JPS6020511A - 半導体基板への不純物拡散方法 - Google Patents
半導体基板への不純物拡散方法Info
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- JPS6020511A JPS6020511A JP12837983A JP12837983A JPS6020511A JP S6020511 A JPS6020511 A JP S6020511A JP 12837983 A JP12837983 A JP 12837983A JP 12837983 A JP12837983 A JP 12837983A JP S6020511 A JPS6020511 A JP S6020511A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半心体ノ、（板へ不純物拡散方法に関するも
のである。
のである。
従来例の構成とその問題点
従来、Ｂ Ｎ Ｊ、ｌ；板を使用したホウ素の拡散方法
はＢＮ基板をＨ２Ｏ又は０２を含む雰囲気で酸化してＢ
２０５を形成さぜ、発生したＢ２Ｏ３気体を半導体ＪＩ
Ｙ板表面に蒸着し、ついで、熱拡散する方法がとられて
いる。
はＢＮ基板をＨ２Ｏ又は０２を含む雰囲気で酸化してＢ
２０５を形成さぜ、発生したＢ２Ｏ３気体を半導体ＪＩ
Ｙ板表面に蒸着し、ついで、熱拡散する方法がとられて
いる。
ところで、この方法にはいくつかの問題点がある。第一
はＢＮ基板表面に酸化して出来るＢ２Ｏ５は吸湿性に冨
み。、不安定な物質である。そのため基板の保存が困難
であるという点である。第二に吸湿性があるために拡散
の度、Ｂ２０３の生成量が異なり、ホウ素拡散の再現性
に乏しいという点である。第三は形成されたＢ２０５層
と基板のＢＮとの熱膨張率が異なるため、Ｂ２Ｏ３層が
厚くなるとクラックが入り易くなる点である。これは、
フレークの原因ともなる。
はＢＮ基板表面に酸化して出来るＢ２Ｏ５は吸湿性に冨
み。、不安定な物質である。そのため基板の保存が困難
であるという点である。第二に吸湿性があるために拡散
の度、Ｂ２０３の生成量が異なり、ホウ素拡散の再現性
に乏しいという点である。第三は形成されたＢ２０５層
と基板のＢＮとの熱膨張率が異なるため、Ｂ２Ｏ３層が
厚くなるとクラックが入り易くなる点である。これは、
フレークの原因ともなる。
発明の目的
本発明は、半導体基板へホウ素を拡散するに際し、安定
な拡散源としてのＢＮ基板を得、かつ再現性のある拡散
を行うことのできる半導体））（板への不純物拡散方法
を提供することを目的とする。
な拡散源としてのＢＮ基板を得、かつ再現性のある拡散
を行うことのできる半導体））（板への不純物拡散方法
を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、Ｈ２Ｏ又は０２を含む雰囲気でＢ Ｎ 、１
１１板を酸化して、基板表面にＢ２Ｏ３層を形成さぜ、
半導体基板にＢ２Ｏ６気体を蒸着、熱拡散させる。
１１板を酸化して、基板表面にＢ２Ｏ３層を形成さぜ、
半導体基板にＢ２Ｏ６気体を蒸着、熱拡散させる。
次に一半導体基板のみを除去し、ＮＨｓ 雰囲気でＢＮ
基板に熱処理を行なうもので、これにより一表面のＢ２
０５ ｆ、（Ｂ Ｎに再生して、ＢＮ基板の安定化なら
びに品質管理の容易化を実現することができる。
基板に熱処理を行なうもので、これにより一表面のＢ２
０５ ｆ、（Ｂ Ｎに再生して、ＢＮ基板の安定化なら
びに品質管理の容易化を実現することができる。
実施例の説明
ＢＮ基板を、０２ 、１ｏｃｃ／ｍｉｎ 、 １１００
℃で熱処理し、ついで半導体基板に、その結果発生した
Ｂ２Ｏ５′ｆｒ：蒸着し、このＢ２Ｏ３よりホウ素を半
導体基板に拡散心入する。しかるのち、半導体基板を系
外に除去し、続いて、系内で、Ｎ Ｈ５２’４ｎ１００
０°Ｃで３０分、同ＢＮｉ％板を熱処理する。
℃で熱処理し、ついで半導体基板に、その結果発生した
Ｂ２Ｏ５′ｆｒ：蒸着し、このＢ２Ｏ３よりホウ素を半
導体基板に拡散心入する。しかるのち、半導体基板を系
外に除去し、続いて、系内で、Ｎ Ｈ５２’４ｎ１００
０°Ｃで３０分、同ＢＮｉ％板を熱処理する。
これにより、ＢＮ基板の安定化がはかれる。
ところで、ＢＮ基板の安定化は、ＢＮ表面に形成された
Ｂ２Ｏ５層が次の様２！Ｉ：反応により再びＢＮとして
形成されることで達成されるー Ｂ２Ｏ３−１−２Ｎ）（３→２ＢＮ＋３Ｈ２０尚、この
反応は、用逆的であるのでＮＨ３を多く流してやること
によりＢＨの１拝生を十分行うことが出来る。
Ｂ２Ｏ５層が次の様２！Ｉ：反応により再びＢＮとして
形成されることで達成されるー Ｂ２Ｏ３−１−２Ｎ）（３→２ＢＮ＋３Ｈ２０尚、この
反応は、用逆的であるのでＮＨ３を多く流してやること
によりＢＨの１拝生を十分行うことが出来る。
発明の効果
ＢＮ基板上に０２との反応で形成されたＢ２Ｏ３層が吸
湿性に富んでいるため、拡散の度、ＢＮ基板表面が不安
定で再現性に乏しかったが、この発明により、拡散の際
のＢ２Ｏ５生成が安定となり再現性が十分になる４、ま
た、常にＢＮ基板の表面の酸化層はＢＨに再生されるの
で基板の保存も容易になる。基板の再生により、Ｂ２０
６層とＢＮ基板との間のストレスがなくなるので、クラ
ックが入りにくくなり、フレークの発生を防止し、ＢＮ
基板の寿命も長くなりコストの低減にも彦る。
湿性に富んでいるため、拡散の度、ＢＮ基板表面が不安
定で再現性に乏しかったが、この発明により、拡散の際
のＢ２Ｏ５生成が安定となり再現性が十分になる４、ま
た、常にＢＮ基板の表面の酸化層はＢＨに再生されるの
で基板の保存も容易になる。基板の再生により、Ｂ２０
６層とＢＮ基板との間のストレスがなくなるので、クラ
ックが入りにくくなり、フレークの発生を防止し、ＢＮ
基板の寿命も長くなりコストの低減にも彦る。
Claims (1)
- 不純物拡散源としての窒化ホウ素基板（ＢＮ基板）を用
いて″−１′″心体基板へホウ素を拡散するに際し、前
記ＢＮ基板ｆ、Ｉ Ｎ Ｈ３雰囲気において熱処理した
後、前記ＢＮ、ｌ、１板を用いて酸化雰囲気にて半導体
基板にホウ素全拡散することを特徴とする半導体基板へ
の不純物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128379A JPH063796B2 (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128379A JPH063796B2 (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020511A true JPS6020511A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH063796B2 JPH063796B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=14983360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128379A Expired - Lifetime JPH063796B2 (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063796B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756926A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Nec Home Electronics Ltd | Deffusing method for semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58128379A patent/JPH063796B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756926A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Nec Home Electronics Ltd | Deffusing method for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063796B2 (ja) | 1994-01-12 |
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