JPS60236115A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS60236115A JPS60236115A JP9123084A JP9123084A JPS60236115A JP S60236115 A JPS60236115 A JP S60236115A JP 9123084 A JP9123084 A JP 9123084A JP 9123084 A JP9123084 A JP 9123084A JP S60236115 A JPS60236115 A JP S60236115A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は垂直磁気記録再生装置に使用される垂直磁気記
録媒体に関し、特に基体表面に形成される膜の改良に関
する。
録媒体に関し、特に基体表面に形成される膜の改良に関
する。
従来、垂直磁気記録再生装置に使用される垂直磁気記録
媒体としては、ステンレス鋼等からなる基板上に垂直磁
化膜としてのＧｏ−Ｃｒ膜を形成した一層躾垂直磁気記
録媒体、あるいは第１図に示すように、基板１上に再生
・記録感度向上のためにＦｅ−Ｎ＋パーマロイなどの高
透磁率軟磁性膜２を形成し、さらにその上にｃｏ−ｃｒ
膜３を形成した二層膜垂直磁気記録媒体が用いられてい
る。上記Ｃｏ−Ｃｒ１１３は高周波スパッタリングある
いは真空蒸着法等の膜形成手段によって基板１上あるい
は高透磁率軟磁性ｌＩ２上に形成され、六方晶形の結晶
構造を有し、その結晶のＣ軸が膜面に対し垂直にそろっ
て成長しており、またそのＣ軸方向に強い異方性を持つ
ため垂直磁気異方１すが生じるものとなっている。
媒体としては、ステンレス鋼等からなる基板上に垂直磁
化膜としてのＧｏ−Ｃｒ膜を形成した一層躾垂直磁気記
録媒体、あるいは第１図に示すように、基板１上に再生
・記録感度向上のためにＦｅ−Ｎ＋パーマロイなどの高
透磁率軟磁性膜２を形成し、さらにその上にｃｏ−ｃｒ
膜３を形成した二層膜垂直磁気記録媒体が用いられてい
る。上記Ｃｏ−Ｃｒ１１３は高周波スパッタリングある
いは真空蒸着法等の膜形成手段によって基板１上あるい
は高透磁率軟磁性ｌＩ２上に形成され、六方晶形の結晶
構造を有し、その結晶のＣ軸が膜面に対し垂直にそろっ
て成長しており、またそのＣ軸方向に強い異方性を持つ
ため垂直磁気異方１すが生じるものとなっている。
しかるに上記ｃｏ−ｃｒ膜３は、その結晶のＣ軸のそろ
い方が基板１の条件によって異なる。特に前記二層膜垂
直磁気記録媒体の場合は高透磁率軟磁性膜２の面状態の
影響を受けてさらにそろい方が悪くなり、Ｃ軸が膜に対
し垂直な方向からずれた方向に分散して成長してしまい
、ひどいときには垂直磁気異方性すら消失してしまうこ
ともあつＩこ。
い方が基板１の条件によって異なる。特に前記二層膜垂
直磁気記録媒体の場合は高透磁率軟磁性膜２の面状態の
影響を受けてさらにそろい方が悪くなり、Ｃ軸が膜に対
し垂直な方向からずれた方向に分散して成長してしまい
、ひどいときには垂直磁気異方性すら消失してしまうこ
ともあつＩこ。
そこでこのような問題を解決するために、特開昭５８−
１４３１８号公報において示されているように、基板と
垂直磁化膜との間に５０〜１５００人の厚みの非磁性層
を形成した垂直磁気記録媒体が提案されている。すなわ
ち、アルマイト処理したアルミニウム基板やガラス板等
の基体上に非ｍ性層としてのＴｉ層を５０〜１５００人
の厚みて形成したのち垂直磁化膜を形成する。そうする
と、垂直磁化膜における基体に垂直方向の配向性を示す
分散角△θ５ｏがＴｉ層を設けない場合に比べて小さく
なる。たとえばＴ１層を形成しない場合には分散角Δθ
５ｏは９〜１３°となるのに対し、Ｔｉ層を５００人の
厚みで形成した場合には分散角へ〇５ｏは約６６となる
。したがって、垂直方向の配向性が向上し前述した問題
点が解決される。
１４３１８号公報において示されているように、基板と
垂直磁化膜との間に５０〜１５００人の厚みの非磁性層
を形成した垂直磁気記録媒体が提案されている。すなわ
ち、アルマイト処理したアルミニウム基板やガラス板等
の基体上に非ｍ性層としてのＴｉ層を５０〜１５００人
の厚みて形成したのち垂直磁化膜を形成する。そうする
と、垂直磁化膜における基体に垂直方向の配向性を示す
分散角△θ５ｏがＴｉ層を設けない場合に比べて小さく
なる。たとえばＴ１層を形成しない場合には分散角Δθ
５ｏは９〜１３°となるのに対し、Ｔｉ層を５００人の
厚みで形成した場合には分散角へ〇５ｏは約６６となる
。したがって、垂直方向の配向性が向上し前述した問題
点が解決される。
ところでＴｉ層を設けるということは、垂直磁化膜にお
ける下地の結晶粒を小さくしたことを意味している。つ
まり下地の結晶粒を小さくするほど分散角Δθ５ｏを小
さくすることができる。したがって、Ｔ１層の代わりに
結晶粒のない非晶質層を下地として形成すれば、より大
きな効果を奏づる。またＷ、Ｒｈ、Ｍｕ 、Ｙ、Ｚｒ、
Ｐｔ、Ｃｒ。
ける下地の結晶粒を小さくしたことを意味している。つ
まり下地の結晶粒を小さくするほど分散角Δθ５ｏを小
さくすることができる。したがって、Ｔ１層の代わりに
結晶粒のない非晶質層を下地として形成すれば、より大
きな効果を奏づる。またＷ、Ｒｈ、Ｍｕ 、Ｙ、Ｚｒ、
Ｐｔ、Ｃｒ。
ｌｒなどの金属ならびにＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ
３，Ｆｅ２Ｏ３，ｓｉｏなトノ酸化物等からなる層を下
地として形成しても同様どなる。
３，Ｆｅ２Ｏ３，ｓｉｏなトノ酸化物等からなる層を下
地として形成しても同様どなる。
いずれにしても特開昭５８−１４３１８号公報の骨子は
、下地の結晶粒を小さくすることにより垂直磁化膜にお
ける垂直方向の配向性を向上させるというものである。
、下地の結晶粒を小さくすることにより垂直磁化膜にお
ける垂直方向の配向性を向上させるというものである。
しかしながら現在では、さらに垂直方向の配向性の向上
が望まれている。また従来は、下地に垂直磁化膜を堆積
させていく初期の段階においては垂直異方性を持ちにく
く、垂直方向の配向性も非常に悪いものとなっていたた
め、この点の改善も望まれている。
が望まれている。また従来は、下地に垂直磁化膜を堆積
させていく初期の段階においては垂直異方性を持ちにく
く、垂直方向の配向性も非常に悪いものとなっていたた
め、この点の改善も望まれている。
本発明の目的は、垂直磁化膜の基体に垂直な方向の配向
性をより向上させ得ると共に、上記垂直磁化膜成長初期
の段階から垂直方向の配向性がよい垂直磁気記録媒体を
提供することにある。
性をより向上させ得ると共に、上記垂直磁化膜成長初期
の段階から垂直方向の配向性がよい垂直磁気記録媒体を
提供することにある。
（ＩＮ要）
本発明は上記目的を達成するために次の如く構成したこ
とを特徴としている。すなわち、本発明は基体と垂直磁
化膜との間にＣｒどＮの化合物からなる膜を形成するよ
うにしたことを特徴としている。
とを特徴としている。すなわち、本発明は基体と垂直磁
化膜との間にＣｒどＮの化合物からなる膜を形成するよ
うにしたことを特徴としている。
本発明では垂直磁化膜の格子定数に非常に近い格子定数
を有する躾を垂直磁化膜の下地に用いて、その下地の上
にエピタキシャル的に垂直磁化膜を形成するようにして
いる。こうすることにより、さらに垂直磁化膜の垂直方
向の配向性が向上し、また垂直磁化膜成長初期の段階か
ら垂直方向に配向性のよい膜が形成できる。
を有する躾を垂直磁化膜の下地に用いて、その下地の上
にエピタキシャル的に垂直磁化膜を形成するようにして
いる。こうすることにより、さらに垂直磁化膜の垂直方
向の配向性が向上し、また垂直磁化膜成長初期の段階か
ら垂直方向に配向性のよい膜が形成できる。
第２図は本発明の第１の実施例としての垂直磁気記録媒
体を示す断面図である。図中１１は基体としての５ＵＳ
４２０Ｊ２のＳＵＳ基板である。
体を示す断面図である。図中１１は基体としての５ＵＳ
４２０Ｊ２のＳＵＳ基板である。
１２は上記基板１１上にイオンブレーティング法５−
により１μｍ１ｊｊ度の厚みで形成されたＣｒＮＩｍで
ある。１３は上記ＣｒＮ膜１膜上２上周波スパッタリン
グにより１μｍの厚みで形成されたＣｏ−Ｃｒ膜である
。
ある。１３は上記ＣｒＮ膜１膜上２上周波スパッタリン
グにより１μｍの厚みで形成されたＣｏ−Ｃｒ膜である
。
上記基板１１上にイオンブレーティング法によりＣｒＮ
膜１２を形成する場合は次の如く行なう。
膜１２を形成する場合は次の如く行なう。
まず、基板１１を３５０℃で加熱しながら真空槽内を１
０−’Ｔｏｒｒ台まで排気したのち、Ａｒガスを上記真
空層内に８Ｘ１０’Ｔｏｒｒ導入する。
０−’Ｔｏｒｒ台まで排気したのち、Ａｒガスを上記真
空層内に８Ｘ１０’Ｔｏｒｒ導入する。
そして電極に４００Ｖ、Ｏ，，３Ａの電力を２分間供給
し、４８０Ｖ、０．５Ａの電力を５分間供給し、５２０
Ｖ、０．７Ａの電力を３分間供給することにより、イオ
ンボンバードを計１０分間行ない基板１１の表面洗浄を
行なう。その後、上記真空層内にＡｒガスを５Ｘ１０４
Ｔｏｒｒ、Ｎ２ ガスを９ｘ１０’Ｔｏｒｒ流入しなが
ら、ｃｒを蒸発させる。かくして基板１１上に約１μｍ
のＣｒＮ膜１２が形成されることになる。
し、４８０Ｖ、０．５Ａの電力を５分間供給し、５２０
Ｖ、０．７Ａの電力を３分間供給することにより、イオ
ンボンバードを計１０分間行ない基板１１の表面洗浄を
行なう。その後、上記真空層内にＡｒガスを５Ｘ１０４
Ｔｏｒｒ、Ｎ２ ガスを９ｘ１０’Ｔｏｒｒ流入しなが
ら、ｃｒを蒸発させる。かくして基板１１上に約１μｍ
のＣｒＮ膜１２が形成されることになる。
また、ＣｒＮ膜１膜上２上周波スパッタリングによりＣ
ｏ−Ｃｒ膜１３を形成する場合は次の如６− く行なう。まず、ＣｒＮ膜１２がその表面に形成された
基板１１を１５０℃で加熱しながらスパッタリング装置
の真空層内を１０−’Ｔｏｒｒ台まで排気したのち、基
板１１への加熱を止め、放冷しかつ水冷する。そしてバ
ックグラウンド圧力が２ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ以下となっ
たところで、Ａｒガスを５Ｘ１０’Ｔｏｒｒ導入し、３
００Ｗの電力でスパッタリングする。かくしてＣｒＮ膜
１膜上２上、５μｍの厚みでｃｏ−Ｃｒ膜１３が形成さ
れることになる。
ｏ−Ｃｒ膜１３を形成する場合は次の如６− く行なう。まず、ＣｒＮ膜１２がその表面に形成された
基板１１を１５０℃で加熱しながらスパッタリング装置
の真空層内を１０−’Ｔｏｒｒ台まで排気したのち、基
板１１への加熱を止め、放冷しかつ水冷する。そしてバ
ックグラウンド圧力が２ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ以下となっ
たところで、Ａｒガスを５Ｘ１０’Ｔｏｒｒ導入し、３
００Ｗの電力でスパッタリングする。かくしてＣｒＮ膜
１膜上２上、５μｍの厚みでｃｏ−Ｃｒ膜１３が形成さ
れることになる。
ところで、本実施例にて形成されたＣｒ１ｌＪ１１２の
ＣｕＫα−ＸＩｉｌ源によるＸ線回析は第３図に示すよ
うになる。同図から明らかなように、回折ピークは一本
しか現われず、その回折ピークから２θ−４４，０°、
格子定数２．０６人が読み取れる。なお２θはｘｍ源ど
カウンタとの角度である。
ＣｕＫα−ＸＩｉｌ源によるＸ線回析は第３図に示すよ
うになる。同図から明らかなように、回折ピークは一本
しか現われず、その回折ピークから２θ−４４，０°、
格子定数２．０６人が読み取れる。なお２θはｘｍ源ど
カウンタとの角度である。
一方、第４図は５０μｍの厚みのポリノイドフィルム上
に０．５μｍの厚みのＣｏ−Ｃｒ１を高周波スパッタリ
ングにより形成したものの、ＣＵＫα−Ｘ線源によるＸ
Ｌｍ回折の結果を示す図である。なおピーク値を明らか
にするために感度を代えることにより基準線をずらして
示している。上記ｃｏ−Ｃｒ膜は基本的に六方結晶形の
結晶構造を有しており、磁化容易軸と一致するＣ軸が膜
面に垂直であり、（００２＞面からの回折ピークは２θ
−４４，６°、格子定数２．０３人となる。
に０．５μｍの厚みのＣｏ−Ｃｒ１を高周波スパッタリ
ングにより形成したものの、ＣＵＫα−Ｘ線源によるＸ
Ｌｍ回折の結果を示す図である。なおピーク値を明らか
にするために感度を代えることにより基準線をずらして
示している。上記ｃｏ−Ｃｒ膜は基本的に六方結晶形の
結晶構造を有しており、磁化容易軸と一致するＣ軸が膜
面に垂直であり、（００２＞面からの回折ピークは２θ
−４４，６°、格子定数２．０３人となる。
このように前記ＣｒＮ膜の格子定数は２．０６人であり
、ｃｏ−Ｃｒ膜の格子定数２．０３人に対して非常に近
い値となっている。
、ｃｏ−Ｃｒ膜の格子定数２．０３人に対して非常に近
い値となっている。
したがって本実施例によれば、ＣｒＮ膜のないｃｏ−Ｃ
ｒｌｌではロッキングカーブ半値幅からめた垂直方向の
配向性を表わす分散角へ〇５０は約５°であったが、第
２図のような構造の本実施例では分散角△θ５０は３°
以下となり、垂直方向の配向性をさらに向上させること
ができる。また垂直磁化膜が薄くても、その配向性は秀
れている。
ｒｌｌではロッキングカーブ半値幅からめた垂直方向の
配向性を表わす分散角へ〇５０は約５°であったが、第
２図のような構造の本実施例では分散角△θ５０は３°
以下となり、垂直方向の配向性をさらに向上させること
ができる。また垂直磁化膜が薄くても、その配向性は秀
れている。
第５図は本発明の第２の実施例としての垂直磁気記録媒
体を示す断面図である。本実施例においては、基板（Ｓ
ＵＳ４２０Ｊ ２基板）１１上にＣｏ＝Ｚｒ−Ｎｂから
なる高透磁率軟磁性膜１４を０．５μｍの厚みで形成し
たものを基体とし、その上に第１の実施例と同様な方法
でＣｒＮ膜１２を０．０２μｍの厚みで形成したものを
基体とし、さらにその上にＣｏ−Ｃｒ膜１３を０．２μ
ｍの厚みで形成したものとなっている。
体を示す断面図である。本実施例においては、基板（Ｓ
ＵＳ４２０Ｊ ２基板）１１上にＣｏ＝Ｚｒ−Ｎｂから
なる高透磁率軟磁性膜１４を０．５μｍの厚みで形成し
たものを基体とし、その上に第１の実施例と同様な方法
でＣｒＮ膜１２を０．０２μｍの厚みで形成したものを
基体とし、さらにその上にＣｏ−Ｃｒ膜１３を０．２μ
ｍの厚みで形成したものとなっている。
こうづることにより、前記分散角Δθ５ｏはＣｒＮ膜１
２をＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂからなる高透磁率軟磁性膜１４と
Ｃｏ−Ｃｒ膜１３との間に形成しない場合は約８°であ
ったのに対し、ＣｒＮ膜１２を高透磁率軟磁性膜１４と
Ｃｏ−Ｃｒ膜１３との間に形成した場合は６°となり、
配向性は若干ではあるが向上する。なお、一般的に高透
磁率軟磁性ｌ１１１４の上にＧｏ−Ｃｒ膜１３を形成し
た場合は上記Ｇｏ−Ｃｒｌｌｌ ３の配向性が悪く、第
６図に示すように（００２）面からの回折ピーク以外に
（１０１）面からの回折ピークも現われる。しかし本実
施例のようにＣｒＮｌ１１１２を高透磁率軟磁性膜１４
とＧｏ−Ｃｒ躾１３との間に形成すると、上記Ｃｏ−Ｃ
ｒ膜１３においては前記（１０９− １）面からの回折ピークが減少し、（００２）面からの
回折ピークの強度が増加するという効果も奏する。
２をＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂからなる高透磁率軟磁性膜１４と
Ｃｏ−Ｃｒ膜１３との間に形成しない場合は約８°であ
ったのに対し、ＣｒＮ膜１２を高透磁率軟磁性膜１４と
Ｃｏ−Ｃｒ膜１３との間に形成した場合は６°となり、
配向性は若干ではあるが向上する。なお、一般的に高透
磁率軟磁性ｌ１１１４の上にＧｏ−Ｃｒ膜１３を形成し
た場合は上記Ｇｏ−Ｃｒｌｌｌ ３の配向性が悪く、第
６図に示すように（００２）面からの回折ピーク以外に
（１０１）面からの回折ピークも現われる。しかし本実
施例のようにＣｒＮｌ１１１２を高透磁率軟磁性膜１４
とＧｏ−Ｃｒ躾１３との間に形成すると、上記Ｃｏ−Ｃ
ｒ膜１３においては前記（１０９− １）面からの回折ピークが減少し、（００２）面からの
回折ピークの強度が増加するという効果も奏する。
なお本発明は上記各実施例に限定されるものではない。
たとえば上記実施例におけるＣｒＮ膜１２は、ＣｒとＮ
との比が１：１のものに限らず、化学的−論比をずらし
たＯｒとＮとの化合物を用いても、その上に形成する垂
直磁化膜の格子定数に非常に近い格子定数を有するもの
ならば、同様な効果を奏する。また上記実施例ではイオ
ンブレーティング法によりＣｏＮ膜１２の膜形成を行な
ったが、これ以外の手段を用いてもよい。また上記実施
例では基板１１としてＳＵＳ基板を用いたが、たとえば
ポリアミド樹脂等からなる基体を用いてもよい。このほ
か本発明の要旨を越えない範囲で種々変形実施可能であ
る。
との比が１：１のものに限らず、化学的−論比をずらし
たＯｒとＮとの化合物を用いても、その上に形成する垂
直磁化膜の格子定数に非常に近い格子定数を有するもの
ならば、同様な効果を奏する。また上記実施例ではイオ
ンブレーティング法によりＣｏＮ膜１２の膜形成を行な
ったが、これ以外の手段を用いてもよい。また上記実施
例では基板１１としてＳＵＳ基板を用いたが、たとえば
ポリアミド樹脂等からなる基体を用いてもよい。このほ
か本発明の要旨を越えない範囲で種々変形実施可能であ
る。
本発明によれば、基体と垂直磁化膜との間にＣｒとＮの
化合物からなる層を形成するようにしたので、垂直磁化
膜における基体に垂直な方向の配１０− 向性をより向上させ得ると共に、上記垂直磁化膜成長初
期の段階から垂直方向の配向性がよい垂直磁気記録媒体
を提供できる。
化合物からなる層を形成するようにしたので、垂直磁化
膜における基体に垂直な方向の配１０− 向性をより向上させ得ると共に、上記垂直磁化膜成長初
期の段階から垂直方向の配向性がよい垂直磁気記録媒体
を提供できる。
第１図は従来の垂直磁気記録媒体を示す断面図、第２図
は本発明の第１の実施例としての垂直磁気記録媒体を示
す断面図、第３図および第４図は同実施例の作用を説明
するための図、第５図は本発明の第２の実施例としての
垂直磁気記録媒体を示す断面図、第６図は同実施例の作
用を説明するための図である。 １１＝−１１板、１２−Ｃｒ Ｎ膜、１３−Ｃｏ −Ｃ
ｒ膜、１４・・・高透磁率軟磁性膜。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 一１１＝ 第１図 第２図 第５図 手続補正書 昭、１６ρ−８、ｙｒ２Ｄ 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 特願昭５９−９１２３０号 ２、発明の名称 垂直磁気記録媒体 ３、補正をする渚 事件との関係 時抑阪斥曳ん 名称（０３７）オリンパス光学下）株式会？１４、代理
人 ５、自発補正 ７、補正の内容 明細書第１０頁第１１行のｒＣｏＮ膜」をｒＣｒＮ膜」
と訂正する。
は本発明の第１の実施例としての垂直磁気記録媒体を示
す断面図、第３図および第４図は同実施例の作用を説明
するための図、第５図は本発明の第２の実施例としての
垂直磁気記録媒体を示す断面図、第６図は同実施例の作
用を説明するための図である。 １１＝−１１板、１２−Ｃｒ Ｎ膜、１３−Ｃｏ −Ｃ
ｒ膜、１４・・・高透磁率軟磁性膜。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 一１１＝ 第１図 第２図 第５図 手続補正書 昭、１６ρ−８、ｙｒ２Ｄ 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 特願昭５９−９１２３０号 ２、発明の名称 垂直磁気記録媒体 ３、補正をする渚 事件との関係 時抑阪斥曳ん 名称（０３７）オリンパス光学下）株式会？１４、代理
人 ５、自発補正 ７、補正の内容 明細書第１０頁第１１行のｒＣｏＮ膜」をｒＣｒＮ膜」
と訂正する。
Claims (2)
- （１）基体上に、この基体表面に対して垂直な方向に磁
化容易軸を有する垂直磁化膜を設けた垂直磁気記録媒体
において、前記基体と前記垂直磁化膜との間にＣｒとＮ
の化合物からなる膜を形成したことを特徴とする垂直磁
気記録媒体。 - （２）上記基体は、ステンレス鋼等からなる基板の表面
に高透磁率軟磁性膜を設けたものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123084A JPS60236115A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123084A JPS60236115A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236115A true JPS60236115A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0544728B2 JPH0544728B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=14020619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9123084A Granted JPS60236115A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236115A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996027187A1 (fr) * | 1995-02-27 | 1996-09-06 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et dispositif de stockage magnetique |
| US7736767B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-06-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Perpendicular magnetic recording medium having an interlayer formed from a NiWCr alloy |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9123084A patent/JPS60236115A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996027187A1 (fr) * | 1995-02-27 | 1996-09-06 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et dispositif de stockage magnetique |
| US7736767B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-06-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Perpendicular magnetic recording medium having an interlayer formed from a NiWCr alloy |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544728B2 (ja) | 1993-07-07 |
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