JPS60236131A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はレーザによる書込み記録に適した光情報記録媒
体に関する。

〔従来技術〕

従来、回転しているディスク状の情報記録媒体にレーザ
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。この種の情報記録装置に用いられる情
報記録媒体としては基板、金属反射膜および色素を含む
半透明着色層から構成されているものが知られている。

この記録媒体は色素を含む半透明着色層に入射するレー
ザ光が金属反射膜に達して反射されるようにして反射光
を検出し易いようにしたものであって、この際前記金属
反射膜は着色層のみでは不足する反射光量を補なうため
に設けられている。しかしながら、金属反射膜の存在は
情報記録媒体の構成を複雑にすると共に高コスト化の原
因となっている。そこで、反射率の高いブロンズ光沢の
ある有機色素単層膜を使用して上記欠点を除去すること
が提案されている。特に、記録膜として光吸収の大きい
シアニン色素を用いると、膜厚６００久〜６００＾で金
属光沢（反射率２０〜６０％）を示す光吸収反射膜が得
られ、レーザ記録可能で、反射読出が可能になる。特に
レーザ光源として波長７５０〜８５０　ｎｍの半導体レ
ーザを用いると装置の小型化が可能になるという利点が
得られた。しかしながら、有機色素は一般に光および熱
に対して不安定であることから必ずしも特性上満足でき
る有機薄膜が開発されていないのが現状である。

〔目　的〕

本発明は上記現状に鑑みてなされたものであって、その
目的は再生光に対する安定性および熱的安定性にすぐれ
且つ高感度な光情報記録媒体を提供することである。

〔構　成〕

本発明者は上記目的を達成するために鋭意研究を行った
結果、下記一般式（１）で示される化合物自体が安定な
記録材料として有用であり寸だ該化合物を他の有機色素
記録材料を組合せた場合にはその記録材料の安定性をさ
らに向上させることを見出し本発明の完成に至った。

すなわち１本発明は下記一般式（１）で示される化合物
を含有する有機薄膜を有することを特徴とする光情報記
録媒体である。

一般式 ただし、Ｒは水素または低級アルキル基を表わし、Ｘは
酸アニオンを表わし、ｍは０．１またる）甘たは０（た
だしｍが２の場合）を表わしそして存在するすべての芳
香核は低級アルキル基、低１アルコキシ基、ノ・ロゲン
または水酸基によって置換されていてもよい。

前記一般式（１）において酸アニオンを表わす嫂の例と
してはへキサフルオロ砒酸イオン、ヘキサフルオロアン
チモン酸イオン、フッ化ホウ素酸イオン、過塩素酸イオ
ン、トリフルオロ酢酸イオン、過沃素酸イオンなどをあ
げることができる。また、一般式（１）の化合物の代表
例としては下記のＡ−Ｌの化合物が例示されるがこれに
限定されるものではない。

　５− ＜　口　０　０　国　１ｒ、　６ １）　Ｈｂ　關　− ６一 本発明における有機薄膜は使用するレーザ光の波長に吸
収能をもつ上記一般式（１）の化合物単独を記録材料と
して含んでいてもよいしあるいは前記化合物と他の色素
、低分子化合物および高分子化合物などとの混合物を含
んでいてもよい。以下に、上記一般式（１）の化合物と
混合し得る色素および化合物の代表例を■〜ＸＩＶとし
てあげるがこれに限定されるものではない。

■、　クロコニウム系色素 ただし、Ｘは発色団を示し、ＭＯは陽イオンを示しそし
てｙＣ）は陰イオンを表わすが発色団中に陰イオンが含
有されるときには喪は存在しないものとする。

■、アズレン系色素 　７　− し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基あるいは置換または未置換のア
リール基を示す。

ＩＩｌ、）リフエツジチアジン化合物 ただし、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なっていても
よ（そしてそれぞれは水素原子、）・ロゲン、アルキル
基、フェニル基およびアルキル、アルコキシ、カルボキ
シル、カルボン酸塩基、ハロゲン、水酸基、スルホン酸
基およびスルホン酸塩基の１種またはそれ以上によって
置換さ　８　− れたフェニル基を表わす。

■、　フェナンスレン誘導体 Ｒ：　Ｃ）１５、Ｃ２Ｈ５などのアルキル基Ｘ　：　Ｂ
Ｆ４、ｃｔｏ４ Ｉ（１：　Ｃ’Ｈ５、Ｃ２Ｈ５などのアルキル基１ Ｘ　：　ＢＦ４、Ｃ２Ｏ４ ■、フタロシアニン系化合物 ただし、）Ａは水素、酸化バナジウム、銅、ベリリウム
、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、カドミウム、バリ
ウム、アルミニウム、錫、鉛、バナジウム、クロミウム
、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ハロゲン（ｌ、
ハロゲン化アルミニウムなどがあげられ、特に好ましい
ものは水素、鉛、ニッケル、コバルト、鍋、酸化バナジ
ウム、ｊ１化アルミニウムおＪ：び塩化錫などがあげら
れる。Ｘは水素および塩素、臭素、沃素および弗素など
のハロゲンを示しそしてｎは１〜１６の整数である。

■、テトラデヒドロコリン系化合物 ただし、Ｒはアルキル、カルボアルコキシ例えばＣ００
Ｃ２８５などを表わし、Ｒ１は水素、アルキルなどを表
わし、ＭはＨ，Ｎ１（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、ＣＯ（［
ｌｌ）などを表わし、そしてＸはＢｒ、　Ｃ／＝０４な
どを表わす。

■、ジオキサジン化合物およびその誘導体ａ）　芳香族
アミンとフルオラニル、クロラニル、ブロマニル、ヨー
ドアニルとの縮合閉環反人 Ａ：非蓋換または置換芳香族アミンの残基Ｘ　：　−Ｆ
、　−ＣＬ、　−Ｂｒ、　−Ｉ−１１＝ Ｘ　ニーＰ、−Ｃ１，−Ｂｒ、−Ｉ ＲニーＨ，−ＮＯ２、−Ｎｌ２、−ｏｃＨ３、−０Ｃ２
Ｈ５、−Ｆ、　−ＣＬ、　−Ｂｒ、−Ｉ、芳香族基ｍ、
ｎ：ｊ　〜４ ■、アントラキノン誘導体 下記の構造式〔Ｉ〕および〔ｌｌ）　Ｋよって表わすこ
とかできる。

構造式［１〕 ただし、ｘｌ、Ｎ２、Ｎ３およびＮ４はそれぞれ水素、
アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミン基、シ
アン基およびハロゲンを表わし、１２− Ｙは水素およびスルホネート基を表わし、Ａｒ。

は水素、フェニル基、ナフチル基およびそれらのスルホ
ン化物および塩を表わしそして前記フェニル基はアルキ
ル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基
、メチルチオ基、ハロゲンおよびフェニルカルボニル基
によって置換されていてもよくそしてＡｒ２は水素、フ
ェニル基、 およびそれらのスルホン化物および塩を表わしそして前
記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基およびハ
ロゲンによって置換されていてもよい。

構造式〔■〕 ただし、Ｘｌ、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は上記と同じ意味
を有し、Ｘ５は水素および−ＮＨ−Ａｒ１を表わし、Ｚ
は水素、−ＮＨ−Ａｒ１および−５−Ａｒ１を表わしそ
してＡｒ１は上記と同じ意味を有する。

特に構造式〔■〕のようにインダンスレン骨格をもつ化
合物は極大吸収波長が８　Ｄ　Ｏｎｍ付近であるため、
半導体レーザ用の材料としては最適である。

上記構造式〔１〕および［Ｉ［）で表わされるアントラ
キノン誘導体の例を以下に示す。

１−アミノ−４−（４−スルホン酸フェニルアミノ）　
−６，７−シニトロアントラキノンナトリウム塩、１−
アニリノ−２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−メチ
ルフェニルアミノ）アントラキノン、８．１７−ビス−
（４−メトキシフェニルアミノ）−インダンスレン、１
．４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−メトキシ
フェニルアミノ）　−６，７−１シアノアントラキノン
、１，４−ヒス（３−スルホン酸ナトリウム−４−１０
ロフエニルアミン）　−５，８−’、；　クロロアント
ラキノン、１−（２−メチルフェニルアミノ）−２−ス
ルホン酸ナトリウム−４−（４−アミノフェニルアミノ
）−６，７−シニトロアントラキノン、１，４−ヒス（
６−スルホン酸ナトリウム−４−アニリノ−１−アント
ラキノリルアミノ）ベンゼン、１．４−ビス（４−（４
−スルホン酸ナトリウム−フェニルアミノ）−１−アン
トラキノリルアミノ）ベンゼンなどをあげることができ
る。

■、キサンチン系化合物 １５− Ｒ１：　−ＯＨ，−０、−Ｎ（晦（Ｒ＝０４・（１ｏア
ルキル基）Ｒ２：　＝Ｎ”朔−ｘ−（ｘ−一酸ア＝ｙｌ
−７、Ｒ＝＝ＣＩ−０１゜アルキル基） Ｉ（３：　Ｈ，Ｃ１〜Ｃ２０７にキル、５Ｏ５Ｎａ、　
５Ｏ５Ｈ。

ｓｏ２Ｎ（ｇ２（Ｒ＝　ｃ１〜Ｃ，Ｑアルキル基）、Ｃ
ｏｏ）（。

ＣＯＯＮａ、　Ｃ００Ｋ Ｘ、）リフェニルメタン系化合物 ）（１：　Ｈｓ　−ＮＨ２（Ｒ＝Ｃ亡自０アルキル基）
、ｃｌ−ｃ２゜アルキル、−０Ｈ Ｒ２：Ｈｌ−ＮＨ２（欅シ１−ｃ１ｇアルキル基）、０
１〜ｃ２゜アルキル、−ＯＨ Ｒ３：　Ｈ，Ｃ１〜Ｃ２０フルキル、ハロゲン、Ｓｏ、
５Ｈ。

−Ｎ昧（）（＝ｑ〜Ｃ１０アルキル基）Ｘｅ：酸アニオ
ン １６− Ｘ、　ピリリウム系化合物 Ａθ 式中、 ｘｌおよびｘ２：硫黄原子、酸素原子捷たけセレン原子
を示す。

Ｚｌ：置換されてもよいピリリウム、チオピリリウム、
セレナピリリウム、ベンゾピリリウム、ベンゾチオピリ
リウム、ベンゾセレナピリリウム、ナフトピリリウム、
ナフトチオピリリウムまたはナフトセレナピリリウムを
完成する必要な原子群からなる炭化水素基を示す。

１７− Ｚ２：置換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピ
ラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナ
ピラン、ナフトピラン、ナフトチオピランまたはナフト
セレナピランを完成するに必要な原子群からなる炭化水
素基を示す。

Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ４：水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基または置換もしくは未置換のアリー
ル基を示す。

Ｒ５、Ｒ６およびＲ７：水素原子、ハロゲン原子、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のア
リール基または置換もしくは未置換のアラルキル基を示
す。

ｍおよびｌ：１またｉｄ２を示す。

ｎ：０．１または２を示す。

Ｘｌ、スクアリリウム系化合物 ０ ただし、Ｘは発色団を示す。その代表例としては以下の
ものをあげることができる。

（ａ）　Ｒ１””ＣＨ３，Ｒ７：Ｒ５＝Ｈ，Ｚ−８（ｂ
）　Ｒ１＝Ｒｚ＝ＣＨ５，Ｒ３＝Ｈ％Ｚ−８ｅ（Ｃ）　
Ｒ１＝Ｃ２Ｈ５，Ｒｚ”ＣＨ３、Ｒ３＝Ｈ，Ｚ−８ｅ（
ａ）　Ｒ１＝ＣＨ５ （ｂ）　Ｒ１＝Ｃ２Ｈ５ １９− （ａ）Ｒ１＝ＣＪ （ｂ）　Ｒ１＝Ｃ２Ｈ５ ｘｍ、低分子化合物 可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定
剤、分散剤、酸化防止剤、耐光性改良剤など。

ＸＩＶ、高分子化合物 アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天
然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物
質およびシランカップリング剤など。

次に、図面について本発明による光情報記録媒体の構成
を説明する。

第１図に示すように、本発明の光情報記録媒＝　２０− 体は基本的には基板１土に上記一般式（１）の化合物を
含む有機薄膜記録層２を設けたものである。

また、記録層は光反射層と光吸収層とを任意の順序で組
合せた２層構成とすることもできる。

記録層の形成は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ　ｉたは
溶液塗布などの通常の手段によって行うことができる。

塗布法を用いる場合には有機溶媒例えばジクロルエタン
に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッピ
ングおよびスピンニングなどの慣用のコーティング法に
よって行なわれる。記録層の膜厚は１００大〜５μｍ好
ましくは２００大〜２μｍが適当である。

基板１は基板側から書込み記録を行なう場合は使用レー
ザ光に対して透明でなければならず、また記録側から行
なう場合は透明である必要はない。基板としてはガラス
、７ビリカーボネート、ポリメチルメタクリレートが通
常使用されるがその他記録媒体に使用されるものならど
れでもよい。

また、第２図ないし第４図に示すように第１図の構成の
ものにさらに下引層６および／または保護層４を設けた
構成とすることもできる。

下引層６は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上および
（ｄ）反射率の向上などを目的として使用される。（ａ
）の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹脂
、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然尚分子、シリコ
ーン、液状ゴムなどの撞々の物質を用いることができ、
（ｂ）の目的に対しては上記高分子材料以外に無機化合
物例えば５１０２、ＭｇＦ２．５ｉＯ１Ｔｉ０２、Ｚｎ
０２など、金ＪＰＡｔたけ半金層例えばＺｎ、　Ｃｕ、
　８％Ｎｉ、Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ。

Ａｌなどを用いることができ、（Ｃ）の目的に対しては
上記（ａ）および（ｂ）について例示したような材料を
用いることができそして（ｄ）の目的に対しては金属例
えばＡｇ、　Ａｌなどを用いることができる。

下引層の膜厚は０．１〜６０μｍ好ましくは０．２〜１
０μｍが適当である。また、保護層４はキズ、ホコリ、
汚れなどからの保餓および記録層の化学的安定性の向上
を目的として設けられ、その材料としては下引き層と同
じ材料を使用することができる。保護層の膜厚は０．１
μｍ以上好ましくは５０μｍ以上が適当である。

さらに、本発明による光情報記録媒体の別の構成として
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有
機薄膜記録層２を内側に配置して密封したいわゆるエア
ーサンドインチ構造にしてもよいし、保藤層４を介して
接着したいわゆる密着サンドインチ構造（貼り合せ構造
）にしてもよい。

２３− なお、レーザ光源として波長７５０〜８５０　ｎｍの半
導体レーザを用いると装置の小型化が可能となる。

〔実施例〕

以下に実施例を掲げて本発明をさらに説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

実施例　１ 厚さ１．２　ｍｍのポリメチルメタクリレート（以下、
ｒＰＭＭＡＪと略記）基板上に前掲例示化合物にのメチ
ルエチルケトン溶液を回転塗布して厚さ１．２μｍの記
録層を形成し記録媒体を作製した。

実施例　２ 実施例１で形成した記録層の上にさらに厚さ１５０大の
銀蒸看膜を設けて記録媒体を作製した。

実施例　５ 厚さ１．２篩のＰＭＭＡ基板上に前掲例示化合物Ｅと下
記一般式（１）の化合物とを１：１の重蓋比で２４− 混合した１、２−ジクロルエタン溶液を回転塗布して厚
さ７００大の記録層を形成し記録媒体を作製した。

ｅ 実施例　４ 厚さ１．２■のＰＭＭＡ基板上に前掲例示化合物Ｂと下
記一般式（ＩＩ）の化合物とを６：４の重量比で混合し
たメチルエチルケトン溶液を回転塗布して厚さ６００大
の層を形成した。さらにその上に下記一般式（Ｉｎ）の
化合物を厚さ１５０穴で真空蒸着して記録層を形成し記
録媒体を作製した。

実施例　５ 厚さ１．２　ｉａｍのＰＭＭＡ基板上に実施例４で用い
た化合物（助を厚さ１００大で蒸着しさらにその上に前
掲例示化合物Ｊのメタノール溶液を回転塗布して全体で
厚さ６００大の記録層を形成し記録媒体を作製した。

実施例　６ 実施例２において前掲例示化合物Ｈを用いて記録層を形
成した以外には実施例２と同様にして記録媒体を作製し
た。

上記実施例で作製した記録媒体に波長８３　！＋、ｎＪ
ｎの半導体レーザ光を用いて基板側より記録周波数０．
５　ＭＨｚ、線速１．５ｒｒＶ／ＳｅＣで情報を書込み
再生し、そのスペクトル解析（スキャニングフィルター
、バンド幅３０　ＫＨｚ　）を行なって、初期の反射率
およびＣ／Ｎを測定した。次に、同じ記録媒体に５４０
００ルツクスのタングステン光を５０時間照射した後の
反射率およびＣ／Ｎを測定した。その結果を以下の表に
まとめて示す。

実施例１　４．３　４６　４．６　４１２　５．０　５
１　５．２　４３ ５３．３　５２　′５．５　４６ ４　３．３　５６　３．５　４６ ５　４．０　５５　４．０　４５ ６　５．０　５２　５．２　４４ 〔効　果〕 上述のようにして構成された本発明の光情報記録媒体は
充分に教養された保存安定性と再生光に対する安定性を
与えることができる。

＝２７−

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の光情報記録媒体の構成を
示す断面図である。 １・・・基板、２・・・有機薄膜記録層、６・・・下引
き層、４・・・保護層。 特許出願人　株式会社　リ　コ　− ２８− 第１図 范２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜
   を有することを特徴とする光情報記録媒体。 一般式 〔式中、Ｒは水素または低級アルキル基を表わし。 Ｘは酸アニオンを表わし１ｍは０，１または２または−
   Ｃ−（九だしｍが２の場合）を表わしそして存在するす
   べての芳香核は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
   ロゲンまたは水酸基によって置換されていてもよい〕