解する。
そして、この溶液に50％リン酸溶液1960ｇを混合
する。この混合液を撹拌しながら徐々に15％アン
モニア水を添加してPH４に調整し、イツトリウム
セリウムリン酸塩を沈澱さす。 この沈澱物をろ過水洗乾燥させてから、螢光体
１モルに対しホウ酸基として3.3モル％に相当す
るホウ酸アンモニウム［（NH4）205B203・
8H20］18ｇとよく混合し、アルミナルツボにて
弱還元性雰囲気下に1200℃の温度で４時間焼成す
る。 この焼成物を湿式ボールミルで粉砕した後、水
洗乾燥し、200メツシユのフルイふるい分けする。 これにより、セリウム付活リン酸イツトリウム
螢光体が得られ、Ｘ線回析測定の結果、その結晶
構造がほぼゼノタイムタイプであり、その組成式
がY0.975Ce0.025PO4であり、ホウ素元素が
30ppm含有していた。 次にこのようにして製造された螢光体を使用す
る螢光ランプの作成方法について説明する。 酢酸ブチル9900ｇにニトロセルロース100ｇを
溶解する。この溶液500ｇを21ビーカーに採取し、
本発明のY0.975Ce0.025PO4螢光体（フイツシヤ
ーサブシーブサイザー法による粒径5.3μ）500ｇ
をよく撹拌して塗布液とする。この塗布液を立て
られた管径32mmφ40ワツト用ガラス管５本のそれ
ぞれの上部から注入して内面に塗布し、乾燥させ
る。５本の塗膜の平均粒重量は5.3ｇ／cm3であり、
可視光の平均透過率は40.8％であつた。 次にこれ等の塗布されたガラス管を60度に加熱
した電気炉中で10分間ベークしてニトロセルロー
スを焼失させる。さらに各々のガラス管にフイラ
メントを装着し、排気台に装着してアルゴン及び
水銀を注入し、FL40S型の螢光ランプを作製し
た。 これら螢光ランプの０時間、100時間及び500時
間における300から400nmにわたる出力エネルギ
を測定し、それらの平均数値を以下の表中実施例
３に示す。 尚、比較のため、焼成時にホウ酸基成分を添加
しない以外上述と同様な方法で製造した螢光体、
即ちホウ素元素を含有しない螢光体を使用して螢
光ランプを作製してランプの出力エネルギを測定
した。この結果を表中比較例３として示す。 また、酸化イツトリウムと炭酸セリウムとの混
合量を変更すること以外、上述の方法と同様にし
て、セリウム付活リン酸イツトリウム螢光体を製
造し、これら螢光体を使用してランプの出力エネ
ルギを得た。これらの結果を表中実施例１、２及
び４〜６として示す。 さらに、比較のため、焼成時にホウ酸アンモニ
ウムを添加せずに得られた螢光体を使用した螢光
ランプの出力エネルギの結果を表中比較例１、２
及び４〜６として示す。 分析の結果、表中実施例１、２、４、５及び６
におけるホウ素元素の含有量は、夫々、32、２
近紫外線を放射するセリウム付活リン酸イツトリ
ウム螢光体に関する。 ［従来技術及び問題点］ 最近、350nm付近の近紫外線を主成分として近
紫外線を放射する近紫外線放射螢光体を使用した
健康線螢光ランプが特に皮膚を焦がす日焼け用と
して注目されている。 従来、350nm付近の近紫外線をピーク波長とす
る螢光体には鉛付活ケイ酸バリウム螢光体が知ら
れているが、この鉛付活ケイ酸バリウム螢光体を
用いた螢光ランプは、光出力が弱く、また、この
初期出力の時間経過に対する出力維持率が充分で
ないという問題があつた。 これらの問題を解決するため、従来フライング
スポツト用陰極線管に使用され、陰極線刺激で極
めて短い残光特性を有したセリウム付活リン酸イ
ツトリウム螢光体を螢光ランプに用いられること
が提案されている。例えば、特公昭50−23670号
公報にはトリウムを導入することによつて発光強
度を向上させたセリウム及びトリウム付活リン酸
イツトリウム螢光体が提案され、又、特開昭49−
91084号公報にはイツトリウムを同じ三価のアル
ミニウム及び／又はガリウムで置換することによ
つて発光出力を向上させたセリウム及びトリウム
付活リン酸イツトリウム螢光体が開示されてい
る。 ところが、これらセリウム及びトリウム付活リ
ン酸イツトリウム螢光体は、高価なトリウムを使
用することから、極めて高価になるという問題が
ある。又、トリウムが放射性同位元素であるた
め、取扱上の問題があり、さらに、セリウム及び
トリウム付活リン酸イツトリウム螢光体の加熱劣
化が大きいので、螢光体層が高温にさらされるラ
ンプ製造工程の加熱工程によつて、初期輝度の低
下、光発光出力の維持率の低下を招くという欠点
がある。 このため、本発明者等が先に特願昭61−107481
号及び特願昭61−182092号として開示したセリウ
ム付活リン酸イツトリウム螢光体が健康線螢光ラ
ンプ用として実用的である。 しかしながら、ランプ製造の加熱工程での低下
率が低くて、螢光ランプに用いたとき、さらに、
発光効率がよく、光出力の光束維持率が改善され
たセリウム付活リン酸イツトリウム螢光体が所望
されている。 この発明は、上述の事情に鑑みなされたもので
あつて、その目的とするところは、ランプ製造の
加熱工程での低下率が低くて、螢光ランプに用い
たとき、発光効率がよく、光出力の光束維持率が
改善されたセリウム付活リン酸イツトリウム螢光
体を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ この発明の目的は、紫外線励起により近紫外線
を放射し、組成式がY1−xCexPO4（但し、ｘが
0.003〜0.6の範囲の値である）で表されるセリウ
ム付活リン酸イツトリウム螢光体において、ホウ
素元素が５〜200ppm含有されてなることを特徴
とする螢光体により、解決できる。 即ち、本発明者等は、螢光ランプ製造における
加熱工程に対し輝度劣化の少ないセリウム付活リ
ン酸イツトリウム螢光体を開発すべく種々の実験
を繰り返した結果、焼成時に、カチオン側原料、
即ち、イツトリウム化合物及びセリウム化合物と
アニオン側原料、即ち、リン酸化合物とを化学量
論的に１対１の等モルであるイツトリウムセリウ
ムリン酸塩原料に、ホウ酸塩系原料、例えば、ホ
ウ酸、ホウ酸アンモニウム等を特定量だけ添加し
て焼成することにより、特定量のホウ素元素が螢
光体母体に導入される場合、特定量のホウ素元素
を添加しない従来の螢光体に比較して、ランプ製
造工程中の加熱工程においても輝度低下の少な
く、ランプ特性における発光強度及び光出力の維
持率が向上することを新規に見い出した。 この発明は、特願昭61−107481号に示されゼノ
タイム構造とモナザイト構造との混晶であるセリ
ウム付活リン酸イツトリウム螢光体（セリウムの
置換量が上述の組成式におけるｘが0.08〜0.6で
ある）と、特願昭61−182092号に示され主とてゼ
ノタイム構造からなり300nmから320nmにわたる
発光紫外線をカツトできるセリウム付活リン酸イ
ツトリウム螢光体（セリウムの置換量が上述の組
成式におけるｘが0.003〜0.08である）とに適用
できる。 一般に、セリウム付活リン酸イツトリウム螢光
体の発光スペクトルにおいては、ゼノタイムタイ
プの結晶構造が多い場合、336nm及び352〜
355nmの波長に双ピークが得られ、一方、モナザ
イトタイプの結晶構造が多い場合、315〜320nm
のピークが追加される。 本発明を適用した場合、発光スペクトルのピー
ク波長が変化することはない。 次に、本発明において、セリウム付活リン酸イ
ツトリウム螢光体に対しホウ素元素含有量を変化
させた実験結果を示す第１図及び第２図を参照し
ながら、ホウ素元素の含有量を特定した理由につ
いて述べる。 第１図には、組成式がY0.9Ce0.1P04であるセ
リウム付活リン酸イツトリウム螢光体において、
ホウ素元素の含有量と加熱処理による粉体での発
光輝度の低下率との関係についての測定結果がグ
ラフにして示されている。 第１図中の曲線で示されるように、ホウ素元素
を含有しない従来の螢光体では、加熱処理による
発光輝度の低下率が8.0％まで低下するのに比べ
て、組成式が同一の本発明の螢光体では、ホウ素
元素の含有量が５〜200ppmである場合、発光輝
度の低下率は小さい。好ましくは、含有量が10〜
40ppmである場合、従来より、約６％前後低下率
を低くすることができる。 ここで、発光輝度の低下率は以下の式から算出
している。 低下率（％）＝（１−I1／I0）×100 但し、I1は熱処理600℃×30分後の常温発光強
度、I0は常温20℃の発光強度である。 第２図には、ホウ素元素の含有量と粉体での発
光強度との関係がグラフで示されている。 第１図の場合と同様にホウ酸元素の含有量が５
〜200ppmである場合、ホウ素元素を含有しない
従来の螢光体に比べて、粉体での発光強度は向上
し、好ましくは添加量が10〜40ppmの範囲である
場合、従来より発光強度を約20％向上さすことが
できる。 第１図及び第２図において、ホウ素元素は焼成
時にホウ酸アンモニウムを添加することにより、
母体内に導入されたものであるが、ホウ酸、例え
ばオルトホウ酸及び熱分解にて容易にホウ酸成分
となるその他のホウ酸塩化合物、例えばホウ酸イ
ツトリウムとして添加しても上述と同様な結果が
得られた。 第１図及び第２図では、組成式が
Y0.9Ce0.1PO4である場合を図示したが、これは
例示に過ぎず、セリウム付活リン酸イツトリウム
螢光体において、セリウムの置換量ｘが0.003〜
0.6の範囲の値である場合、第１図及びと同様な
発光輝度の低下率曲線及び発光強度曲線が得られ
る。このことを以下に実施例で詳述する。 ［実施例］ 以下、この発明の実施例１〜６について説明す
る。 実施例１〜６では、焼成時に螢光体１モルに対
しホウ酸基として3.3モル％に相当するホウ酸ア
ンモニウムを螢光体原料に添加して焼成した。 酸化イツトリウムと炭酸セリウムとの割合を除
く螢光体の製造方法及びランプの劣化試験につい
ては実施例１〜６共同様であるので、螢光体の組
成式がY0.975Ce0.025PO4である場合について以
下に詳述する。 高純度の酸化イツトリウム1100.8ｇ及び炭酸セ
リウム57.5ｇを30％塩酸３リツトルに溶解する。
そして、この溶液に50％リン酸溶液1960ｇを混合
する。この混合液を撹拌しながら徐々に15％アン
モニア水を添加してPH４に調整し、イツトリウム
セリウムリン酸塩を沈澱さす。 この沈澱物をろ過水洗乾燥させてから、螢光体
１モルに対しホウ酸基として3.3モル％に相当す
るホウ酸アンモニウム［（NH4）205B203・
8H20］18ｇとよく混合し、アルミナルツボにて
弱還元性雰囲気下に1200℃の温度で４時間焼成す
る。 この焼成物を湿式ボールミルで粉砕した後、水
洗乾燥し、200メツシユのフルイふるい分けする。 これにより、セリウム付活リン酸イツトリウム
螢光体が得られ、Ｘ線回析測定の結果、その結晶
構造がほぼゼノタイムタイプであり、その組成式
がY0.975Ce0.025PO4であり、ホウ素元素が
30ppm含有していた。 次にこのようにして製造された螢光体を使用す
る螢光ランプの作成方法について説明する。 酢酸ブチル9900ｇにニトロセルロース100ｇを
溶解する。この溶液500ｇを21ビーカーに採取し、
本発明のY0.975Ce0.025PO4螢光体（フイツシヤ
ーサブシーブサイザー法による粒径5.3μ）500ｇ
をよく撹拌して塗布液とする。この塗布液を立て
られた管径32mmφ40ワツト用ガラス管５本のそれ
ぞれの上部から注入して内面に塗布し、乾燥させ
る。５本の塗膜の平均粒重量は5.3ｇ／cm3であり、
可視光の平均透過率は40.8％であつた。 次にこれ等の塗布されたガラス管を60度に加熱
した電気炉中で10分間ベークしてニトロセルロー
スを焼失させる。さらに各々のガラス管にフイラ
メントを装着し、排気台に装着してアルゴン及び
水銀を注入し、FL40S型の螢光ランプを作製し
た。 これら螢光ランプの０時間、100時間及び500時
間における300から400nmにわたる出力エネルギ
を測定し、それらの平均数値を以下の表中実施例
３に示す。 尚、比較のため、焼成時にホウ酸基成分を添加
しない以外上述と同様な方法で製造した螢光体、
即ちホウ素元素を含有しない螢光体を使用して螢
光ランプを作製してランプの出力エネルギを測定
した。この結果を表中比較例３として示す。 また、酸化イツトリウムと炭酸セリウムとの混
合量を変更すること以外、上述の方法と同様にし
て、セリウム付活リン酸イツトリウム螢光体を製
造し、これら螢光体を使用してランプの出力エネ
ルギを得た。これらの結果を表中実施例１、２及
び４〜６として示す。 さらに、比較のため、焼成時にホウ酸アンモニ
ウムを添加せずに得られた螢光体を使用した螢光
ランプの出力エネルギの結果を表中比較例１、２
及び４〜６として示す。 分析の結果、表中実施例１、２、４、５及び６
におけるホウ素元素の含有量は、夫々、32、２
【表】
９、31、30及び29ppmであつた。
表から明らかなように本発明螢光体を使用した
螢光ランプがどの組成においても従来の螢光体を
使用した螢光ランプよりもすぐれている。 即ち、初期出力において２〜４％、100時間後
で３〜12％500時間においても６〜13％も向上し
ている。 尚、表中においては、従来の方法による
Y0.997Ce0.003PO4螢光体を使用した螢光ランプ
における300〜400nmの出力エネルギを基準（100
％）として相対的に表示している。 ［発明の効果］ 以上説明したように、この発明の方法によれ
ば、螢光体母体にホウ素元素を特定量だけ含有せ
しめることにより、ホウ素元素を含有しない従来
の螢光体に比較して、ランプ製造工程中の加熱工
程においても輝度低下の少なく、ランプ特性にお
ける発光輝度及び光出力の維持率の向上した螢光
体を得ることができる。
螢光ランプがどの組成においても従来の螢光体を
使用した螢光ランプよりもすぐれている。 即ち、初期出力において２〜４％、100時間後
で３〜12％500時間においても６〜13％も向上し
ている。 尚、表中においては、従来の方法による
Y0.997Ce0.003PO4螢光体を使用した螢光ランプ
における300〜400nmの出力エネルギを基準（100
％）として相対的に表示している。 ［発明の効果］ 以上説明したように、この発明の方法によれ
ば、螢光体母体にホウ素元素を特定量だけ含有せ
しめることにより、ホウ素元素を含有しない従来
の螢光体に比較して、ランプ製造工程中の加熱工
程においても輝度低下の少なく、ランプ特性にお
ける発光輝度及び光出力の維持率の向上した螢光
体を得ることができる。
第１図は、この発明の方法によるセリウム付活
リン酸イツトリウム螢光体におけるホウ素元素の
含有量と発光輝度の低下率との関係を示すグラフ
図、第２図は、第１図と同様な螢光体におけるホ
ウ素元素の含有量と発光強度との関係を示すグラ
フ図である。
リン酸イツトリウム螢光体におけるホウ素元素の
含有量と発光輝度の低下率との関係を示すグラフ
図、第２図は、第１図と同様な螢光体におけるホ
ウ素元素の含有量と発光強度との関係を示すグラ
フ図である。
Claims (1)
- １ 紫外線励起により近紫外線を放射し、組成式
がY1−xCexPO4（但し、ｘが0.003〜0.6の範囲の
値である）で表されるセリウム付活リン酸イツト
リウム螢光体において、ホウ素元素が５〜
200ppm含有されてなることを特徴とする螢光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28593387A JPH01126391A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28593387A JPH01126391A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 螢光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126391A JPH01126391A (ja) | 1989-05-18 |
| JPH032474B2 true JPH032474B2 (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=17697873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28593387A Granted JPH01126391A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 螢光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01126391A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011106597A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | Corning Incorporated | Making xenotime ceramics by reactive ceramming |
| US11555148B2 (en) | 2017-06-20 | 2023-01-17 | Dyden Corporation | Ultraviolet-emitting phosphor, light-emitting element, and light-emitting device |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28593387A patent/JPH01126391A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01126391A (ja) | 1989-05-18 |
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