JPS60214620A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPS60214620A JPS60214620A JP7088184A JP7088184A JPS60214620A JP S60214620 A JPS60214620 A JP S60214620A JP 7088184 A JP7088184 A JP 7088184A JP 7088184 A JP7088184 A JP 7088184A JP S60214620 A JPS60214620 A JP S60214620A
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- Japan
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- amplifier
- capacitor
- voltage source
- potential
- capacitance
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
- H03H11/1291—Current or voltage controlled filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
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- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、低域通過フィルタなどに好適な集積回路に関
する。
する。
近年、電気回路の集積化（モノリシックＩＣ化。
以下、ＩＣ化という）が急速に進み、これとともに、さ
らに、電気回路の小型化、低コスト化を実現する上で、
従来、集積面１８ＫＩＡ伺けされていたフィルタブロッ
クのＩＣ化が重要な課題となりつつある。ところで、従
来のフィルタは、大部分がインダクタンスＬ、コンデン
サｃ’、抵抗Ｒで構成されていたが、インダクタンスＬ
のＩＣ化が困難であったために、インダクタンスＬを含
まず、ＩＣ化に適したコンデンサＣ２抵抗Ｒおよび増幅
器でもって構成するようにしたアクティブフィルタが開
発される。
らに、電気回路の小型化、低コスト化を実現する上で、
従来、集積面１８ＫＩＡ伺けされていたフィルタブロッ
クのＩＣ化が重要な課題となりつつある。ところで、従
来のフィルタは、大部分がインダクタンスＬ、コンデン
サｃ’、抵抗Ｒで構成されていたが、インダクタンスＬ
のＩＣ化が困難であったために、インダクタンスＬを含
まず、ＩＣ化に適したコンデンサＣ２抵抗Ｒおよび増幅
器でもって構成するようにしたアクティブフィルタが開
発される。
第１図は２次低域通過フィルタ（以下、低域通過フィル
タなＬｐＦという）を構成するアクティブフィルタの一
従来例を示す構成図であって１は信号入力端子、２は信
号出力端子、３は増幅器Ｒ１，Ｒ１は抵ＦＣ、”Ｉ ｅ
Ｃ＊はコンデンサである。
タなＬｐＦという）を構成するアクティブフィルタの一
従来例を示す構成図であって１は信号入力端子、２は信
号出力端子、３は増幅器Ｒ１，Ｒ１は抵ＦＣ、”Ｉ ｅ
Ｃ＊はコンデンサである。
同図において、信号入力端子１に供給される信号をＩｌ
ｌ、信号出力端子２に得られる信号をＶ。
ｌ、信号出力端子２に得られる信号をＶ。
とすると、この２次ＬＰＦの伝達関数１）＠ ／ｖ、は
・・・・・・・・・・・・・・・・・・＋１）共振周波
数ｆ、と回路の良さＱは でそれぞれ与えられる。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・＋１）共振周波
数ｆ、と回路の良さＱは でそれぞれ与えられる。
ところで、かかる構成の２次ＬＰＦをＩＣ化すると、素
子のバラツキによる特性上のバラツキが生ずる。すなわ
ち、ＩＣチップ内に形成されたコンデンサの静電容量や
抵抗の抵抗値は、半導体内の不純物濃度やマスクずれな
どのバラツキの影譬な受け、−例として示すと、 静電容量の絶対値：±２ｏチ 抵抗値の絶対値：＋１５チ のように、大きな範囲で変動する。このために上記の２
次ＬＰＦにおいては、カットオフ周波数も、これについ
て第２図に示すようなαからｂの範囲で変動し、上記の
例では、最悪の場合、カットオフ周波数ｆｃが１３５％
変動してしまうことになり、実用化が極めて困難となる
。
子のバラツキによる特性上のバラツキが生ずる。すなわ
ち、ＩＣチップ内に形成されたコンデンサの静電容量や
抵抗の抵抗値は、半導体内の不純物濃度やマスクずれな
どのバラツキの影譬な受け、−例として示すと、 静電容量の絶対値：±２ｏチ 抵抗値の絶対値：＋１５チ のように、大きな範囲で変動する。このために上記の２
次ＬＰＦにおいては、カットオフ周波数も、これについ
て第２図に示すようなαからｂの範囲で変動し、上記の
例では、最悪の場合、カットオフ周波数ｆｃが１３５％
変動してしまうことになり、実用化が極めて困難となる
。
かかる問題点を解消するために、ＩＣチップ上でレーザ
トリミングなどにより、抵抗値を変化させて素子のバラ
ツキを吸収するようにしたことも実施されているが、精
度、歩留り、コストの面などで今だ多くの問題点があり
、一般民生用の集積回路には、この方法はほとんど採用
されていない。
トリミングなどにより、抵抗値を変化させて素子のバラ
ツキを吸収するようにしたことも実施されているが、精
度、歩留り、コストの面などで今だ多くの問題点があり
、一般民生用の集積回路には、この方法はほとんど採用
されていない。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き素子のバラ
ツキを容易Ｋかつ高い精度で除去することができ、特性
のバラツキを低減して量産化に適したアクティブフィル
タの集積回路を提供するにある。
ツキを容易Ｋかつ高い精度で除去することができ、特性
のバラツキを低減して量産化に適したアクティブフィル
タの集積回路を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、アクティブフィ
ルタを構成するコンデンサを半導体の接合容量でもって
形成し、該接合容量の有する静電容量の絶対値をバイア
スでもって変化させて該静電容量や抵抗の抵抗値の絶対
値のバラツキを吸収するようにした点に特徴がある。
ルタを構成するコンデンサを半導体の接合容量でもって
形成し、該接合容量の有する静電容量の絶対値をバイア
スでもって変化させて該静電容量や抵抗の抵抗値の絶対
値のバラツキを吸収するようにした点に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第３図は本発明による集積回路の一実施例を示す構成図
であって、２は信号出力端子、４，５は増幅器、６は信
号源、Ｒ，、Ｒ，は抵抗、Ｃ，、Ｃ。
であって、２は信号出力端子、４，５は増幅器、６は信
号源、Ｒ，、Ｒ，は抵抗、Ｃ，、Ｃ。
はコンデンサ、Ｖｏは定電圧源、Ｖ、は可変電圧源Ｒｓ
は定電圧源ｒ０の出力インピーダンスである。
は定電圧源ｒ０の出力インピーダンスである。
第３図は２次元ＬｐＦを構成するものであって増幅器４
，５は入力インピーダンスが無限大で出力インピーダン
スが零であり、かつ、利得力Ｋ。
，５は入力インピーダンスが無限大で出力インピーダン
スが零であり、かつ、利得力Ｋ。
の理想増幅器であって、抵抗Ｒ，、Ｒ，とコンデンサＣ
，，Ｃ，は２次元ＬｐＦの時定数回路を形成している。
，，Ｃ，は２次元ＬｐＦの時定数回路を形成している。
また、コンデンサＣ，，Ｃ，はＰ形半導体とＮ形半導体
とからなる接合容量である。さらにコンデンサＣ１と増
幅器４との接合点は交流的に接地され、また、コンデン
サＣ３と増幅器５との接続点も交流的に接続されている
。
とからなる接合容量である。さらにコンデンサＣ１と増
幅器４との接合点は交流的に接地され、また、コンデン
サＣ３と増幅器５との接続点も交流的に接続されている
。
さて、信号源６からの信号ν、は、定電圧源Ｖ０によっ
て直流電位が与えられ、抵抗Ｒ８とコンデンサＣ１から
なる１次ＬＰＦと、抵抗Ｒ８とコンデンサＣ２とからな
る１次ＬＰＦとにより、高域信号成分が除去されて増幅
器４の一方の入力端子に供給される。増幅器４の他方の
入力端子には、可変電圧源Ｖ１から直流電圧のみが印加
されている。
て直流電位が与えられ、抵抗Ｒ８とコンデンサＣ１から
なる１次ＬＰＦと、抵抗Ｒ８とコンデンサＣ２とからな
る１次ＬＰＦとにより、高域信号成分が除去されて増幅
器４の一方の入力端子に供給される。増幅器４の他方の
入力端子には、可変電圧源Ｖ１から直流電圧のみが印加
されている。
そこで、増幅器４の出力端子には、入力信号なに１倍し
た交流信号が可変電圧源Ｖ、の電位に応じた直流電位”
１１で出力される。
た交流信号が可変電圧源Ｖ、の電位に応じた直流電位”
１１で出力される。
増幅器４の出力信号は、コンデンサＣ８を介して抵抗Ｒ
１，Ｒ，の接続点Ｋｎ還される。この場合コンデンサＣ
１と抵抗Ｒ１は、増幅器４の出力端子側からみて、１次
ＨｐＦ （高域通過フィルタ）を構成し、このために、
上記の帰還信号は、この１次１１ｐＦと、コンデンサＣ
２と抵抗Ｒ８とによる１次ＬＰＦとにより、１次の帯域
通過フィルタ効果を受け、ピークをもつ周波数特性が得
られる。
１，Ｒ，の接続点Ｋｎ還される。この場合コンデンサＣ
１と抵抗Ｒ１は、増幅器４の出力端子側からみて、１次
ＨｐＦ （高域通過フィルタ）を構成し、このために、
上記の帰還信号は、この１次１１ｐＦと、コンデンサＣ
２と抵抗Ｒ８とによる１次ＬＰＦとにより、１次の帯域
通過フィルタ効果を受け、ピークをもつ周波数特性が得
られる。
このために、抵抗Ｒ，ｊＲ，とコンデンサＣ，，Ｃ，と
による２次ＬｐＦの減衰特性は、上記の帰還をかけない
場合よりも、急峻なものとなる。
による２次ＬｐＦの減衰特性は、上記の帰還をかけない
場合よりも、急峻なものとなる。
かかる２次ＬｐＦにおいて、時定数回路を形成する抵抗
Ｒ，，Ｒ，とコンデンサＣ１ｍ Ｃ宜の夫々の値の絶対
値のバラツキは、コンデンサ０１ ｓ ＣＩが接合容量
で形成されていることから、次のように吸収される。
Ｒ，，Ｒ，とコンデンサＣ１ｍ Ｃ宜の夫々の値の絶対
値のバラツキは、コンデンサ０１ ｓ ＣＩが接合容量
で形成されていることから、次のように吸収される。
増幅器４，５の夫々の一方の入力端子には、共通の定電
圧源Ｖｏから電圧が等しく与えられており、また、夫々
の他方の入力端子には、可変電圧源Ｖ、から等しい電圧
が与えられている。さらに、増幅器４，５は、夫々の出
力端子の直流電位が、夫々の利得に１を変えることなく
、可変電圧源Ｖ、の直流電位の変動だけで変化するよう
に構成されており、このために、コンデンサ０１ ｓ
Ｃ’１の両端の印加電圧は、可変電圧源Ｖ１の直流電位
によって自由に変化させることができる。これにより、
コンデンサ０１ ｓｅｔの静電容量の絶対値を変化させ
ることができ、抵抗Ｒ，，Ｒ，およびコンデンサＣ１ｓ
ＣＩの絶対値のバラツキを吸収することができる。ま
た、増幅器４，５の利得はともにに、と等しいから、コ
ンデンサＣＩ、 Ｃ，の両端にかかる印加電圧は互いに
等しく変化し、コンデンサＣ１ｓ ＣＩの静電容量は常
に一定となって上記（３）式で表わされるＱの値は変動
しない。したがって、この実施例では、Ｑの値、すなわ
ち、肩特性を変化させることなく、時定数回路を形成す
る抵抗Ｒ，、Ｒ，およびコンデンサＣ，、Ｃ，の絶対値
のバラツキが吸収でき、カットメ７周波数ｆｃを調整す
ることができる。
圧源Ｖｏから電圧が等しく与えられており、また、夫々
の他方の入力端子には、可変電圧源Ｖ、から等しい電圧
が与えられている。さらに、増幅器４，５は、夫々の出
力端子の直流電位が、夫々の利得に１を変えることなく
、可変電圧源Ｖ、の直流電位の変動だけで変化するよう
に構成されており、このために、コンデンサ０１ ｓ
Ｃ’１の両端の印加電圧は、可変電圧源Ｖ１の直流電位
によって自由に変化させることができる。これにより、
コンデンサ０１ ｓｅｔの静電容量の絶対値を変化させ
ることができ、抵抗Ｒ，，Ｒ，およびコンデンサＣ１ｓ
ＣＩの絶対値のバラツキを吸収することができる。ま
た、増幅器４，５の利得はともにに、と等しいから、コ
ンデンサＣＩ、 Ｃ，の両端にかかる印加電圧は互いに
等しく変化し、コンデンサＣ１ｓ ＣＩの静電容量は常
に一定となって上記（３）式で表わされるＱの値は変動
しない。したがって、この実施例では、Ｑの値、すなわ
ち、肩特性を変化させることなく、時定数回路を形成す
る抵抗Ｒ，、Ｒ，およびコンデンサＣ，、Ｃ，の絶対値
のバラツキが吸収でき、カットメ７周波数ｆｃを調整す
ることができる。
第４図は第３図の２次ＬｐＦの一実施例を示す回路図で
あって、７は信号入力端子、Ｒ４−Ｒ１１は抵抗ｓＣｍ
は外付はコンデンサ、Ｑ１〜Ｑ、はＮＰＮ形のトランジ
スタ、Ｉ、〜Ｉ７は定電流源、ＶＩは定電圧源であり、
ｗｃ３図に対応する部分には同一符号をつけている。
あって、７は信号入力端子、Ｒ４−Ｒ１１は抵抗ｓＣｍ
は外付はコンデンサ、Ｑ１〜Ｑ、はＮＰＮ形のトランジ
スタ、Ｉ、〜Ｉ７は定電流源、ＶＩは定電圧源であり、
ｗｃ３図に対応する部分には同一符号をつけている。
第４図において、トランジスタＱａ ｓ Ｑ？ ＃抵抗
Ｒ７〜Ｒ，および定電流源１１でもって利得に１の第１
の差動増幅器を構成し、この第１の差動増幅器は第３図
の増幅器４に相当する。また、トランジスタＱａ ｓ
Ｑｏ ｓ抵抗Ｒ１゜〜Ｒ４および定電流源Ｉ、で利得に
８の第２の差動増幅器を構成し、これは第Ｓ図の増幅器
５に相当する。抵抗Ｒ４ｊＲ１はトランジスタＱ、、Ｑ
ａのベース直流電位を等しくするものであり、また、抵
抗Ｒ６はトランジスタＱ ａ ’） ベース直流電位を
トランジスタＱ６のベース直流電位と等しくなるように
設定するためのものである。
Ｒ７〜Ｒ，および定電流源１１でもって利得に１の第１
の差動増幅器を構成し、この第１の差動増幅器は第３図
の増幅器４に相当する。また、トランジスタＱａ ｓ
Ｑｏ ｓ抵抗Ｒ１゜〜Ｒ４および定電流源Ｉ、で利得に
８の第２の差動増幅器を構成し、これは第Ｓ図の増幅器
５に相当する。抵抗Ｒ４ｊＲ１はトランジスタＱ、、Ｑ
ａのベース直流電位を等しくするものであり、また、抵
抗Ｒ６はトランジスタＱ ａ ’） ベース直流電位を
トランジスタＱ６のベース直流電位と等しくなるように
設定するためのものである。
そこで、第１の差動増幅器のトランジスタＱ６のベース
直流電位と第２の差動増幅器のトランジスタＱ、のベー
ス直流電位と等しくなり、またトランジスタＱｒ −Ｑ
ｏのベース端子には、ともに可変電圧源Ｖ１から電圧が
印加されているから、トランジスタＱ、 、 Ｑ、のコ
レクタ電位はともに可変電圧源Ｖ１の電圧によって変化
する。このために接合容量で構成されるコンデンサＣ１
＊ ＣＩの両端に印加される直流電圧の変化は尋しく、
コンデンサＣ１，Ｃ１の静電容量の絶対値は、可変電圧
源Ｖ、の直流電圧に応じて等しい割合で変化する。
直流電位と第２の差動増幅器のトランジスタＱ、のベー
ス直流電位と等しくなり、またトランジスタＱｒ −Ｑ
ｏのベース端子には、ともに可変電圧源Ｖ１から電圧が
印加されているから、トランジスタＱ、 、 Ｑ、のコ
レクタ電位はともに可変電圧源Ｖ１の電圧によって変化
する。このために接合容量で構成されるコンデンサＣ１
＊ ＣＩの両端に印加される直流電圧の変化は尋しく、
コンデンサＣ１，Ｃ１の静電容量の絶対値は、可変電圧
源Ｖ、の直流電圧に応じて等しい割合で変化する。
なお、第５図に接合容量のバイアス電圧依存特性の一例
を示す。同図において、φは拡散電位（ｂｕｉｌｔ −
ｉｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ）とい〜、通常約α６〜ｏ
、７ （Ｆ）である。したがって、同図から、接合容量
に印加する接合電圧をｏ、 ７ （ｒ）から４．７ （
Ｖ）程度まで変化可能であるとすると、この接合容量の
静電容量を±３５−程度変化させることができ時定数回
路における抵抗Ｒ，，Ｒ，およびコンデンサＣ，、Ｃ，
のバラツキを吸収することができる。
を示す。同図において、φは拡散電位（ｂｕｉｌｔ −
ｉｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ）とい〜、通常約α６〜ｏ
、７ （Ｆ）である。したがって、同図から、接合容量
に印加する接合電圧をｏ、 ７ （ｒ）から４．７ （
Ｖ）程度まで変化可能であるとすると、この接合容量の
静電容量を±３５−程度変化させることができ時定数回
路における抵抗Ｒ，，Ｒ，およびコンデンサＣ，、Ｃ，
のバラツキを吸収することができる。
なお、この実施例では、定電圧源Ｖ。、Ｖ、の直流電圧
を夫々約４．５ （Ｖ） 、 １０ （Ｖ） 、定電流
源Ｉ。
を夫々約４．５ （Ｖ） 、 １０ （Ｖ） 、定電流
源Ｉ。
Ｉ、の電流値を夫々１（ｍＡ）、抵抗Ｒ，、Ｒ，。の抵
抗値を夫々８（＆Ω）とし、差動対を構成するトランジ
スタＱ？−４−がコレクタ電流が夫々約０．２〜０．１
３（ｍ、４）となるように可変電圧源Ｖ、の電圧を調整
することにより、コンデンサＣ，、Ｃ１の静電容量を±
３５−程度変化させることができる。
抗値を夫々８（＆Ω）とし、差動対を構成するトランジ
スタＱ？−４−がコレクタ電流が夫々約０．２〜０．１
３（ｍ、４）となるように可変電圧源Ｖ、の電圧を調整
することにより、コンデンサＣ，、Ｃ１の静電容量を±
３５−程度変化させることができる。
第６図は第３図の２次ＬｐＦの他の具体例を示す回路図
であって、Ｒ□〜Ｒ１，は抵抗、Ｑｔｔ〜Ｑ、６はトラ
ンジスタ、１１１〜１１４は定電流であり、第３図、第
４図に対応する部分には同一符号をつけている。
であって、Ｒ□〜Ｒ１，は抵抗、Ｑｔｔ〜Ｑ、６はトラ
ンジスタ、１１１〜１１４は定電流であり、第３図、第
４図に対応する部分には同一符号をつけている。
第６図において、第３図の増幅器４として、差動対のト
ランジスタＱ！！、 Ｑ□、抵抗Ｒ１ａ、Ｒ□および定
電流源Ｉ１．からなる差動増幅器を用いまた、第６図の
増幅器５として、トランジスタＱ、６および抵抗Ｒ１６
ｍ Ｒ１？とからなるエミッタ接地形増幅器を用いてい
る。この場合、これら差動増幅器とエミッタ接地形増幅
器との利得を等しくすることにより、前記（３）式で表
わされるＱを変化させることなく、第４図の具体例と同
様に時定数回路の各素子のバラツキを接合容量からなる
コンデンサＣ１ｓ ＣＲで吸収することができる。
ランジスタＱ！！、 Ｑ□、抵抗Ｒ１ａ、Ｒ□および定
電流源Ｉ１．からなる差動増幅器を用いまた、第６図の
増幅器５として、トランジスタＱ、６および抵抗Ｒ１６
ｍ Ｒ１？とからなるエミッタ接地形増幅器を用いてい
る。この場合、これら差動増幅器とエミッタ接地形増幅
器との利得を等しくすることにより、前記（３）式で表
わされるＱを変化させることなく、第４図の具体例と同
様に時定数回路の各素子のバラツキを接合容量からなる
コンデンサＣ１ｓ ＣＲで吸収することができる。
なお、上記実施例は、ＣＲによる２次ＬｐＦであったが
、本発明はこれに限られるものではなくたとえば、第４
図に示す２次ＬＰＦをル個縦続接続して２ｎ次ＬＰＦと
し、同様にして、各時定数回路の素子のバラツキを接合
容量からなるコンデンサでもって吸収することができる
ことは明らかである。
、本発明はこれに限られるものではなくたとえば、第４
図に示す２次ＬＰＦをル個縦続接続して２ｎ次ＬＰＦと
し、同様にして、各時定数回路の素子のバラツキを接合
容量からなるコンデンサでもって吸収することができる
ことは明らかである。
以上説明したように、本発明によれば、アクティブ低域
通過フィルタの時定数回路を形成するコンデンサを接合
容量で構成するものであるから、該接合容量によって該
時定数回路の素子のバラツキを容易に吸収することがで
きるものであって、所望の低域通過特性を容易に、かつ
高い精度で得ることができ、従来、外付は部品であった
フィルタブロックを集積回路化を可能として、電気回路
のより小型化、低コスト化が夾現される。
通過フィルタの時定数回路を形成するコンデンサを接合
容量で構成するものであるから、該接合容量によって該
時定数回路の素子のバラツキを容易に吸収することがで
きるものであって、所望の低域通過特性を容易に、かつ
高い精度で得ることができ、従来、外付は部品であった
フィルタブロックを集積回路化を可能として、電気回路
のより小型化、低コスト化が夾現される。
第１図は従来のアクティブ低域通過フィルタの一従来例
を示す構成図、第２図は第１図の７′１１ イルタ特性図、第３図は本発明による集積回路の一実施
例を示す構成図、第４図は第６図の一興体例を示す回路
図、第５図は接合容量のノくイアスミ圧依存性を示す特
性図、第６図は第６図の他の具体例を示す回路図である
。 ２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・信号出
力端子４．５・・・・・・・・・・・・・・・増幅器６
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・入力信号源
Ｒ，、Ｒ，・・・・・・・・・抵抗 Ｃ，、Ｃ，・・・・・・・・・接合昼食からなるコンデ
ンサＶ１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
可変電圧源代理人弁理士 高 橋 明 夫 罰 １ 図 第 ２Ｉ 図 龍数。 第３図 第 ４ 回 接合電斤φ十ＶＲ（Ｖ）
を示す構成図、第２図は第１図の７′１１ イルタ特性図、第３図は本発明による集積回路の一実施
例を示す構成図、第４図は第６図の一興体例を示す回路
図、第５図は接合容量のノくイアスミ圧依存性を示す特
性図、第６図は第６図の他の具体例を示す回路図である
。 ２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・信号出
力端子４．５・・・・・・・・・・・・・・・増幅器６
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・入力信号源
Ｒ，、Ｒ，・・・・・・・・・抵抗 Ｃ，、Ｃ，・・・・・・・・・接合昼食からなるコンデ
ンサＶ１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
可変電圧源代理人弁理士 高 橋 明 夫 罰 １ 図 第 ２Ｉ 図 龍数。 第３図 第 ４ 回 接合電斤φ十ＶＲ（Ｖ）
Claims (1)
- 直列接続された第１ｊ第２の抵抗と、可変電圧源と、該
第１ｊ第２の抵抗を介した入力信号と該可変電圧源の電
圧とが供給され、かつ出力信号を発生する第１の増幅器
と、該可変電圧源の電圧が供給される第２の増幅器と、
該第１゜第２の抵抗の接続点と該第１の増幅器との間に
接続された第１のコンデンサと、該第１の増幅器の該入
力信号の入力端子と該第２の増幅器の出力端子との間に
接続された第２のコンデンサとからなり、該第１．第２
のコンデンサは接合容量でもって形成し、該可変電圧源
の電圧を変化させることにより、該第１．第２のコンデ
ンサの静電容量の比を一定にしたまま、該静電容量の絶
対値を変化させることができるように構成したことを特
徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7088184A JPS60214620A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7088184A JPS60214620A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214620A true JPS60214620A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0256846B2 JPH0256846B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=13444320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7088184A Granted JPS60214620A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214620A (ja) |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP7088184A patent/JPS60214620A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256846B2 (ja) | 1990-12-03 |
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