JPS60198744A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS60198744A JPS60198744A JP5493084A JP5493084A JPS60198744A JP S60198744 A JPS60198744 A JP S60198744A JP 5493084 A JP5493084 A JP 5493084A JP 5493084 A JP5493084 A JP 5493084A JP S60198744 A JPS60198744 A JP S60198744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- section
- needle
- integrated circuit
- stepped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は半導体集積回路装置用検出パッドに関する。
従来技術
第1図(a)およびtb)に従来の半導体集積回路装置
用信号検出パッドの平面図および断面図を示す。
用信号検出パッドの平面図および断面図を示す。
半導体基板1の上の絶縁層2表面に信号検出用導電膜層
3が所定の電極パッド形成で形成されている。従来は信
号検出用導電膜層3が平らなため導電膜層に針を立てて
信号を拾うとき針が滑って信号線や半導体素子にSをり
けてしまり九p、針を立てる測定作業が困難であったp
1電極パッドの面積を大きくして針の接触を確実にする
ために大面積の電極パッドにともなう付加容量値が増え
て回路の動作速度を遅くする等の悪影響があるという欠
点があり九。
3が所定の電極パッド形成で形成されている。従来は信
号検出用導電膜層3が平らなため導電膜層に針を立てて
信号を拾うとき針が滑って信号線や半導体素子にSをり
けてしまり九p、針を立てる測定作業が困難であったp
1電極パッドの面積を大きくして針の接触を確実にする
ために大面積の電極パッドにともなう付加容量値が増え
て回路の動作速度を遅くする等の悪影響があるという欠
点があり九。
発明の目的
本発明の目的は従来の欠点を解消するために絶縁層の段
差を利用して測定針の滑りを防[し付−加−容量の減少
によるスピードの向上にM効な検出パッドを備え九半導
体集積回路装置を提供すF<ある。
差を利用して測定針の滑りを防[し付−加−容量の減少
によるスピードの向上にM効な検出パッドを備え九半導
体集積回路装置を提供すF<ある。
発明の需成
本発明は半導体基板上に形成され1部に段差を有する絶
縁層と、この絶縁層上に段差部を含んで被着され良導電
層とt−有する検出パッドを備え九半導体集積回路装置
を得る。
縁層と、この絶縁層上に段差部を含んで被着され良導電
層とt−有する検出パッドを備え九半導体集積回路装置
を得る。
発明の笑施例
第2図1a)および(b)に本発明の−!i!施例によ
る神導体集積回路装置の信号検出パッドの平面図および
断面図を示す。半導体基板11の上に絶縁層12を十分
厚く形成し配線領威及び検出パッド音域の1部が検出パ
ッド領域部分で凸部になるようにエツチング除去して段
差を有し1段差領域上に信号検出用導電膜層1at−形
成する。
る神導体集積回路装置の信号検出パッドの平面図および
断面図を示す。半導体基板11の上に絶縁層12を十分
厚く形成し配線領威及び検出パッド音域の1部が検出パ
ッド領域部分で凸部になるようにエツチング除去して段
差を有し1段差領域上に信号検出用導電膜層1at−形
成する。
本発明によれば段差を有している部分に信号を拾う針を
立てるCとによって容品に針が滑らずに他の信号線や半
導体素子を破壊することなくでき付加容量値の減少によ
シスピード向上に有効な半導体集積回路装置用信号検出
パッドが得られる。
立てるCとによって容品に針が滑らずに他の信号線や半
導体素子を破壊することなくでき付加容量値の減少によ
シスピード向上に有効な半導体集積回路装置用信号検出
パッドが得られる。
第1図(a)および(b)は従来の半導体装置を示す平
面図および@1図(尋のx−x’での断面図である第2
図(a)および(b)は本発明の実施例を示す平面図お
よび8g2図(a)のY−Y’での断面図である。
面図および@1図(尋のx−x’での断面図である第2
図(a)および(b)は本発明の実施例を示す平面図お
よび8g2図(a)のY−Y’での断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成され1部に段差t−Vする絶縁層と
、該絶縁層上に前記段差部を含んで被覆され良導電膜層
とを含む電極パッドを有することを特徴とする半導体集
積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5493084A JPS60198744A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5493084A JPS60198744A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60198744A true JPS60198744A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=12984339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5493084A Pending JPS60198744A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60198744A (ja) |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP5493084A patent/JPS60198744A/ja active Pending
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