JPS60231329A - 乾燥装置 - Google Patents
乾燥装置Info
- Publication number
- JPS60231329A JPS60231329A JP59086318A JP8631884A JPS60231329A JP S60231329 A JPS60231329 A JP S60231329A JP 59086318 A JP59086318 A JP 59086318A JP 8631884 A JP8631884 A JP 8631884A JP S60231329 A JPS60231329 A JP S60231329A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- flow rate
- hydrogen
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E20/00—Combustion technologies with mitigation potential
- Y02E20/34—Indirect CO2mitigation, i.e. by acting on non CO2directly related matters of the process, e.g. pre-heating or heat recovery
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆ＆ｌ 発明の技術分野
本発明は新規な方式の乾燥装置、特に半導体ウェハーな
どを乾燥する乾燥装置に関する。
どを乾燥する乾燥装置に関する。
中） 従来技術と問題点
周知のように、ＩＣ等の半導体装置は半導体ウェハー上
に形成され、ウェハープロセスを経て半導体チップが作
成される。
に形成され、ウェハープロセスを経て半導体チップが作
成される。
このようなウェハープロセスでは、フォトプロセス等に
おける薬品処理、水洗が繰り返えし行なわれ、また熱処
理前の付着物除去のだめの薬品洗浄、水洗が行なわれて
、極めて水洗処理が多い工程である。そのために、これ
らの処理には必ず乾燥が伴なって、ウェハー面を清浄に
乾燥させるため、十分の注意が払われた乾燥方式が採ら
れている。ウェハー面の乾燥は半導体装置の品質１歩留
に密接な係わりのあるものである。
おける薬品処理、水洗が繰り返えし行なわれ、また熱処
理前の付着物除去のだめの薬品洗浄、水洗が行なわれて
、極めて水洗処理が多い工程である。そのために、これ
らの処理には必ず乾燥が伴なって、ウェハー面を清浄に
乾燥させるため、十分の注意が払われた乾燥方式が採ら
れている。ウェハー面の乾燥は半導体装置の品質１歩留
に密接な係わりのあるものである。
このような乾燥法の内、最も汎用されている方法はスピ
ンドライヤによる乾燥方式である。スピンドライヤ乾燥
法は、例えば多数のウェハーを収容したウェハーホルダ
ーをステージ上に載置し、３０００ＲＰ？ｌ程度の高速
で回転して水分を吹き飛ばす方式で、極めて速く乾燥す
る為にウェハー表面にシミができにくい。しかし、取扱
いが繁雑であって、風が起こるためゴミを巻き込み易い
欠点があり、且つ衝撃が強いからウェハーが大形化する
ほど、自重によって破損しやすくなる。
ンドライヤによる乾燥方式である。スピンドライヤ乾燥
法は、例えば多数のウェハーを収容したウェハーホルダ
ーをステージ上に載置し、３０００ＲＰ？ｌ程度の高速
で回転して水分を吹き飛ばす方式で、極めて速く乾燥す
る為にウェハー表面にシミができにくい。しかし、取扱
いが繁雑であって、風が起こるためゴミを巻き込み易い
欠点があり、且つ衝撃が強いからウェハーが大形化する
ほど、自重によって破損しやすくなる。
また、ヒータによって加熱乾燥する方法も用いられ、他
部門でも広く常用されている乾燥法であるが、輻射熱で
乾燥させるために乾燥に７長い時間が掛かる欠点があり
、特にウェハーとホルダーとの接触部分（水滴が溜る部
分）が乾燥し難い。
部門でも広く常用されている乾燥法であるが、輻射熱で
乾燥させるために乾燥に７長い時間が掛かる欠点があり
、特にウェハーとホルダーとの接触部分（水滴が溜る部
分）が乾燥し難い。
その他に、揮発性の有機溶剤、例えばイソプロピルアル
コールなどに浸漬し、引き上げて乾燥する溶剤乾燥法が
用いられており、これは速乾性である。しかし、有機溶
剤は可燃性が多くて引火の危険があり、乾燥後にウェハ
ー面に炭素等の元素が残存する欠点がある。又、純度の
高い高品質の溶剤は高価であって、それを清浄に保管す
る管理体系も難しい問題である。
コールなどに浸漬し、引き上げて乾燥する溶剤乾燥法が
用いられており、これは速乾性である。しかし、有機溶
剤は可燃性が多くて引火の危険があり、乾燥後にウェハ
ー面に炭素等の元素が残存する欠点がある。又、純度の
高い高品質の溶剤は高価であって、それを清浄に保管す
る管理体系も難しい問題である。
ｔｅｌ 発明の目的
本発明は上記のような乾燥法に代わって、ゴミや不純物
の４＝Ｊ着の心配がなく、速乾性でウェハー面を高品位
に保つことができ、而も取扱いが容易で、ウェハー破損
の心配もない利点の多い乾燥装置を提供するものである
。
の４＝Ｊ着の心配がなく、速乾性でウェハー面を高品位
に保つことができ、而も取扱いが容易で、ウェハー破損
の心配もない利点の多い乾燥装置を提供するものである
。
（ｄｌ 発明の構成
その目的は、水素と酸素とを混合し燃焼させて、発生さ
・Ｕた水蒸気を乾燥容器内に送入し、前記乾燥容器内に
おいて試料を乾燥させるようにした乾燥装置によって達
成させることができる。
・Ｕた水蒸気を乾燥容器内に送入し、前記乾燥容器内に
おいて試料を乾燥させるようにした乾燥装置によって達
成させることができる。
（ｅｌ 発明の実施例
さて、水素（ｒ−ｉ２）と酸素（０２）とを混合して燃
焼させると、反応して水（Ｈ，，０）が生成され、この
水は非常に高温度の水蒸気となる。水素の燃焼熱くΔＨ
）は１３．８ ＫＪ／Ｍｏｌ 、水蒸気の定圧比熱（Ｃ
ｐ ）は３３．６ Ｊ ／ ＭｏＬ ”ｃであるから、
その反応によって温度は（熱の逸散を無視する）、−Δ
Ｈ／Ｃｐ ＝ ４１０℃ に昇温する。且つ、このように水蒸気が高温になると、
大気圧下では不飽和であり、これを乾き蒸気と称してい
る。この乾き蒸気を使用すれば、たとえ熱の逸散を考慮
に入れても、２００〜３００℃まで昇温して、ウェハー
を乾燥させることは十分に可能である。
焼させると、反応して水（Ｈ，，０）が生成され、この
水は非常に高温度の水蒸気となる。水素の燃焼熱くΔＨ
）は１３．８ ＫＪ／Ｍｏｌ 、水蒸気の定圧比熱（Ｃ
ｐ ）は３３．６ Ｊ ／ ＭｏＬ ”ｃであるから、
その反応によって温度は（熱の逸散を無視する）、−Δ
Ｈ／Ｃｐ ＝ ４１０℃ に昇温する。且つ、このように水蒸気が高温になると、
大気圧下では不飽和であり、これを乾き蒸気と称してい
る。この乾き蒸気を使用すれば、たとえ熱の逸散を考慮
に入れても、２００〜３００℃まで昇温して、ウェハー
を乾燥させることは十分に可能である。
本発明は、このような原理に基づく乾燥装置であり、以
下に実施例によって詳細に説明する。
下に実施例によって詳細に説明する。
図は一実施例のウェハー乾燥装置の概要断面図を示し、
１は燃焼室、２は乾燥容器、３はウェハーである。燃焼
室ｌ内では水素ガスを流量調節器４を通してインジェク
タ５部分に流入し、酸素ガスは流量調節器６を通して直
接燃焼室】に流入して、インジェクタ５の先端で燃焼さ
せる。一方、窒素（Ｎ２）ガスを流量調節器７を通して
、同様に燃焼室Ｉに流入して、この窒素ガスをキャリア
ガス兼温度調節ガスとする。乾燥容器２内のウェハー３
はホルダー８に保持されており、燃焼室から送り出され
た水蒸気を含む加熱ガスはガス流路９．９′を通じて乾
燥容器２の周囲から容器内に送入され、ウェハーが乾燥
される。
１は燃焼室、２は乾燥容器、３はウェハーである。燃焼
室ｌ内では水素ガスを流量調節器４を通してインジェク
タ５部分に流入し、酸素ガスは流量調節器６を通して直
接燃焼室】に流入して、インジェクタ５の先端で燃焼さ
せる。一方、窒素（Ｎ２）ガスを流量調節器７を通して
、同様に燃焼室Ｉに流入して、この窒素ガスをキャリア
ガス兼温度調節ガスとする。乾燥容器２内のウェハー３
はホルダー８に保持されており、燃焼室から送り出され
た水蒸気を含む加熱ガスはガス流路９．９′を通じて乾
燥容器２の周囲から容器内に送入され、ウェハーが乾燥
される。
且つ、温度センサ１１が乾燥容器２の内に設置されて、
温度調節器ＩＯに接続しており、この温度調節器１０に
よって上記窒素ガス流量調節器７をコン１−ロールする
と共に、水素ガス流量調節器４および酸素ガス流量調節
器６をもコントロールして、乾燥容器内の温度を自動的
に調節する。
温度調節器ＩＯに接続しており、この温度調節器１０に
よって上記窒素ガス流量調節器７をコン１−ロールする
と共に、水素ガス流量調節器４および酸素ガス流量調節
器６をもコントロールして、乾燥容器内の温度を自動的
に調節する。
このような構造とし、石英で製作した乾燥装置を用いて
、水素流路８７！／分、酸素流量４１／分にして、乾燥
容器内の温度を２３０℃とした実施結果では、２５枚の
直径４インチのウェハーを３分で極めて清浄に乾燥させ
ることができた。
、水素流路８７！／分、酸素流量４１／分にして、乾燥
容器内の温度を２３０℃とした実施結果では、２５枚の
直径４インチのウェハーを３分で極めて清浄に乾燥させ
ることができた。
（ｆｌ 発明の効果
本発明による乾燥装置によれば、温度を自動的にコント
ロールできるため、面品位の一定したウェハーかえられ
る利点がある。ウェハーの面品位とは表面上の極めて薄
い酸化生成膜とその品質を意味しており、上記実施例で
は８人前後の酸化膜が不純物を含むことな（、ウェハー
全面に一定膜厚で生成された。また、本発明の装置はス
ピンドライヤ方式に比べて取扱が容易で、自動化工程に
組み込みができる。また、加熱ガスが流入する方式であ
るから、輻射方式のように輻射熱の影ができて、加熱が
不均一になる心配がない。更に、ガスは純度が良いため
不純物やゴミの付着の恐れはない。且つ、これらのガス
はウェハー表面の親和性を良くしてシミの発生がなくな
る。
ロールできるため、面品位の一定したウェハーかえられ
る利点がある。ウェハーの面品位とは表面上の極めて薄
い酸化生成膜とその品質を意味しており、上記実施例で
は８人前後の酸化膜が不純物を含むことな（、ウェハー
全面に一定膜厚で生成された。また、本発明の装置はス
ピンドライヤ方式に比べて取扱が容易で、自動化工程に
組み込みができる。また、加熱ガスが流入する方式であ
るから、輻射方式のように輻射熱の影ができて、加熱が
不均一になる心配がない。更に、ガスは純度が良いため
不純物やゴミの付着の恐れはない。且つ、これらのガス
はウェハー表面の親和性を良くしてシミの発生がなくな
る。
このように、本発明にかかる乾燥装置はウェハーを清浄
乾燥するために、従来の乾燥装置よりも有効なもので、
半導体装置の高品質化に大きく寄与することができる。
乾燥するために、従来の乾燥装置よりも有効なもので、
半導体装置の高品質化に大きく寄与することができる。
図は本発明にかかる乾燥装置の一実施例の概要断面図で
ある。 図中、１は燃焼室、２は乾燥容器、３はウェハー、４は
水素ガス流量調節器、５は水素のインジェクタ、６は酸
素ガス流量調節器、７は窒素ガス流Ｎ調節器、８はウェ
ハーホルダー、９．９′は燃焼ガス流路、１０は温度調
節器、１１は温度センサを示している。
ある。 図中、１は燃焼室、２は乾燥容器、３はウェハー、４は
水素ガス流量調節器、５は水素のインジェクタ、６は酸
素ガス流量調節器、７は窒素ガス流Ｎ調節器、８はウェ
ハーホルダー、９．９′は燃焼ガス流路、１０は温度調
節器、１１は温度センサを示している。
Claims (1)
- 水素と酸素とを混合し燃焼させて、発生させた水蒸気を
乾燥容器内に送入し、前記乾燥容器内において試料を乾
燥させるようにしたことを特徴とする乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086318A JPS60231329A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086318A JPS60231329A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231329A true JPS60231329A (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=13883482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59086318A Pending JPS60231329A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422653A2 (en) * | 1989-10-11 | 1991-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing steam and uses of same |
| KR100434714B1 (ko) * | 1997-04-18 | 2004-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼건조장치 |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP59086318A patent/JPS60231329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422653A2 (en) * | 1989-10-11 | 1991-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing steam and uses of same |
| KR100434714B1 (ko) * | 1997-04-18 | 2004-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼건조장치 |
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