JPS6020400A - 半導体記憶回路 - Google Patents

半導体記憶回路

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Publication number
JPS6020400A
JPS6020400A JP58129024A JP12902483A JPS6020400A JP S6020400 A JPS6020400 A JP S6020400A JP 58129024 A JP58129024 A JP 58129024A JP 12902483 A JP12902483 A JP 12902483A JP S6020400 A JPS6020400 A JP S6020400A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address information
address
decoder
section
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58129024A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Kawai
正人 河合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58129024A priority Critical patent/JPS6020400A/ja
Publication of JPS6020400A publication Critical patent/JPS6020400A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の属する技術分野〉 本発明は半導体記は回路に関し、特に実時間で内部故障
を検出することのできるデータ処理装置等における半導
体記憶回路に関するものであるつ〈従来技術〉 従来この種の半導体記憶回路においては、番地情報を作
るアドレスデコード部の故障el’ff出する機能が備
わっていなかった。従ってこの半導体記憶回路は製品出
荷あるいは受入れ時の検査で多大の時間を費して、アド
レスデコード部の検査をする必要があった。又、この半
導体記憶回路は一旦検査に合格しても使用中に生ずる故
障が検出されないため、定期的にテストプログラム(T
 &、 D )等の手段により、アドレスデコード部に
異常がないことを確認する必要があった。
〈発明の目的〉 本発明の目的は、従来の半導体記憶装置における上記欠
点を解決し、記憶回路の信頼性を向上させた半導体記(
意回路を提供することにある。
本発明の他の目的は記憶回路に設けられたテコータを実
時間で検査できるようにすることにより信頼性を向上さ
せた半導体記憶回路を提供することにある。
〈発明の構成〉 本発明によればデータを記憶する記憶部と、入力される
アドレス情報にテコードするデコーダと、前記番地情報
を前記記憶部に供給する番地情報保持部とを含むデータ
記臆回路において、前記入力アドレス情報にもとづいて
、少なくとも1ビット以上の番地情報を発生する番地情
報発生部と、前記番地情報発生部の番地情報と前記記憶
部の番地情報とを比較し不一致を検出する比較部とを有
する半導体記憶回路が得られる。
く実施例の説明〉 次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
第1図は本発明の実施例を示す。第1図において、本発
明の半導体記憶回路は人力アドレス情報をテコードする
デコーダ11と、人力されたデータを格納する記1意部
30と、この記は部30の各番地毎に番地情報を保持す
る番地情報記憶部31と、アドレス情報から番地情報記
憶部31に保持される番地情=mk再生成する番地情報
発生部40と、前記アドレス情報と番地情報とを比較す
る比較器41とから構成され、この比較器の結果を出力
により、アドレスデコーダの誤Vを実時間で検出するよ
うにしたものである。人力アドレス情報はアドレス人力
端子10を介しで人力され、テーク情報はデータ入力端
子20を介して人力される。
また記1意部30のデータ出力情報はデータ出力C11
子から送出される。
番地情報発生部40は第2図に示すように論理的にスル
ーの回路40aで構成することができ、$2図(b)に
示すようにアドレス情報(番地〕から記憶部31の番地
情報に対すする番地情報全発生するものである。通常、
この番地情報発生部4゜は人力アドレス情報iに対して
番地情報1′が選択される。
また、他の番地情報発生部40′は第3図に示すように
排他的論理和40bのトIJ −(T几EE)から構成
され、アドレス情報のパリティビットケ出力するもので
ある。この場合、番地情報保持部31には番地情報のパ
リティビットが保持されている。通常、番地情報発生部
40′は第3図(b)に示すように番地情報記憶部31
から読み出されるパリティビットと同じパリティビット
(P)がアドレス情報iに対応して発生する。
次に比較器41は第4図に示すように番地情報発生器4
0からの信号全人力する信号線401と番地情報記憶部
31からの信号全人力する信号線301 とをMしそれ
ぞれ人力される信号が1本ずつ排他的論理オ日51に人
力され、該排他的論理和の出力が論理和ゲート52に人
力されるように構成されている。番地情報発生64oか
らの信号と番地情報記憶部31からの信号との間で1本
でも不一致があるとその結末を論理和ゲート52の出力
信号elにセットし、その不一致の存在全表示するっ 次に本発明の実施例の動作について説明すると、たとえ
ばアドレステコード部11に故障がある時には、番地情
報発生部40でアドレス人力端子10からのアドレス情
報に基づいて発生された番地情報と、実際にアクセスさ
れた番地の番地情報記憶部31番地情報とが異なり、不
一致が比較器41で吹出され、その出力端子42に出力
し表示される。
すなわち、番地情報発生部40が第2図(aJに示すス
ルー回路で構成した場合にはアドレス情vh iに対し
て故障を生じたテコード部11でj番地が選ばれると、
番地情報記憶部31からは番地情報jが読み出され、番
地情報発生部40からは番地情報i′が読み出される。
排他的論理オロで構成された比較@41は信号線401
上の番地情報発生器40からの信号と信号線301上の
番地情報記は部31からの信号とでそれぞれ1本ずつ排
他的論理和がとられ、これらのうち1本でも不一致があ
るとその結果を論理411ゲート52を介して不一致の
存在を表示する。
また番地情報発生部40が第3図に示す番地情報発生部
40′である場合には排他的論理和のトリー回路により
パリティビット(P)a−出力する。
一方番地情報記tM部31はその番地情報のパリティビ
ットを出力するつしたがって、アドレステコ−ダ部11
で1ビツトが反転する故障が生ずると番地情報記憶部3
1から読み出されるパリティはアドレス人力から番地情
報発生器40′で発生されたパリティと不一致が生ずる
排他的論理オロで構成された比依器41は信号線401
上の番地情報発生器40からのパリティビットと信号線
301上の番地情報記憶部31からのパリティビットと
で排他的論理和かとられ、不一致があるとその結果を論
理オロゲート52をブrして、同様に不一致の存在を表
示する。
〈発明の効果〉 本発明は5以上説明したようにアドレスデコーダの故障
を実時間で検出できるCとにより、記は回路の検査時間
を大幅に短縮することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は不発明の実施例を示すブロック図、第2図は本
実施例に用いる番地情報発生部および番地情報対む表を
示す図、第3図は不実施例に用いる他の番地情報発生部
および番地情報対り表を示す図、第4図は本実施例に用
いる比較器を示す図である。 lO・・・・・・アドレス人力端子、11・・・・・・
アドレスデコーダ、20・・・・・・データ人力端子、
21・・・・・・データ出力端子、30・・・・・・テ
ータ記1意部、31・・・・・・番地情報記憶部、40
.40’・・・・・・番地情報発生部、41・−・・・
・比較器、42・・・・・・比叙結東出力端子茅1回 r〜 (b) 第 212I r−−−一一一−−−−1 第30 第4−図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. テークを配賦する記憶部と、人力アドレス情報を番地情
    報にテコードするテコーダと、前記番地情報全前記記憶
    部に供給する番地情報記l意部とを含む半等体記シバ回
    路において、前記人力アドレス情報にもとづいて少くと
    も1ビット以上の番地情報を発生する番地情報発生部と
    、前記番地情報発生部の番地情報と前記記憶部の番地情
    報とを比較し不一致全検出する比較部とを有することを
    特徴とする半導体記1回路つ
JP58129024A 1983-07-15 1983-07-15 半導体記憶回路 Pending JPS6020400A (ja)

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JP58129024A JPS6020400A (ja) 1983-07-15 1983-07-15 半導体記憶回路

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JP58129024A JPS6020400A (ja) 1983-07-15 1983-07-15 半導体記憶回路

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JPS6020400A true JPS6020400A (ja) 1985-02-01

Family

ID=14999255

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JP58129024A Pending JPS6020400A (ja) 1983-07-15 1983-07-15 半導体記憶回路

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JP (1) JPS6020400A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016071910A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
JP2016184189A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 診断プログラム、診断方法および半導体装置
WO2022270323A1 (ja) * 2021-06-25 2022-12-29 ローム株式会社 メモリ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016071910A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
JP2016184189A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 診断プログラム、診断方法および半導体装置
WO2022270323A1 (ja) * 2021-06-25 2022-12-29 ローム株式会社 メモリ装置

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