JPS60204695A - 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 - Google Patents
人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法Info
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- JPS60204695A JPS60204695A JP59060347A JP6034784A JPS60204695A JP S60204695 A JPS60204695 A JP S60204695A JP 59060347 A JP59060347 A JP 59060347A JP 6034784 A JP6034784 A JP 6034784A JP S60204695 A JPS60204695 A JP S60204695A
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- Japan
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、基体表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形
成するに際して、Ｆｉ］記基体表面（（反応初期に析出
するダイヤモンド結晶核の増大をはかり、もって人工ダ
イヤモンド皮膜の析出形成速度の向上をはかる方法に関
するものである１、従来、基体表面に人工ダイヤモンド
皮膜を析出形成する方法としては多数の方法が４に案さ
れ、この中で反応混合ガスを加熱し、活性化する手段と
して、 （ａ、） 熱電子放躬拐、 （ｂ） 高周波によるプラズマ放電、 （Ｃ） マイクロ波によるプラズマ放電、以上（ａ）〜
（Ｃ）のいずれかを採用する代表的方法が注目されてい
る。
成するに際して、Ｆｉ］記基体表面（（反応初期に析出
するダイヤモンド結晶核の増大をはかり、もって人工ダ
イヤモンド皮膜の析出形成速度の向上をはかる方法に関
するものである１、従来、基体表面に人工ダイヤモンド
皮膜を析出形成する方法としては多数の方法が４に案さ
れ、この中で反応混合ガスを加熱し、活性化する手段と
して、 （ａ、） 熱電子放躬拐、 （ｂ） 高周波によるプラズマ放電、 （Ｃ） マイクロ波によるプラズマ放電、以上（ａ）〜
（Ｃ）のいずれかを採用する代表的方法が注目されてい
る。
上記従来（ａ）方法は、第１図に概略断面図で示される
ように、石英製反応容器１内の」二部に開りする反応混
合ガス導入管２によって流入された、主として炭化水素
と水素で構成された反応混合力スを、熱電子放射拐とし
ての例えば金属タングステン製フィラメント３および台
板４上に支持された基体５を通して下方に流し、この間
反応容器１内の雰囲気圧力を０１〜３００ ｔｏｒｒに
保持すると共に、フィラメント３を１５００〜２５００
℃に加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と、所定間隔
下方に配置されプこ基体表面の３００〜１３００℃の範
囲内の温度への加熱をはかり、この状態で所定時間の反
応を行なわしめるととにより基体５０表面にダイヤモン
ド皮膜を析出形成せしめる方法であり、例えば特開昭５
８−９１１００号公報に記載される方法がこの方法に相
当する方法である。
ように、石英製反応容器１内の」二部に開りする反応混
合ガス導入管２によって流入された、主として炭化水素
と水素で構成された反応混合力スを、熱電子放射拐とし
ての例えば金属タングステン製フィラメント３および台
板４上に支持された基体５を通して下方に流し、この間
反応容器１内の雰囲気圧力を０１〜３００ ｔｏｒｒに
保持すると共に、フィラメント３を１５００〜２５００
℃に加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と、所定間隔
下方に配置されプこ基体表面の３００〜１３００℃の範
囲内の温度への加熱をはかり、この状態で所定時間の反
応を行なわしめるととにより基体５０表面にダイヤモン
ド皮膜を析出形成せしめる方法であり、例えば特開昭５
８−９１１００号公報に記載される方法がこの方法に相
当する方法である。
°甘だ、上記従来（ｂ）方法は、同じく第２図に概略断
面図で示されるように、５莢製反応容器１内の中央部に
基体５を置き、この反応容器１の一方側に設けた反応混
合ガス導入管２から主として炭化水素と水素で構成され
た反応混合ガスを流入し、一方反応容器ｌの他方側から
排気し、この間、反応容器ｌ内の雰囲気圧力を数１、ｏ
ｔｒ〜数１０ ｔｏ、ｒｒに保持すると共に、反応容器
ｌの中火外周部に設けた高周波コイル６に、例えば周波
数： １３．．５６ ＭＨｚ 。
面図で示されるように、５莢製反応容器１内の中央部に
基体５を置き、この反応容器１の一方側に設けた反応混
合ガス導入管２から主として炭化水素と水素で構成され
た反応混合ガスを流入し、一方反応容器ｌの他方側から
排気し、この間、反応容器ｌ内の雰囲気圧力を数１、ｏ
ｔｒ〜数１０ ｔｏ、ｒｒに保持すると共に、反応容器
ｌの中火外周部に設けた高周波コイル６に、例えば周波
数： １３．．５６ ＭＨｚ 。
出カニ５００Ｗの条件を（ｉ加して反応容器１内の基体
５の周囲にプラズマ放電を誘起させ、このプラズマ放電
によって反応混合ガスの加熱活性化と基体表面温度の上
昇をはかり、この状態で所定時間の反応を行なわしめる
ことにより基体表面にダイヤモンド皮膜を析出形成せし
める方法であり、例えば特開昭５８７１３５１１’７号
公報に記載されている方法がこれに相当するものである
。
５の周囲にプラズマ放電を誘起させ、このプラズマ放電
によって反応混合ガスの加熱活性化と基体表面温度の上
昇をはかり、この状態で所定時間の反応を行なわしめる
ことにより基体表面にダイヤモンド皮膜を析出形成せし
める方法であり、例えば特開昭５８７１３５１１’７号
公報に記載されている方法がこれに相当するものである
。
さらに、上記従来（Ｃ）方法は、同様に第３図に概略断
面図で示されるように、石英製反応容器１内の中央部に
基体５を置き、この反応容器１の上方に設けた反応混合
ガス導入管２から、主として炭化水素と水素で構成され
た反応混合ガスを流入し、一方反応容器ｌの下方から１
ノ１気し、この間、反応容器内の雰囲気圧力をＯ］〜３
００’ｔｏｒｒに保持し、一方反応容器ｌの中火外周部
に設けた導波管７を通して供給された、例えば２４５０
ＭＨｚのマイクロ波をプラズマ調整用ブランツヤ８に
よって調整して、反応容器１内の基体５の周囲にプラズ
マ放電を発生させ、このプラズマ放電によって反応混合
ガスの加熱活性化と基体表面温度の」二昇をはかり、こ
の状態で所定時間の反応を行なわしめることにより基体
表面にダイヤモンド皮膜を析出形成せしめる方法であり
、例えば特開昭、５８−１１’ｏ／１．Ｑ４−シＪ公報
に記載されている方法がこれに相当する方法である。
面図で示されるように、石英製反応容器１内の中央部に
基体５を置き、この反応容器１の上方に設けた反応混合
ガス導入管２から、主として炭化水素と水素で構成され
た反応混合ガスを流入し、一方反応容器ｌの下方から１
ノ１気し、この間、反応容器内の雰囲気圧力をＯ］〜３
００’ｔｏｒｒに保持し、一方反応容器ｌの中火外周部
に設けた導波管７を通して供給された、例えば２４５０
ＭＨｚのマイクロ波をプラズマ調整用ブランツヤ８に
よって調整して、反応容器１内の基体５の周囲にプラズ
マ放電を発生させ、このプラズマ放電によって反応混合
ガスの加熱活性化と基体表面温度の」二昇をはかり、こ
の状態で所定時間の反応を行なわしめることにより基体
表面にダイヤモンド皮膜を析出形成せしめる方法であり
、例えば特開昭、５８−１１’ｏ／１．Ｑ４−シＪ公報
に記載されている方法がこれに相当する方法である。
しかし、これらの従来方法は、いずれも共通して反応初
期における基体表面に析出するダイヤモンド結晶核の数
が少なく、一方ダイヤモンドはこの結晶核を中心に成長
し、膜状を呈するようになるものである／こめ、所定の
膜厚を有する人工ダイ−＼・センド皮膜を４Ｒ出形成す
るｒｃは、かなりの反応＋＋、ｌ１間を必夛とするもの
であった。
期における基体表面に析出するダイヤモンド結晶核の数
が少なく、一方ダイヤモンドはこの結晶核を中心に成長
し、膜状を呈するようになるものである／こめ、所定の
膜厚を有する人工ダイ−＼・センド皮膜を４Ｒ出形成す
るｒｃは、かなりの反応＋＋、ｌ１間を必夛とするもの
であった。
、そこで、不発ＩＪＩ渚舌Ｌ［、上述のような観点から
、反応初期に）、し体表面にイｊｉ出するダイヤモンド
結晶核の増大をにｊ、かるへくイσ［死を行なつ／Ｃ結
果、前記基体表面に、ダイヤモンド皮膜の析出形成に先
たって、イオンエツチング処理を施して、これを活１）
１化してやるど、反応初１υＪに析出するダイヤモンド
結晶核の形成が促進されるようになり、この結Ｊｊ、
：ｊ屯い４ｊ「出形成連Ｉ周での人１ニダイヤモンド皮
膜の形成が可能となるという知見を得たのである。
、反応初期に）、し体表面にイｊｉ出するダイヤモンド
結晶核の増大をにｊ、かるへくイσ［死を行なつ／Ｃ結
果、前記基体表面に、ダイヤモンド皮膜の析出形成に先
たって、イオンエツチング処理を施して、これを活１）
１化してやるど、反応初１υＪに析出するダイヤモンド
結晶核の形成が促進されるようになり、この結Ｊｊ、
：ｊ屯い４ｊ「出形成連Ｉ周での人１ニダイヤモンド皮
膜の形成が可能となるという知見を得たのである。
しだがって、この発明は、」二部知見にもとづいてなさ
れたものであって、主成分が炭化水素と水素からなり、
かつ熱電子放射材、高周波によるプラズマ放電、あるい
はマイクロ波によるプラズマ放電などにより活性化され
た加熱反応混合ガスの流れの中に加熱基体を置くことに
よって前記基体の表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形
成する方法において、ダイヤモンド皮膜の析出形成に先
たって、前記基体の表面にイオンエツチング処理を力布
し、これを活性化することによって反応初期に析出する
ダイヤモンド結晶核の増大をｋｊ、かる点に特徴を有す
るものである。
れたものであって、主成分が炭化水素と水素からなり、
かつ熱電子放射材、高周波によるプラズマ放電、あるい
はマイクロ波によるプラズマ放電などにより活性化され
た加熱反応混合ガスの流れの中に加熱基体を置くことに
よって前記基体の表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形
成する方法において、ダイヤモンド皮膜の析出形成に先
たって、前記基体の表面にイオンエツチング処理を力布
し、これを活性化することによって反応初期に析出する
ダイヤモンド結晶核の増大をｋｊ、かる点に特徴を有す
るものである。
つぎに、この発明の力沈−を実施例により具体的に説明
する。
する。
実施例 １
第１図に示される装置を用い、
反応容器（１）、外径５０ ｍｍφを翁する石英製のも
の。
の。
基体（５）：平面Ｉ Ｑ ａｍ Ｘ厚さ１關の寸法を有
する金属タングステン仮相。
する金属タングステン仮相。
反応混合ガス組成、容量割合で、Ｈ２／ＣＴ］４−１０
０／１゜ 金属タングステン製フィラメント（３）と基体（５）の
表面との間隔：３ＱＭ。
０／１゜ 金属タングステン製フィラメント（３）と基体（５）の
表面との間隔：３ＱＭ。
雰囲気圧力ニ ２０１；ｏｒｒ 。
フィラメント（３）の加熱温度： ２０００℃。
フィラメントによる基体表面の加熱温度 ７００℃。
の条件で基体５の表面に人工ダイヤモンド皮膜を形成す
るに先だって、 反応容器（１）内の雰囲気：Ａｒ（反応混合ガス導入管
２よりＡｒ流入）。
るに先だって、 反応容器（１）内の雰囲気：Ａｒ（反応混合ガス導入管
２よりＡｒ流入）。
雰囲気圧力ニ Ｉ Ｘ １０− ｔｏｒｒ。
台板４を介しての基体（５）への刊加電圧 −１０００
Ｖ（直流グロー放電発生）。
Ｖ（直流グロー放電発生）。
処理時間°］−〇分。
の条件にて、１）ｉｌｉ記基体表面に直流グロー放電を
発生させ、この直流グロー放電にて前記基体表面をイオ
ンエツチングし、引続いて上記の条件で人工ダイヤモン
ド皮膜を形成したが、その反応時間を、反応初期におけ
るダイヤモンド結晶核の析出生成状態を観察する目的で
１時間とする場合と、人工ダイヤモンド皮膜の析出形成
速度を評価する目的で６時間としだ場合について行なっ
た。
発生させ、この直流グロー放電にて前記基体表面をイオ
ンエツチングし、引続いて上記の条件で人工ダイヤモン
ド皮膜を形成したが、その反応時間を、反応初期におけ
るダイヤモンド結晶核の析出生成状態を観察する目的で
１時間とする場合と、人工ダイヤモンド皮膜の析出形成
速度を評価する目的で６時間としだ場合について行なっ
た。
この結果の１時間の反応後の前記基体表面を１７００倍
の走査電子顕微鏡で観察し、写真にとり、その単位面積
当りの結晶核の数を測定したところ、平均５０個／ ｃ
ｎｉのダイヤモンド結晶（亥の形成が見られ、寸だ６時
間の反応後の前記基体表面には平均膜厚゛４μｍの人工
ダイヤモンド皮膜が形成されていた。
の走査電子顕微鏡で観察し、写真にとり、その単位面積
当りの結晶核の数を測定したところ、平均５０個／ ｃ
ｎｉのダイヤモンド結晶（亥の形成が見られ、寸だ６時
間の反応後の前記基体表面には平均膜厚゛４μｍの人工
ダイヤモンド皮膜が形成されていた。
これに対して、上記のイオンエツチング処理を行なわな
い以外は、同一の条件で１ｊなつた人工ダイヤモンド皮
膜の析出形成では、１１時間の反応後の前記基体表面に
析出生成したダイヤモンド結晶核の数は平均１０個／ｃ
１？Ｌであり、寸だ６時間の反応後の前記基体表面に形
成された人工ダイヤモンド皮膜の平均膜厚は２μｍであ
った。これらの結果から、基体表面を、人工ダイヤモン
ド皮膜の析出形成に先だって、イオンエツチングするこ
とに」：す、反応初期におけるダイヤモンド結晶核の析
出生成速度が著しく促進されるようになり、その析出生
成数が多数となることから、ダイヤモンド皮膜の析出形
成が一段と高速化するようになることが明らかである。
い以外は、同一の条件で１ｊなつた人工ダイヤモンド皮
膜の析出形成では、１１時間の反応後の前記基体表面に
析出生成したダイヤモンド結晶核の数は平均１０個／ｃ
１？Ｌであり、寸だ６時間の反応後の前記基体表面に形
成された人工ダイヤモンド皮膜の平均膜厚は２μｍであ
った。これらの結果から、基体表面を、人工ダイヤモン
ド皮膜の析出形成に先だって、イオンエツチングするこ
とに」：す、反応初期におけるダイヤモンド結晶核の析
出生成速度が著しく促進されるようになり、その析出生
成数が多数となることから、ダイヤモンド皮膜の析出形
成が一段と高速化するようになることが明らかである。
実施例 ２
第２図に示される装置を用い、
反応容器（１）：外径５０１１１Ｊπφを有する石英製
のもの。
のもの。
基体（５）：平面１２．、 ’７ ｍｊπ×厚さ４．、
８ ｒｒｕａの寸法をもった炭化タングステン基超硬合
金（Ｃｏ：’６重−１ｉｉ、 ％。
８ ｒｒｕａの寸法をもった炭化タングステン基超硬合
金（Ｃｏ：’６重−１ｉｉ、 ％。
ＷＣ：残り）製板拐。
反応混合ガス組成 容量割合で、］（２７Ｃ２Ｈ６−１
、００／ ５ 。
、００／ ５ 。
雰囲気月二力゛工０１、Ｏｒｌ’。
高周波コイル（６）への印加条件（周波数：１３．５６
ＭＩＩＺ、出カニ ５００ Ｖｌ’ ） 。
ＭＩＩＺ、出カニ ５００ Ｖｌ’ ） 。
の条件て、上記基体５０表面に人工ダイヤモンド皮膜を
形成するに先だって、 反応容器（１）内の雰囲気 Ａｒ（反応混合ガス導入管
２よりＡｒ流入）。
形成するに先だって、 反応容器（１）内の雰囲気 Ａｒ（反応混合ガス導入管
２よりＡｒ流入）。
雰囲気圧力ニ ８ Ｘ Ｉ Ｏ−ｔ、ｏｒｒ 。
高周波コイル（６）への印加電力 ２００Ｗ。
処理時間 １０分間。
の条件にて、Ｔ）ｉ記基体表面に高周波放電を発生させ
、この高周波放電にて１）行記基体表面をイオンエツチ
ングし、この後で上記の条件で、上ｇｔ ノ実Ｍｗ例１
におけると同じ１時間および６時間の反応１１１間にて
人工ダイヤモンド皮膜を析出形成ぜ１〜めた。
、この高周波放電にて１）行記基体表面をイオンエツチ
ングし、この後で上記の条件で、上ｇｔ ノ実Ｍｗ例１
におけると同じ１時間および６時間の反応１１１間にて
人工ダイヤモンド皮膜を析出形成ぜ１〜めた。
この結果、上記基体表面には、実施例」と同じ方法で測
定したところ、１時間の反応で３１′均６０個／ｄのダ
イヤモンド結晶核の析出生成が見られ、寸だ６時間の反
応で平均膜厚： ４．．５７．＋ ７ｒＩの人工ダイヤ
モンド皮膜が形成されていた。
定したところ、１時間の反応で３１′均６０個／ｄのダ
イヤモンド結晶核の析出生成が見られ、寸だ６時間の反
応で平均膜厚： ４．．５７．＋ ７ｒＩの人工ダイヤ
モンド皮膜が形成されていた。
一方、比較の目的で、イオンエツチング処理を行なわな
い以外は、同一の条件で行なつ／こ人工ダイヤモンド皮
膜の析出形成では、１時間の反応では平均１７個／ｃｒ
＆のダイヤモンド結晶核しか析出形成されておらず、丑
だ６時間の反応では平均膜厚 ２５μ７＋＋のダイヤモ
ンド皮膜しか形成されていなかつノこ。
い以外は、同一の条件で行なつ／こ人工ダイヤモンド皮
膜の析出形成では、１時間の反応では平均１７個／ｃｒ
＆のダイヤモンド結晶核しか析出形成されておらず、丑
だ６時間の反応では平均膜厚 ２５μ７＋＋のダイヤモ
ンド皮膜しか形成されていなかつノこ。
実施例 ３３
第３図に示され３る装置ｒｔを用い、
反応容器（Ｊ）：外径３０ｉπφを有する石英製のもの
。
。
基体（５）平面］、 ２．７ ｍ、ｍ ×厚さ４８＋ｌ
ｌＩ＋＋の寸法をもつ／３ Ｗ Ｃソ（り超硬合金（’
１１’ｉＣ：コ０爪量係 （：Ｏ：’７ 重（ｉｆ、’
＄ ＋ Ｗ”残り）製板制。
ｌＩ＋＋の寸法をもつ／３ Ｗ Ｃソ（り超硬合金（’
１１’ｉＣ：コ０爪量係 （：Ｏ：’７ 重（ｉｆ、’
＄ ＋ Ｗ”残り）製板制。
反応混合ガス組成 容量割合で、Ｊ−１’２ ／ ＣＨ
４，＝１０ ｉ） ／ ５ 。
４，＝１０ ｉ） ／ ５ 。
雰囲気圧力ニ ５ Ｌｏｒｒ 。
マイクロ波： ２４ 、’３０ Ｍ＋’（ｚ。
の条件て上記’ＪｉＶ：休５の表面にダイヤモンド皮膜
を形成するに先だって、 反応容器（」）内の雰囲気：Ａｒ（反応混合ガス導入′
１ｔ２よりＡ、ｒ流入）。
を形成するに先だって、 反応容器（」）内の雰囲気：Ａｒ（反応混合ガス導入′
１ｔ２よりＡ、ｒ流入）。
雰囲ダ（圧力ニ ｉ Ｘ 、１０”−”ｔｏｒｒ 。
導波管（７）のマイクロ波： ２４．５０λ４Ｈｚ（５
０Ｗ）。
０Ｗ）。
処理時間 ２０分間。
の条件にて、前記基体表面にマイクロ波によるプラズマ
放電を発生させ、このマイクロ波によるプラズマ放電に
て前記基体表面をイオンエツチングし、引続いて上記の
条件で、同様に実施例１におけると同じ１１１６問およ
び６時間の反応時間にて人工ダイヤモンド皮膜を析出形
成せしめ／こ。
放電を発生させ、このマイクロ波によるプラズマ放電に
て前記基体表面をイオンエツチングし、引続いて上記の
条件で、同様に実施例１におけると同じ１１１６問およ
び６時間の反応時間にて人工ダイヤモンド皮膜を析出形
成せしめ／こ。
丑／こ、比較の目的で、上記の条件でのイオンエツチン
グ処理を行なわない以外は、同一の条件で上記基体表面
に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成せしめた。
グ処理を行なわない以外は、同一の条件で上記基体表面
に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成せしめた。
この結果、イオンエツチング処理を施し／ζ基体表面に
は、同様に実施例１と同じ方法で測定し／こところ、１
時間の反応で平均５．′３個／ ｃｎｆのダイヤモンド
結晶核の析出生成が見られ、６■寺間の反応で平均膜厚
４０μ７ｎの人工ダイヤモンド皮膜が形成されていだ
のに対して、イオンエツチング処理を行なわない基体表
面には、それぞれ１．５個Ａｒ１のダイヤモンド結晶核
および平均膜厚、２；うμ７ｎのダイヤモンド皮膜の形
成しか見られないものであった。
は、同様に実施例１と同じ方法で測定し／こところ、１
時間の反応で平均５．′３個／ ｃｎｆのダイヤモンド
結晶核の析出生成が見られ、６■寺間の反応で平均膜厚
４０μ７ｎの人工ダイヤモンド皮膜が形成されていだ
のに対して、イオンエツチング処理を行なわない基体表
面には、それぞれ１．５個Ａｒ１のダイヤモンド結晶核
および平均膜厚、２；うμ７ｎのダイヤモンド皮膜の形
成しか見られないものであった。
上述のように、この発明の方法によれば、基体表面に人
工ダイヤモンド皮膜を析出形成するに先だって、予め基
体表面をイオンエツチングすることによって反応初期に
おけるダイヤモンド結晶核の析出生成割合を著しく増大
することができ、これによってきわめて速い析出形成速
度での人工ダイヤモンド皮膜の形成が可能となるなど工
業上有用な効果がもたらされるのである。
工ダイヤモンド皮膜を析出形成するに先だって、予め基
体表面をイオンエツチングすることによって反応初期に
おけるダイヤモンド結晶核の析出生成割合を著しく増大
することができ、これによってきわめて速い析出形成速
度での人工ダイヤモンド皮膜の形成が可能となるなど工
業上有用な効果がもたらされるのである。
第１図、第２図、および第３図はいずれも人工ダイヤモ
ンｌ゛皮膜の析出形成装置を示す概略断面１ン１で、ち
る。 １ 反応芥２：）、 ２・・反応混合ガス導入管、；う
−熱′ｉｌＬ子放躬桐としてのフィラメント、４ 台板
、 ５・・・基体、 （）・高周波コイル、／・・導波管。 出１ｉ’ａ１人 三菱金属株式会社 代ｌ（４！人 富 １］」 和 夫 外１名第１図 架２図
ンｌ゛皮膜の析出形成装置を示す概略断面１ン１で、ち
る。 １ 反応芥２：）、 ２・・反応混合ガス導入管、；う
−熱′ｉｌＬ子放躬桐としてのフィラメント、４ 台板
、 ５・・・基体、 （）・高周波コイル、／・・導波管。 出１ｉ’ａ１人 三菱金属株式会社 代ｌ（４！人 富 １］」 和 夫 外１名第１図 架２図
Claims (1)
- 主成分が炭化水素と水素からなり、かつ熱電子放射拐、
高周波によるプラズマ放電、あるいはマイクロ波にＪ−
るプラズマ放電などにより活性化された加熱反応混合ガ
スの流れの中に加熱基体を置くことによって前記基体の
表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成する方法におい
て、ダイヤモンド皮膜の析出形成に先だって、前記基体
の表面にイオンエツチング処理を施し、これを活性化す
ることに」二つて反応初期に析出するダイヤモンド結晶
核の増大をはかることを特徴とする人工ダイヤモンド皮
膜のイア１出形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060347A JPS60204695A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060347A JPS60204695A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204695A true JPS60204695A (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=13139535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060347A Pending JPS60204695A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60204695A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1984
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