JPS60217664A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60217664A JPS60217664A JP7346084A JP7346084A JPS60217664A JP S60217664 A JPS60217664 A JP S60217664A JP 7346084 A JP7346084 A JP 7346084A JP 7346084 A JP7346084 A JP 7346084A JP S60217664 A JPS60217664 A JP S60217664A
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- JP
- Japan
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- epitaxial growth
- growth layer
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- Pending
Links
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、エピタキシャルプレーナ型半導体装置、特に
、その高耐圧化を実現するだめの構造に関する。
、その高耐圧化を実現するだめの構造に関する。
従来例の構成とその問題点
従来のエピタキシャル・プレーナ型半導体装置、特に高
い動作電圧を有するトランジ７りでは、第１図の要部断
面構造図で示されるように、基板表面と、金属配線電極
による寄生のＭＯＳ）ランシスターを防ぐために、表面
に高濃度の不純物領域を形成している。なお、第１図で
、１１／ｉＮ型エミツタ領域、２はＰ型ベース領域、３
はＮ型コレクタ領域、４はＮ型埋め込みコレクタ領域、
６はｐ型分離領域、６はＰ型基板、７けＮ型高濃度不純
物領域、８／／′ｉ工ピタキシヤル層、９はエミッタ電
極、１０はベース電極、１１はコレクタ電極である。こ
の構造のトランジスタは、ＮＰＮで、コレクタ領域をな
すＨ型エピタキシャル層８の表面部にＮ型高濃度不純物
領域７を形成したものである。
い動作電圧を有するトランジ７りでは、第１図の要部断
面構造図で示されるように、基板表面と、金属配線電極
による寄生のＭＯＳ）ランシスターを防ぐために、表面
に高濃度の不純物領域を形成している。なお、第１図で
、１１／ｉＮ型エミツタ領域、２はＰ型ベース領域、３
はＮ型コレクタ領域、４はＮ型埋め込みコレクタ領域、
６はｐ型分離領域、６はＰ型基板、７けＮ型高濃度不純
物領域、８／／′ｉ工ピタキシヤル層、９はエミッタ電
極、１０はベース電極、１１はコレクタ電極である。こ
の構造のトランジスタは、ＮＰＮで、コレクタ領域をな
すＨ型エピタキシャル層８の表面部にＮ型高濃度不純物
領域７を形成したものである。
ところが、この高濃度不純物領域７は、通常、浅く形成
しているため、基板表面での寄生ＭＯ８トランジスター
効果を防ぐことは可能であるが、その高濃度不純物領域
７の下部に、低濃度の不純物領域であるエピタキシャル
層８があるために、高電圧を印加したときに、１ｆＰＮ
）ランシスターの場合は、空乏層が広がることによる
リーチスルーのため耐圧劣化が起こり、また、縦型ＰＮ
Ｐ ）ランシスターの場合は、寄生のバイポーラトラン
ジメタ−が動作し、トランジスター特性の劣化、ヒｔ、
−、−ｒハ、トランジスターの破壊を起こす。
しているため、基板表面での寄生ＭＯ８トランジスター
効果を防ぐことは可能であるが、その高濃度不純物領域
７の下部に、低濃度の不純物領域であるエピタキシャル
層８があるために、高電圧を印加したときに、１ｆＰＮ
）ランシスターの場合は、空乏層が広がることによる
リーチスルーのため耐圧劣化が起こり、また、縦型ＰＮ
Ｐ ）ランシスターの場合は、寄生のバイポーラトラン
ジメタ−が動作し、トランジスター特性の劣化、ヒｔ、
−、−ｒハ、トランジスターの破壊を起こす。
しだがって、リーチスルーを防ぐためと、また、寄生の
バイポーラトランジスターのｈＦＩを下げるために、高
濃度のＨ型不純物領域をＮＰＮトランジスターのベース
領域の胸囲に、まだ、縦型ＰＮＰトランジスターの場合
は、コレクター領域の周囲に、基板表面から、埋め込み
の高濃度Ｎ型不純物領域に到達するまで形成する必要が
ある。
バイポーラトランジスターのｈＦＩを下げるために、高
濃度のＨ型不純物領域をＮＰＮトランジスターのベース
領域の胸囲に、まだ、縦型ＰＮＰトランジスターの場合
は、コレクター領域の周囲に、基板表面から、埋め込み
の高濃度Ｎ型不純物領域に到達するまで形成する必要が
ある。
発明の目的
本発明は上述の問題点の解消をはかるもので、高耐圧構
造のエピタキシャル、プレーナ型半導体装置を提供する
ものである。
造のエピタキシャル、プレーナ型半導体装置を提供する
ものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、−導電型のエピタキシャル成長
層の表面か呟同エピタキシャル成長層底部および反対導
電型基板内に埋め込まれた高濃度不純物領域まで、到達
する一導電型の高濃度不純物領域を前記エピタキシャル
成長層内に形成された反対導電型の不純物領域の周囲を
囲んで形成したものであり、これにより、空乏層の広が
りによるリーチスルー、まだ、寄生のバイポーラトラン
ジスターの動作を抑制し、高耐圧特性が得られる。
層の表面か呟同エピタキシャル成長層底部および反対導
電型基板内に埋め込まれた高濃度不純物領域まで、到達
する一導電型の高濃度不純物領域を前記エピタキシャル
成長層内に形成された反対導電型の不純物領域の周囲を
囲んで形成したものであり、これにより、空乏層の広が
りによるリーチスルー、まだ、寄生のバイポーラトラン
ジスターの動作を抑制し、高耐圧特性が得られる。
実施例の説明
第２図は本発明の一実施例装置の要部断面図である。こ
の装置では、Ｐ型ベース領域２を囲んでＨ型エピタキシ
ャル成長層８内にＮ型高濃度領域１２を底部高濃度領域
４に到達する深さに形成したものであり、他の構成部分
は第１図の装置と同じである。
の装置では、Ｐ型ベース領域２を囲んでＨ型エピタキシ
ャル成長層８内にＮ型高濃度領域１２を底部高濃度領域
４に到達する深さに形成したものであり、他の構成部分
は第１図の装置と同じである。
また、第３図は、本発明の他の実施例装置であり、第１
図、第２図の各装置にくらべて、Ｐ型エミッタ領域１３
、Ｈ型ベース取り出し電極領域１４、Ｐ型コレクタ領域
１６、Ｐ型埋め込みコレクタ領域１６、Ｎ型ベース領域
１７、およびエミッタ電極１８、ベース電極１９、コレ
クタ電極２０を付加的に有する構造である。
図、第２図の各装置にくらべて、Ｐ型エミッタ領域１３
、Ｈ型ベース取り出し電極領域１４、Ｐ型コレクタ領域
１６、Ｐ型埋め込みコレクタ領域１６、Ｎ型ベース領域
１７、およびエミッタ電極１８、ベース電極１９、コレ
クタ電極２０を付加的に有する構造である。
第２図および第３図の各実施例装置は、第１図示の従来
例装置にくらべると、先にも述べたように、内側の能動
領域２あるいは同１６と外側の分離領域６との間に、そ
の領域の周囲を囲んで、Ｎ型エピタキシャル成長層８の
表面から、同エピタキシャル成長層底部およびＰ型基板
６内に埋め込まれたＮ型高濃度不純物領域４まで到達す
るように、Ｎ型の高濃度領域１２を設けたものである。
例装置にくらべると、先にも述べたように、内側の能動
領域２あるいは同１６と外側の分離領域６との間に、そ
の領域の周囲を囲んで、Ｎ型エピタキシャル成長層８の
表面から、同エピタキシャル成長層底部およびＰ型基板
６内に埋め込まれたＮ型高濃度不純物領域４まで到達す
るように、Ｎ型の高濃度領域１２を設けたものである。
この高濃度不純物領域１２を設けたことによって、第２
図のＮＰＮ ）ランジスタの場合、ベース領域２と分離
領域６との間でリーチスルーによる耐圧劣化を防ぎ、ま
た、第３図の縦型ＰＮＰトランジスターの場合、コレク
ター領域１５と分離領域６との間の形成される寄生バイ
ポーラトランジスタのｈＦＩＩを低下させ、まだ、リー
チスルーによる耐圧劣化を防ぐ。この結果、エピタキシ
ャル成長層８の不純物濃度に依存して、空乏層の広がり
の大きさが異り、リーチスルー電圧が変動すること、あ
るいけ、寄生バイポーラトランジスターによるラッチア
ップ等による特性劣化を考慮することなく、デバイス設
計９圓路設計が可能となる。
図のＮＰＮ ）ランジスタの場合、ベース領域２と分離
領域６との間でリーチスルーによる耐圧劣化を防ぎ、ま
た、第３図の縦型ＰＮＰトランジスターの場合、コレク
ター領域１５と分離領域６との間の形成される寄生バイ
ポーラトランジスタのｈＦＩＩを低下させ、まだ、リー
チスルーによる耐圧劣化を防ぐ。この結果、エピタキシ
ャル成長層８の不純物濃度に依存して、空乏層の広がり
の大きさが異り、リーチスルー電圧が変動すること、あ
るいけ、寄生バイポーラトランジスターによるラッチア
ップ等による特性劣化を考慮することなく、デバイス設
計９圓路設計が可能となる。
発明の効果
本発明によれば、リーチスルー、あるいは寄生バイポー
ラトランジスタを排除し、高耐圧の半導体装置が実現さ
れ、また、エピタキシャル層の不純物濃度のバラツキに
よるリーチスル電圧の変動。
ラトランジスタを排除し、高耐圧の半導体装置が実現さ
れ、また、エピタキシャル層の不純物濃度のバラツキに
よるリーチスル電圧の変動。
寄生バイポーラトランジスタのｈ□の変動全排除するこ
とができ、製品の歩留向上１品質の安定化がはかられる
。
とができ、製品の歩留向上１品質の安定化がはかられる
。
第１図は従来例装置の要部断面図、第２図、第３図は本
発明の各実施例装置の要部断面図である。 ４・・・・Ｎｍ埋め込みコレクタ領域、６・・・・・・
Ｐ型分離領域、６・・・・・・Ｐ型基板、８・・・・・
・エピタキシャル層、１６・・・・・・Ｐ型埋め込みコ
レクタ領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名区
区 塚 憾
発明の各実施例装置の要部断面図である。 ４・・・・Ｎｍ埋め込みコレクタ領域、６・・・・・・
Ｐ型分離領域、６・・・・・・Ｐ型基板、８・・・・・
・エピタキシャル層、１６・・・・・・Ｐ型埋め込みコ
レクタ領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名区
区 塚 憾
Claims (1)
- 一導電型のエピタキシャル成長層の表面から、同エピタ
キシャル成長層底部および反対導電型基板内に埋め込ま
れた高濃度不純物領域まで到達する一導電型の高濃度不
純物領域を、前記エピタキシャル成長層内に形成された
反対導電型の不純物領域を囲んで形成した構造の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7346084A JPS60217664A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7346084A JPS60217664A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217664A true JPS60217664A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13518881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7346084A Pending JPS60217664A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217664A (ja) |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP7346084A patent/JPS60217664A/ja active Pending
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