JPS60225051A - ペロブスカイト型酸化物半導体酸素センサ− - Google Patents
ペロブスカイト型酸化物半導体酸素センサ−Info
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- JPS60225051A JPS60225051A JP8107484A JP8107484A JPS60225051A JP S60225051 A JPS60225051 A JP S60225051A JP 8107484 A JP8107484 A JP 8107484A JP 8107484 A JP8107484 A JP 8107484A JP S60225051 A JPS60225051 A JP S60225051A
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- Japan
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- srtio3
- pellet
- oxygen sensor
- oxide semiconductor
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ＠明の目的
Ｊし［旦ｐ」堕ｉ＋匪
本発明は熱的、化学的に安定で、非化学量論的組成をと
り易いペロプスカイト型酸化吻（ＡＢＯｓ）を用いた半
導体酸素センサーに関するものである。
り易いペロプスカイト型酸化吻（ＡＢＯｓ）を用いた半
導体酸素センサーに関するものである。
従来技術
従来技術としては、例えは第１図に示すようなものがあ
る。すなわち、酸素センサーは機能材料別に、固体電解
質のイオン導電性を利用したものと、酸化物半導体の電
子導電性を利用したものに分類される。固体電解質酸素
センサーの基本構造は第１図に示すように一端を封じた
よし 円筒製の安定化ジルコニア（Ｃａ０１０〜１５％もしく
はＹｚＯｓ６〜８モルチを混合）焼結体の内外面に多孔
質白金電極を付けたものである。外側！極は多孔性セラ
ミックスでコーティングされておシ、被測定物（排気系
）に接し、一方、内側電極は通常大気と接している。こ
れは一種のｌ！素濃淡電池で、電池構成としては大気／
多孔質白金電極／安定化ノルコニア固体鑞解質／多孔質
白金電極／排気系になりている。
る。すなわち、酸素センサーは機能材料別に、固体電解
質のイオン導電性を利用したものと、酸化物半導体の電
子導電性を利用したものに分類される。固体電解質酸素
センサーの基本構造は第１図に示すように一端を封じた
よし 円筒製の安定化ジルコニア（Ｃａ０１０〜１５％もしく
はＹｚＯｓ６〜８モルチを混合）焼結体の内外面に多孔
質白金電極を付けたものである。外側！極は多孔性セラ
ミックスでコーティングされておシ、被測定物（排気系
）に接し、一方、内側電極は通常大気と接している。こ
れは一種のｌ！素濃淡電池で、電池構成としては大気／
多孔質白金電極／安定化ノルコニア固体鑞解質／多孔質
白金電極／排気系になりている。
平衝状態では、Ｎ＠ｒｎｓｔの式
で表わされる起電力が発生する。
ただし式中Ｅ：起電力（１ｒＬｖ）、Ｆニア７うｒ一定
数、Ｒ：気体定数、Ｔ：絶対温度（Ｋ）、Ｐ’Ｏ！ ：
照合ガス（大気）中の酸素分圧 Ｐ／１０． ：被測定
物中の酸素分圧である。
数、Ｒ：気体定数、Ｔ：絶対温度（Ｋ）、Ｐ’Ｏ！ ：
照合ガス（大気）中の酸素分圧 Ｐ／１０． ：被測定
物中の酸素分圧である。
平衡状態においては、排気系のｉ１２素分圧と空燃比と
の関係は第２図および第３図に示すようである。図から
明らかなように、センサーの起電力は理論空燃比近傍で
急変している。それ故理論空燃比の検出にはこの起電力
急変特性が利用されている。
の関係は第２図および第３図に示すようである。図から
明らかなように、センサーの起電力は理論空燃比近傍で
急変している。それ故理論空燃比の検出にはこの起電力
急変特性が利用されている。
又酸化物半導体センサーＦ′ｉ酸化物半導体自体の酸化
、還元による抵抗変化を利用したものであシ、ｎｍ半導
体としてＴｉＯｘ 、ＮｂｘＯｓ ＊ Ｓｎｏｗ、Ｃ・
０８、Ｐ型半導体としてＣｏｏ、Ｃｏ１ｆｉｘＯ（ｘ’
：）０．５）が提案されている。ｎ型半導体は理論空燃
比検出用であるのに対してＰ型半導体はリーン（酸化状
態）用空燃比センサーとして提案されている。一般に酸
化物半導体の抵抗は平衝状−Ｅ／ＫＴｍ’ 態で式Ｒｏｃ ＠ Ｐ （ｈ で示すようにＰＯ２に依
存している。ここでｍ′はｎｍ半導体の場合は正、Ｐ型
半導体の場合は負の値をとる。さらに、酸素分圧の変化
に対応して生ずる格子欠陥の生成メカニズムによってｍ
′の値は様々に変化する。
、還元による抵抗変化を利用したものであシ、ｎｍ半導
体としてＴｉＯｘ 、ＮｂｘＯｓ ＊ Ｓｎｏｗ、Ｃ・
０８、Ｐ型半導体としてＣｏｏ、Ｃｏ１ｆｉｘＯ（ｘ’
：）０．５）が提案されている。ｎ型半導体は理論空燃
比検出用であるのに対してＰ型半導体はリーン（酸化状
態）用空燃比センサーとして提案されている。一般に酸
化物半導体の抵抗は平衝状−Ｅ／ＫＴｍ’ 態で式Ｒｏｃ ＠ Ｐ （ｈ で示すようにＰＯ２に依
存している。ここでｍ′はｎｍ半導体の場合は正、Ｐ型
半導体の場合は負の値をとる。さらに、酸素分圧の変化
に対応して生ずる格子欠陥の生成メカニズムによってｍ
′の値は様々に変化する。
しかしながら、このような従来の公知技術にあっては、
固体電解質の安定化ジルニアセンサーにおいては第１図
に示すように主原料であるｚｒｏ、と Ｙ２Ｏ２もしく
はＣａＯと混合、成型後１３００〜１４００℃で仮焼す
ることによりＹＺ ａｓもしくはＣＩＬＯをＺｒＯｘに
固溶する。次に仮焼物を粉砕し、粉体を加圧成形し、１
６００ないし１７５０℃で焼成する。焼成した固体電解
質はその内外面を洗浄し、触媒活性のある白金電極を付
着させる。外側電極の上は、排ガス中の被毒物質からの
電極の保護、応答性の改良のためＭ、Ｏ，、ＭｐＯＡＩ
ＢＯｓなどの多孔質酸化被膜（ｌＩＪｌａｘｏμｍ）で
覆い、さらに素子カバーで保護しである。この多孔質酸
化被膜内の拡散がガスのｓｕｍによって異常電位を発生
する原因の一つとなっている。従ってガス流速、境膜拡
散係数、保噛膜の厚さなどによって電位が影響をうける
。さらに発生する酸素分圧によシ両極間に発生する電位
差は最大の場合でもｌメルト以下となっていたため次の
ような欠点や問題があった。
固体電解質の安定化ジルニアセンサーにおいては第１図
に示すように主原料であるｚｒｏ、と Ｙ２Ｏ２もしく
はＣａＯと混合、成型後１３００〜１４００℃で仮焼す
ることによりＹＺ ａｓもしくはＣＩＬＯをＺｒＯｘに
固溶する。次に仮焼物を粉砕し、粉体を加圧成形し、１
６００ないし１７５０℃で焼成する。焼成した固体電解
質はその内外面を洗浄し、触媒活性のある白金電極を付
着させる。外側電極の上は、排ガス中の被毒物質からの
電極の保護、応答性の改良のためＭ、Ｏ，、ＭｐＯＡＩ
ＢＯｓなどの多孔質酸化被膜（ｌＩＪｌａｘｏμｍ）で
覆い、さらに素子カバーで保護しである。この多孔質酸
化被膜内の拡散がガスのｓｕｍによって異常電位を発生
する原因の一つとなっている。従ってガス流速、境膜拡
散係数、保噛膜の厚さなどによって電位が影響をうける
。さらに発生する酸素分圧によシ両極間に発生する電位
差は最大の場合でもｌメルト以下となっていたため次の
ような欠点や問題があった。
（１）固体電解質の内外面に白金電極を付着させ、さら
に多孔質酸化被膜で覆い、内外面の気密を完全にしなけ
ればならない点等において構造が複雑になっている。
に多孔質酸化被膜で覆い、内外面の気密を完全にしなけ
ればならない点等において構造が複雑になっている。
（２）上記第１項に示すような構成にするため形状が大
きくなる。
きくなる。
（３）発生する電位がｌメルト以下と小さいため検出回
路にはｎ１１度のよい増幅回路を必要とする。
路にはｎ１１度のよい増幅回路を必要とする。
又、酸化物半導体を用いた従来の公知技術にあっては固
体電解質型のセンサーと異なり、直径数關の多孔質焼結
体ペレットに２本の白金電極を埋め込んだ簡単な構造で
、かつ小型で安価な酸素センサーである。酸化物半導体
の導電率σは平衝状態で酸素分圧に依存しσＤＣ愉−ｇ
／ＫＴＰ０１１／ｆｎの関係式に従う。
体電解質型のセンサーと異なり、直径数關の多孔質焼結
体ペレットに２本の白金電極を埋め込んだ簡単な構造で
、かつ小型で安価な酸素センサーである。酸化物半導体
の導電率σは平衝状態で酸素分圧に依存しσＤＣ愉−ｇ
／ＫＴＰ０１１／ｆｎの関係式に従う。
ただし式中Ｅ：活性化エネルギー、Ｋ：メルツマン定数
、Ｔ：絶対温度である。ｎ型半導体のＴｉＯｘではｍは
およそ−４であシ、第４図に示すようにσは理論空燃比
で急激に変化しておシ、ＮｂｘＯ，ではｐｔ触媒を担持
した場合と担持しない場合のλ、特性は第５図に示すよ
うに、触媒を用いないとλ＝１ではσは急変しない。
、Ｔ：絶対温度である。ｎ型半導体のＴｉＯｘではｍは
およそ−４であシ、第４図に示すようにσは理論空燃比
で急激に変化しておシ、ＮｂｘＯ，ではｐｔ触媒を担持
した場合と担持しない場合のλ、特性は第５図に示すよ
うに、触媒を用いないとλ＝１ではσは急変しない。
そのため次のような欠点や問題点があった。
（１）ｎ型半導体は広い空燃比領域での制御には適しな
い。
い。
（２）触媒を用いないとλ−１付近でのσを急変できな
い。
い。
（３）還元性ガスの共存によシ酸化物半導体材料が還元
されやすく特性変化を起し易い。
されやすく特性変化を起し易い。
問題点を解決するための手段、作用、
実施例１゜
第６図（１）Ｋ示すようなペロプスカイト４１１ｔＡｓ
ｏ。
ｏ。
を有し、酸化物半導性を示す材料を次のように調整する
。５ｒＴｉＯｓの調ｆｉＫついては、５ｒＣＯｓおよび
ＴｉＣｋの特級試薬を用い、１００〜１５０℃で充分乾
燥させ、化学量論的組成に基づいて秤量し、混合粉砕を
おこない１０００〜１２００℃、２〜３ ｈｙｍ仮焼成
し、５ｒＴｉＯｓを得た。これをメノウ乳鉢で十分粉砕
した後、６０〜１２０ ｋｇ／ａｄで加圧成型し、径約
１０１ｍ、厚さ１〜２ ｍ１ｌＨのペレットにし、ｌＯ
℃／分の速度で昇温し、１０００℃ないし１２００℃で
３〜６ｈｒｌ保持し、１０℃／分の速度で降温し、焼結
させた。さらに第６図（ｂ）に示すようにｐｔペースト
をイレット上に焼きつけ′成極を形成し、Ｐｔ又はＡｕ
線をリード線としてＪ１２シ出す。
。５ｒＴｉＯｓの調ｆｉＫついては、５ｒＣＯｓおよび
ＴｉＣｋの特級試薬を用い、１００〜１５０℃で充分乾
燥させ、化学量論的組成に基づいて秤量し、混合粉砕を
おこない１０００〜１２００℃、２〜３ ｈｙｍ仮焼成
し、５ｒＴｉＯｓを得た。これをメノウ乳鉢で十分粉砕
した後、６０〜１２０ ｋｇ／ａｄで加圧成型し、径約
１０１ｍ、厚さ１〜２ ｍ１ｌＨのペレットにし、ｌＯ
℃／分の速度で昇温し、１０００℃ないし１２００℃で
３〜６ｈｒｌ保持し、１０℃／分の速度で降温し、焼結
させた。さらに第６図（ｂ）に示すようにｐｔペースト
をイレット上に焼きつけ′成極を形成し、Ｐｔ又はＡｕ
線をリード線としてＪ１２シ出す。
又、Ｓ ｒＴ ｉ ＯｓにおいてＳｒをＮａで原子価制
御した”Ｏ，ｇｇｙ Ｎａ。、、６．Ｔｉｅｓを無水Ｎ
ａｌＣ０ｍを用μて５ｒＴ１０３と同等な＃法で調整し
た。
御した”Ｏ，ｇｇｙ Ｎａ。、、６．Ｔｉｅｓを無水Ｎ
ａｌＣ０ｍを用μて５ｒＴ１０３と同等な＃法で調整し
た。
次に作用を説明する。
電導度（抵抗）と酸素分圧との依存性は第７図ないし第
９図に示すように酸素分圧の変化に対して電導度（抵抗
）の変化が大きく表われておシ、８ｒＴｉＯ，における
−ＯＣｐ Ｑ ｘ Ｉｌｌの関係よ請求められるｍ値は
４８１℃において１２００℃焼結のものはｍ ＝ ３．
８３である。
９図に示すように酸素分圧の変化に対して電導度（抵抗
）の変化が大きく表われておシ、８ｒＴｉＯ，における
−ＯＣｐ Ｑ ｘ Ｉｌｌの関係よ請求められるｍ値は
４８１℃において１２００℃焼結のものはｍ ＝ ３．
８３である。
次の第１表に示すように、５ｒＴｉＱ１において焼結温
度、測定温度を変えてｍ筺を測定した工 （ｍ：σｏｃｐｏｚｍ）ｅ測定ｍ度５００℃以上ではｍ
は４〜５であった。第７図にはσとＰ（ｈとの関係（Ｉ
１００Ｃ焼結）を示した。
度、測定温度を変えてｍ筺を測定した工 （ｍ：σｏｃｐｏｚｍ）ｅ測定ｍ度５００℃以上ではｍ
は４〜５であった。第７図にはσとＰ（ｈとの関係（Ｉ
１００Ｃ焼結）を示した。
又、第８図および第９図にはＳ’０．９９７”０．００
３ＴｉＯ富（１２００℃にて焼成）の抵抗（呻−ＰＯ！
およびＲ−ＰＯ翼−一空燃比（Ａ／Ｆ）の関係を示す。
３ＴｉＯ富（１２００℃にて焼成）の抵抗（呻−ＰＯ！
およびＲ−ＰＯ翼−一空燃比（Ａ／Ｆ）の関係を示す。
この場合ＲＱＣｐ Ｏ！ ｍの関係よ請求められるｍ′
の値は１２００℃焼成（６８３℃にて測定）の場合ｍ’
＝０．２２３．１１００℃焼成（６８３℃にて測定）の
場合ｍ’ ｔ＝ ０．２３が得られた。これを前出のｍ
に換算するとｍ中４．３とな夛、５ｒＴｉＯ１の場合と
はヌ同等な値を示す。さらに、第９図よりＲ−Ａ／Ｆの
関係に示すように理論空燃比付近においてＲが大きく変
化することが確認された。
の値は１２００℃焼成（６８３℃にて測定）の場合ｍ’
＝０．２２３．１１００℃焼成（６８３℃にて測定）の
場合ｍ’ ｔ＝ ０．２３が得られた。これを前出のｍ
に換算するとｍ中４．３とな夛、５ｒＴｉＯ１の場合と
はヌ同等な値を示す。さらに、第９図よりＲ−Ａ／Ｆの
関係に示すように理論空燃比付近においてＲが大きく変
化することが確認された。
実施例２゜
Ｃａ＠、１ Ｎ ＆＠、 Ｉ ５ｎＯｓおよびＣａＯ０
９９７Ｎ’（ＬＯＯ３Ｔｉｅｓについても実施例１と同
様に原子価制御を実施してベロゲスカイト型のｐｍ半導
体の空燃比制御センサーを作成した。
９９７Ｎ’（ＬＯＯ３Ｔｉｅｓについても実施例１と同
様に原子価制御を実施してベロゲスカイト型のｐｍ半導
体の空燃比制御センサーを作成した。
これらのセンサーの作用を次に説明する。
第１Ｏ図および第１１図にＲ−Ｐｏｔ の関係を示した
。ＲＯＣＰ（ｈｍｆ）関係からｍ′をめるとｃａｏ、？
Ｎａ（１，ｌ５ｎＯｉ （１１００℃で焼結）の場合
ｍ′は０．１７であった。又ＣａＯ０９９７Ｎ畠０．
ｇ（＋３ＴＩＯ３（１１００℃で焼結）の場合ｍ′は０
．２２であった。いずれも前出のベロゲスカイト型に近
い特性をもつことが確認された。
。ＲＯＣＰ（ｈｍｆ）関係からｍ′をめるとｃａｏ、？
Ｎａ（１，ｌ５ｎＯｉ （１１００℃で焼結）の場合
ｍ′は０．１７であった。又ＣａＯ０９９７Ｎ畠０．
ｇ（＋３ＴＩＯ３（１１００℃で焼結）の場合ｍ′は０
．２２であった。いずれも前出のベロゲスカイト型に近
い特性をもつことが確認された。
ハ発明の効果
以上に説明したように本発明によれば次のような効果が
得られる。
得られる。
（１） −２０ゲスカイト型酸化物をペレット状に加圧
、成型、焼結、電極付けをすることによってセンサーが
得られるため構造が簡単で小型化が可能である。
、成型、焼結、電極付けをすることによってセンサーが
得られるため構造が簡単で小型化が可能である。
（２）理論空燃比付近で連成性（抵抗）が大きく変化す
るため検出回路が簡単になる。
るため検出回路が簡単になる。
（３）Ｐ型半導性を有し、リーンなＡ／Ｆ比の制御にも
電導度も高く適している。
電導度も高く適している。
（４）イロプスカイト材料自身が触媒活性を有するため
触媒を添加しなくてもλが１付近でσを急変可能にした
。
触媒を添加しなくてもλが１付近でσを急変可能にした
。
（５） これらのベロゲスカイトａは構造的に安定であ
るため、理論空燃比よシリッチなＡ／Ｆ比において還元
作用をうけない。
るため、理論空燃比よシリッチなＡ／Ｆ比において還元
作用をうけない。
第１図は安定化ジルコニア１１１［’素センサーの構造
を示す図である。第２図は排気の平衡酸素分圧と空燃比
との関係を示す図である。第３図はジルコニアセンサー
の応答特性を示す図で、実線は計算値を表わし、’％
ｂの両曲線はそれぞれ７２５℃、７１Ｏ℃における実測
値である。 Ｍ４図はＴｉ０Ｊ！素センサーの特性を示す図で、実線
は理論計算よ請求めた。またＯ印は７００℃における実
測値である。第５図はＮｂ、 Ｏ，酸素センサーの特性
を示す図である。 第６図（ａ） Ｆｉペロプスカイ）Ｗ構造を示す図、第
６図（ｂ）はペロゲスカイト型酸素センサーの構造を示
す図である。第７図は５ｒＴｉＯｓ （１１００℃焼結
）の導電率−酸素分圧特性を示す図である。 第８図はｓｒｏ、９９７ＮａＯ，００Ｂ’ｒｔｏ３ （
１２００℃焼結）の抵抗−＠素分圧特性を示す図（６８
２℃測定）である。第９図は５ｒ（１，６ｇ７Ｎａ□、
０（１３ＴｉＯｓ （１２００℃焼結）の抵抗−は素分
圧−空燃比特性を示す図（６８３℃測定）である。 第１θ図はＣａｇ、ｇ Ｎａ□、ｌ５ｎＯｓ （１１０
０℃焼結）の抵抗−ｇ１！素分圧４１ｆ’性（７７７℃
測定）を示す図である。 ８１１図はＣｍ６．６ｇ７Ｎｇ６，６ｏ３ＴｉＯｓ （
１１００℃焼結）の抵抗−酸素分圧特性を示す図（６８
３℃測定）である。 第１図において １・・・安定化ジルコニア、２・・・多孔質セラミック
層、３ａ、３ｂ・・・多孔質白金電極。 第６図（ｂ）において １・・・ペロプスカイト（５ｒＴｉＯｓ 、 ８ｒ６．
９９７”０．００３ｒｔｏ＊）焼結体、２・・・白金電
極、３・・・リード線令代理人 三宅正夫他１名 第３図 ９Ｐ耘ヒ 第 ５ 図 ０１２３ ０１２３ ０２／Ｃ０ 空燃比 しｏｇ Ｐｏ２（Ｐａ） しｏｇ Ｐｏ２ （Ｐａ）
を示す図である。第２図は排気の平衡酸素分圧と空燃比
との関係を示す図である。第３図はジルコニアセンサー
の応答特性を示す図で、実線は計算値を表わし、’％
ｂの両曲線はそれぞれ７２５℃、７１Ｏ℃における実測
値である。 Ｍ４図はＴｉ０Ｊ！素センサーの特性を示す図で、実線
は理論計算よ請求めた。またＯ印は７００℃における実
測値である。第５図はＮｂ、 Ｏ，酸素センサーの特性
を示す図である。 第６図（ａ） Ｆｉペロプスカイ）Ｗ構造を示す図、第
６図（ｂ）はペロゲスカイト型酸素センサーの構造を示
す図である。第７図は５ｒＴｉＯｓ （１１００℃焼結
）の導電率−酸素分圧特性を示す図である。 第８図はｓｒｏ、９９７ＮａＯ，００Ｂ’ｒｔｏ３ （
１２００℃焼結）の抵抗−＠素分圧特性を示す図（６８
２℃測定）である。第９図は５ｒ（１，６ｇ７Ｎａ□、
０（１３ＴｉＯｓ （１２００℃焼結）の抵抗−は素分
圧−空燃比特性を示す図（６８３℃測定）である。 第１θ図はＣａｇ、ｇ Ｎａ□、ｌ５ｎＯｓ （１１０
０℃焼結）の抵抗−ｇ１！素分圧４１ｆ’性（７７７℃
測定）を示す図である。 ８１１図はＣｍ６．６ｇ７Ｎｇ６，６ｏ３ＴｉＯｓ （
１１００℃焼結）の抵抗−酸素分圧特性を示す図（６８
３℃測定）である。 第１図において １・・・安定化ジルコニア、２・・・多孔質セラミック
層、３ａ、３ｂ・・・多孔質白金電極。 第６図（ｂ）において １・・・ペロプスカイト（５ｒＴｉＯｓ 、 ８ｒ６．
９９７”０．００３ｒｔｏ＊）焼結体、２・・・白金電
極、３・・・リード線令代理人 三宅正夫他１名 第３図 ９Ｐ耘ヒ 第 ５ 図 ０１２３ ０１２３ ０２／Ｃ０ 空燃比 しｏｇ Ｐｏ２（Ｐａ） しｏｇ Ｐｏ２ （Ｐａ）
Claims (2)
- （１）ＡＢＯｓｌｌｌ造を有するベロゲスカイト屋酸化
吻半導体において、５ｒＴｉＯ１、または８ｒＴ１０ｇ
のＳｒをＮｕの典型元素で原子価１１１Ｊ御した５ｒＸ
Ｎ１□−、Ｔ１０１（但し！＞０．９）を用いることｔ
−特徴とするｌｔ素センサー。 - （２）ＡＢＯｓ構造を有するペロプスカイトＷ酸化切半
導体において、Ｃａ１ｎ’ｓ ｉ ７’Ｃは（：ａＴｌ
ｏｓのＣ（をＮ（Ｌ の典型元素で原子価制御したＣａ
ＸＮａ １．−ｘ８ｎＯｓまたはＣａｘＮａ １−ｘＴ
ｆ Ｏｓ （但しＸ）０．９）を用い九ことを特徴と
する酸素センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8107484A JPS60225051A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | ペロブスカイト型酸化物半導体酸素センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8107484A JPS60225051A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | ペロブスカイト型酸化物半導体酸素センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225051A true JPS60225051A (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=13736237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8107484A Pending JPS60225051A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | ペロブスカイト型酸化物半導体酸素センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225051A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795537A (en) * | 1995-08-09 | 1998-08-18 | Nara Machinery Co., Ltd. | Method of producing composite oxide ceramics |
-
1984
- 1984-04-24 JP JP8107484A patent/JPS60225051A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795537A (en) * | 1995-08-09 | 1998-08-18 | Nara Machinery Co., Ltd. | Method of producing composite oxide ceramics |
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