JPS6023402A - 配向された高分子材料の重合方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の利用分野〕 本発明は全く新しい配合された高分子材料の重合方法に
関する。 〔発明の背景〕 高分子材料は一般には原料となるモノマーと重合触媒と
を溶媒中で接触させ、重合反応を行うことによって製造
される。しかしながらこの方法によっては実用的な機能
性高分子を得るには限界がある。例えば導電材料として
期待されているアセチレン重合体はフィブリルが短かい
為に高導電性は得にくい。この為に延伸によシフイプリ
ルを引き伸ばす作業が行われるが引き伸ばし時にフィブ
リルが切断されるので結局期待する程の効果は得られな
い。 ところで液体のｐ−メタクリロイルオキシベンゼン酸（
Ｉ）−Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｙｌｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ　
Ａｃ１ｄ）を原料モノマーとし、パーオキサイド（ｐｅ
ｒｏｘｉｄｅ）系触媒を使用し、溶媒として液晶物質を
用いて液晶物質中で重合する技術が報告されている（　
Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｐｏｌｙｍｅｒ　５ｃｉｅｎｃ
ｅ；ｐＡｌ（’ｌ’　Ｃ。 應２３．　Ｉ）Ｉ）、　２３１〜２３８　（１９６８）
参照）。但しこの報告例は単に溶媒として液晶物質を用
い得る点を報告するにとどまるものであシ、その重合反
応機構はこの報告例からは明らかでない。果たして原料
上ツマ−と重合触媒との他の組合せ（例えばアセチレン
重合体合成の如く原料モノマーが気体の場合や重合触媒
がチーグラ・ナツタ触媒の場合）にも液晶利用が可能で
あるかどうか全く不明である。 そこで本発明者は従来の高分子材料が重合反応時に液晶
物質を利用することによって全く新しい或いはより優れ
た特注を有するものとなることを期待し、鋭意検討を重
ねることによって本発明に至った。 〔発明の目的〕 本発明の目的は重合反応過程で液晶物質を利用した配向
された高分子栃料の重合方法を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の配向された高分子材料の重合方法は重合触媒を
液晶物質中に含有させてこれに原料モノマーを接触させ
る点に特徴がある。特に第１番目の発明は原料モノマー
が常温、常圧で気体である点に特徴があシ、第２番目の
発明は重合反応を液晶と原料モノマーとの界面（自由表
面）で行う点に特徴があシ、第３番目の発明は重合触媒
がチーグラ・ナツタ触媒である点に特徴がある。まだ、
第４番目の発明はチーグラ・ナック触媒下でアセチレン
モノマーを重合させる点に特徴がある。 尚、以下の説明において、気体（状）、液体（状）、固
体（状）はいずれも常温、常圧下での状態を示す。また
、「配向された」とは「ある程度の立体規則性を持った
」の意味であって、「フィブリルを同一方向に配列させ
る」意味には限定されない。更に、本発明の重合方法は
、重合反応過程の少なくとも一部で液晶物質が利用され
れば足シる。従って反応の進行具合に応じて液晶状態を
等方性液体状態にしたム或いは固体状態にすることも本
発明の範囲であシ、まだ、他の配向方法例えば延伸対の
技術との併用を防げるものではない。 （原料モノマーと最適な重合方法） 原料モノマーが気体である場合には触媒含有液晶物質を
容器に収め、この容器と液晶表面とで形成する借問に原
料モノマーの気体を導入し、液晶表面上（つまυ原料気
体モノマーと液晶との自由表面近傍の界面）で重合反応
を行わせるのが有効である。このようにすれば膜状（層
状）の機能性高分子材料が得られる。気体の原料モノマ
ーとしては？１１．ｔばエチレン、プロピレン、アセチ
レン、メチル−アセチレン等が挙げられる。これらのモ
ノマーを用いる場合、通常はイオン重合（例えばアニオ
ン重合）が起こる。但し、エチレンについては触媒によ
っては（例えばパーオキサイドを用いると）ラジャル重
合が起こる。尚、この他、金属・ガラスその他の固体表
面にこの触媒含有液晶物質を塗布した表面において重合
させても良い。 原料モノマーが液体である場合にはこの液状原料上ツマ
−を液晶物質に溶解させ、この液晶組成物と触媒含有液
晶物質とを混合させることが有効である。液体の原料モ
ノマーとしてはスチレン、フェニルアセチレン等が挙げ
られる。 原料モノマーが固体である場合にはこの固体状原料モノ
マーを液晶物質に加熱ｍ　ｗ＋させ、この液晶組成物と
触媒含有液晶物質とを混合させることが有効である。固
体の原料モノマーとしてはＮ（−ｐ−メトキシベンジリ
デン）−ｐ−アミノスチレン、Ｎ−（ｐ−メトキシ−ベ
ンジリチン）−ｐ−アミノフェニルアセチレン等が挙ケ
ラれる。 （液晶物質） 本発明に用いる液晶物質は触媒との関係において触媒を
溶解或いは分散し易く、かつ触媒と反応しないものが望
ましい。更に例えばアセチレンガス等原料モノマーがガ
スである場合には液晶物質中にガスが拡散し易いことが
望ましい。特に低温で液晶相を示し易く重合度の向上が
期待できるものが好ましい。液晶の分子構造についても
特に制限はないが、重合触媒に対して活性な基を有して
いないことが望ましい。 （重合触媒） 不発明に用いる重合触媒は特に限定されないが、その分
子構造上液晶分子と共に配向するものが望ましく、特に
チーグラ・ナツタ触媒が有効である。 チーグラ・ナツタ触媒は遷移金属化合物と有機金属化合
物とから成る。遷移金属化合物及び有機金属化合物の白
木発明で特に有効なものを次に例示する。 ０遷移金属化合物 遷移金属；チタン、バナジン、鉄、クロム、コバルト。 一般式　；　Ｔ　’　（ＯＢ　）　、Ｍ　（ａｃａｃ）
３、Ｍ　Ｏ（ａＣａＣ）２、 （但しＲはアルキル基かアリ、Ｂｙ基、Ｍは遷移金属、
ａＣａＣはアセチル アセトナート基である）。 代表例　；テトラメトキンチタニウム、テトラエトキシ
チタニウム、テトラ− ｎ−プロポキシチタニウム、ビス アセチルアセトナートオキソバナ ジウム、テトライソブトキシチ タニウム、テトラ−ローブトキシ チタニウム、テトライソブトキシ チタニウム、テトラオクタデシ口 キシチタニウム、テトラフェノキ シチタニウム、トリスアセチルア セトナートチタニウム、トリスア セチルアセトナートバナジウム、 トリスアセチルアセトナート鉄、 トリスアセチルアセトナートクロ ム、トリスアセチルアセトナート コバルト、チタニウムオキシアセ チルアセトナート、バナジウムオ キシアセチルアセトナート。 ０有機金属化合物 金属　；マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、ずず。 一般式；〜ＭＲわ　く但しＭは金属、Ｒはアルキル基か
アリル基である）。 代表例；トリエチルアルミニウム、トリイソ　・フチル
アルミニウム、トリヘキシル アルミニウム、ジエチルアルミニウ ムクロ２イド、ジ−ｎ−ブチルアル ミニウムクロライド、エチルアルミ ニウムセスキクロシイド。 遷移金属化合物であるＭ　Ｏ（ａＣａＣ）２に対する有
機金属化合物の使用割合は特に制限されないが一般には
遷移金属化合物に対する有機金属化合物の割合は、モル
比１〜１００の範囲内であることが好ましい。 チーグラ・ナツタ触媒を例にとると、これを液晶物質に
添加する方法としては、遷移金属化合物と有機金属化合
物とを液晶物質に直接添加する方法の他に、予め遷移金
属化合物及び有機金属化合物を含んだ触媒溶液を調整し
このＭ液を液晶物質に添加した後に触媒溶液中の溶媒の
みを真空ポンプで除去する方法もＥＪ能である。後者の
方法によれば微量の触媒を用いるに際しての秤量上のわ
ずられしさがなくなる。 アセチレン重合体の重合を例にとった場合、チーグラ・
ナツタ触媒中の遷移金属化合物であるＭ　Ｏ（ａＣａＣ
）２　（但し、Ｍはバナジウム）の濃度は液晶物′ＪＭ
、ＩＬに対してｏ、ｏ　ｏ　ｏ　ｉ〜１．０モル濃度、
好ましくはｏ、ｏｏｉ〜１．０モル濃度の範囲で重合を
行うことが望ましい。１．０モル濃度以上では液晶物質
の液晶相が消失してしまう可能性がある。また、０．０
００１モル濃度以下では、アセチレン重合体の大部分は
粉末状になってしまう恐れがある。 尚、勿論この他の触媒も利用可能であシ、例えばアセチ
レン重合体に関しても、モリブデンやタングステンの塩
化物、ルーチンガー触媒（Ｊ、ｕｔｔｉｎｇｅｒ’ｓ　
ｃａｔ、、　）　、希土類Ｍ、媒等も適用可能である。 （重合反応機構） 本発明の重合反応形態は特に限定されないが、ラジカル
重合反応やイオン重合反応（カチオン重合反応、アニオ
ン重合反応）の如き連鎖重合反応において特に有効であ
る。尚、この他にも例えば、逐次重合反応、共重合反応
（交互、ランダム反応、ブロック・グラフト反応）が適
用できる。 本発明の重合反応機構は例えば次のように推定される１
、液晶中に重合触媒を溶解（或いは分散）すると重合触
媒は液晶分子の配向性に従って液晶分子と共に配向し、
これに原料モノマーが接触して重合反応が起こる。重合
物は配向方向に、つまり液晶物質の長軸方向に成長する
。従って得られる重合体には立体規則性が生じ、重合度
も向上する。例えば後述の実施例で得られるセチレン重
合体の場合、フィブリルは長さ１０μｍ以上、径は１０
００Å以上となり、液晶に代えてトルエンを用い′ｆＣ
場合のフィブリルの長さ１μｍ１径２００人よシも大き
い。 まだ気体原料モノマーと触媒との反応では、イオン重合
の場合は通常、触媒上で先に重合された重合体が新たに
触媒側で作られる重合体によって押し出されるようにし
て成長して行くものと推定される。 本発明では液晶の配向性を更に有効に利用する為に触媒
含有液晶中に′電場、磁場等の外力をかけて液晶分子を
強制的に一定の規則性をもって配向させ、これに原料モ
ノマ〜を接触させることもげ能である。このようにすれ
ば得られる重合体は一層優れた立体規則性を有すること
になるはずである。 （その他） 本発明において液晶への融媒の混合は、完全に溶解させ
なくとも良い。原料モノマーを液晶に溶解する場合も同
様である。 本発明においては液晶材料、原料モノマー、触媒のいず
れについても複数のものを併用しても良い。 尚、同じ液晶物質を用いるにしても、等方性液体状態で
合成するよシ液晶状憇で合成する方が望ましい。その理
由は、等方性液体状態で合成した膜は、液晶状態で合成
したものよシも脆く、精にアセチン／重合体では何らか
の接触によシ膜形状が維持できない可能性があるからで
ある。 〔発明の実施例〕 （実施例１） 窒素芽囲気下で３０Ｑｍｔのガラス容器に、１．２５ｇ
の次式（１）で示されるバナジウムオキシアゼチルアセ
トナートと４０ｍｔの精製）／レニンを加え、１．９ｍ
ｔのトリエチルアルミニウムを攪拌しながら加えて反応
させた。 これと別の３００ｎｌｔのガラス容器に次式（２）で示
される４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシ
ル）−エトキシベンゼント式（３）で示される４−（ト
ランス−４−ｎ−プロピル）−ブトキシベンの青モル混
合物を１０ｍｔ加える。この混合物は０〜３５Ｃの間で
ネマチック液晶相を示す。 この液晶混合物を一７８Ｃでガラス容器を冷却すること
によシ固化させる。これに上述の触媒のトルエン溶液２
．０ｍｔｆｔ窒素雰囲気下で加え、この容器を重合装置
に取シ付けた後、真空ポンプで容器中の窒素を排気する
と同時にトルエンを除去する。次にこの容器を４０Ｃで
加熱し、混合物を等方性液体にすることにより触媒を混
合物に均一に溶解させる。２０Ｃの温度にガラス容器を
保持し、５００ｙｎ＋ｎＨｇの圧力の精製アセチレンガ
スを吹き込んだ。 直ちに液晶表面で重合が起とｖ、ｍ状アセチレン重合体
が生成した１３０分後、未反応のアセチ　：レンガスを
除去し、ガラス容器を重合装置からはずし窒素を導入し
た。窒素雰囲気下で触媒の溶解した液晶混合物を注射器
で除いた後、ｉ　ｏ　ｏｍｚの精製トルエン及び塩酸−
メタノールで各々数回洗浄をくシ返し、真空乾燥を行っ
た。得られた膜状アセチレン重合体を電子顕微鏡で観察
すると、第１図の通シであシ直径０．１μｍ、長さ１０
μｍ以上の大きなフィブリルの果合体であることがわか
った。尚、第１図の顕微鏡写真は倍率２万倍である。 （実施例２） 実施例１と同様の操作方法で触媒の溶解した液晶混合物
を得た。この一部を窒素雰囲気下で注射器でガラス基板
上に付着させ、２０Ｃに保持してアセチレンを導入する
と直ちにガラス基板上で重合体が生成した。更に実施例
１と同様の精製処理を行うとガラス基板と同面積の膜状
アセチレン重合体を倚だ。 この膜状物質を゛電子顕微鏡で観察すると、直径０．１
μＩｎ、長さ１０μｍ以上の大きなフィブリルの集合体
であることがわかった。 （比較例） 実施例１に記載したバナジウムオキシアセチルアセトナ
ートとトリエチルアルミニウムのトルエン溶液２．０　
Ｉｎ　ｔを別のａｏｏｍｚのガラス容器に窒素雰囲気下
で移し、８ｍ　ｌ、の精製トルエンで希釈した。 この容器を重合装置に取り付け、−７８７；で冷却後、
真空ポンプで容器内の窒素を排気する。これにアセチレ
ンを導入すると直ちに溶液表面で重合が起シ、膜状のア
セチレン重合体が精製した。 実施例１と同様の精製処理を行って膜状アセチレン重合
体を得た。この膜状物質を電子顕微鏡で観察すると第２
図の通りであり、直径４００人の短いフィブリルが結ん
だ構造をしていた。尚、第２図の写真の倍率は第１図と
同じく２万倍である。 この比較例に比べ実施例１及び２で得られたアセチレン
重合体は二次電池、太陽電池等への応用に理想的である
。その理由は、表１１ＩＴ積の大きさが電池容量に反映
するからであシ、電気伝導度も向上するからである。ま
だ上記実施例１及び２で得られたアセチレン重合体は、
フィブリルの枝分れが少なくまたフィブリルが長いので
、延伸率の向上が期待される上記実施例１及び２で得ら
れたアセチレン重合体を延伸すれば更に萬い電気伝導度
が得られる。 （実施例３） 実施例１と同様の液晶ｉｏｍ、ａをガラス容器に入れ、
真空ラインに接続して脱気し、更に同化を行った。他方
、トルエン２０ＣＣにテトラｎ−ブトキシチタニウム（
Ｔ　ｉ　（ＯＢｕ　）４　）　３．２ｍｔ及びトリエチ
ルアルミニウム（Ａ　ｔＢ　ｔ　３）　３．８　ｍ　Ａ
を溶かし、窒素雰囲気下で攪拌し熟成した。この触媒溶
ｌ夜を窒素雰囲気下で前記液晶容器中に適量姫加し、真
空ラインに接続して脱気によ、９）ルエンを除去した。 これよシ適量を採取しガラス板上に落とし更に脱気後ア
セチレンガ２を流した。その結果実施例１と同様のｊ摸
状アセチレン重合体が得られた。 （実施例４） バナジウム触媒に代えて０．５　ｍ　ｔの４塩化チタン
（Ｔｉｃｋ４）を用い、他は実施例１と同様にして触媒
含有液晶を調整する。原料モノマーとしてエチレンガス
をこの液晶表面に接触させると重合物（ポリエチレン）
が懸濁物として得られる。これにエタノールを加えて触
媒を分解、シ、更に戸別して水洗し乾燥することによっ
てポリエチレンが得られる。 （実施例５） 実施例１と同様にしてチーグラ触媒含有液晶を調製した
。一方、実施例１の式（２）及び（３）の液晶化合物の
等モル混合物にフェニルアセチレン０．５ｍｌ、を溶解
させる。これを注射器を用いて上述の触媒含有液晶に加
える。２０Ｃ１３０分放置後、これにエタノールを１０
０ｃｃ加えると触媒の分解と同時に黄色の沈殿物が生ず
る。この沈殿物はＩＲスペクトルからフェニルアセチレ
ンの重合９勿であることが判明した。 （実施例６） 実施例５に準じ、原料モノマーとしてフェニルアセチレ
ンの代わりにＮ−（ｐ−メトキシベンジリチン）−ｐ−
アミノフェニルアセチレン０．５ｇを用い、８０Ｃに加
熱して均一に溶解させて原料モノマー含有液晶を得た。 他は実施例５と全く同様にしてポリ−Ｎ−（ｐ−メトキ
シベンジリデン）−ｐ−アミノフェニルアセチレンが得
うれた。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば重合反応過程で液
晶物質を利用して立体規則性のある高分子材料が得られ
るという効果がある。特に得られる高分子拐料は金属の
ように強い構造材料や電気物性の優れた高分子半導体拐
料にも適用が期待される。 図面の１４′Ｉ単な説明 第１図は本発明の一実施例によシ得られたアセチレン１

【合体の顕微鏡写真であシ、第２図は液晶物質を用いず
に合成した比較例に係るアセチレン第）図 第２図 手続補正書（自発） 昭和５番１０１１９ ′４な０′１”庁長信若杉和夫り、、、：小イ！１の表
示 昭和５８年特許廓ｉ第　１２９４０８　号発　明　の　
名　称　配向された高分子材料の重合方法補正をする者 ＝Ｉ＋ｒ’ｌとの関係　’Ｌ’Ｐｉｉ’ｌ出１如人名　
Ｇ＋：　ｔｓＩｏ）体式会（］ｌ」　立　製　ｆ乍　所
代　埋　八 １、特許請求の範囲を次のように訂正する。 ［１，常温、常圧で気体状の原料モノマーを重合触媒に
接触させて重合反応させる高分子材料の重合方法におい
て、 前記重合反応の少なくとも一部を液晶物質と前記気体と
の接触下で行うことを特徴とする配向された高分子材料
の重合方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の配向された高分子材料
の重合方法において、 前記重合触媒は前記液晶物質に混合させることを特徴と
する配向された高分子材料の重合方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の配向され
た高分子材料の重合方法において、 前記気体はエチレン、プロピレン、アセチレン、メチ／
Ｌ／７セチレンから選ばれることを特徴とする配向され
た高分子材料の重合方法。 ４、原料モノマーを重合触媒に接触させて−重合反応さ
せる高分子材料の重合方法において、 前記重合反応の少なくとも一部を液晶物質層の表面で行
うことを特徴とする配向された高分子月料の重合方法。 ５、特許請求の範囲第４項記載の配向された高分子月料
の重合方法において、 前記原料モノマーは常温、常圧で気体状であり、前記液
晶物質層の表面が自由表面であることを特徴とする配向
された高分子材料の重合方法。 ６、原料上ツマ−を重合触媒に接触させて重合反応させ
る高分子材料において、 前記重合触媒はチーグラ・ナツタ触媒であり、 前記重合反応の少なくとも一部を液晶物質と前記原料モ
ノマーとの接触下で行なうことを特徴とする配向された
高分子材料の重合方法。 ７、特許請求の範囲第６頁記載の配向された高分子材料
の重合方法において、 前記重合反応はアニオン重合であることを特徴とする配
向された高分子材料の重合方法。 ８、特許請求の範囲第６頁または第７頁記載の配向され
た高分子材料の重合方法において、 前記原料モノマーは常温、常圧で気体状であり、前記液
晶物質の層と該気体との自由表面にて前記少なくとも一
部の重合反応を行うことを特徴とする配向された高分子
材料の重合方法。 ９、特許請求の範囲第６頁または第７頁記載の配向され
た高分子材料の重合方法において、 前記原料モノマーは常温、常圧で液体状または固体状で
あり、該原料モノマーと前記重合触媒とを各別に液晶物
質に混合させ、しかる後該原料モノマー含有液晶物質と
該重合触媒含有液晶物質とを混合させて前記少なくとも
一部の重合反応を行うことを特徴とする配向された高分
子材料の重合方法。 １０、アセチレンモノマーをチーグラ・ナツタ触媒に接
触させて重合反応させアセチレン重合体を得る方法にお
いて、 前記チーグラ・ナツタ触媒を液晶物質に？＄　ｆＩＩ？
させ、前記重合反応の少なくとも一部を該触媒含有液晶
物質と気体状の前記アセチレンモノマーとの自由表面に
て行うことを特徴とする配向された高分子材料の重合方
法。」 ２、明細計第７頁１２行目Ｆメチル−アセチレン」を「
メチルアセチレン」に訂正し、同頁１６行する。 ｒＮ−（ｐ−メトキシベンジリデン）−ｐ−アミノスチ
レン、Ｎ−（ｐ−メトキシベンジリデン）−Ｐ−アミノ
フェニルアセチレン等が挙げられる。」 ４、明細書第１６頁１８行目［〜ＭＲ，ＪをｒＭＲＴＩ
Ｊに訂正する。 ５、明細書簡１３頁８〜１２行目を次のように訂正する
。 「例えば後述の実施例で得られるアセチレン重合体の場
合、フィブリルは長さ１０μｍ以上、径は約１０００八
以上となり、液晶に代えてトルエンを用いた場合のフィ
ブリルの長さ１μｍ以下、径約２００八よりも大きい。 」 ６、明細書箱１４頁１２〜１７行目を削除する。 ７、明細書第１６頁１７行目ｒｏ、］　」を「約０．１
」とに訂正する。 ８、明細書簡１８頁８行目「二次電池」から１２２行目
重合体は、」までを削除し、同頁】４行目「される上記
」を「される。上記ｊに訂正する。 以上 手続補正書（方式） 昭和７ｒ年／７月ｑ日 ｑ−許庁長止若杉和夫　殿 事件の表ンノぐ 昭１ｊ、１５８年腸許願第　１２９４０８　号発明の名
称 配向された高分子材料の重合方法 補正をする者 串イ′１との関係　腸−ｄｊ朋」１１人名　ゼｉ：　＋
５１ｏ＋株式会（１１」　立　製　イ乍　折代　理　人 明細書の「図面の簡単な説明」の欄。 ３３−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、常温、常圧で気体状の原料モノマーを重合触媒に接
   触させて重合反応させる篩分子材料の重合方法において
   、 前記重合反応の少なくとも一部を液晶！ＩＩ！ＩＪ質と
   前記気体との接触下で行うことを特徴とする配向された
   高分子利料の重合方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の配向された高分子材料
   の重合方法において、 前記重合触媒は前記液晶物質に混合させることを特徴と
   する配向された高分子材料の重合方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の配向され
   た高分子材料の重合方法において、前記気体はエチレン
   、プロピヒン、アセチレン、メチル−アセチレンから選
   ばれることを特徴とする配向された高分子材料の重合方
   法。 ４、原料モノマーを重合触媒に接触させて重合反応させ
   る高分子月料の重合方法において、前記重合反応の少な
   くとも一部を液晶物質層の表面で行うことを特徴とする
   配向された高分子材料の重合方法。 ５、特許請求の範囲第４項記載の配向された高分子材料
   の重合方法において、 前記原料モノマーは常温、常圧で気体状であシ、前記液
   晶物質層の表面が自由表面であることを特徴とする配向
   された高分子材料の重合方法。 ６、原料モノマーを重合触媒に接触させて重合反応させ
   る高分子材料の重合方法において、前記重合触媒はチー
   グラ・ナツメ触媒であシ、前記重合反応の少なくとも一
   部を液晶物質と前記原料モノマーとの接触下で行うこと
   を特徴とする配向された高分子材料の重合方法。 ７、％許請求の範囲第６項記載の配向された高分子材料
   の重合方法において、 前記重合反応はアニオン重合であることを特徴とする配
   向された高分子材料の重合方法。 ８、特許請求の範囲第６項まだは第７項記載の配向され
   た高分子材料の重合方法において、前記原料モノマーは
   常温、常圧で気体状であシ、前記液晶物質の層と該気体
   との自由表面にて前記少なくとも一部の重合反応を行う
   ことを特徴とする配向された高分子材料の重合方法。 ９、％許請求の範囲第６項または第７項記載の配向され
   た高分子材料の重合方法において、前記原料モノマーは
   常温、常圧で液体状または固体状であり、該原料モノマ
   ーと前記重合触媒とを各別に液晶物質に混合させ、しか
   る後核原料モノマー含有液晶物質と該重合触媒含有液晶
   物質とを混合させて前記少なくとも一部の重合反応を行
   うことを特徴とする配向された高分子材料の重合方法。 １０、アセチレンモノマーをチーグラ・ナツタ触媒に接
   触させて重合反応させアセチレン重合体を得る方法にお
   いて、 前記チーグラ・ナツタ触媒を液晶物質に溶解させ、前記
   重合反応の少なくとも一部を該触媒含有液晶物質と気体
   状の前記アセチレンモノマーとの自由表面にて行うこと
   を特徴とする配向された高