JPS60226161A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS60226161A JPS60226161A JP8437384A JP8437384A JPS60226161A JP S60226161 A JPS60226161 A JP S60226161A JP 8437384 A JP8437384 A JP 8437384A JP 8437384 A JP8437384 A JP 8437384A JP S60226161 A JPS60226161 A JP S60226161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- resistor
- crossover
- type
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路装置にかかり、特にスクイズ
抵抗を形成するだめの一領域を有効に活用したものに関
する。
抵抗を形成するだめの一領域を有効に活用したものに関
する。
従来例の構成とその問題点
第１図は半導体基板上に作られたスクイズ抵抗及びクロ
スオーバの従来例の平面図を示す。図中、１はＰ型の抵
抗体形成用拡散領域、２は抵抗体領域１の一部を覆うよ
うに形成されたＮ型領域、３はコンタクト窓、４，５は
抵抗体領域１の電極配線部、６は内部配線、７はＮ型エ
ピタキシャル層、８はＮ型のクロスオーバ領域、９，１
０はクロスオーバ領域８の配線部である。第１図で内部
配線６とクロスオーバ領域８の配線部９，１ｏを交差さ
せないようにするために内部配線６上のクロスオーバ領
域８を用いることは免れないところである。このような
従来例では、クロスオーバ領域８を半導体基板上に形成
しなければならず、比較的チップ面積が犬きくなるとい
う問題点が存在する。
スオーバの従来例の平面図を示す。図中、１はＰ型の抵
抗体形成用拡散領域、２は抵抗体領域１の一部を覆うよ
うに形成されたＮ型領域、３はコンタクト窓、４，５は
抵抗体領域１の電極配線部、６は内部配線、７はＮ型エ
ピタキシャル層、８はＮ型のクロスオーバ領域、９，１
０はクロスオーバ領域８の配線部である。第１図で内部
配線６とクロスオーバ領域８の配線部９，１ｏを交差さ
せないようにするために内部配線６上のクロスオーバ領
域８を用いることは免れないところである。このような
従来例では、クロスオーバ領域８を半導体基板上に形成
しなければならず、比較的チップ面積が犬きくなるとい
う問題点が存在する。
発明の目的
本発明は、上記の問題点を排除した半導体集積回路装置
を提供するものである。
を提供するものである。
発明の構成
本発明は、−導電型の抵抗領域の一部にこれとは逆導電
型の領域を形成し、前記抵抗領域をスクイズ抵抗前記逆
導電型の領域をクロスオーバ配線体または抵抗体として
用いるだめのそれぞれの配線接続部を設けたことを特徴
とする半導体集積回路装置であり、これにより、クロス
オーバまたは抵抗の領域の形成を省略することができ、
集積度の増加を排除できる。
型の領域を形成し、前記抵抗領域をスクイズ抵抗前記逆
導電型の領域をクロスオーバ配線体または抵抗体として
用いるだめのそれぞれの配線接続部を設けたことを特徴
とする半導体集積回路装置であり、これにより、クロス
オーバまたは抵抗の領域の形成を省略することができ、
集積度の増加を排除できる。
実施例の説明
第２図は本発明の一実施例を平面図で示したものである
。すなわち、この実施例装置は、スクイズ抵抗のＮ型領
域を有効に活用したものであり、第１図と同一機能を有
する個所は同一番号を付して、次に、第２図にもとづい
てこの実施例装置を詳しく説明する。Ｐ型の抵抗体領域
１とこの抵抗体領域１の一部を覆うように形成されたＮ
型領域１１とでスクイズ抵抗を構成すると共に、前記Ｎ
型領域１１にコンタクト窓３を設け、このコンタクト窓
３に電極９．１０を配線することでＮ型領域１１をクロ
スオーバ配線体まだは抵抗体としても用いることができ
る。このように構成するならば、第１図示の従来例での
クロスオーバ領域８を設ける必要はないのでチップ面積
が大きくなるという問題点を排除できる。
。すなわち、この実施例装置は、スクイズ抵抗のＮ型領
域を有効に活用したものであり、第１図と同一機能を有
する個所は同一番号を付して、次に、第２図にもとづい
てこの実施例装置を詳しく説明する。Ｐ型の抵抗体領域
１とこの抵抗体領域１の一部を覆うように形成されたＮ
型領域１１とでスクイズ抵抗を構成すると共に、前記Ｎ
型領域１１にコンタクト窓３を設け、このコンタクト窓
３に電極９．１０を配線することでＮ型領域１１をクロ
スオーバ配線体まだは抵抗体としても用いることができ
る。このように構成するならば、第１図示の従来例での
クロスオーバ領域８を設ける必要はないのでチップ面積
が大きくなるという問題点を排除できる。
なお本発明は、全ての条件下で有効というわけではなく
、クロスオーバ領域の配線部９，１０の電位（以下■Ｎ
と記す）が、抵抗体領域１の電極配線部４，５の電位（
以下■Ｐと記す）よりもトランジスタの順方向電圧■Ｂ
Ｅ （約０．７Ｖ ）低い電圧から前記ｖＰの電圧より
もトランジスタの逆方向降伏電圧■ＥＢ （約７Ｖ）だ
け高い電圧の範囲においてのみ有効である。
、クロスオーバ領域の配線部９，１０の電位（以下■Ｎ
と記す）が、抵抗体領域１の電極配線部４，５の電位（
以下■Ｐと記す）よりもトランジスタの順方向電圧■Ｂ
Ｅ （約０．７Ｖ ）低い電圧から前記ｖＰの電圧より
もトランジスタの逆方向降伏電圧■ＥＢ （約７Ｖ）だ
け高い電圧の範囲においてのみ有効である。
以上のことを式で表わすとｖＮの範囲は次式のようにな
る。
る。
Ｖｐ−ＶＥＥ＜ＶＮ＜ＶＰ＋ＶＥＢ −−・・・（１）
又、本発明は、Ｐ型の抵抗体領域１にこの抵抗体の一部
を覆うように形成されたＮ型領域１１をクロスオーバー
配線体または抵抗体として有効に活用できるもので述べ
だが、Ｎ型の抵抗体に前記抵抗体の一部を覆うように形
成されたＰ型領域をクロスオーバ配線体重たは抵抗体と
して有効に活用するものについても同様である。
又、本発明は、Ｐ型の抵抗体領域１にこの抵抗体の一部
を覆うように形成されたＮ型領域１１をクロスオーバー
配線体または抵抗体として有効に活用できるもので述べ
だが、Ｎ型の抵抗体に前記抵抗体の一部を覆うように形
成されたＰ型領域をクロスオーバ配線体重たは抵抗体と
して有効に活用するものについても同様である。
発明の効果
以上実施例に説明したように本発明の半導体集積回路装
置によれば、スクイズ抵抗を形成するだめの逆導電型の
領域を有効に活用することによシフロスオーバ配線体ま
たは抵抗体として用いることができるように、同逆導電
型の領域の一部に配線接続部を設けたもので、チップ面
積が大きくなるという問題点を排除できる実用的効果は
大きいと言える。
置によれば、スクイズ抵抗を形成するだめの逆導電型の
領域を有効に活用することによシフロスオーバ配線体ま
たは抵抗体として用いることができるように、同逆導電
型の領域の一部に配線接続部を設けたもので、チップ面
積が大きくなるという問題点を排除できる実用的効果は
大きいと言える。
第１図は従来例の平面図、第２図は本発明の一実施例の
平面図である。 １・・・・Ｐ型の抵抗体領域、２・・・・・・Ｎ型領域
、３・・・・・コンタクト窓、４，６・・・・・・電極
配線部、６・・・・・・内部配線、７・・・・・Ｎ型の
エヒリキシ（、／し層、８・・・・・・Ｎ型のクロスオ
ーバ領域、９，１ｏ・・・ 配線接続部、１１・・・・
・・Ｎ型領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
平面図である。 １・・・・Ｐ型の抵抗体領域、２・・・・・・Ｎ型領域
、３・・・・・コンタクト窓、４，６・・・・・・電極
配線部、６・・・・・・内部配線、７・・・・・Ｎ型の
エヒリキシ（、／し層、８・・・・・・Ｎ型のクロスオ
ーバ領域、９，１ｏ・・・ 配線接続部、１１・・・・
・・Ｎ型領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 一導電型の抵抗領域の一部にこれとは逆導電型の領域を
形成し、前記抵抗領域をスクイズ抵抗、前記逆導電型の
領域をクロスオーバ配線体またけ抵抗体として用いるた
めのそれぞれの配線接続部を設けたことを特徴とする半
導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8437384A JPS60226161A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8437384A JPS60226161A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226161A true JPS60226161A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13828727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8437384A Pending JPS60226161A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11034543B2 (en) | 2012-04-24 | 2021-06-15 | Curt G. Joa, Inc. | Apparatus and method for applying parallel flared elastics to disposable products and disposable products containing parallel flared elastics |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812343A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8437384A patent/JPS60226161A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812343A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11034543B2 (en) | 2012-04-24 | 2021-06-15 | Curt G. Joa, Inc. | Apparatus and method for applying parallel flared elastics to disposable products and disposable products containing parallel flared elastics |
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