JPS60216547A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

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Publication number
JPS60216547A
JPS60216547A JP60030355A JP3035585A JPS60216547A JP S60216547 A JPS60216547 A JP S60216547A JP 60030355 A JP60030355 A JP 60030355A JP 3035585 A JP3035585 A JP 3035585A JP S60216547 A JPS60216547 A JP S60216547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
target
exposure
alignment
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60030355A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Komoriya
進 小森谷
Hiroshi Maejima
前島 央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60030355A priority Critical patent/JPS60216547A/ja
Publication of JPS60216547A publication Critical patent/JPS60216547A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は露光方法などに関する。
半導体装置の製造過程で、ホトマスク上に描画されたパ
ターンをウェハ上に転写するマスク合せ装置(マスクア
ライナ−)が使用される。従来のマスクアライナ−にお
いては、第1図に示すようにマスク1とウェハ2との位
置合せをそれぞれの上に設けた各1対のターゲットパタ
ーンを検出器5により光電的に検出して両者の位置を比
較することによって自動的にアライメントする機能を有
しているが、マスクターゲットの中心を2つの対物レン
ズ6.6の光軸に合せる作業は作業者が顕微鏡で観察し
ながら行なうマニュアルアライメントであり、1対のタ
ーゲットの間隔が異なることもあって、マスク交換が行
なわれるたびに作業者の手を煩わす必要がある。
たとえば、マスクに対し垂直方向にマスクターゲットパ
ターンの検出器によりマスクの位置合わせを行なう露光
装置については、電子材料、1978年11月号、p1
22〜p127に記載されている。
本発明は上記した従来技術の欠点を解消するべくなされ
たものである。したがってこの発明の目的はマスク自動
位置合せの完全自動化などをコード化されたパターンを
利用することによって達成させる露光方法の提供などk
ある。
上記目的を達成するためこの発明の一実施例は。
マスクアライメント装置において、マスク上に設けらね
たコード化されたパターンを認識することkより光学系
の視野内にマスクターゲットを導入する粗アライメント
機能と、マスクターゲットとウェハ上のターゲットの各
パターンを光電的に検出して両者の位置を比較すること
Kより設定された位置誤差内にマスク位置合せする精密
アライメント機能とを利用し露光することを特徴とする
以下、本発明を一実施例にそって図面を参照しながら詳
述する。
第2図は本発明によるマスクアライメント装置の一実施
例を示すものであり、1はマスク、2はウェハで、ウェ
ハはそのオリエンテーションフラットによって所定位置
に固定され、マスクlがX。
Y、θ方向に移動可能となっている。マスク合せは例え
ばスリット走査方式により、ウェハ2上に456傾斜し
た十字線のターゲットパターン4と、マスク1上の45
″傾斜した複十字のターゲット3を使用し、縦横に配し
た45@傾斜スリツトを多数有するドラムを高速で回転
して走査する検出器5に前記1対のターゲットパターン
からの光を対物レンズ6.6を通して導き、スリットを
通過した光を光電変換して得た電気信号により両者の位
置の差を計測し、その差分だけマスクを移動させ、これ
を再検出してあらかじめ設定された位置誤差内に入って
いれば露光を行なう。このようなターゲットパターンを
検出してマスク位置合せを行なう機能自体は従来のマス
クアライナ−に設備さねており、高い精度でのマスク位
置合せが可能である。本発明においてはさらに下記の機
能を付加するものである。すなわち、第2図に示すよう
にマスクの一部にコード化されたパターンを焼付けてあ
り、ホトセンサ11を用いてマスクターゲットの中心よ
りの位置、あるいはターゲット間隔を読み取り部12に
より電気的に!!h取り、これを粗アライメント部13
を介してマスクを移動させマスク位置、対物レンズの光
軸間隔を自動的に調整するようKなっている。
以上に述べた構成によれば、ターゲットパターンととも
にマスクに焼付けられたコード化されたパターンよりマ
スクターゲット位置、ターゲット間隔を読み取り、この
情報を入力して対物レンズの視野内にマスクターゲット
を自動的に粗アライメントし、次にウェハ及びマスクの
ターゲットパターンを用いた従来のアライメント検出機
能を利用して光軸に対するマスク位置を演算し、光軸に
対するマスク位置を精密にアライメントすることとなり
、既に完成している高性能の自動マスクアライナの基本
構成を変えることなく、マスク交換の際にも作業者によ
るマニエアルアライメントを不要としてマスクの位置合
せとこれにつづく露光作業の全自動化を可能ならしめる
ことになった。
本発明は前記実施例に限定されるものではない。
例えば本発明の一実施例におけるマスクアライメント装
置は縮小投影露光装置であってもかまわない。この場合
、マスクlはレチクルとなり、ウェハ2はマスクあるい
はウェハとなる。また、マスク位置の精密アライメント
は前記、スリット走査方式以外にスポット走査方式(レ
ーザビーム方力。
光量バランス方式TVカメラ方式、固体撮像素子(リニ
アイメージセンサ−)方式等を利用してもよい。又、マ
スクの粗アライメント方式としてコードパターンを検出
する方式以外の、光学的2機械的、!気的パターン認識
手段などを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の自動マスク合せ装置の原理的構造図、第
2図は本発明の一実施例による自動マスク合せ装置の原
理的構造図である。 1・・・マスク、2・・・ウェハ、3・・・マスクター
ゲット、4・・・ウェハターゲット、5・・・検出器、
6・・・対物レンズ(光学系)、7・・・光電変換器、
8・・・マスク位置算出器、9・・・精密アライメント
部、10・・・コード化されたパターン、11・・・ホ
トセンサ、12・・・読み取り部、13・・・粗アライ
メント部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、露光装置において a)コード化されたパターンを自動読取りする工程と b)上記自動読取りしたパターンにより露光条件を設定
    する工程と からなることを特徴とする露光方法。 2、上記コード化されたパター/はマスクあるいはレチ
    クルに書かれているものであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の露光方法。
JP60030355A 1985-02-20 1985-02-20 露光方法 Pending JPS60216547A (ja)

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JP60030355A JPS60216547A (ja) 1985-02-20 1985-02-20 露光方法

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JP7465379A Division JPS55166921A (en) 1979-06-15 1979-06-15 Automatic mask alignment apparatus

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Publication Number Publication Date
JPS60216547A true JPS60216547A (ja) 1985-10-30

Family

ID=12301547

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