JPS60201672A - 光起電力素子 - Google Patents

光起電力素子

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JPS60201672A
JPS60201672A JP59059258A JP5925884A JPS60201672A JP S60201672 A JPS60201672 A JP S60201672A JP 59059258 A JP59059258 A JP 59059258A JP 5925884 A JP5925884 A JP 5925884A JP S60201672 A JPS60201672 A JP S60201672A
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JP
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phthalocyanine
free phthalocyanine
type metal
conversion efficiency
purity
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JP59059258A
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Shinji Minami
信次 南
Kanji Sasaki
佐々木 寛治
Keishiro Tsuda
津田 圭四郎
Yoshitomo Yonehara
祥友 米原
Shoichi Kinoshita
正一 木下
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Kawamura Institute of Chemical Research
DIC Corp
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Kawamura Institute of Chemical Research
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • HELECTRICITY
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    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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    • H10K85/311Phthalocyanine
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野) 本発明は光起電力素子に関し、更に詳しくは、光電エネ
ルギー変換効率を向上せしめた、無金属フタロシアニン
を分散質として利用する光起電力素子に関する。
(発明の背景) 従来、光起電力素子としては、結晶性シリコン、アモル
ファスシリコン、GaAs、InP/CdS、C’dS
/Cu2 S等の無機化合物を用いた素子が知られてい
る。しかしながらこれらの素子は光電エネルギー変換効
率が5〜23%と比較的高くても原料が高価であったり
、製作技術が複雑であったりするため、素子も高価にな
らざるを得なかった。
そこで安価な材料を用い、しかも大面積化が容易な光起
電力素子を得るために、有機化合物が見向されつつある
現状である。特にフタロシアニン化合物は、極めて安定
な有機化合物であり、半導性を有する等の点から、光起
電力素子材料として注目され、多くの報告がなされてい
る。
例えば、フタロシアニンの微粒子を高分子化合物中に分
散せしめた光活性層薄膜が光起電力素子として有効に使
用できることが知られている(米国特許第4,175,
981号)。この場合、フタロシアニンとしてはX型無
金属フタロシアニンを用い、そのバインダー用高分子と
しては暗絶縁性の良いもの、特にポリスチレン、ポリア
クリロニトリル、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、
スチレン−アクリロニトリル共重合体およびポリビニル
カルバゾールが通しているとされている。
これらの高分子中に、X−型フタロシアニンを分散させ
た薄膜を用いて形成された光起電力素子は1〜17μW
/cJの単色入射光に対して、1.4〜4%の光電エネ
ルギー変換効率を示している。また光電エネルギー変換
効率は用いる高分子により劇的には変化しないと明記さ
れている。ちなみに17μW / cJの単色入射光に
おける光電エネルギー変換効率は2.0〜2.9%であ
る。一方、フタロシアニンの純度に関しては全く記述さ
れていない。
また特開昭57−91565号公報には、フタロシアニ
ンのバインダー用高分子としてフェノール樹脂を用いる
光起電力素子が記載されている。
しかしながら、10μW / cnlの入射光に対して
、0.4〜0.5%の光電エネルギー変換効率しか得ら
れていない。
また特開昭57−80780号公報には、フタロシアニ
ンのバインダー用高分子として、ハロゲン化オレフィン
からなる光起電力素子が記載され、ハロゲン化オレフィ
ンとしてポリビニリデン系化合物(ビニリデンクロライ
ド−アクリロニトリル共重合体)が記載されている。し
かしながら、これらの化合物とX−型無金属フタロシア
ニンとの組み合わせが特に優れた性能を示すということ
は一切示唆すらされていない。しかも使用されているフ
タロシアニンは市販顔料であるため、エネルギー変換効
率が10μW/cJの入射光に対して、たかだか0.4
%であるにすぎない。
さらに特開昭58−57758号公報には、フタロシア
ニンをポリビニリデンフルオライドフィルムに分散して
用いる光起電力素子が記載されている。同公報にはX−
型を使用できるのは勿論であるが、X−型を用いなくて
も米国特許第4.175.981号の素子と同等あるい
はそれ以上の性能が得られる旨記載されているが、10
μW/dの入射光でエネルギー変換効率は4%弱にすぎ
ず、またX−型とポリビニリデンフルオライドの組み合
わせが特に優れた性能を示すことは示唆すらなされてい
ない。また同公報にはフタロシアニンの純度についても
記載がなく、市販顔料と、昇華精製復硫酸処理したもの
または市販顔料を硫酸処理したものとの間にはエネルギ
ー変換効率に特に差がないことが明記されている。
以上に述べたように、従来のフタロシアニンを分散質と
して利用する光起電力素子は、それほど優れたエネルギ
ー変換効率が得られるものではなかった。
(発明の目的) 本発明の目的は、上記従来技術の有する欠点を除去し、
容易にかつ安価に、優れた光電エネルギー変換効率を達
成しうる、フタロシアニンを分散質とする光起電力素子
を提供することにある。
(発明の概要) 本発明者らは、上記目的を達成するため、電気的に特異
な性質を有する高分子化合物をバインダーとして、しか
もその電気的特性を利用して光電エネルギー交換素子能
を向上させるべく鋭意研究の結果、ポリビニリデン系化
合物がバインダーとして極めて優れていること、さらに
この化合物を、X−型の無金属フタロシアニンと組み合
わせて用いるとき、その効果が格段に高められることを
見出して本発明に到達した。
本発明は、X−型無金属フタロシアニンを分散状態で含
有するポリビニリデン系化合物から成るフィルムを光活
性層とすることを特徴とする光起電力素子である。
本発明によれば、従来の光起電力素子に比して、容易に
そして安価に、より改善された光電エネルギー交換効率
を達成しうる光起電力素子を提供することができる。
本発明に用いられる無金属フタロシアニンは、種々の既
知の結晶形のうち、特にX−型無金属フタロシアニンが
好ましい。
本発明において、X−型無金属フタロシアニンとは、ブ
ラッグ角度において、7.5.9.1.16゜7.17
.3および22.3度に強いX線回折図形を有するもの
で、その強度比は第3図に示すように必ずしも、米国特
許第3,357,989号明細書と一致するものではな
い。第3図中のAは米国特許第3.357.989号明
細書より引用したX−型無金属フタロシアニンのX線回
折図、B、CおよびDは各種製法によるX−型無金属フ
タロシアニンのX線回折図(いずれも銅にα)を示す。
また無金属フタロシアニンは市販顔料、その硫酸処理品
または昇華精製品を用いることもできるが、例えば、ジ
リチウムフクロシアニンを経由した精製法またはJ、A
m、Chem、3o c、。
103、p4629 (1981)に記載されているフ
タロシアニンの種々の錯体を経由した精製法、さらにこ
れらの方法と硫酸処理または昇華精製とを併用した方法
等により精製を行なって得られる高純度フタロシア・ニ
ンを用いることが好ましい。
本発明における高純度フタロシアニンとは好ましくは純
度95%以上、さらに好ましくは97.5%以上のもの
をいう。
X−型無金属フタロシアニンは、上記の如き精製法で得
られるα−型無金属フタロシアニンに、ボールミル等の
機械的エネルギーを加える等の方法により容易に製造で
きる。
本発明に用いられるポリビニリデン系化合物としては、
例えばビニリデンフルオライド、ビニリデンクロライド
、ビニリデンシアナイド等の重合体またはこれらと他の
共重合成分との共重合体が挙げられる。これらの(共)
重合体はいかなる重合法により製造されたものでもよく
、通常成形材料として市販されているものをそのまま、
またはこれらを再沈澱法により精製して使用することが
できる。またポリビニリデンシアナイドまたはその共重
合体は、H,G11bert等のJ、Am。
Chem、3oc、、ユ6.P1074 (1954)
、同78.P1669 (1956)に記載されている
方法等により容易に製造できる。
これらの(共)重合体の重合度は特に制限されず、フタ
ロシアニン分散質のバインダーとして機能すればよく、
一般に1.000〜5,000程度の重合度のものが好
ましい。これらの(共)重合体を例示すると、ポリビニ
リデンフルオライドとしては、例えばKF−ポリマー(
呉羽化学工業(株)製)、Foraf ton (Pr
oduits Chimiques社製)等が、ポリビ
ニリデンクロライドとしては、例えばサラン(旭化成(
株)製、ビニリデンクロライド−ビニルクロライド共重
合体)、ビニリデンクロライド−アクリロニトリル共重
合体(Polysciences。
Inc製)等が挙げられる。
前記無金属フタロシアニンとポリビニリデン系化合物と
の混合割合には特に制限はないが、形成される膜厚とも
関係するが、1:4〜4:1の重量割合が好ましい。フ
タロシアニン含有量があまり多すぎると形成される膜の
強度が低下し、膜に亀裂が生じ易く、またあまり少なす
ぎると光電エネルギー変換効率が悪くなり、実用的でな
くなる。
特に好ましい重量割合は2:3〜3:2である。
本発明の光起電力素子を製造するに際して用いられる溶
媒は、ポリビニリデン系化合物を溶解または膨潤しうる
ちので、かつフタロシアニンの結晶形を維持しうるちの
であればよい。ポリビニリデンフルオライドまたはポリ
ビニリデンシアナイドについては、例えばジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラメチルウレア
等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。またポリビニリ
デンクロライドについては、例えばシクロヘキサノン、
イソホロン等のカルボニル化合物、N−メチルピロリド
ン、テトラメチルウレア等の非プロトン性極性溶媒が好
ましい。またエピクロルヒドリン、ジクロルメタン等の
ハロゲン化物あるいは一般の有RN媒を希釈剤として併
用することもできる。
本発明においてポリビニリデン系化合物は光活性層内で
フタロシアニンと何らかの相互作用を持ち、光電エネル
ギー変換効率を向上させるものであるが、この効率を低
下させない範囲内で他の高分子化合物を添加含有させて
もよい。例えばポリ酢酸ヒニル、ポリアクリロニトリル
、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等
を、ポリビニリデン化合物に対して、好ましくは50重
量%以下の割合で添加することができる。
さらに本発明の光活性層には、例えばクマリン6、ロー
ダミン6G、ペリレン−9等の色素増感剤、例えばクロ
ラニル、テトラシアノキノジメタン、トリニトロフルオ
レノン、ヨウ素等の電子受容性化合物等を添加すること
もできる。
本発明の光活性層を得るには、通富前記フタロシアニン
1重量部に対して、ポリビニリデン系化合物0.25〜
4重量部および前記溶媒1〜300重量部を混合し、さ
らに所望により、前記の高分子化合物、色素増感剤、電
子受容性化合物等を添加混合する。次いで得られた混合
物を、例えばボールミル、超音波分散、5pex社製の
MixerMill、ペイントシェーカー、ジェットミ
ル等の分散手段により均一に分散し、得られた分散液を
オーミック電極またはバリアー電極上に塗布する。分散
は必要に応じて加熱下にまたは冷却下に行なうことがで
きる。分散時間は全体の量、液の粘度、分散温度、分散
手段等により変化するので一概には言えないが、一般に
1o分間ないし5時間の範囲が好ましい。電極への塗布
方法としては、スピンコーティング法、アプリケーター
法、ワイヤーバー法、ドクターブレード法、スクリーン
印刷法等の種々の方法を用いることができる。
本発明の光起電力素子は、前記のように分散液をオーミ
ック電極またはバリアー電極上に、乾燥時の膜厚が好ま
しくは0.05〜50μm1特に好ましくは0.1〜1
0μmとなるように塗布、乾燥した後、基板上の電極が
オーミック電極の場合にはバリアー電極を、一方バリア
ー電極の場合にはオーミック電極を、それぞれ真空蒸着
、スパツタリング等の手法により形成することにより得
ることができる。
オーミック電極としては、仕事関数の大きい金属または
金属酸化物、例えば金、銀、白金、銅、酸化スズ、酸化
インジウム等が用いられる。バリアー電極としては、仕
事関数の小さい金属、例えばアルミニウム、インジウム
、クロム、鉛等が用いられる。これらはガラスまたは透
明高分子フィルム等の基板上に、または分散股上に真空
蒸着、スパツタリング等の手法により形成されて用いら
れる。また前記金属板の形で使用することもでき、さら
に透明導電性膜として市販されているNESA、■TO
膜等を使用することもできる。
バリアー電極は、光起電力の起源となるバリアーを形成
する電極であるとともに、光を光活性層にまで透過させ
るための窓の役も兼ねるため、例えば可視光を0.5〜
50%、好ましくは1〜20%透過する半透明な膜に形
成される。
第1図は、本発明の光起電力素子の一例とそのエネルギ
ー変換効率測定系の断面図、第2図は素子の膜厚とエネ
ルギー変換効率との関係を示すグラフである。
光起電力素子のエネルギー変換効率の評価は、光照射量
と負荷抵抗両端の電圧変化を測定して算出されるが、そ
の際負荷抵抗を適宜選ぶことにより、開放電圧(Voc
)、短絡充電流密度(JsC)および最適負荷条件を見
出すことができる。
エネルギー変換効率(η)は次式により算出される。
(FFは曲線因子、Pinは単位面積当たりの光活性層
に入射した入射光エネルギーであり、バリアー電極の透
過率を補正したものである。)(発明の効果) 本発明の光起電力素子は、ポリビニリデン系化合物をバ
インダーとして用い、しかもフタロシアニンとしてX型
の無金属フタロシアニンを用いることにより、従来の光
起電力素子に比して、格段に優れた光電エネルギー変換
効率を達成することにかできる。
また本発明の光起電力素子は、安価に大面積のものを容
易に製造することができ、また光センサーとして用いる
ことができるなど、工業的実用価値は極めて高いもので
ある。
(発明の実施例) 以下、本発明を実施例により説明するが、これにより本
発明の範囲が限定されるものではない。
実施例1 高純度α−型無金属フタロシアニン20gおよび直径1
0++nのセラミックス製ポール400gを内容積40
0 m Zのセラミックス製ポールミルに仕込み、毎分
100回転で70時間微粉砕した。
得られたフタロシアニンは高純度X−型粘結晶形あった
この高純度X−型型金金属フタロシアニン0■、ポリビ
ニリデンフルオライド20■およびテトラメチルウレア
1.2 m I2を混合し、−15℃で20分間分散を
行い、スラリーを形成させた。得られたスラリーをスピ
ンナーヘッド上に固定した透明導電ガラス面に滴下し、
スピンナーを80Orpmで5秒間回転させて膜を形成
させた。この膜を100 ’Cの温度で24時間真空乾
燥し、溶媒を完全に除去して薄膜素子を作成した。この
素子膜の上面にアルミニうムを真空蒸着し、半透明の電
極を形成させ、光電エネルギー変換効率を測定した。
この光起電力素子の617nmの各種強度の入射光に対
する光電エネルギー変化効率は第1表の通りであった。
実施例2 高純度X−型型金金属フタロシアニン0nw、ビニリデ
ンクロライド、ビニルクロライド共重合体(88: 1
2)20+++gおよびシクロへキサノン1゜2 m 
j2を混合し、室温で1時間分散を行い、スラリーを形
成させた。得られたスラリーを用い、スピンナーを80
 Or pm、で2秒間回転させ、その他は実施例1と
同様に処理して光起電力素子を得た。この光起電力素子
の光電エネルギー変換効率を第1表に示す。
実施例3 α−型無金属フタロシアニンを錯体化し、水で分解する
事により精製を行った。この精製α−型無金属フタロシ
アニン(純度99.9%)を用いて、実施例1と同様に
処理して高純度X−型型金金属フタロシアニン得た。
得られた高純度X−型型金金属フタロシアニンよびポリ
ビニリデンフルオライドを用い、溶媒としてテトラメチ
ルウレアおよびユピクロルヒドリン0.3 m Itを
用い、スピンナーの回転数を1. 00Orpmとし、
その他は実施例1と同様に処理して光起電力素子を得た
。この光起電力素子の光電エネルギー変換効率を第1表
に示す。
実施例4 ポリビニリデンフルオライドに代えて、ビニリデンシア
ナイド−酢酸ビニル共重合体(60:40)を用い、そ
の他は実施例3と同様に処理して得られた光起電力素子
も、実施例3の光起電力素子とほぼ同様の性能を有して
いた。
第1表 比較例1 実施例3で得られた高純度X−型型金金属フタロシアニ
ン0■、ポリ酢酸ビニル20■およびシクロヘキサノン
1.2 m lを用い、その他は実施例1と同様に処理
して光起電力素子をえた。この光起電力素子の光電エネ
ルギー変換効率を第1表に示す。
比較例2 比較例1のポリ酢酸ビニルにかえてポリビニルカルバゾ
ールを用い、その他は比較例1と同様に処理して光起電
力素子を得た。この光起電力素子の光電エネルギーを変
換効率を第1表に示す。
比較例3 比較のため米国特許第4,175,981号公報に記載
の光活性層が60重量%でX−型無金属フタロシアニン
を含有し、結合剤がポリ酢酸ビニルである光起電力素子
の光電エネルギー変換効率を第1表に併せて示す。ただ
し前記米国特許においては入射光は670鰭の単色光で
あり、また光強度0.01.0.017および0.1 
m w / cJの数値は、図から読み取った値である
第1表の結果から、本発明の光起電力素子が比較例の場
合に比して格段に優れた光電エネルギー変換効率を示す
ことが明らかである。また比較例1と比較例3の場合を
比較することにより、高純度フタロシアニンを用いる場
合には、よりすぐれた性能を示すことが判る。
実施例5 X−型無金属フタロシアニン含有率60%の各種膜厚の
ポリビニルフルオライドフィルム素子を作成し、入射光
10μw / cdの場合のエネルギー変換効率(η)
を測定した。その結果を第2図のグラフに示す。この範
囲内で大した差は認められないが、膜厚が薄い方が若干
効率が良い傾向にある。
比較例4 β−型型金金属フタロシアニン錯体化し、水で分解する
ことにより精製を行い、純度99.2%の高純度α−型
無金属フタロシアニンを得た。この高純度α−型無金属
フタロシアニン30■に、ポリ酢酸ビニル20■とシク
ロへキサノン1.2mlを混合し、スピンナーを600
γpmで5秒完回転させる。他は実施例2と同様に処理
して光起電力素子を得た。
この光起電力素子に0.01mW/−の入射光(617
fi単色光)を照射し、光電エネルギー変換効率を測定
したところ、0.98%であった。この値はX−型無金
属フタロシアニンをポリ酢酸ビニルに分散させた素子(
比較例3)の値とほぼ同等である。
比較例5 市販の無金属フタロシアニンを0℃で濃硫酸に熔解し、
氷水中に注いで、再沈殿させることにより、純度93.
6%のα−型無金属フタロシアニンを得た。
この低純度α−型無金属フタロシアニンを用い、比較例
4と同様に素子を作り、同様の測定を行った結果、光電
エネルギー変換効率は0.28%と低い値であった。
比較例4も比較例5の場合も、X−型無金属フタロシア
ニンとビニリデン系化合物とを組合せて用いる本発明の
光起電力素子の場合に比して格段に低い性能しか得られ
ないことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光起電力素子の一例とそのエネルギー
変換効率測定系の断面略図、第2図は素子の膜厚とエネ
ルギー変換効率との関係を示すグラフ、第3図はX−型
無金属フタロシアニンのX線回折図(銅にα)である。 1・・・フタロシアニン粒子、2・・・ポリビニリデン
系化合物、3・・・マルミニウム半透明膜、4・・・導
電膜電極、5・・・ガラス基板、6.6′・・・銀ペー
スト、7.7′・・・リード線、8・・・負荷抵抗、9
・・・エレクトロメーター。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第2図 騙4 (μm) 第3図 手続補正書 昭和59年 5月 1日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和59年 特 許 願 第59258号2、発明の名
称 光起電力素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関−丁目3番1号名 称 
工業技術院長 川 1)裕 部 (外1名)4、工業技
術院長の復代理人 〒103住 所 東京都中央区日本
橋茅場町−丁目11番8号6、補正の対象 明細書の発
明の詳細な説明の欄および?、 iiR正の内容 (1)明細書第6頁1行の「交換素子」をr変換素子」
に改める。 (2)明細書第6頁13行の「交換効率」をr変換効率
」に改める。 (3)明細書第14頁11行の「にができる。」をrが
できる。jに改める。 (4)明細書第15頁18行の「変化効率」をr変換効
率1に改める。 − (5)明細書第16頁第18行「テトラメチルウレア」
を「テトラメチルウレア0.9 m j! Jに改める
。 (6)明細書第17頁第1表最下段の[第4.175.
9851Jを「第4.175.981Jに改める。 (7)明細書第19頁10行の「ポリビニル」を° 「
ポリビニリデン1に改める。 (8)明ms第20頁2行の「5秒完」を「5秒間jに
改める。 (9)明細書第21頁11行の「3・・・マルミニウム
」を13・・・アルミニウム1に改める。 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)x−型無金属フタロシアニンを分散状態で含有す
    るポリビニリデン系化合物から成るフィルムを光活性層
    とすることを特徴とする光起電力素子。
  2. (2)ポリビニリデン系化合物が、ビニリデンフルオラ
    イド、ビニリデンクロライド、もしくはビニリデンシア
    ナイドの重合体またはこれらの化合物と他の共重合成分
    との共重合体であることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載の光起電力素子。
JP59059258A 1984-03-27 1984-03-27 光起電力素子 Pending JPS60201672A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59059258A JPS60201672A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 光起電力素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59059258A JPS60201672A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 光起電力素子

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JPS60201672A true JPS60201672A (ja) 1985-10-12

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ID=13108167

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