JPS60202931A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60202931A JPS60202931A JP5824684A JP5824684A JPS60202931A JP S60202931 A JPS60202931 A JP S60202931A JP 5824684 A JP5824684 A JP 5824684A JP 5824684 A JP5824684 A JP 5824684A JP S60202931 A JPS60202931 A JP S60202931A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは低抵
抗のアモルファス相を含有するｎ又はｐ形半導体部を有
する薄膜半導体装置の製造方法に関する。
抗のアモルファス相を含有するｎ又はｐ形半導体部を有
する薄膜半導体装置の製造方法に関する。
従来のアモルファスＳｉ相を含有する半導体薄膜は、ガ
ラス、金属又は高分子薄板上にプラズマＣＶＤ法などの
方法で形成され、導電型の制御はＰＨ３−？Ａ、Ｈ３ガ
スを流してのｎ形ドーピングもしくはＢ２ｌｌ６ガスを
流してのｐ形ドーピングによって行っていた。かかるド
ープドＳｉ膜の抵抗率はｐ形で約１０”Ω・ｃｍ、ｎ形
で】０２Ω’Ｃｎｌと高く、高い直列抵抗のため素子性
能が劣っていた。又、ｎ形ドーピングの場合、プラズマ
パワーを増加するなどの方法でアモルファス相を微結晶
化することも可能であるが、得られた抵抗率は約１Ω・
ｃｍとあまシ低くはない。
ラス、金属又は高分子薄板上にプラズマＣＶＤ法などの
方法で形成され、導電型の制御はＰＨ３−？Ａ、Ｈ３ガ
スを流してのｎ形ドーピングもしくはＢ２ｌｌ６ガスを
流してのｐ形ドーピングによって行っていた。かかるド
ープドＳｉ膜の抵抗率はｐ形で約１０”Ω・ｃｍ、ｎ形
で】０２Ω’Ｃｎｌと高く、高い直列抵抗のため素子性
能が劣っていた。又、ｎ形ドーピングの場合、プラズマ
パワーを増加するなどの方法でアモルファス相を微結晶
化することも可能であるが、得られた抵抗率は約１Ω・
ｃｍとあまシ低くはない。
本発明の目的は、かかる従来の問題点を解決し、低抵抗
の導電型層を形成できる半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
の導電型層を形成できる半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
従来、半導体膜の低抵抗化を実現する方法として熱処理
法がある。しかし、アモルファス膜の場合、通常の電気
炉を用いる長時間熱処理法では、活性層であるノヴドー
プ層が変質し、デバイスが劣化してしまう。この点を解
決するため、本発明では、熱処理時間が１秒以下のレー
ザを用いた短時間熱処理法を用いる。レーザとして、パ
ルスレーザとＣＷレーザがあり、ＣＷの場合走査速度を
早くすれば実質的に短時間の熱処理が可能である。
法がある。しかし、アモルファス膜の場合、通常の電気
炉を用いる長時間熱処理法では、活性層であるノヴドー
プ層が変質し、デバイスが劣化してしまう。この点を解
決するため、本発明では、熱処理時間が１秒以下のレー
ザを用いた短時間熱処理法を用いる。レーザとして、パ
ルスレーザとＣＷレーザがあり、ＣＷの場合走査速度を
早くすれば実質的に短時間の熱処理が可能である。
かかるレーザとして次のものがある。パルスレーザとし
て、エキシマレーザ（波長１５７〜３５１ｎｍ）、ルビ
ーレーザ（６９４ｎｍ）、ネオジウムＹＡＧ（２６６，
５３２，１０１０６４ｎ、ガラスレーザ（５３１ｎｍ）
やアレキサンドライトレーザ（７００〜８１８ｎｍ）な
どがある。
て、エキシマレーザ（波長１５７〜３５１ｎｍ）、ルビ
ーレーザ（６９４ｎｍ）、ネオジウムＹＡＧ（２６６，
５３２，１０１０６４ｎ、ガラスレーザ（５３１ｎｍ）
やアレキサンドライトレーザ（７００〜８１８ｎｍ）な
どがある。
ＣＷレーザとして、Ａｒイオンレーザ（２５７ｎｍ）や
Ｈｅ Ｎ ｅレーザ（６３３ｎｍ） などがある。今迄
、アモルファスＳｉのレーザアニールとして、Ｑスイッ
ｆ（７）Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（１０１０６４ｎが用いら
れた例は知られているが、アモルファスＳｉ膜の吸収係
数からして適切な波長では無く、従って良好なデバイス
特性は得られていない。
Ｈｅ Ｎ ｅレーザ（６３３ｎｍ） などがある。今迄
、アモルファスＳｉのレーザアニールとして、Ｑスイッ
ｆ（７）Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（１０１０６４ｎが用いら
れた例は知られているが、アモルファスＳｉ膜の吸収係
数からして適切な波長では無く、従って良好なデバイス
特性は得られていない。
アモルファスＳｉ半導体装置で用いられる半導体膜の厚
さは通常１μｍ以下であるので吸収係数としてｌｏ’ｃ
ｍ’ 以上の値を持つレーザ波長を選択する必要がある
。このためには、アモルファスＳｉ＠の場合、７５０ｎ
ｍよシ短かい波長のレーザ光を用いる必要がある。特に
、上記各種レーザ光の中で、波長３００ ｎｍ以下のレ
ーザ光を用いれば吸収係数は１０’ｃｍ’ となシ光の
吸収深さは約１０ｎｍで縦方向の上部半導体層のみ熱処
理できるなどの利点を有する。これに適したレーサトシ
て、エキシマレーザ、アルゴンイオンレーザとＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ（波長−電型で２６６ｎｍ）がある。特に、
エキシマレーデは励起ガスの種類を変えて、発振波長を
変えることが可能である。
さは通常１μｍ以下であるので吸収係数としてｌｏ’ｃ
ｍ’ 以上の値を持つレーザ波長を選択する必要がある
。このためには、アモルファスＳｉ＠の場合、７５０ｎ
ｍよシ短かい波長のレーザ光を用いる必要がある。特に
、上記各種レーザ光の中で、波長３００ ｎｍ以下のレ
ーザ光を用いれば吸収係数は１０’ｃｍ’ となシ光の
吸収深さは約１０ｎｍで縦方向の上部半導体層のみ熱処
理できるなどの利点を有する。これに適したレーサトシ
て、エキシマレーザ、アルゴンイオンレーザとＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ（波長−電型で２６６ｎｍ）がある。特に、
エキシマレーデは励起ガスの種類を変えて、発振波長を
変えることが可能である。
例えば、Ｆ２（１５７ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、
ＫｒＣｊ（２２２ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、Ｘｅ
Ｂｒ（２８２ｎｍ）、ＸｅＣＪ（３０８ｎｍ）とＸｅＦ
（３５１ｎｍ）で出力も数十Ｗ迄の大出力で大口径のレ
ーザが得られている。
ＫｒＣｊ（２２２ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、Ｘｅ
Ｂｒ（２８２ｎｍ）、ＸｅＣＪ（３０８ｎｍ）とＸｅＦ
（３５１ｎｍ）で出力も数十Ｗ迄の大出力で大口径のレ
ーザが得られている。
本発明は、かかる短波長のレーザを用い、アモルファス
Ｓｉ相を含有する半導体膜の熱処理を行う。半導体膜と
して、Ｂ又はＡｊなとのｐ形不純物、Ｐ又はＡｓなどの
ｎ形不純物を含有するアモル７−ｒ、ｔ、 ８ ｉ ：
Ｈ［、微結晶化Ｓｉ ： Ｈ＠、 ８ｉＧｅ：Ｈ膜、
８ｉＮ：Ｈ＠やＳｉＣ：Ｈ膜などがある。
Ｓｉ相を含有する半導体膜の熱処理を行う。半導体膜と
して、Ｂ又はＡｊなとのｐ形不純物、Ｐ又はＡｓなどの
ｎ形不純物を含有するアモル７−ｒ、ｔ、 ８ ｉ ：
Ｈ［、微結晶化Ｓｉ ： Ｈ＠、 ８ｉＧｅ：Ｈ膜、
８ｉＮ：Ｈ＠やＳｉＣ：Ｈ膜などがある。
不純物を該Ｓｉ膜中に含有させる工程として、プラズマ
ＣＶＤなどの膜形成中にガスから導入する方法とノンド
ープ又は低濃度ドープ層中にイオン打込み法で導入する
方法の２種類がある。
ＣＶＤなどの膜形成中にガスから導入する方法とノンド
ープ又は低濃度ドープ層中にイオン打込み法で導入する
方法の２種類がある。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
グロー放電を用いるプラズマＣＶＤ法により、５ｉＨ４
−８２Ｈ６（又は、ＰＨ３）系ガスを用い、Ｂ又はＰド
ープのアモルファスＳｉ＠を形成した。
−８２Ｈ６（又は、ＰＨ３）系ガスを用い、Ｂ又はＰド
ープのアモルファスＳｉ＠を形成した。
その膜の抵抗率を第１表に示す。
第１表
レーザとして、ＫｒＦ系エキシマレーザ（波長２４８ｎ
ｍｓ パルス幅１５ｎｓ）を用い、 該アモルファスＳ
ｉ＠を照射した。第１図は、レーデ照射強度を変えて照
射した後の抵抗率変化を示す。
ｍｓ パルス幅１５ｎｓ）を用い、 該アモルファスＳ
ｉ＠を照射した。第１図は、レーデ照射強度を変えて照
射した後の抵抗率変化を示す。
レーザパワー密度０．２ Ｊ ／ ｃｍ２ 迄はスーパ
ーリニアに抵抗率が減少し、その後直線的に減少してい
る。得られた抵抗率は第１表の値に比べて極めて小さく
、通常の多結晶膜と同程度の値となっている。特に、レ
ーザパワー密度０．２ Ｊ ／ ｃｍ ２ 以上でのア
ニール膜はＸ線回折によると結晶化していることが明ら
かになった。レーザパワー密度０、２ Ｊ ／ ｃｍ
２ 以下でアニールした膜は、微結晶相を含む非晶質膜
で、膜表面の形状は平滑であシ、デバイス作製用として
適している。
ーリニアに抵抗率が減少し、その後直線的に減少してい
る。得られた抵抗率は第１表の値に比べて極めて小さく
、通常の多結晶膜と同程度の値となっている。特に、レ
ーザパワー密度０．２ Ｊ ／ ｃｍ ２ 以上でのア
ニール膜はＸ線回折によると結晶化していることが明ら
かになった。レーザパワー密度０、２ Ｊ ／ ｃｍ
２ 以下でアニールした膜は、微結晶相を含む非晶質膜
で、膜表面の形状は平滑であシ、デバイス作製用として
適している。
実施例２
ＣＷ（連続発振）のアルゴンイオンレーザを用い、実施
例１と同様な非晶質膜にレーザアニールを行った。
例１と同様な非晶質膜にレーザアニールを行った。
波長はＡＤＰ光学結晶を用い第２高調波である２ ５７
ｎｍとし、走査速度１ｍｍ／秒で該ドープ非晶質シリ
コン膜をアニールした。照射後の抵抗変化は第１図と同
様であった。この方法では、ビーム走査により、均質に
熱処理を行える特長がある。
ｎｍとし、走査速度１ｍｍ／秒で該ドープ非晶質シリ
コン膜をアニールした。照射後の抵抗変化は第１図と同
様であった。この方法では、ビーム走査により、均質に
熱処理を行える特長がある。
実施例３
グロー放電を用いるプラズマＣＶＤ法により、第２図に
示したように、ガラス基板１上に、ｎ形層２、ｉ形層３
およびｐ形層４を形成した。その後、波長１９３ ｎｍ
のＡｒＦエキシマレーザ７を照射した結果、照射前の抵
抗率２．４Ｘ１０ Ω・ｃｍが照射後３． Ｉ Ｘ １
０Ω・Ｃｍと抵抗率が低下した。
示したように、ガラス基板１上に、ｎ形層２、ｉ形層３
およびｐ形層４を形成した。その後、波長１９３ ｎｍ
のＡｒＦエキシマレーザ７を照射した結果、照射前の抵
抗率２．４Ｘ１０ Ω・ｃｍが照射後３． Ｉ Ｘ １
０Ω・Ｃｍと抵抗率が低下した。
これによＬｐｔｎ型ダイオードの直列抵抗が低下し、整
流比が改善された。
流比が改善された。
実施例４
実施例３においてｐ形層４として、炭素入シの非晶質シ
リコンカーバイド膜を用いた。レーザ照射前の抵抗率３
Ｘ１０７Ω・ｃｍが照射後３．０Ｘ１０６Ω・ｃｍ と
抵抗率を低減することができた。
リコンカーバイド膜を用いた。レーザ照射前の抵抗率３
Ｘ１０７Ω・ｃｍが照射後３．０Ｘ１０６Ω・ｃｍ と
抵抗率を低減することができた。
実施例５
シリコン薄膜を用いたＭＯＳＦＥＴの製造方法を第３図
に示す。
に示す。
ガラス基板１上にゲート電極（Ｍｏ、Ｃｒなど）１１を
形成後、プラズマＣＶＤ法によ１８ｉ０２［１２および
ｎ形弁晶質シリコン薄膜３を形成した。
形成後、プラズマＣＶＤ法によ１８ｉ０２［１２および
ｎ形弁晶質シリコン薄膜３を形成した。
ソースおよびドレイン電極１４および１５を蒸着し、ガ
ラス基板１の下部からレーザ７の照射を行った。レーザ
照射条件は実施例１〜３と同様で良い。このレーザ照射
により、ゲート電極１１上の非晶質シリコン膜は変化し
ないがソースおよびドレイン電極１４と１５の下部の非
晶質シリコン膜は結晶質を含むシリコン１１１６に変質
した。
ラス基板１の下部からレーザ７の照射を行った。レーザ
照射条件は実施例１〜３と同様で良い。このレーザ照射
により、ゲート電極１１上の非晶質シリコン膜は変化し
ないがソースおよびドレイン電極１４と１５の下部の非
晶質シリコン膜は結晶質を含むシリコン１１１６に変質
した。
実施例６
シリコン薄膜ＭＯ８ＦＥＴの他の製造方法を第４図に示
す。
す。
ガラス基板１上にソースおよびドレイン電極２１および
２２を形成後、プラズマＣＶＤ法によ］ＳｉＯ□２３お
よびｎ−形弁晶質シリコン＠２４を連続形成し／ヒ。ゲ
ート電極２５を形成後、該ゲート電極をマスクとしてｐ
”（オン８の打込みを行い、実施例１〜３と同様なレー
ザアニールを行った。このレーザアニールにより、低抵
抗シリコン膜２６を形成した。この方法で、ＭＯ８ＦＢ
３Ｔのセルファラインによる形成が可能となシ、得られ
たＦ Ｂ ’ｌ’の０Ｎ１０ＦＦ’比も向上した。
２２を形成後、プラズマＣＶＤ法によ］ＳｉＯ□２３お
よびｎ−形弁晶質シリコン＠２４を連続形成し／ヒ。ゲ
ート電極２５を形成後、該ゲート電極をマスクとしてｐ
”（オン８の打込みを行い、実施例１〜３と同様なレー
ザアニールを行った。このレーザアニールにより、低抵
抗シリコン膜２６を形成した。この方法で、ＭＯ８ＦＢ
３Ｔのセルファラインによる形成が可能となシ、得られ
たＦ Ｂ ’ｌ’の０Ｎ１０ＦＦ’比も向上した。
本発明によれば下記のことが実現できる。
（］）極めて低抵抗のｎ形およびｐ形層を作製できる。
（２）セルアラインが可能である。
（３）極く表面層のみアニールできる。
（４）低温プロセスである。
従って、本発明によシ、安価な大面積基板上に、秀れた
性能を有する半導体薄膜装置を作製することができる。
性能を有する半導体薄膜装置を作製することができる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図乃至
第４図は、それぞれ本発明の異なる実施例を示す工程図
である。 １・・・ガラス基板、２・・・ｎ形層、３・・・ｉ形層
、４・・・ｐ形層、７・・・レーザ光、８・・・イオン
、１１・・・ゲート電極、１２・・・５ｉ０２膜、 １
３・・・ｎ形弁晶質シリコン膜。 第 １ 図 し−ずパワー（Ｊ／ｃｍ２） 第２ Ｍ 第３ 図 ＄ ４ い 第１頁の続き ■発明者中谷 光雄槓 徐 ：浜市戸塚区吉田町２替番地 株式会社日立製作所生産
技゛６ｊ１
第４図は、それぞれ本発明の異なる実施例を示す工程図
である。 １・・・ガラス基板、２・・・ｎ形層、３・・・ｉ形層
、４・・・ｐ形層、７・・・レーザ光、８・・・イオン
、１１・・・ゲート電極、１２・・・５ｉ０２膜、 １
３・・・ｎ形弁晶質シリコン膜。 第 １ 図 し−ずパワー（Ｊ／ｃｍ２） 第２ Ｍ 第３ 図 ＄ ４ い 第１頁の続き ■発明者中谷 光雄槓 徐 ：浜市戸塚区吉田町２替番地 株式会社日立製作所生産
技゛６ｊ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁された基板上に形成した非晶質シリコン膜を主
体として構成したシリコン系薄膜半導体装置の製造方法
において、ｎ形もしくはｐ形不純物を含有する非晶質相
シリコンを含有する半導体膜をレーザアニールによシ低
抵抗化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記レーザとして
波長３００ｎｍ以下の紫外レーザを用いることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 ″３．特許請求の範囲第１項或いは第２項において、レ
ーザとして波長３００ ｎｍ以下で照射強度０、２ Ｊ
／ ｃｍ ２ 以下の紫外レーザを用い、シリコン膜
の表面近傍をアニールすることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5824684A JPH0656839B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5824684A JPH0656839B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202931A true JPS60202931A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH0656839B2 JPH0656839B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=13078761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5824684A Expired - Lifetime JPH0656839B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656839B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299011A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶薄膜基板のアニ−ル方法 |
| JPH07147259A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-06 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製法 |
| US6544825B1 (en) | 1992-12-26 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US6790749B2 (en) | 1992-10-09 | 2004-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6835607B2 (en) | 1993-10-01 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method for manufacturing the same |
| US6921686B2 (en) | 1995-02-21 | 2005-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing insulated gate thin film semiconductor device |
| US8835271B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
| US8946717B2 (en) | 2002-04-09 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
| US9366930B2 (en) | 2002-05-17 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with capacitor elements |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5309454B2 (ja) | 2006-10-11 | 2013-10-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP5824684A patent/JPH0656839B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299011A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶薄膜基板のアニ−ル方法 |
| US7109108B2 (en) | 1992-10-09 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device having metal silicide |
| US8017506B2 (en) | 1992-10-09 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7723788B2 (en) | 1992-10-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US6790749B2 (en) | 1992-10-09 | 2004-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7602020B2 (en) | 1992-10-09 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7799665B2 (en) | 1992-11-06 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7351615B2 (en) | 1992-12-26 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
| US6544825B1 (en) | 1992-12-26 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
| US7170138B2 (en) | 1993-10-01 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7301209B2 (en) | 1993-10-01 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6835607B2 (en) | 1993-10-01 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method for manufacturing the same |
| JPH07147259A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-06 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製法 |
| US7045403B2 (en) | 1995-02-21 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing insulated gate thin film semiconductor device |
| US6921686B2 (en) | 1995-02-21 | 2005-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing insulated gate thin film semiconductor device |
| US7615423B2 (en) | 1995-02-21 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing insulated gate thin film semiconductor device |
| US8946717B2 (en) | 2002-04-09 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
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