JPS60195011A - インジウムを溶媒とするインジウム溶液の純化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （本発明の属する技術分野） 本発明は、半導体光素子用の材料として好適なインジウ
ム燐（エロＰ）、インジウムガリウム砒素（Ｉｎ　（１
１１Ａｓ　）’及びインジウムガリウム砒素燐（ＩｎＧ
ａＡｓＰ）などのインジウムを含む■−ｖ族化合物半導
体の液相成長薄膜の高純度化技術に関し、特にインジウ
ム（以下、Ｉｎと記す）を溶媒とする■族とＶ族の元素
の化合したＩｎ溶液の純化方法及びその純化方法を用い
る液相エピタキシャル成長法に関するものである。

（従来技術） 近年、光伝送システムの長波長化に伴ない、Ｏｏり〜／
、Ｊμｍ帯にバンドギ’ｒツブをもっＩｎＰ、　ＩｎＧ
ａＡｓ及びＩｎＧａＡｓＰ等のＩｎを含むｍ−ｖ族化合
物半導体の薄膜単結晶が注目されている。この光素子用
材料として上記■−ｖ族化合物半導体薄膜を用いる場合
、当該薄膜層のキャリア密度を低下させる必要があり、
そのためには結晶中の酸素、イオウ及びその他の残留不
純物金属を減らし結晶を高純度化する技術が重要である
。

しかし現在の技術では、Ｉｎを溶媒とするインジウム燐
液（以下、「Ｉｎ溶液」と記す）から酸素、イオウ及び
その他の残留不純物金属等を減する高純度化に限界があ
シ、このような不純物の残ったＩｎ溶液を用いた液相エ
ピタキシャル成長方法では成長する薄膜の高純度化に限
界があった。

また、極めて抵抗値の高い半絶縁性ＩｎＰ・ＩｎＧａＡ
ｓ　Ｐ・Ｉｎ０ａＡｓ等のＩｎ系薄膜は、素子の基板材
料あるいは素子間を電気的に分離する素子分離用薄膜と
して重要である。これらの薄膜を高抵抗化するために社
、鉄（Ｆｅ）やニッケル（Ｎｉ）等を薄膜中に添加し、
これら遷移金属の形成する深い準位を利用することが知
られている。

しかし、現在の技術ではＦｅ又はＮ１等の遷移金属を添
加したＩｎ溶液から酸素、イオウその他の残留不純物金
属等を減する高純度化に限界があシ、この溶液を用いた
液相エピタキシャル成長法では成長する結晶薄膜の高抵
抗化に限界があった。

これまで、高純度のＩｉＰ　＋　Ｉｎ０ａＡｓ及びＩｎ
ＧａＡｓＰ等のＩｎを含むｍ−ｖ族化合物半導体薄膜（
以下ＦＩｎ系薄膜」という）を、通常のカーボンボート
を用いた液相エピタキシャル方法で成長させる場合、極
めて長時間の熱処理が必要であった。

すなわち、従来のカーボンボートを用いた液相エピタキ
シャル成長方法の概要を説明すると、まず、薄膜を成長
させるだめの溶液用原料をカーボンボートに入れ、当該
原料を真空中あるいは高純度水素雰囲気中で、６弘Ｏ℃
〜ｔＳＯ″Ｃの高温で、ｉｏ時間から数十時間加熱する
。これによシ、溶液中に含まれる不純物を蒸発させ、溶
液の純度を高めている。しかる後にこの溶液を室温まで
冷却し、さらに基板結晶をカーボンボー）Ｋ設置して、
再度加熱し、溶液を充分溶かした後徐冷し、溶液の飽和
温度よシ低い適当な温度で基板結晶を一定時間溶液に接
触させることによシ、高純度のＩｎｋ。

ＩｎＧａ人Ｓ　ｒ　ＩｎＧａＡｓＰ等のＩｎ系薄膜を成
長させている。

また、よシ高純度の結晶薄膜を得るためＫは、前述の成
長工程を数回繰シ返すことが必要であった。すなわち、
前述の方法である程度の厚さの薄膜を成長させたら、基
板を一旦反応炉から引き出し、再び溶液を数十時間加熱
した後、基板を再度溶液に接触させ更に薄膜を成長させ
ることを繰シ返す。

このように１従来では高純度の上記薄膜を成長させるた
めに社、原料中の不純物を蒸発させ純度を高めるために
、原料を真空中あるいは高純度水素雰囲気中で高温、長
時間の熱処理を要し、極めて長時間の熱処理を必要とす
るという欠点があった。

（本発明の目的） 本発明の目的は、Ｉｎを溶媒とするＩｎ溶液及びこの溶
液を用いて成長する工０系薄膜の高純度化を実現するＩ
ｎ溶液の純化方法及び液相エピタキシャル成長方法を提
供するととにある。

本発明の他の目的は、高純度かつ高抵抗のＩｎ系薄膜を
成長できる液相エピタキシャル成長方法を提供すること
にある。

本発明の他の目的は、処理時間が短がくてすむ、Ｉｎ溶
液の純化方法及び液相エピタキシャル成長方法を提供す
ることにある。

（本発明の概要） 本発明は、Ｉｎ、ＩｎＰ等及びＣｏ又はＩｎ　＋　Ｉｎ
Ｐ等＋　Ｃ。

及び遷移金属を加熱溶融しＩｎを溶媒とするＩｎ溶液を
純化する。更に、このＩｎ溶液に基板を接触させること
によシこの基板上にＩｎ系薄膜を成長させる。前述の加
熱溶融に際してはＩｎ＋ＩｎＰ等及びｃｏを一時に一緒
に加熱溶融する方法と、Ｉｎ及び０ｏ又はＩｎ、Ｏｏ及
び遷移金属を一旦加熱溶融した後、　ＩｎＰ等を加えて
再度加熱溶融する方法とがある。

加熱溶融によ、ｊ７　Ｉｎ溶液をつくる際に、添加され
ているＣＯがリン（Ｐ）又はヒ素（Ａｓ　）と反応し非
常に安定なコバルトリン化合物（ＯｏＰ、０ｏ２Ｐ、０
ｏ３Ｐ　）又はコバルトリン化合物（０ｏＡｓ　＋　０
ｏ２Ａｓ　＋　Ｏｏ＠　Ａｓ　）を形成する。これらの
化合物はその形成時に酸素。

イオウ又はシリコンや亜鉛のように分配係数の大きな残
留不純物金属をその化合物中に取り込む。

その結果、高純度な１ｎ溶液を得ることができる。

更に上述の化合物は成長するＩｎＰ＋　ＩｎＧａＡｓＰ
　＋ＩｎＧａＡｓ薄膜中には固溶しないので、高純度な
Ｉｎ系薄膜を得ることができる。

また高純度化に要する処理時間が短かくてすむ利点があ
る。

Ｃ本発明の実施例） 以下本発明を実施例に基づいて説明する。

実施例１ まず、本発明の実施例について半絶縁性ＩｎＰ基板上に
高純度Ｉ（ＩＰ薄膜を通常のスライドボートによる液相
エピタキシャル法によシ成長させる場合を例にとって詳
細に説明する。

まず純度９７９タタタチのＩｎを３．５１、純度り２タ
タタチの龜を約弘Ｏｍグ、例えばキャリア濃度がｊ　Ｘ
　／　０”０ｎ−８の無添加ＩｎＰ単結晶を／ｒ夕ｍｙ
それぞれ秤量しく　ＣｏがＰと結合し、Ｐの飽和度が落
ちる事を考慮して無添加の場合にくらべＩｎＰ量ハ多く
シている。、）、カーボンボートの一槽に入れ高純度水
素雰囲気（流号ざｃｏ　Ｃ外）中で、ｒ　ｔ　ｏ　”ｃ
３時間熱処理を行う。この熱処理によジコバルトリン化
合物がＩｎ溶液中で形成され、この化合物形成時にＩｎ
溶液中の各種残留不純物が化合物中にとシこまれるので
高純度なＩｎ溶液を得ることができる。次いでこの高純
度Ｉｎ溶液を冷却しＩｎＰ成長成長厚料を得る。この後
、半絶縁性ＩｎＰ基板をボートにセットした後、高純度
の水素雰囲気中で飽和温度７２０″Ｃで７時間保持し、
との後０．　ｔ°Ｃ／分で徐冷し、先に得られた原料を
再度溶融したＩｎＰ成長用溶液７１０℃で、前記基板に
接触させ６りＯｏＣまでＩｎＰ薄膜を成長させる。

この様にして成長したＩｎＰ薄膜の膜厚は約７μｍで、
その表面は鏡面状態が保たれた。格子定数及びフォトル
ミスペクトルのピーク波長は不純物を添〃ａ　Ｌないで
成長させたＩｎＰ薄膜と一致した。

また、成長したＩｏＰ薄膜をホール測定した結果、室温
での移動度約弘７００薗２／Ｖ−Ｓキャリア濃度／　Ｘ
　１０”ｏｎ−”　７７°にでの移動度２２０００Ｃｍ
”／Ｖ−８キャリア濃度１ｒ　Ｘ　／　０”　０ｎｅ−
”であった。

この値は伽を添加しないＩｎ溶液を用い他の熱処理条件
等の成長条件は同様にして成長させたＩｎＰ薄膜の移動
度（室温−ｌＡ２０００ｖｂ”／Ｖ−８、７γに〜／　
６０００ａｒｌ／Ｖ−８）に比べ室温で約Ｊ−００ＣＩ
ｔｌ’／Ｖ　・８７７°Ｋ　テ３０００（ｉ　／Ｖ−８
程度大きい。コノ事は、Ｉｎ溶液にＣｏを添加する事に
よシ移導度が大きくなり、すなわち純度が高くなった事
を示している。

このように高純度なＩｎＰ薄膜が得られるのは高純度Ｉ
ｎ溶液を用いている仁とと、この高純度Ｉｎ溶液中のコ
バルトリン化合物が結晶成長時に薄膜中にとシこまれな
いためである。

この実施例では、従来技術で行われていた長時間の熱処
理が不要となるので極めて短時間でＩｎ溶液の純化及び
ｂ＋系薄膜のエピタキシャル成長ができる。

図／は、半絶縁性ＩｎＰ基板上にＩｎＰ薄膜を成長させ
るとき、Ｃｏ添加Ｉｎ溶液と無添加Ｉｎ溶液を用い前述
した条件で交互に連続して成長させた場合の７７°１（
におけ、る電気特性を示す。

○印はＣｏ添加Ｉｎ溶液を用いた場合、Ｘ印は無添力Ｄ
　Ｉｎ溶液を用いてＩｎＰを成長させた場合を示してい
る。

図１から明らかな様に［有］添加り＋溶液を用いて成長
した場合のＩｎＰ薄膜の移動度が増大し、より高純度な
り＋Ｐ膜が得られている。また、Ｃｏ添加のＩｎ溶液を
用いてＩｎＰ薄膜の成長を行ったことによ＃）、後の無
添加Ｉｎ溶液を用いて成長したＩｎＰ薄膜の純度（移動
度）に影響を及ぼさないことが確認された。

一方、図２はＩｎ溶液への龜の添加量を種々変え、成長
温度を７７θ〜６り０℃に保つ様にＩｎＰの量を選んで
成長させたＩｎＰ薄膜の移動度を示す。

２ｍｙ程度の少量の龜添加においても７７′にでの移動
度が２０，００００ｕｌ／Ｖ−Ｓ程度のＩｎＰ薄膜が得
られている。

また、Ｉｎ（ｈＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ薄膜の成長
時においても、高温で龜はＡｓと極めて安定な化合物を
形成する事から、ＩｎＰの場合と同様にして全く一同様
な効果が得られる。

実施例λ 次に、実施例／よシさらに結晶薄膜の高純度化を目的と
した実施例を示す。

この実施例では、１ｎ・０及びＩｎＰ単結晶を一時に加
熱溶融して純化を図るのではなく、純化工程を二段階に
分けている点に特徴がある。即ち先ずＩｎ及びＣｏを加
熱溶融し一次の純化を行った後に。

これにＩｎＰを加えて加熱溶融し二次の純化を行う。

具体的に説明すると、まず純度！；′２タタタタチのＩ
ｎを３．！グ、純度りＺ９タタ饅のＣｏを約４ＬＯｍ９
を秤量し、カーボンボートの一槽に入れ、酸素をＯ，（
７７ｐｐｍ添加した水素雰囲気中でｒｓｏ″Ｃ，２グ時
間熱処理を行う。この熱処理工程で、水素中に微量の酸
素を添加する理由は、高温で水素処理を長時間行うと、
石英管からシリコン（Ｓ、）が溶液に混入してしまい、
この溶液を用いて結晶成長した場合に結晶薄膜中のｎ形
不純物濃度が高くなるので、この熱処理時の８１のＩｎ
溶液への混入を防ぐためである。なお添加する酸素は０
．０　／〜θ’、２ｐｐｍでよい。

次に冷却し、ＩｎにＣｏを添加した高純度原料を得る。

さらに、高純度（例えばキャリア濃度３−　Ｘ　１０１
５偏　）　ＩｎＰ単結晶を１９０ｍノを秤量し、前述の
Ｉｎと龜の高純度原料と同じ槽に入れ純水素（ガス流量
♂００　ｃｃ／％　）中で７コＯ”Ｃ，２０時間熱処理
し高純度なＩｎ溶液を得る。その後、この高純度Ｉｎ溶
液を室温まで冷却し、ＩｎＰ成長用高純度原料を得る。

この後、半絶縁性ＩｎＰ基板をボートにセットし、高純
度水床雰囲気中で飽和温度７２０℃で７時間保持し、こ
の後０．６℃／分で徐冷し、前述の高純度原料を再度加
熱溶融したＩｎＰ成長用溶液に７１０℃で前記基板を接
解させ２２０″ＣまでＩｎＰ薄膜を成長させる。

この様にして成長させだｂ＋Ｐ薄膜の膜厚は約７μｍで
、薄膜の表面は鏡面状態が保たれた。成長したＩｎＰ薄
膜をホール測定した結果、ｎ形で室温　□での移動度４
４ざ００Ｃｒｔｌ／Ｖ−８、抵抗率２３Ω出、キャリア
濃度Ｊニア×ｌθ１′ｃｎ−８，７７°にでの移動度７
２．００００ｒＩＩ／Ｖ−８、抵抗率ｏ、ｉｓΩ偏、キ
ャリア濃度＊３×１０”偏−８であった。

比較のために、口を添加せずＩｎＰ　１７）量を♂ｊｍ
ｙとし、他の熱処理をはじめとする成長条件を同じにし
て成長させたＩｎＰ薄膜の電気特性は、室温での移動度
久４４００−’Ｉ：１００□２／／Ｖ−Ｅｌ、キャリア
濃度！〜λ×ｌ０ＩＩｌ出−８７７°にでの移動度３兄
ｏｏｏ〜３０．００００ｒｌ／’Ｖ−８＊　ヤリ７濃度
４１．　Ｊ　−／、　ｊ　Ｘ　／　０’　”Ｃｍ−８程
度テ、ｓる。

実施例λの中で述べたと同様の条件で、α添加Ｉｎ溶液
と無添加Ｉｎ溶液を用いて交互に成長させた場合のＩｎ
Ｐ薄膜の７７′にでの移動度の変化を図３に示す。（７
７°にでの移動度は、実質的なＩｎＰ薄膜の純度を示し
ている。Ｑ印はＣｏ添加のＩｎ溶液を用いた場合、ｘ印
は無添加Ｉｎ溶液を用いた場合を示す。Ｃｏ添加のＩｎ
溶液を用いた場合、無添カロのＩｎ溶液を用いる場合に
くらべ成長したＩｎＰ薄膜の移動度が３０．０００−Ｑ
−０，０００（：ｍ２／Ｖ−８高い値を示しておシ、Ｃ
Ｏ添加のＩｎ溶液を用いて成長させたＩｎＰ薄膜が極め
て高純度である事がわかる。

この実施例では、純化を二段階に分けて行うのでよシ高
純度なＩｎ溶液を得られ、またよシ高純度なＩｎＰ薄膜
を形成できる。

また、従来技術で行われていた熱処理、薄膜形成の工程
を繰シ返し行わなくても超高純度のＩｎＰ薄膜を形成で
きるので、工程の短時間化を実現できる。

表／は、実施例コと全く同様な方法を用い、成長条件を
種々変えて成長させたＩｎＰ薄膜の室温でのキャリア濃
度及び７７°Ｋにおける移動度を示す。

表１ 表２に記載していない他の成長条件は実施例−と同様で
ある。

実施例３ 次に鉄を添加した高抵抗ＩｎＰ薄膜成長の一実施例をの
べる。

ＩｎＰ系薄膜を高抵抗化するためには、溶液中の残留不
純物を可及的に少なくし、かつ高純度のＦｅを添加しな
ければならない。この残留不純物を可及的に少なくする
ためＯｏ添加を併用し、Ｆｅ添加Ｉｎｌ’薄膜の成長を
行った。

まず、純度り２タタタタ饅のエロ３．ｊ９、純度り２タ
タタチのＣｏφＯｍ７、純度り２ゲッタ％Ｆｅ≠Ｏｍ９
を秤量　゛し、これらをカーボンボートの一部に入れ、
酸素を０．Ｏ７ｐｐｍ添加した水素雰囲気中・でｒ！Ｏ
″Ｃ２’１時間加熱溶融する。その後この溶液を室温ま
で冷却する。次に高純度（例えばキャリア濃度ｊ　Ｘ　
／　０”ｃｍ−８）のＩｎＰを／　ｊ　ＯｒＱ秤量し、
同じ檜に入れ高純度水素雰囲気中で７．２０″Ｃで２０
時間加熱した後室温まで冷却しＩｎＰ成長用原料を得る
。この後半絶縁性ＩｎＰ基板をポートにセットした後。

高純度水素雰囲気中で７２０″Ｃ７時間加熱し、この後
０．６℃／分で徐冷し、前述のＩｎＰ成長用原料を再度
加熱溶融したＩｎＰ薄膜成長用溶液に７１０℃で前記基
板を接触させｔり０℃までＩｎＰ薄膜を成長させる。

このＩｒ＋Ｐ薄膜の膜厚は約７μｍで表面は滑らかであ
った。またこのＩｎｋ’薄膜は極めて高抵抗であシ、通
常のホール測定は困難であった。金ゲルマニウムニッケ
ル合金を電極としてシート抵抗を測定したところ抵抗率
は、約２×１０５Ω偏であった。

一方、ｃｏを添加せず、Ｆｅのみを添加したＩｎ溶液を
用いて同一条件でＩｎＰ薄膜を成長させた場合（ただし
実施例／を同様にして、龜を添加しない場合はＩｎＰノ
ースの量は少ない。）　ＩｎＰ薄膜は高抵抗化せず、通
常の無添加ｂ＋Ｐ薄膜と同程度で抵抗率は高々数Ω競で
あった。

このように高純度かつ高抵抗のＩｎＰ薄膜が得られるの
は先に実施例１で説明したように、００　による不純物
のゲッター効果によりＩｎＰ薄膜自体が高純度化できる
ことに加えて、Ｏｏを添加したＩｎ溶液にＦｅ又はＮ１
等の遷移金属を更に添加すると、遷移金属が残留不純物
量にくらべ極めてその添加量が多く、かつｃｏあるいは
Ｃｏの化合物にくらべ分配係数が比較的大きい事から、
薄膜析出時に短時間の熱処理で深い準位を有するＦｅあ
るいはＮｉがＩｎＰ添加されるからである。

この様にして、Ｆｅと同時にＣｏをＩｒ＋溶液に添加し
、残留不純物濃度を減少させる事によシ、容易に高抵抗
ＩｎＰ薄膜を得る事ができた。表２に、実施例３の一部
の成長条件を変えて成長させたＩｎＰ薄膜の電気特性を
示す。

表２ 表２に示した様に鉄の添加量は／Ｊｍｙ程度の少ない量
でも効果がある。

実施例≠ 実施例３のＦ’ｅの代わシにＮ１を用いても同様に高抵
抗のＩｎＰを成長させることができる。

実施例３の成長条件のうち酸素添加の水素雰囲気中の熱
処理で酸素をＱ、　Ｏｊ　ｐｐｍとし、高純度水素雰囲
気熱処理条件を７２０”Ｃ，２≠時間とし、ＩｎＰ薄膜
成長を開始温度ｔｔｏ″Ｃから終了温度ｔｔｏ″Ｃで行
った。

このときのＮｉ添加のＩｎＰ薄膜の膜厚は約ｚμｍで表
面は滑らかであったっこのＩｎＰ薄膜に金、亜鉛合金を
電極としてシート抵抗を測定したところ約３７００Ωｍ
であった。

一方、０を添加せずＮｉのみを添加したＩｎ溶液を用い
、他は同一条件でＩｎＰ薄膜を成長させた場合（ただし
、実施例／と同様にして００を添加しない場合は、溶液
の飽和度調整のためＩｎＰソースの散を少なくしている
。）　ＩｎＰ薄膜は高抵抗化せず、この程度の熱処理時
間では高々数Ω薗であった。表３に実施例弘の成長条件
を一部変えて成長させたＮｉ添加のＩｎＰ薄膜の成長条
件と比抵抗を示す。

表３ この様にしてＮ１とｃｏをＩｎ溶液に添加する事によシ
容易に高抵抗ＩｎＰ膜が得られた。

ここでは液相エピタキシャル成長法による高純度ＩｎＰ
薄膜及び高抵抗ＩｎＰ薄膜の成長法について述べたが、
ＯｏとＰの化合物によるゲッター作用を利用して高純度
薄膜、高抵抗薄膜を成長させている。

一方Ｃｏはんとも安定な化合物を作ることから、この方
法は高純度ＩｎＧａＡｓ　ｒ　ＩｎＧａＡｓＰ＋　Ｉｎ
Ａｓ　＋　ＩｎＧａＰ　あるいは高抵抗ＩｎＧａＡ＠１
７）るいはＩｎＧａＡｓＰ、　ＩｎＡｓ、　ＩｎＧａＰ
の液相成長にも応用できる事は明らかである。

さらに、原料の純度が向上し原料中の残留不純物濃度が
減少すれば、水素処理温度の低温化あるいは水素処理時
間の短縮化でき、また（３０　＋　ｌ＋ｅ　＋　Ｎ１等
の添加金属の量を減少させても高純度化、高抵抗化でき
る事はいうまでもない。

本発明によシ得られた薄膜結晶をアバ２ンシェフォトダ
イオード、ＰＩＮダイオード、ＦＦ１Ｔ等の高純度電子
デバイス、あるいはこれら電子デバイスの素子分離層、
半導体レーザの埋め込み層等の薄膜材料作成に利用でき
る。

また、実施例／〜≠では各種Ｉｎ溶液を一旦冷却し、再
びこれを加熱溶融してからＩｎＰ　系薄膜の成長を行っ
ているが、Ｉｎ溶液を一旦冷却することなくＩｎＰ系薄
膜の成長を続けて行えることはいうまでもない。

（不発ゆｊの効果） 以上述べた様に、本発明はＩｎを溶媒としＩｎＰ。

ＩｎＧａＡｓＰ　＋　ＩｎＧａＡｓ等を含むＩｎ溶液の
純化方法又はこれらＩｎ溶液を用いるＩｎＰ　、Ｉｎ（
）ａＡｓＰ　、又はＩｎＧａＡｓ薄膜の液相エピタキシ
ャル成長方法においてＩｎ溶液ＫＯｏを添加する４工に
よシ、ＣｏとＰ　あるいはらとＡｓの化合物をＩｎ溶液
中に析出せしめ、これら化合物の中に残留不純物を取シ
込みＩｎ　′溶液中の残留不純物を減少させる事ができ
、高純度なＩｎ溶液及び高純度ＩｎＰ　＋　ＩｎＧａＡ
ｓＰ　＊　ＩｎＧａＡｓ薄膜を容易に得られる利点があ
る。

また、この龜添加を高抵抗１ｎＰ＋　ＩｎＧａＡｓＰ　
＋ＩｎＧａＡｓ薄膜の成長に応用した本発明によれば、
前記のとと（Ｉｎ溶液中の残留不純物濃度を減少させる
事ができ、ＦｅあるいはＮｉ等の遷移金属を添加した高
抵抗ＩｎＰ　＋　ＩｎＧａＡｓＰ　Ｔ　ＩｎＧａＡｓ薄
膜を容易に取得できる。

しかも上述のＩｎ溶液の純化及び液相エピタキシャル成
長に要する時間が短くてすむ利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の［有］添加と無添加のＩｎ溶液を用い
て交互に成長させたＩｎＰ薄膜の成長回数に対する７７
°Ｋにおける移動度の測定値、第２図は伽を添加Ｉｎ溶
液を用いて成長させたＩｎＰ薄膜のＣ。 添加量に対する７７°Ｋにおける移動度の測定値、第３
図はら添加と無添加のＩｎ溶液を用いて交互に成長させ
たＩｎＰ薄膜の成長回数に対する７７°Ｋにおける移動
度の測定値である。 ／　２３４５ へ長目数 第７因 Ｃ６が奉加量（４ｎｇ） 第２因 ／　２３４５ べ長目数　− 矛３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　インジウムを溶媒とするインジーラム溶液の純
   化方法において、インジウム、インジウムを含むｍ−ｖ
   族化合物半導体材料及び少なくともコバルトを加熱溶融
   してインジウム溶液を純化させることを特徴とするイン
   ジウム溶液の純化方法。 （２）前記加熱溶融工程は前記インジウ今、前記■−ｖ
   族化合物半導体材料及び前記コバルトを一緒に加熱溶融
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイン
   ジウム溶液の純化方法。 （３）　前記加熱溶融工程は前記インジウムと前記コバ
   ルトを一旦加熱溶融し、その後前記ｍ−Ｖ族化合物半導
   体材料を加え、再び加熱溶融する二りの工程を含んでい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のインジ
   ウム溶液の純化方法・　′ （４）インジウム、インジウムを含む■−ｖ族化合物半
   導体材料及び少なくともコバルトを加熱溶融してインジ
   ウムを溶媒とするインジウム溶液を作製する工程と、こ
   のインジウム溶液に基板を接触させｍ−ｖ族化合物半導
   体薄膜を成長させる工程とを含むことを特徴とする液相
   エピタキシャル成長方法。 （５）前記インジウム溶液作製工程は、前記インジウム
   、前記■−ｖ族化合物半導体材料及び前記コバルトを一
   緒に加熱溶融する工程から成る−ことを特徴とする特許
   請求の範囲第≠項記載の液相エピタキシャル成長方法。 （６）　前記インジウム溶液作製工程は、前記インジウ
   ムと少なくとも前記コバルトを一旦加熱溶融し、その後
   前記■−Ｖ族化合物半導体材料を加え再び加熱溶融する
   二つの工程を含んでいることを特徴とする特許請求の範
   囲第≠項記載の液相エピタキシャル成長方法。 （８）前記インジウム溶液作製工程は、前記インジウム
   、前０己コバルトの他に遷移金属を一緒に一旦加熱溶融
   し、その後前記■−ｖ族化合物半導体材料を加え再び加
   熱溶融する二つの工程を含んでいることを特徴とする特
   許請求の範囲第７項記載の液相エピタキクヤル成長方法
   。 （９）　前記遷移金属は鉄又はニッケルであることを特
   徴とする特許請求の範囲第ざ項記載の液相エピタキシャ
   ル成長方法。