JPS60208833A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60208833A JPS60208833A JP59065551A JP6555184A JPS60208833A JP S60208833 A JPS60208833 A JP S60208833A JP 59065551 A JP59065551 A JP 59065551A JP 6555184 A JP6555184 A JP 6555184A JP S60208833 A JPS60208833 A JP S60208833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- resist pattern
- light
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、微細パターン形成に使用する′二層レジスト
構成法において、上層レジストパターンの形状に関する
ものである。
構成法において、上層レジストパターンの形状に関する
ものである。
（従来技術とその問題点、）
近来、半導体プロセス等での微細パターン形感法は、ホ
トレジストをマスクとして使用するイオンビームエツチ
ング法や、反応性エツチング法によっている。したがっ
て、エツチング後のパターン形状や、パターン精度は、
マスクとなるレジストパターン形状の影響を強く受ける
ことになる。
トレジストをマスクとして使用するイオンビームエツチ
ング法や、反応性エツチング法によっている。したがっ
て、エツチング後のパターン形状や、パターン精度は、
マスクとなるレジストパターン形状の影響を強く受ける
ことになる。
平面基板上に精度よくレジストパターンを形成する技術
は一般的なホトレジストプロセスで作成することができ
る。しかし、実際の素子では、配線パターンなどによる
段差が多数存在する。このような段差部では、ホトレジ
ストをスピン塗布した時、段差近傍でレジスト膜厚の不
均一が発生する。
は一般的なホトレジストプロセスで作成することができ
る。しかし、実際の素子では、配線パターンなどによる
段差が多数存在する。このような段差部では、ホトレジ
ストをスピン塗布した時、段差近傍でレジスト膜厚の不
均一が発生する。
このため、この部分に露光したレジストパターンには、
段差部近傍でレジストパターン幅変化が発生する。この
問題を解決する方法として、三層構造法が開発された（
たとえば、ジャーナル・オブ・バキュームサイエンス奉
アンドーテクノロジーＶＯＬ １６ 、 Ａ ６ 、
Ｎｏｖ、／Ｄｅｃ、１９７９ 、 ｐｐ １６２０〜１
６２４ ）。 この方法は、マスクパターン形成時に反
応性イオンエツチングを使用するため、基板表面にイオ
ンダメージ欠陥を発生させる欠点がある。
段差部近傍でレジストパターン幅変化が発生する。この
問題を解決する方法として、三層構造法が開発された（
たとえば、ジャーナル・オブ・バキュームサイエンス奉
アンドーテクノロジーＶＯＬ １６ 、 Ａ ６ 、
Ｎｏｖ、／Ｄｅｃ、１９７９ 、 ｐｐ １６２０〜１
６２４ ）。 この方法は、マスクパターン形成時に反
応性イオンエツチングを使用するため、基板表面にイオ
ンダメージ欠陥を発生させる欠点がある。
また三層であるため処理工程が長い、これらの欠点を改
善する方法として、二種類の露光波長、紫外＋ｉｌ（［
Ｖ）と遠紫外ｉ１ｊ （Ｄｅｅｐ−ＬＩＶ）を用０る二
層レジスト法が開発された（ニス・ヒー拳アイ・イー
ＶＯＬ、１７４ デベロップメント・イン・セミコンダ
クターマイクロリングラフ４−ＩＶ （１９７９）１）
ｐ１１４〜１２１）、この二層レジスト法は、上層レジ
ストを（ＪＶで下層レジストをＤｅｅｐ−ＬＩＶで露光
し、下層レジストパターンを形成する。この時上層レジ
ストパターンは、下層レジストを露光するときのマスク
として働く。上層レジストパターンはＤｅｅｐ−ＵＶ光
に対して完全な遮光特性を持っていることが望まれるが
、実際上はレジスト膜厚力Ｓ薄くなると遮光性が悪くな
る。ところで上層レジストパターンの形状が第１図ｔａ
ｌに示すような台Ｊ杉の形をしていると、下層レジスト
側では上層レジスト膜厚のうすい所ができてしまう。ざ
らに上層レジストはＤｅｅｐ−ＩＪｖ光に対して１．０
以上の屈折率をもつため、照射されたＤｅｅｐ−ＵＶ光
１１４“＆ま、上層レジストパターン中でまげられる。
善する方法として、二種類の露光波長、紫外＋ｉｌ（［
Ｖ）と遠紫外ｉ１ｊ （Ｄｅｅｐ−ＬＩＶ）を用０る二
層レジスト法が開発された（ニス・ヒー拳アイ・イー
ＶＯＬ、１７４ デベロップメント・イン・セミコンダ
クターマイクロリングラフ４−ＩＶ （１９７９）１）
ｐ１１４〜１２１）、この二層レジスト法は、上層レジ
ストを（ＪＶで下層レジストをＤｅｅｐ−ＬＩＶで露光
し、下層レジストパターンを形成する。この時上層レジ
ストパターンは、下層レジストを露光するときのマスク
として働く。上層レジストパターンはＤｅｅｐ−ＵＶ光
に対して完全な遮光特性を持っていることが望まれるが
、実際上はレジスト膜厚力Ｓ薄くなると遮光性が悪くな
る。ところで上層レジストパターンの形状が第１図ｔａ
ｌに示すような台Ｊ杉の形をしていると、下層レジスト
側では上層レジスト膜厚のうすい所ができてしまう。ざ
らに上層レジストはＤｅｅｐ−ＩＪｖ光に対して１．０
以上の屈折率をもつため、照射されたＤｅｅｐ−ＵＶ光
１１４“＆ま、上層レジストパターン中でまげられる。
上層レジストパターンの形が台形の場合、光は内側に曲
げられる。このためレジストエツジから少し内側の部分
に光の強度の強い部分ができる。したがってＤｅｅｐ−
ＬＩＶ光照射後下層レジストを現像すると、第１図ｆｂ
ｌに示すような、パターンエツジより内側が深くえぐら
れたレジストパターンが形成され、所望のレジストパタ
ーン形状にならない欠点がある。
げられる。このためレジストエツジから少し内側の部分
に光の強度の強い部分ができる。したがってＤｅｅｐ−
ＬＩＶ光照射後下層レジストを現像すると、第１図ｆｂ
ｌに示すような、パターンエツジより内側が深くえぐら
れたレジストパターンが形成され、所望のレジストパタ
ーン形状にならない欠点がある。
（発明の目的）
本発明は従来の欠点を除去し、形状の良い下層レジスト
パターンを形成できるパターン形成方法を提供するもの
である。
パターンを形成できるパターン形成方法を提供するもの
である。
（発明の構成）
本発明によれば、二層レジスト構造において、上層レジ
ストパターンの形を逆台形状にすることにより、形状の
よい下層レジストパターンが得られる。
ストパターンの形を逆台形状にすることにより、形状の
よい下層レジストパターンが得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより、従来技術の問
題点を解決した。下層レジスト露光時にマスクとなる上
層レジストパターンの形を台形状から逆台形にすること
により、上層レジストパターンサイズを下ノーレジスト
パターンに転写することが可能となる。逆台形にする一
方法としては。
題点を解決した。下層レジスト露光時にマスクとなる上
層レジストパターンの形を台形状から逆台形にすること
により、上層レジストパターンサイズを下ノーレジスト
パターンに転写することが可能となる。逆台形にする一
方法としては。
上ノーレジストを薬品により処理することなどがあげら
れる。（例えば、アイ・ビー・エム・ジャーナル会オブ
・リサーチ・アンド・デベロップメントＶＯＬ、２４
、４４ 、 ｐｍ） ４５２〜４６０ 、１９８０ ）
（実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。本発明における二ノーレジスト構造は従来と同じ
ものである。実施例で用いたレジストは、上層レジスト
としてマイクロポジット１３００（商品名、シプレー・
コーポレーション製）、下層レジストとしてｏｐｕｎ−
１０１３（商品名、東京応化製）である。上層レジスト
膜厚、約０．５μｍ下層レジスト膜厚、約１μｍを用い
た。上層レジストとしてマスクパターンを露光し、薬品
（クロルベンゼン）処理後、指定の現像液で現像する。
れる。（例えば、アイ・ビー・エム・ジャーナル会オブ
・リサーチ・アンド・デベロップメントＶＯＬ、２４
、４４ 、 ｐｍ） ４５２〜４６０ 、１９８０ ）
（実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。本発明における二ノーレジスト構造は従来と同じ
ものである。実施例で用いたレジストは、上層レジスト
としてマイクロポジット１３００（商品名、シプレー・
コーポレーション製）、下層レジストとしてｏｐｕｎ−
１０１３（商品名、東京応化製）である。上層レジスト
膜厚、約０．５μｍ下層レジスト膜厚、約１μｍを用い
た。上層レジストとしてマスクパターンを露光し、薬品
（クロルベンゼン）処理後、指定の現像液で現像する。
現像後、上層レジストパターンは第２図１８）のような
逆台形′詔“になる。現像時間を制御することにより逆
台形の程度は変化させることができる。このような形の
レジストパターン１２２“をマスクトシてＤｅｅｐ−Ｌ
ＩＶ照射により下層レジストにパターンを転写する。こ
の時、上層レジストパターンの形が逆台形であるため、
凹レンズのような働きをし。
逆台形′詔“になる。現像時間を制御することにより逆
台形の程度は変化させることができる。このような形の
レジストパターン１２２“をマスクトシてＤｅｅｐ−Ｌ
ＩＶ照射により下層レジストにパターンを転写する。こ
の時、上層レジストパターンの形が逆台形であるため、
凹レンズのような働きをし。
レジストパターンエツジ付近に入射した光は、レジスト
パターン外にでてしまう。このため、エツジ付近の光が
上層レジストパターン底辺の内側にはいりこむことはな
い。したがりてＤｅｅｐ−ＵＶ光を照射した後、下層レ
ジストを現像すると、第１図ｔｂｌとは異なり、第２図
（ｂＪのような台形状のレジストパターン１２５“が形
成される。このようなレジストパターンをマスクとして
用いると、第１図（ｂＪのようなパターン内側の溝を生
じるようなことはなく、良好な下層パターン形状が得ら
れる。
パターン外にでてしまう。このため、エツジ付近の光が
上層レジストパターン底辺の内側にはいりこむことはな
い。したがりてＤｅｅｐ−ＵＶ光を照射した後、下層レ
ジストを現像すると、第１図ｔｂｌとは異なり、第２図
（ｂＪのような台形状のレジストパターン１２５“が形
成される。このようなレジストパターンをマスクとして
用いると、第１図（ｂＪのようなパターン内側の溝を生
じるようなことはなく、良好な下層パターン形状が得ら
れる。
（発明の効果）
以上詳細に述べた通り、本発明によれば、二層レジスト
構造法において、上層レジストパターンの形を逆台形状
にすることにより上層レジストが薄く、その遮光特性が
完全でなくても、形状の良好な下層レジストパターンが
形成できる。
構造法において、上層レジストパターンの形を逆台形状
にすることにより上層レジストが薄く、その遮光特性が
完全でなくても、形状の良好な下層レジストパターンが
形成できる。
第１図（ａｌ 、 （ｂｌは従来例の上層レジストパタ
ーンの説明図および、下層レジストパターンの説明図。 第２図ｔａ＋ 、 ｔｂ＋は本発明の実施列による上層
レジストパターンの説明図および、下層レジストパター
ンの説明図を示す。 図において。 １１・・・基板、１２・・・下層レジスト、１３・・上
層レジストパターン、１４・・・ＵＶ光、１５・・・下
層レジストパターン、詔・・・上層レジストパターン、
冴・・・Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、ｂ・・・下１−レジストパ
ターンをそれぞれ示す。 、−１ 代理人弁理士 内原 東 享１図
ーンの説明図および、下層レジストパターンの説明図。 第２図ｔａ＋ 、 ｔｂ＋は本発明の実施列による上層
レジストパターンの説明図および、下層レジストパター
ンの説明図を示す。 図において。 １１・・・基板、１２・・・下層レジスト、１３・・上
層レジストパターン、１４・・・ＵＶ光、１５・・・下
層レジストパターン、詔・・・上層レジストパターン、
冴・・・Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、ｂ・・・下１−レジストパ
ターンをそれぞれ示す。 、−１ 代理人弁理士 内原 東 享１図
Claims (1)
- 上層レジストとして紫外光レジストを使い、下層レジス
トとして遠紫外光レジストを使用し、かつ上層レジスト
パターンを下層レジストパターン形成時のマスクとして
使用する二層レジスト構造プロセスにおいて、上層レジ
ストパターンの断面形状を逆台形状とすることを特徴と
するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065551A JPS60208833A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065551A JPS60208833A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208833A true JPS60208833A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0523048B2 JPH0523048B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=13290257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065551A Granted JPS60208833A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208833A (ja) |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59065551A patent/JPS60208833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523048B2 (ja) | 1993-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04136854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5902493A (en) | Method for forming micro patterns of semiconductor devices | |
| KR100886419B1 (ko) | 위상시프트 마스크의 제조 방법 및 위상시프트 마스크 | |
| JPS63216052A (ja) | 露光方法 | |
| JPS63170917A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS60208833A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2007123781A (ja) | アライメントマーク付き半導体基板及びアライメントマークの製造方法 | |
| JPS6346972B2 (ja) | ||
| US4612274A (en) | Electron beam/optical hybrid lithographic resist process in acoustic wave devices | |
| JP3130335B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0664337B2 (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
| JPH0697065A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPS613489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60208834A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6156349A (ja) | フオト・マスクの製造方法 | |
| JPS60200253A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02162716A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPS60200252A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR0137618B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JPH06140297A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS60196701A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPS6218559A (ja) | 露光用マスク | |
| JPH02171754A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6351637A (ja) | マスク形成方法 | |
| JPH0236049B2 (ja) |