JPS636852A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS636852A JPS636852A JP15079386A JP15079386A JPS636852A JP S636852 A JPS636852 A JP S636852A JP 15079386 A JP15079386 A JP 15079386A JP 15079386 A JP15079386 A JP 15079386A JP S636852 A JPS636852 A JP S636852A
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- semiconductor element
- thickness
- semiconductor device
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- semiconductor
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野〕
本発明は薄形構造の半導体装置に関する。
従来、この種の薄形半導体装置はプリント基板にＷｍを
形成してこのなかに半導体素子３収納するか、または半
導体素子を下向きにしてそのバンプ電極をプリント配線
に直接接続するかの何れがの手段によって作られている
。すなわち、半導体素子の形状には何等手を加えること
なくプリン・ト基板への実装方法を工夫することによっ
てその実現がはかられている。
形成してこのなかに半導体素子３収納するか、または半
導体素子を下向きにしてそのバンプ電極をプリント配線
に直接接続するかの何れがの手段によって作られている
。すなわち、半導体素子の形状には何等手を加えること
なくプリン・ト基板への実装方法を工夫することによっ
てその実現がはかられている。
しかし、前者のプリント基板内に半導体素子を収納する
構造のものでは約９００μｍの厚さとなり、また、後者
のプリント配線へのバンプ電極の直接接続構造をもので
ら８００ Ｊｉｒｎ程度にしか薄くはならないので、こ
のような実装方法の工夫のみでは、例えば最近提案され
ているＩＳＯ規格（案） Ｏ，，７６１ｍ厚のＩＣカー
ドを実現するにはきわめて大きな困難が伴なう。更に、
後者のものはバンプ電極の接触部を外部から目視による
確認検査ができないのでルーズ・オープンまたはルーズ
・ショートを起こす欠点を有する。
構造のものでは約９００μｍの厚さとなり、また、後者
のプリント配線へのバンプ電極の直接接続構造をもので
ら８００ Ｊｉｒｎ程度にしか薄くはならないので、こ
のような実装方法の工夫のみでは、例えば最近提案され
ているＩＳＯ規格（案） Ｏ，，７６１ｍ厚のＩＣカー
ドを実現するにはきわめて大きな困難が伴なう。更に、
後者のものはバンプ電極の接触部を外部から目視による
確認検査ができないのでルーズ・オープンまたはルーズ
・ショートを起こす欠点を有する。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、少くとらＩＣカー
ドの薄形化を容易に達成し得て且つ実装し易い半導体装
置を提供することである。
ドの薄形化を容易に達成し得て且つ実装し易い半導体装
置を提供することである。
本発明の半導体装置は、断面が台形形状の半導体素子と
、前記半導体素子の傾斜面に沿って設けられるバンブ電
極用配線導体と、前記半導体素子の活性化領域を含む全
表面を被覆するパッシベーション膜とを備えることを含
む。
、前記半導体素子の傾斜面に沿って設けられるバンブ電
極用配線導体と、前記半導体素子の活性化領域を含む全
表面を被覆するパッシベーション膜とを備えることを含
む。
かかる構造の半導体装置は、半導体素子の活性化領域を
含む面上にはパッド電極が存在しないので、パッシベー
ション膜は活性化領域上は勿論アルミ配線および素子の
傾斜面に沿って設けられたバンブ電極用配線導体を含む
その他の全ての領域でも充分に被覆して厚膜のモールド
・コートを不要ならしめ、また、バンブ電極用配線導体
は素子の傾斜面に沿って絶縁基板の配線上まで充分下降
しているので半導体装置全体の厚みは半導体素子そのも
のの厚みでほぼ決定し得るようになる。従って、厚さ５
００μｍ以下の超薄形半導体装置が信頼性を充分に保持
してきわめて容易に実現される。この際、バンブ電極用
配線導体の先端はプリント配線上に露出しな状もとなる
のでフィルム絶縁基板との接続状態を外部から目視によ
り確認検査することができる。。
含む面上にはパッド電極が存在しないので、パッシベー
ション膜は活性化領域上は勿論アルミ配線および素子の
傾斜面に沿って設けられたバンブ電極用配線導体を含む
その他の全ての領域でも充分に被覆して厚膜のモールド
・コートを不要ならしめ、また、バンブ電極用配線導体
は素子の傾斜面に沿って絶縁基板の配線上まで充分下降
しているので半導体装置全体の厚みは半導体素子そのも
のの厚みでほぼ決定し得るようになる。従って、厚さ５
００μｍ以下の超薄形半導体装置が信頼性を充分に保持
してきわめて容易に実現される。この際、バンブ電極用
配線導体の先端はプリント配線上に露出しな状もとなる
のでフィルム絶縁基板との接続状態を外部から目視によ
り確認検査することができる。。
以下図面をや照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す断面図およびフィルム絶縁基板上への実装図であ
る。本実施例によれば本発明の半導体装置は、断面が台
形形状の半導体素子１と、半導体素子１の傾斜面に沿っ
て設けられたバンブ電極用配線導体２と、半導体素子１
の活性化領域、アルミ配線（何れも図示しない〉および
バンブ電極用配線導体２を含む全ての表面を被覆するよ
う形成されたパッシベーション膜（窒化膜またはボリミ
イド樹脂膜）３とを含む。ここで、４はフィルム絶縁基
板、５はプリント配線導体、６はハンダ材、また、７は
外装フィルム絶縁膜である。
を示す断面図およびフィルム絶縁基板上への実装図であ
る。本実施例によれば本発明の半導体装置は、断面が台
形形状の半導体素子１と、半導体素子１の傾斜面に沿っ
て設けられたバンブ電極用配線導体２と、半導体素子１
の活性化領域、アルミ配線（何れも図示しない〉および
バンブ電極用配線導体２を含む全ての表面を被覆するよ
う形成されたパッシベーション膜（窒化膜またはボリミ
イド樹脂膜）３とを含む。ここで、４はフィルム絶縁基
板、５はプリント配線導体、６はハンダ材、また、７は
外装フィルム絶縁膜である。
本実施例によると半導体装置全体の厚みは半導体素子１
の厚みで実質的に決定され、半導体素子１の裏面から外
装フィルム絶縁膜７の表面までの厚さを５００μｍ程度
に抑え込むことができる。すなわち厚さが約５００ 、
ｔｚ ｍの超薄形半導体装置を得ることができる。この
厚さは現在提案されているＩＣカードのＩＳＯ規格（案
）の実現に充分対応し得る数値である。また、プリント
配線導体５との接続部が外部から充分目視できるので、
最適条件を以ってハンダ接続を行ない得る。従って、従
来の如きルーズ・オープンまたはルーズ・ショートなど
を起こす懸念などは全くない。
の厚みで実質的に決定され、半導体素子１の裏面から外
装フィルム絶縁膜７の表面までの厚さを５００μｍ程度
に抑え込むことができる。すなわち厚さが約５００ 、
ｔｚ ｍの超薄形半導体装置を得ることができる。この
厚さは現在提案されているＩＣカードのＩＳＯ規格（案
）の実現に充分対応し得る数値である。また、プリント
配線導体５との接続部が外部から充分目視できるので、
最適条件を以ってハンダ接続を行ない得る。従って、従
来の如きルーズ・オープンまたはルーズ・ショートなど
を起こす懸念などは全くない。
以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体素子
の断面を台形形状とすることによってその活性化領域面
上からパッド電極を取除き、また、バンブ電極用配線導
体をフィルム絶縁基板のプリント配線まで下降させ露出
せしめ得るので、全体の厚さが半導体素子の厚みで一意
的に定まり、且つ実装し易い半導体装置を高信顆性を以
って容易に実現することができる。すなわち、半導体装
置の超薄形化に顕著なる効果をあげることができる。
の断面を台形形状とすることによってその活性化領域面
上からパッド電極を取除き、また、バンブ電極用配線導
体をフィルム絶縁基板のプリント配線まで下降させ露出
せしめ得るので、全体の厚さが半導体素子の厚みで一意
的に定まり、且つ実装し易い半導体装置を高信顆性を以
って容易に実現することができる。すなわち、半導体装
置の超薄形化に顕著なる効果をあげることができる。
第１図（ａ）および（１））はそれぞれ本発明の一実施
例を示す断面図およびフィルム絶縁基板上への実装図で
ある。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・バンブ電極
用配線導体（Ａｕ＞、３・・・・・・バ・ソシベーショ
ン膜、４・・・・・・フィルム絶縁基板、５・・・・・
・プリント配線導体、６・・・・−・ハンダ材、７・・
・・・・外装フィルム絶縁膜。 ；、 夕・：１．）
例を示す断面図およびフィルム絶縁基板上への実装図で
ある。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・バンブ電極
用配線導体（Ａｕ＞、３・・・・・・バ・ソシベーショ
ン膜、４・・・・・・フィルム絶縁基板、５・・・・・
・プリント配線導体、６・・・・−・ハンダ材、７・・
・・・・外装フィルム絶縁膜。 ；、 夕・：１．）
Claims (1)
- 断面が台形形状の半導体素子と、前記半導体素子の傾斜
面に沿って設けられるバンプ電極用配線導体と、前記半
導体素子の活性化領域を含む全表面を被覆するパッシベ
ーション膜とを備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15079386A JPS636852A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15079386A JPS636852A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636852A true JPS636852A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0535571B2 JPH0535571B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=15504555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15079386A Granted JPS636852A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636852A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5109270A (en) * | 1989-04-17 | 1992-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895862A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 積層構造半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP15079386A patent/JPS636852A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895862A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 積層構造半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5109270A (en) * | 1989-04-17 | 1992-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0535571B2 (ja) | 1993-05-26 |
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